【課題】λ／４位相シフトＤＦＢレーザにおいて、空間的なホールバーニング（キャリア密度低下）を引き起こし、出力光のパワーが小さくなることを防止する。
【解決手段】λ／４位相シフトＤＦＢレーザは、誘導放出光を生成するための活性層４０と、この活性層４０の下又は上に積層され、単一縦モード化を図るための回折格子層３０と、活性層４０及び回折格子層３０を上下の方向から挟み込むように積層された上部クラッド層４１，４１ａ及び下部クラッド層２１とを有している。そして、回折格子層３０において、活性層４０を導波される誘導放出光のエバネセント場の及ぶ範囲内に、凹凸の回折格子３３が形成された回折格子形成領域３１と、前記回折格子３３が形成されていない回折格子非形成領域３２とが、交互に周期的に形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板上に互いに特性が異なる複数の半導体素子を有する半導体装置を、制御性高くかつ低コストで製造することができる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供すること。
【解決手段】基板上に複数の半導体素子を有する半導体装置の製造方法であって、前記基板に熱輻射量または熱伝導量が互いに異なる複数の領域を有する加熱制御層を形成する加熱制御層形成工程と、前記加熱制御層を形成した基板を加熱する加熱工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 量子ドットからなる活性層を有し、高温でも高速で動作する半導体光素子を提供することである。
【解決手段】 半導体基板と、前記半導体基板の上に積層され、第１の導電型を有する第１のクラッド層と、第１のクラッド層の上に積層され、伝導帯の電子及び価電子帯のホールを３次元的に閉じ込めて量子サイズ効果を発現する半導体結晶粒からなる量子ドットと、前記量子ドットを囲んで前記電子及び前記ホールを前記量子ドットに閉じ込める障壁層からなる活性層と、前記活性層の上に積層された、第２の導電型を有する第２のクラッド層を具備した半導体光増幅器において、前記障壁層のうち前記量子ドットの側面方向に位置する領域には、ｐ型の不純物がドーピングされ、前記障壁層のうち前記量子ドットの上下方向に位置する領域に、不純物がドーピングされていないことである。 （もっと読む）

【課題】量子ドット半導体デバイスにおいて、温度が変化しても動作波長における利得が変化しないようにする。
【解決手段】量子ドット半導体デバイスを、複数の量子ドット１を積層させてなる複合量子ドット２と、複合量子ドット２の側面に接するように形成されたサイドバリア層３とを備える複数の量子ドット層４Ａ，４Ｂを有する活性層１１を備えるものとし、活性層１１の利得スペクトルが所望の動作温度範囲における利得スペクトルのシフト量に対応した平坦利得帯域を持つように、各量子ドット層４Ａ，４Ｂを構成する量子ドット１の積層数及びサイドバリア層３の歪みの大きさを設定する。 （もっと読む）

【課題】電流−光出力特性を変更可能な半導体光素子を提供する。
【解決手段】半導体光素子１ａは、第１導電型半導体領域３と、活性層５と、電位制御層２ａと、第２導電型半導体領域７とを備える。第１導電型半導体領域３は、第１導電型のＧａＡｓ半導体基板１１上に設けられる。第２導電型半導体領域７は、第１導電型半導体領域３上に設けられる。活性層５は、第１導電型半導体領域３と第２導電型半導体領域７との間に設けられる。電位制御層２ａは、第１導電型半導体領域３の第２の領域３ｄと第２導電型半導体領域７との間に設けられ、第１及び第２導電型半導体領域３、７より小さく活性層５より大きいバンドギャップエネルギーを有する。第１導電型半導体領域３と第２導電型半導体領域７とは、活性層５の周囲において電位制御層２ａを挟んで間接的にｐｎ接合を構成している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来より厚みの厚いＩｎ組成の大きな結晶を量子井戸層とした量子井戸構造を実現した、特性の高性能化を図ることができる量子井戸構造、半導体レーザ、分光計測装置及び量子井戸構造の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩｎＰ基板上に量子井戸層１０が形成される量子井戸構造１２において、前記量子井戸層１０は４４０℃以上５１０℃以下の温度下で結晶成長し、該量子井戸層１０は２％以上１０％未満の圧縮歪を有した。 （もっと読む）

【課題】レーザ素子外部からの反射戻り光の影響を受けにくくするとともに、光アイソレータを使用することなく低価格な光モジュールを実現し、光モジュールへ搭載した場合の伝送特性を改善するＤＦＢレーザ素子を提供する。
【解決手段】ＧＣ型のＤＦＢレーザ素子１０であって、ｎ−ＩｎＰ基板１００と、この半導体基板の表面に形成した回折格子１０２と、回折格子上に形成したＩｎＧａＡｓＰ導波路層１０４と、導波路層上に形成したＭＱＷ活性層１０６とを具えており、導波路層のバンドギャップ波長が、活性層の発振波長の±０．１μｍ以内であり、ＩｎＧａＡｓＰ導波路層の厚みが５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲内であり、及び、ＭＱＷ活性層の幅が０．７μｍ〜１．０μｍの範囲内である。 （もっと読む）

【課題】 ＣＯＤを抑制することができる半導体レーザチップおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体レーザチップ（１００）は、下部クラッド領域（１１ａ）と、下部クラッド領域上に形成されＧａＡｌＩｎＡｓからなる層を含む活性層（１２）と、活性層上に形成された上部クラッド領域（１１ｂ）と、活性層の少なくとも一方の端部と光結合され少なくとも上下方向において光閉じ込めがなされＩｎＧａＡｓＰからなる層を含みかつ活性層に比較してＡｌ含有濃度が小さいコアを有する光導波路（１３ａ，１３ｂ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】高い変調特性を有したレーザ光を出力する。
【解決手段】ｎ型半導体基板１１と、ｎ型半導体基板の上方に配置され光を生成する活性層１７と、この活性層の上方に配置されたｐ型クラッド層２２と、活性層によって生成される光のなかから特定の波長のみを選択的に発振させる回折格子を備えたガス検知用波長可変型半導体レーザ２７であって、
活性層における生成された光の伝搬方向の長さを示す素子長Ｌを、単位面積当たりの電流量が増加して前記活性層の温度が上昇しやすい長さである２００μｍ乃至５００μｍに設定する。さらに、ｐ型クラッド層２２は、活性層側から順番に配列された、低不純物濃度を有する低濃度クラッド層１９と高不純物ｓ濃度を有する高濃度クラッド層２０を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子において、導波路の構造不整を少なくし、電流狭窄構造を良好にする。
【解決手段】半導体発光素子１は、第１導電型半導体基板１１の一方の面に、第１導電型半導体基板１１側から上方に第一導電型の下部クラッド層１３と、半導体活性層１５と、半導体活性層１５の特定領域１５ａに電流を注入するための電流狭窄部２４と、第２導電型コンタクト層２３と第２導電型電極２５とを順次有し、半導体活性層１５の下方に第１導電型電極２６を有する。電流狭窄部２４は、半導体活性層１５側から上方に、第２導電型上部第１クラッド層１７と、前記上部第１クラッド層の層幅より小さい層幅を有しかつ第一導電型電流ブロック層２１で埋め込まれた第２導電型上部第２クラッド層１９とを順次有する。 （もっと読む）

【課題】 コンタクト抵抗の値や電流狭窄層の絶縁性などの電気特性を直接測定することができる構成を有する半導体レーザを得ること、また、これらの電気特性の評価方法、さらには、このような半導体レーザの製造方法を提供すること。
【解決手段】 基板上に、第１導電型クラッド層、活性層、その一部がリッジ構造を形成する第２導電型クラッド層、電流狭窄層が積層された半導体レーザであって、互いに電気的に分離された複数の電極が、前記リッジ構造を横断するように前記電流狭窄層上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】水平方向の光放射角、および、発光点間隔の両方の制御性を向上させることが可能な半導体レーザ素子の形成方法を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子の形成方法は、ＧａＡｓ基板１上に、発光層１３、エッチングストップ層１５、および、ｐ型第２クラッド層１６を含む第１半導体レーザ素子部１０を形成する工程と、ＧａＡｓ基板上１に、発光層２３、エッチングストップ層２５、および、ｐ型第２クラッド層２６を含む第２半導体レーザ素子部２０を形成する工程と、エッチングにより、第１半導体レーザ素子部１０および第２半導体レーザ素子部２０に、それぞれ、リッジ部１６ａおよび２６ａを形成する工程とを備えている。また、第１半導体レーザ素子部１０を形成する工程は、ｐ型第２クラッド層１６を、ｐ型第２クラッド層２６の厚みよりも小さい厚みに形成する工程を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 リッジ幅を狭くすることなく、１次横モードをカットオフして、キンクレベルを向上させ、且つ信頼性の高い半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ｎ型の半導体基板２の両劈開面間を第１の領域Ｓ１と第２の領域Ｓ２と分割するとき、第１の領域Ｓ１におけるｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層６上に形成されたｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層８とｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０とからなる第１のリッジ１２と、第２の領域Ｓ２におけるｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層６上に形成されたｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層８と、ｐ型のＡｌＧａＩｎＰクラッド層８上に形成されたｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０からなる第２のリッジ１３と、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層６、８上に形成されたリッジ１２、１３を挟持する一対のＡｌＩｎＰ電流狭窄層１４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザの共振器端面を誘電体膜でコーティングする工程の前処理として前記端面をプラズマクリーニングする際に、レーザ光を吸収する導電性膜の付着を防止し、ＣＯＤレベルやサージ耐圧の向上を図る。
【解決手段】ｎ−ＧａＡｓ基板上に半導体積層構造体を形成し、共振器長間隔ごとにへき開して、１組の対向する劈開面が形成されたバー状半導体レーザを得る。次に、シリコンターゲットが設けられたＥＣＲスパッタ装置内にバー状半導体レーザを設置し、装置内を真空引きした後、プラズマ室にアルゴンガスと窒素ガスとを混合したクリーニングガスを導入してＥＣＲプラズマを生成させ、所定の時間だけ前記劈開面の一方をプラズマに曝してクリーニングを行う。続けて、窒素ガスに換えて酸素ガスを導入し、さらにターゲットにバイアスを印加してへき開面上に低反射率の端面保護膜であるシリコン酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【目的】 上下より電極を取り出せる構造を有する窒化物半導体素子素子を提供する。
【構成】 窒化物半導体よりなる基板の上に窒化物半導体層を形成してウェーハを得る工程と、前記ウェーハの表面に、［外１］乃至［外６］の内のいずれかに相当する面に沿って、溝を設ける工程と、前記溝に沿って窒化物半導体層及び基板を劈開する工程とを有し、前記溝は、前記ウェーハの端部に設けられ、前記劈開により形成された面は、レーザ素子の少なくとも一方の共振面とすることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】安定した特性を有する埋込型の窒化物半導体レーザ装置、及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】活性層５上にｐ型のＧａＮガイド層７、ｎ型のＧａＮ層８、及びｎ型のＡｌＧａＮ電流狭窄層９を順次形成した後、電流狭窄層９の一部を、光を照射しながらアルカリ溶液でエッチングして開口部２０を形成し、その後、電流狭窄層９上に開口部２０を覆うようにｐ型のＧａＮ第２ガイド層を形成する。ここで、ＧａＮ層８のエネルギーギャップは、ＡｌＧａＮ電流狭窄層９のエネルギーギャップよりも小さい。 （もっと読む）

【課題】高い拡散防止効果を備えながら応力の少ない電極を有する半導体素子及び、その半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体素子５１に形成する電極４４を、熱処理を施してオーミック特性を付与する第１電極層３０と、熱処理を施さない第２電極層３６とに分けて形成することで、熱処理時に生じる応力を低減することができる。また、バリア層を第１バリア層２６と第２バリア層２８とに分けることで薄層化して、応力を低減するとともに、半田接合時には第１バリア層２６と第２バリア層２８との間に設けた中間層２７を拡散消失させて、あたかも厚い１層のバリア層２３として機能させることで、高い拡散防止効果を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】キンクレベルを向上させることができる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】互いに平行な２つの共振器面を有する半導体レーザ素子において、第１導電型の半導体基板１と、表面上に形成される第１導電型の第１クラッド層２と、第１クラッド層上に形成される活性層３と、活性層上に形成される第２導電型の第２クラッド層４と、第２クラッド層上に形成され、共振器面に直交する方向に延在する第２導電型のリッジ部２０と、リッジ部との段差を埋めるように形成される第１導電型の電流ブロック層２２とを有し、電流ブロック層は、活性層でレーザ光が発生された際に活性層から電流ブロック層に漏れ出たレーザ光を透過する透明層９Ａ，９Ｂを有し、透明層の厚さは、共振器面を含む共振器面近傍領域では、共振器面近傍領域以外の領域よりも薄くなされている。 （もっと読む）

【課題】リッジ構造を改良し、半導体レーザにおいて高出力化と偏光比改善とを可能にする。
【解決手段】半導体レーザ１００の光出射面に近い領域（図１（ｂ）の左図）のリッジ部１０８の高さを、その他の領域（図１（ｂ）の右図）のリッジ部１０８の高さより低くする。このように、光出射端近傍のリッジ部１０８の高さを低くすることにより、低導波損失を維持しつつ、リッジ部１０８に加わる応力の影響を小さくすることができ、高出力化と偏光比改善との両立が可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＰ半導体基板から電流ブロック部へのドーパントの拡散を抑えることができる半導体光素子を提供する。
【解決手段】半導体光素子１は、硫黄がドープされており、表面におけるＥＰＤが１００ｃｍ^−２以下であるＩｎＰ半導体基板３と、活性層７を含むメサ状の光導波路部５と、光導波路部５の側面を埋め込む電流ブロック部１３と、ｎ型ＩｎＰ半導体からなり活性層７及び電流ブロック部１３とＩｎＰ半導体基板３との間に設けられたｎ型半導体層９とを備える。この構成により、ＩｎＰ半導体基板３と電流ブロック部１３とが直接接しないので、ＩｎＰ半導体基板３から電流ブロック部１３へのドーパント（Ｓ）の拡散を効果的に抑制できる。 （もっと読む）