【課題】高い光学特性を有しながら、下層の結晶性層との選択エッチングを容易に行うことができる電流狭窄層を備えた、窒化物半導体素子を得ること。
【解決手段】一電導型の第１の窒化物半導体層（１０７）と、前記一電導型とは逆の二電導型、もしくは高抵抗のＡｌＩｎＮにより形成された第２の窒化物半導体層（１０８）とが直接積層されていて、前記第２の窒化物半導体層（１０８）に、前記第１の窒化物半導体層（１０７）が露出するような開口部（１１２）が形成されている。 （もっと読む）

【課題】リーク電流の少ない半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０表面の絶縁層２０の開口２０Ａ上に、下部クラッド層３２と、活性層３３と、上部クラッド層３４と、コンタクト層３５とが順に形成されている。下部クラッド層３２の上面３２Ａの幅Ｗ２が絶縁層２０の開口２０Ａの幅Ｗ１よりも大きくなっており、上部クラッド層３４の上面３４Ａの幅Ｗ３が下部クラッド層３２の上面３２Ａの幅Ｗ２よりも大きくなっている。上部クラッド層３４が下部クラッド層３２および活性層３３を側面からも覆っている。 （もっと読む）

【課題】劈開面の損傷を低減可能な、半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】素子区画２１を有する第１の領域２２と、第１の領域２２に隣接し、ｘ軸の方向に延在する第２の領域２３と、第２の領域上２３において複数の劈開基準線２５上にそれぞれ設けられた突起２４と、第２の領域２３において複数の劈開基準線２５上にそれぞれ設けられた複数のスクライブ溝４２と、を含む半導ブロック４０を形成する工程と、複数のスクライブ溝４２のうちの第１のスクライブ溝４２ａに合わせて押圧力を加えて半導体ブロック４０を劈開して、第１のレーザバー４３ａを作製する工程と、複数のスクライブ溝４２のうちの第２のスクライブ溝４２ｂに合わせて押圧力を加えて第２のレーザバー４３ｂを作製する工程と、を備え、半導体ブロック４０は、主面１７及び該主面の反対側の面である裏面１８ｂを有し、押圧力は、裏面１８ｂに加えられる。 （もっと読む）

【課題】順メサ形状を安定して形成可能な、半導体発光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャルウエハＥ１を成膜装置に配置して、キャップ層２１の表面２１ａを酸化して酸化膜２３を形成する。酸化膜２３は、キャップ層２１のIII−Ｖ化合物半導体の酸化物である。酸化膜２３上に絶縁体マスク２５を形成する。まず、基板生産物Ｐ１を成膜装置内に配置する。成膜装置を用いて、絶縁体マスク２５のための絶縁膜２７を酸化膜２３上に成長する後に、フォトリソグラフィを用いて絶縁膜２７及び酸化膜２３をドライエッチングして絶縁体マスク２５を形成する。絶縁体マスク２５を用いて半導体積層１３ａをウェットエッチングして、メサ領域１３ｂを形成する。絶縁膜マスク２５を用いて埋込領域を成長してメサ領域１３ｂを埋め込む。 （もっと読む）

【課題】動作電流が小さく、高温動作特性に優れ、かつ耐サージ特性に優れた半導体レーザ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実屈折率型半導体レーザ１において、基板２と、第１のクラッド層４と、活性層５と、第２のクラッド層６と、リッジ部８と電流狭窄層９とを備え、第２のクラッド層６のリッジ部８直下にｐ型の第１の半導体領域６Ｐが配設され、第２のクラッド層６の電流狭窄層９直下にｎ型の第２の半導体領域６Ｎが配設される。第２のクラッド層６の第２の半導体領域６Ｎは電流狭窄層９からのｎ型ドーパントの拡散によりｎ型に反転したものである。 （もっと読む）

【課題】埋込型レーザダイオードの応力劣化および特性変動を防ぐ。
【解決手段】電流狭窄層１８を多層構造として電流狭窄層１８のＡｌ組成値の平均化を容易にした上で、リッジ部９の平均のＡｌ組成値と電流狭窄層１８の平均のＡｌ組成値を等しくする。その結果、活性層３にかかる内在応力を最低限の値とし、素子内の温度変動による応力変化も抑えることができるため、応力によるレーザダイオードチップの劣化を防ぎ、素子の応力劣化や特性変動を低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】安定した特性を有する自励発振型の埋込型の窒化物半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】窒化物半導体レーザ素子は、基板の上に形成された窒化物半導体からなる活性層１０６と、活性層１０６の上に形成され、活性層１０６に選択的に電流を流す開口部１０９ａを有する電流狭窄層１０９とを備え、開口部１０９ａと電流狭窄層１０９との実効屈折率差をΔｎとし、活性層１０６から発光するレーザ光のうち活性層１０６に閉じ込められるレーザ光の垂直方向の光閉じ込め率をΓｖとするとき、０．０４４＜Δｎ／Γｖ＜０．０６２の関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】活性層へのｐ型不純物の拡散を抑え、利得、雑音指数の特性劣化が生じないようにする。
【解決手段】半導体素子を、ＩｎＰ基板１上に設けられ、活性層４を有するメサ構造６と、ｐ型不純物をドープした半導体材料からなり、メサ構造の両側を埋め込む第１埋込層７と、少なくとも活性層４の側面と第１埋込層７との間に設けられたＩｎ_１−ｘＧａ_ｘＰ（０＜ｘ≦１）ブロック層１２とを備えるものとし、Ｉｎ_１−ｘＧａ_ｘＰ（０＜ｘ≦１）ブロック層１２の膜厚を、臨界膜厚よりも薄く、かつ、ｐ型不純物の拡散長よりも厚くする。 （もっと読む）

【課題】光学破壊による端面劣化を抑制できるとともに低閾値電流な半導体レーザを歩留良く生産できる構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザにおいては、一方の端面から共振器方向の距離が２μｍ以内の位置の量子井戸活性層５０４のバンドギャップに相当する光の波長をλｗ（ｎｍ）とし、共振器長をＬとして、一方の端面から共振器方向の距離が（３／１０）Ｌ以上、（７／１０）Ｌ以下の位置の量子井戸活性層５０４のバンドギャップに相当する光の波長をλａ(ｎｍ)とし、共振器方向において、光の波長がλｗ＋２（ｎｍ）に相当するバンドギャップを有する量子井戸活性層５０４の位置から、光の波長がλａ−２（ｎｍ）に相当するバンドギャップを有する量子井戸活性層５０４の位置との間を遷移領域とし、遷移領域の長さをＬｔとしたとき、λａ−λｗ＞１５ｎｍであり、Ｌｔが２５μｍ未満となるものである。 （もっと読む）

【課題】自励特性を安定させるとともにＣＯＤ光出力を向上させることができる半導体レーザを歩留まりよく生産できる構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザは、基板（ｎ−ＧａＡｓ基板１１０）と、ｎ−ＧａＡｓ基板１１０の上部に設けられた活性層１４０と、活性層１４０の上部の共振器方向に延設されたリッジ状の導波路を有するクラッド層（ｐ−第２クラッド層１７０）と、ｐ−第２クラッド層１７０の上部に設けられたキャップ層(ｐ−ＧａＡｓキャップ層１８０)と、上記リッジ状の導波路の側壁に設けられた電流ブロック層（ＡｌＩｎＰブロック層１９０、ｎ−ＧａＡｓブロック層２００）と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】埋め込み型の半導体レーザ１００において、活性層１０４とｎ型電流ブロック層１１２との間の距離を一定に保つこと。
【解決手段】ｐ型電流ブロック層を成長により埋め込む第４工程の第１埋め込み工程は、最表面１１１ａを（１１１)面に形成しながら半導体メサ１１０の側面１１０ｂ上にｐ型電流ブロック層のためのＺｎ−ＩｎＰ半導体層１１１を＜１１０＞方向に成長する第１モードＭ１と、半導体基板１０１の主面１０１ａに垂直な＜００１＞方向に、ｐ型電流ブロック層のためのＺｎ−ＩｎＰ半導体層１１１を成長する第２モードＭ２を含む。そして、このような第１埋め込み工程の後に、第５工程の第２埋め込み工程が行われる。つまり、第１モードＭ１および第２モードＭ２によりｐ型電流ブロック層１１１を先に成長し、その後に、ｎ型電流ブロック層１１２を成長する。 （もっと読む）

【課題】測定雰囲気中に含まれる複数の検知対象ガスを検知することができるガス検知装置を提供する。
【解決手段】検知対象ガスを識別するための吸収線の線幅をまたぐように所定の波長幅で波長変調されたレーザ光を出射する半導体発光素子１０と、波長変調されたレーザ光を、検知対象ガスの吸収線を含む波長範囲に亘って波長変調の変調速度より遅い掃引速度で波長掃引する掃引手段１１、１２、１３とを有し、波長掃引されたレーザ光を検知対象ガスを含む測定雰囲気２中に出射する波長掃引光源１と、波長掃引光源１からのレーザ光の出射に伴って測定雰囲気２を通過するレーザ光を受光する受光部３と、受光部３からの電気信号を用いて測定雰囲気２中の検知対象ガスの濃度を測定して当該測定データを出力するガス検知部５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、上述した課題に鑑みてなされたものであって、電流阻止領域のリ−ク電流が小さく、高出力動作や高温動作が可能な半導体装置提供することを目的とする。
【解決手段】 ｎ型基板上に、ｎ型クラッド層とｐ型クラッド層に挟まれた活性層を含むダブルへテロ構造を有するメサストライプと、該ダブルへテロ構造のメサストライプ側面部に一の材料で構成されるｐｎ接合からなる電流阻止領域を有する半導体装置において、前記電流阻止領域を構成するｎ型電流阻止層の開口端と前記メサストライプを構成する前記ｐ型クラッド層の離間距離ｔは２０ｎｍ乃至４０ｎｍであって、かつ前記活性層の垂直方向の中心から前記ｎ型電流阻止層の上端までの距離ｈ_１と前記活性層の垂直方向の中心から前記メサストライプを構成するｐ型クラッド層の上端までの距離ｈ_２の比（ｈ_１／ｈ_２）が０．９４以上１未満であることを特徴とする （もっと読む）

【課題】広い光出力範囲及び広い温度範囲に亘って安定的な自励発振を維持することができる半導体レーザを提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体レーザ１００は、半導体基板１０１の上に形成された下部クラッド層１０３と、下部クラッド層１０３の上に形成された活性層１０５と、活性層１０５の上に形成された第１上部クラッド層１０７と、第１上部クラッド層１０７の上に形成され、メサ構造を有する第２上部クラッド層１０９と、第２上部クラッド層の両側面上及び第２上部クラッド層の両側面から第２上部クラッド層の両側の領域の少なくとも一部の上に連続して延在し、活性層のバンドギャップ以下のバンドギャップを有する高次モードフィルタ層１１１と、高次モードフィルタ層１１１上を含む第２上部クラッド層の両側の領域上に、活性層のバンドギャップよりもバンドギャップが大きい層１１２を含むブロック層ＢＬＫと、を備える。 （もっと読む）

【課題】素子分離溝等の凹部による電流リークを防止すると共に、十分に深い凹部を形成した場合においてもレーザ素子の発振しきい値の変動現象を防止できるようにする。
【解決手段】窒化物半導体レーザ素子は、基板１０１上に形成され、活性層１０５、ｐ型電子障壁層１０６、ｎ型電流ブロック層１０８及びｐ型光ガイド層１０７、１１１を含む積層構造体１２０を有している。ｎ型電流ブロック層には、第１の開口部である電流注入部１０８ａと第２の開口部である電流遮断部１０８ｂとが形成されており、ｐ型光ガイド層１１１は、電流注入部１０８ａ及び電流遮断部１０８ｂにも形成されている。積層構造体１２０は、電流注入部に対して電流遮断部の外側に形成され且つｐ型電子障壁層を貫通する素子分離溝１１７と、電流注入部と電流遮断部との間に形成され且つその底面がｐ型電子障壁層の下面よりも上側に位置する電流ブロック溝１１６とを有している。 （もっと読む）

【課題】本発明は半導体レーザ素子の製造方法に関し、特にリーク電流を低減するのに好適な半導体レーザ素子の製造方法に関するものであり、埋め込み型半導体レーザ素子において、リーク電流を抑制することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体レーザ素子の製造方法は、ｐ型の半導体基板上に、ｐ型クラッド層、活性層及びｎ型クラッド層を順次形成する工程と、前記ｐ型クラッド層、前記活性層及び前記ｎ型クラッド層をエッチングし、メサストライプ構造部を形成する工程と、前記メサストライプ構造部の側面に、ｐ型電流ブロック層、第１の半絶縁性電流ブロック層、ｎ型電流ブロック層及び第２の半絶縁性電流ブロック層を順次形成し、埋め込み型電流ブロック層を形成する工程と、前記ｎ型クラッド層及び前記埋め込み型電流ブロック層上に、ｎ型コンタクト層を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】劈開時に生じた段差に起因する歩留まりの低下やレーザ特性の劣化を抑制し得る構造を有する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１０は、下部電極層１１、半導体基板１２、下部クラッド層１３、活性層１６、キャップ層１７、段差閉じ込め層１９、電流狭窄構造２１Ａ，２１Ｂ、および上部電極層２３を含む。段差閉じ込め層１９は、半導体基板１２に対して１％以上の圧縮歪み量を有する。キャップ層１７は、活性層１６よりも広いバンドギャップを有し、段差閉じ込め層１９のバンドギャップは、活性層１６のバンドギャップよりも広く、かつキャップ層１７のバンドギャップよりも狭い。 （もっと読む）

【課題】最大位相調整量を拡大した半導体発光素子を提供する。
【解決手段】電流注入を受けて光を発しその光を活性層に沿って伝搬させる発光領域と、その発光領域からの光を導波させる導波路層の屈折率が注入電流に応じて変化する位相調整領域とを有する半導体発光素子において、特性Ｆのように位相調整領域の導波路層に接する第２ｐ型クラッド層の厚さ方向のドーピング濃度が、導波路層の上端から所定範囲、特に２５〜１５０ｎｍの範囲内で極大値をもつように形成することで、位相調整領域における注入キャリアのオーバーフローの抑制効果が高くなり、屈折率変化に寄与しない無駄な電流を流す必要がなくなり、その結果素子全体としての高効率化が実現できることがわかった。 （もっと読む）

【課題】 信頼性が高く、且つ、簡易な構造を有する半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】 半導体レーザ素子は、半導体基板、第１導電型の下部クラッド層、活性層、第２導電型の上部クラッド層、電極、及び反射膜を備えている。下部クラッド層は、半導体基板の上に設けられている。活性層は、下部クラッド層の上に設けられている。上部クラッド層は、活性層の上に設けられている。電極は、上部クラッド層の上に設けられている。半導体レーザ素子は、活性層の端部を含む端面を有しており、この端面には反射膜が設けられている。この端面を含む領域における上部クラッド層の厚みは、１０μｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】製造工程数の増加を抑えつつ、基板モードを低減することで素子特性を向上できる半導体光素子を提供する。
【解決手段】半導体光素子１は、端面発光型の半導体光素子１であって、ｎ型ＧａＡｓ基板３上に設けられたｎ型下部クラッド層５と、ｎ型下部クラッド層５上に設けられた活性層７と、活性層７上に設けられたｐ型上部クラッド層１０とを備え、ｎ型ＧａＡｓ基板３は活性層７よりも高いバンドギャップを有し、ｎ型下部クラッド層５は活性層７よりも低いバンドギャップを有する下部クラッド光吸収層４と活性層７よりも高いバンドギャップを有する第１下部クラッド光透過層５ａとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）