【課題】ボンディングメタル層を除去することなく、バー分割やチップ分割を行なう位置を認識することができる半導体レーザー素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体レーザー素子は、半導体レーザー基板上にオーミックメタル層及びボンディングメタル層をこの順に備え、ボンディングメタル層表面の一部の領域が粗面化されていることを特徴とする （もっと読む）

【課題】出射光の遠視野像の水平広がり角を広げ、遠視野像におけるアスペクト比を小さくし、レーザ光を集光しやすい半導体レーザ素子を提供することである。
【解決手段】半導体レーザ素子は、活性層１４上に順にｐ型クラッド層１５とエッチングストッパ層１６とリッジ１とを有し、更にリッジ１の両側に順に電流ブロック層１７と電流ブロック層１８とを有し、少なくともリッジ１の両側面の電流ブロック層１７が除去されて空洞部２２となっている構成とする。この空洞部２２は、電流ブロック層１８形成後に電流ブロック層１７の不要部分がエッチングにより除去されることにより形成される。 （もっと読む）

【課題】電流ブロック層のバンドギャップを活性層よりも高く維持しつつ、活性層内の横方向の実効屈折率差を適度に小さくしてＦＦＰ変動の小さい高出力赤色半導体レーザを提供する。
【解決手段】傾斜ｎ−ＧａＡｓ基板２上に、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３、ＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層４、ＭＱＷ活性層５、ＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層６、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層７、ＡｌＧａＩｎＰエッチングストップ層８、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰブロック層１１、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層９、ｐ−ＧａＩｎＰバッファ層１０、ｐ電極１２が積層され、ｎ−ＧａＡｓ基板２の裏側にはｎ電極１が形成されている。ＭＱＷ活性層５はＧａＩｎＰを成分とし、ブロック層１１は（Ａｌ_ＸＧａ_１−Ｘ）_０．５Ｉｎ_０．５Ｐ（０．７＜Ｘ＜１）で構成されている。 （もっと読む）

【課題】 光増幅素子の構成要件を緩和しつつ、入力光強度による利得変動を抑える。
【解決手段】 入力信号光４１１を入力する入力導波路４０２、入力信号光４１１を導波させる多モード導波路４０３ａ〜４０３ｃ、出力信号光４１２を出力する出力導波路４０４を信号光の伝播方向に沿って順次ｎ−ＩｎＰ基板４０１上に形成し、多モード導波路４０３ａの両脇には反射手段４０９ａ、４１０ａを対向配置し、多モード導波路４０３ｂの両脇には反射手段４０９ｂ、４１０ｂを対向配置し、多モード導波路４０３ｃの両脇には反射手段４０９ｃ、４１０ｃを対向配置し、反射手段４０９ａ、４１０ａ、反射手段４０９ｂ、４１０ｂおよび反射手段４０９ｃ、４１０ｃのうちの少なくとも２個は多モード導波路４０３ａ〜４０３ｃごとに反射率が互いに異なるように設定する。 （もっと読む）

【課題】端面無秩序化の熱プロセス中に、ｐ型半導体層中の不純物が活性層の発光領域へ拡散することを防止し、端面窓構造を構成する活性層中の不純物濃度が適切になるようにした赤色半導体レーザを提供する。
【解決手段】ｎ−ＧａＡｓ基板２上に、クラッド層３、ＭＱＷ活性層４、第１クラッド層５、エッチングストップ層６、ブロック層７、第２クラッド層８、バッファ層９、ｐ電極１１が積層され、ｎ−ＧａＡｓ基板２の裏側にはｎ電極１が形成されている。Ｚｎを拡散することにより、端面窓構造である不純物拡散領域１２が形成される。第１クラッド層５、エッチングストップ層６、第２クラッド層８には、Ｚｎよりも化合物半導体の固体中で拡散しにくいＭｇが不純物としてドーピングされており、端面窓形成の熱プロセス中にＭＱＷ活性層４の発光領域への不純物拡散が防止される。 （もっと読む）

【課題】活性層の変形を抑え、隣り合う活性層同士を好適に光結合できるとともに、活性層のＰＬ発光強度を十分に得ることができる集積型の半導体光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体光素子１は、半導体レーザ素子部２ａ及び半導体変調素子部２ｂを備える。これらの素子部２ａ及び２ｂは、それぞれ光導波路部１２ａ及び５２ａを有する。光導波路部１２ａは、ｎ型半導体層８、活性層６、及びｐ型半導体層１０が積層されてなる。光導波路部５２ａは、光導波路部１２ａと共有のｎ型半導体層８、活性層４６、及びｐ型半導体層５０が積層されてなる。ｎ型半導体層８と活性層４６との間には、ＩｎＡｓＰ層４４が形成されている。また、半導体光素子１は、表面におけるエッチピット密度が５００ｃｍ^−２以下であるＩｎＰ基板４を有する。 （もっと読む）

【課題】パルス光出力において光強度が徐々に増加するような変動を抑えることができる半導体レーザを提供する。
【解決手段】アンドープＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰから成るＳＣＨ（分離閉じ込めヘテロ構造）−ＭＱＷ（多重量子井戸構造）活性層４上に、ｐ型（Ａｌ_０．７０Ｇａ_０．３０）ＩｎＰ第２クラッド層５、アンドープＧａＩｎＰエッチングストップ層６、ｐ型（Ａｌ_０．７０Ｇａ_０．３０）ＩｎＰ第３クラッド層７、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層８およびｐ型ＧａＡｓコンタクト層９が順次形成されている。ｐ型（Ａｌ_０．７０Ｇａ_０．３０）ＩｎＰ第３クラッド層７、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層８およびｐ型ＧａＡｓコンタクト層９は、電流通路の一部となるリッジ１３を構成している。活性層４が出射するレーザ光の水平方向の放射角が８．７度であり、かつ、動作電流における微分抵抗値が６．０Ωである。 （もっと読む）

【課題】GaAs傾斜基板上に逆メサ構造を持つAlGaInPまたはGaInP系の半導体レーザにおいて、導波路軸方向に対して正確に直交した状態に導波路端面を形成する。
【解決手段】第１導電型GaAs基板１上に、少なくとも第１導電型AlGaInP下部クラッド層３、AlGaInP下部光ガイド層４、AlGaInPまたはGaInP量子井戸活性層５、AlGaInP上部光ガイド層６、第２導電型AlGaInP上部第一クラッド層７、GaInPエッチングストップ層８、第２導電型AlGaInP上部第二クラッド層11および第２導電型GaAsキャップ層14を有し、第２導電型AlGaInP上部第二クラッド層11が逆メサ形のリッジ状に形成された半導体レーザにおいて、第１導電型GaAs基板１として、面方位が（0 0 1)面から[1 -1 0]方向に７°から20°傾斜した基板を用い、ストライプ方向を[1 1 0]方向とする。 （もっと読む）

【課題】複数の異なる発振波長を出射することができるとともに、各々の半導体レーザ素子部の偏光特性の低下を抑制することが可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ装置は、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に形成され、第１導波路１６ａを含むとともに、少なくともＧａ、ＩｎおよびＰを含有する発光層１２を含む第１半導体レーザ素子部１０と、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に形成され、第２導波路２６ａを含む第２半導体レーザ素子部２０と、第１導波路１６ａおよび第２導波路２６ａが下側に配置されるように、第１半導体レーザ素子部１０および第２半導体レーザ素子部２０が接合されるヒートシンク３０とを備え、第１半導体レーザ素子部１０は、平面的に見て、第１導波路１６ａの形成領域の下方に位置する領域の少なくとも一部に半田層３１が存在しない状態でヒートシンク３０に取り付けられる。 （もっと読む）

【課題】 リッジ形成後にサポート部を形成することでサポート部の形状を最適化し、素子信頼性が高く偏光特性の良い半導体レーザ素子を提供することである。
【解決手段】 半導体レーザ素子は、活性層１４の上方にリッジ１を有し、少なくともリッジ１を覆い、且つ少なくともリッジ１の上方に凹部２ａを有し、凹部２ａの両側に凸状のサポート部２ｂを有するサポート層２が積層された構成である。その作製工程は、リッジ１形成後の結晶成長によりリッジ１の上面以外に電流ブロック層１７、１８が積層され、次の結晶成長によりサポート層２が積層され、凹部２ａがエッチングにより形成される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体素子の不必要なドーパントの拡散を抑えることにより、素子特性の劣化を抑制し、所望の特性のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体素子を提供する。
【解決手段】 基板上に形成するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体素子において、第１の半導体層と第１の半導体層よりも低濃度にドーピングされた、もしくはドーパントがドーピングされていない第２の半導体層との間に、歪を有する半導体層が介在している構造を有することを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体素子を提供する。また、前記歪を有する半導体層は、２以上の積層体で構成されていることを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】 電流注入経路の不安定性を抑制し、動作電流の増大や拡がり角のバラツキなどレーザ特性悪化を抑制することを目的とする。
【解決手段】 電流ブロック層を複数層構造とし、エッチングストップ層４０５またはｐ型クラッド層４０４に隣接する電流ブロック層をエッチングストップ層４０５またはｐ型クラッド層４０４より大きいバンドギャップを有する材料で構成することにより、エッチングストップ層４０５またはｐ型クラッド層４０４と、電流ブロック層とが接合する近傍の価電子帯においてスパイクの発生が抑えられるため、ホールが導波領域の外側に漏洩しても、電流注入経路の変動を抑え、動作電流の増大や拡がり角のバラツキなどレーザ特性悪化を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 素子と基材等との良好な接着強度が得られるよう電極の表面が平坦な面であり、大きな発光強度が得られるようリーク電流の小さい半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 第１導電型基板１上に、第１導電型クラッド２層と、活性層３と、第１の第２導電型クラッド層４と、第２導電型エッチングストップ層５と、第２の第２導電型クラッド層６と、第２導電型キャップ層７とを、少なくともこの順序で成膜する工程と、選択的エッチングによりリッジ１３を形成する工程と、露出した第２導電型エッチングストップ層５の表面に、第１導電型基板１を６６０〜７００℃に加熱して、１．５〜２．５μｍ／ｈｏｕｒの範囲の成膜速度にて、ＡｌＧａＡｓからなる第１の第１導電型電流ブロック層１５を成膜し、さらにこの第１の第１導電型電流ブロック層１５上に、ＧａＡｓからなる第２の第１導電型電流ブロック層１７を成膜する工程と、をこの順序で有する。 （もっと読む）

【課題】放熱特性を改善してレーザ素子の温度上昇を抑制し、素子の放熱面積を大きくする必要がない高出力赤色半導体レーザを提供する。
【解決手段】傾斜ｎ−ＧａＡｓ基板２上に、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３、ＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層４、ＭＱＷ活性層５、ＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層６、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層７、ＡｌＧａＩｎＰエッチングストップ層８、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰブロック層１１、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層９、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層１０、ｐ電極１２が積層され、ｎ−ＧａＡｓ基板２の裏側にはｎ電極１が形成されている。第２クラッド層９は、熱伝導率の良いＡｌＧａＡｓを成分としているのでレーザ素子の放熱特性が向上する。 （もっと読む）

【課題】スペックルノイズを低減することの可能な半導体レーザ装置および半導体レーザ素子の駆動方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子１と駆動回路２とを備える。半導体レーザ素子１は、単一帯状の発光領域１２Ａをなすレーザ構造と、発光領域１２Ａに対応した領域に設けられた帯状の２つの電極（ｐ側電極１５Ａおよびｐ側電極１５Ｂ）とを有しており、駆動回路２は、半導体レーザ素子１の各電極にパルス電流を独立に供給する。 （もっと読む）

【課題】 製造工程のハンドリング中などにおいて、電気的過剰ストレスに曝されても、ダメージを受けにくい半導体レーザを提供する。
【解決手段】 活性層１などのメサ形状に加工された部分の両側において半導体基板９の上に形成された第１の埋込み層５と、この第１の埋込み層の上に形成された第２の埋込み層６とを有し、ｐ電極１２とｎ電極１１との間に順バイアスの電圧が印加されたとき、第１の埋込み層と第２の埋込み層とからなるｐｎ接合部には逆バイアスの電圧が印加されるように構成された埋込み構造の半導体レーザにおいて、第２の埋込み層には、第２の埋込み層の一部分の膜厚を、第２の埋込み層のその他の部分の膜厚よりも薄くしてなる、薄膜部分１４を設ける。或いは、第２の埋込み層には、第２の埋込み層の一部分のドーピング濃度を、第２の埋込み層６のその他の部分のドーピング濃度よりも低くしてなる、低ドーピング濃度部分を設ける。 （もっと読む）

【課題】 製造工程のハンドリング中などにおいて、電気的過剰ストレスに曝されても、ダメージを受けにくい半導体レーザを提供する。
【解決手段】 活性層１などのメサ状に加工された部分の両側において第１の埋込み層５が形成される半導体基板９の面の一部分に段差を形成することにより、半導体基板９の第１の埋込み層５側に凸の面９ａ，９ｂ，９ｃのエッジ９ａ−１，９ｂ−１，９ｂ−２，９ｃ−１と、第２の埋込み層６の第１の埋込み層５側に凸の面６ａ，６ｂのエッジ６ａ−１，６ａ−２，６ｂ−１，６ｂ−２との間のエッジ間部分１３ａ，１３ｂ，１３ｂ，１３ｄにおける第１の埋込み層５の膜厚ｄ１を、第１の埋込み層５の前記エッジ間部分１３ａ，１３ｂ，１３ｂ，１３ｄ以外の部分の膜厚ｄ２よりも薄くする。或いは、第１の埋込み層の一部分の膜厚を、第１の埋込み層の一部分以外の部分の膜厚よりも薄くしてなる、薄膜部分を、第１の埋込み層に設ける。 （もっと読む）

【課題】III 族窒化物半導体発光素子の量子井戸活性層に生じるピットの生成を抑制できるようにすると共に、電子及びホールの量子井戸活性層への注入効率を向上させられるようにする。
【解決手段】多重量子井戸活性層１５は、基板側から、膜厚が３ｎｍでＩｎの混晶比が０．１のＧａＩｎＮからなる井戸層１５１が３層と、各井戸層１５１の間に形成され、膜厚が５ｎｍでＡｌの混晶比が０．０２のＡｌＧａＮからなる障壁層１５２と、３層目の井戸層１５１の上面に形成され、膜厚が５ｎｍでＡｌの混晶比が０．１５のＡｌＧａＮからなる保護層１５３とから構成されている。また、ＭＯＶＰＥ法を用いて多重量子井戸活性層１５を成長する際には、ガリウム源としてトリエチルガリウムを用いる。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム、ガリウム、インジウムおよびヒ素を含むIII−Ｖ化合物半導体のバリア層を有する量子井戸構造の活性領域を備えリーク電流を低減可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】埋め込み半導体領域１９は、第１導電型埋め込み層および第２導電型埋め込み層を含む。第２導電型埋め込み層２３は、活性領域１７の側面１８上に設けられている。第１導電型埋め込み層２５は、第２導電型埋め込み層２３上に設けられている。活性領域１７は量子井戸構造３１を有する。バリア層２９は、アルミニウム、ガリウム、インジウムおよびヒ素を含む第１のIII−Ｖ化合物半導体から成る。第１のIII−Ｖ化合物半導体は１マイクロメートルを超えるバンドギャップ波長λ_Ｂｇを有する。 （もっと読む）

【課題】窒化物系半導体レーザダイオード及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１物質層１０１、活性層１０２、及び第２物質層１０３が順次に積層され、第２物質層１０３には、リッジ１０４が形成され、リッジ１０４の両端部のうち少なくとも一つの上面及びリッジの両側面には、ＡｌＧａＮからなる電流遮断層１１３が形成される窒化物系半導体レーザダイオードである。 （もっと読む）