半導体発光素子
【課題】電流ブロック層におけるリーク電流の一層の低減を図ることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層（以下、層と略称する）２１、活性層２３、及び、第２導電型を有する第２層２２から構成された発光部、並びに、（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた、第１導電型を有する第３層４３、及び、第２導電型を有する第４層４４から構成された電流ブロック層４０を備え、第１層２１を第１導電型とするための不純物は、第１層２１における不純物の置換サイトが、第２層２２を第２導電型とするための第２層２２における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成り、第３層４３を第１導電型とするための不純物は、第３層４３における不純物の置換サイトが、第４層４４を第２導電型とするための第４層４４における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。
【解決手段】半導体発光素子は、（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層（以下、層と略称する）２１、活性層２３、及び、第２導電型を有する第２層２２から構成された発光部、並びに、（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた、第１導電型を有する第３層４３、及び、第２導電型を有する第４層４４から構成された電流ブロック層４０を備え、第１層２１を第１導電型とするための不純物は、第１層２１における不純物の置換サイトが、第２層２２を第２導電型とするための第２層２２における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成り、第３層４３を第１導電型とするための不純物は、第３層４３における不純物の置換サイトが、第４層４４を第２導電型とするための第４層４４における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
を備えており、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されており、
第１化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第１化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第２化合物半導体層を第２導電型とするための第２化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成り、
第３化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第４化合物半導体層を第２導電型とするための第４化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る半導体発光素子。
【請求項２】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
第４化合物半導体層は、第３化合物半導体層側から、少なくとも、第４Ａ化合物半導体層、第４Ｂ化合物半導体層及び第４Ｃ化合物半導体層の３層構造を有し、
少なくとも第４Ｂ化合物半導体層は、活性層の側面に接しており、
第４Ａ化合物半導体層及び第４Ｃ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第４Ｂ化合物半導体層における不純物は、炭素（Ｃ）である請求項２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
第４化合物半導体層における不純物は、ＩＩＩ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物、及び、炭素（Ｃ）から成る請求項２に記載の半導体発光素子。
【請求項５】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項６】
第４化合物半導体層は、第３化合物半導体層側から、少なくとも、第４Ａ化合物半導体層、第４Ｂ化合物半導体層及び第４Ｃ化合物半導体層の３層構造を有し、
少なくとも第４Ｂ化合物半導体層は、活性層の側面に接しており、
第４Ａ化合物半導体層及び第４Ｃ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第４Ｂ化合物半導体層における不純物は、炭素（Ｃ）である請求項５に記載の半導体発光素子。
【請求項７】
第４化合物半導体層における不純物は、ＩＩＩ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物、及び、炭素（Ｃ）から成る請求項５に記載の半導体発光素子。
【請求項８】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項９】
第３化合物半導体層は、第４化合物半導体層側から、少なくとも、第３Ａ化合物半導体層、第３Ｂ化合物半導体層及び第３Ｃ化合物半導体層の３層構造を有し、
少なくとも第３Ｂ化合物半導体層は、活性層の側面に接しており、
第３Ａ化合物半導体層及び第３Ｃ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３Ｂ化合物半導体層における不純物は、ケイ素（Ｓｉ）である請求項８に記載の半導体発光素子。
【請求項１０】
第３化合物半導体層における不純物は、Ｖ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物、及び、ケイ素（Ｓｉ）から成る請求項８に記載の半導体発光素子。
【請求項１１】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項１２】
第３化合物半導体層は、第４化合物半導体層側から、少なくとも、第３Ａ化合物半導体層、第３Ｂ化合物半導体層及び第３Ｃ化合物半導体層の３層構造を有し、
少なくとも第３Ｂ化合物半導体層は、活性層の側面に接しており、
第３Ａ化合物半導体層及び第３Ｃ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３Ｂ化合物半導体層における不純物は、ケイ素（Ｓｉ）である請求項１１に記載の半導体発光素子。
【請求項１３】
第３化合物半導体層における不純物は、Ｖ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物、及び、ケイ素（Ｓｉ）から成る請求項１１に記載の半導体発光素子。
【請求項１４】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項１５】
第４化合物半導体層は、第３化合物半導体層側から、少なくとも、第４Ａ化合物半導体層、第４Ｂ化合物半導体層及び第４Ｃ化合物半導体層の３層構造を有し、
少なくとも第４Ｂ化合物半導体層は、活性層の側面に接しており、
第４Ａ化合物半導体層及び第４Ｃ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第４Ｂ化合物半導体層における不純物は、ケイ素（Ｓｉ）である請求項１４に記載の半導体発光素子。
【請求項１６】
第４化合物半導体層における不純物は、Ｖ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物、及び、ケイ素（Ｓｉ）から成る請求項１４に記載の半導体発光素子。
【請求項１７】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項１８】
第４化合物半導体層は、第３化合物半導体層側から、少なくとも、第４Ａ化合物半導体層、第４Ｂ化合物半導体層及び第４Ｃ化合物半導体層の３層構造を有し、
少なくとも第４Ｂ化合物半導体層は、活性層の側面に接しており、
第４Ａ化合物半導体層及び第４Ｃ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第４Ｂ化合物半導体層における不純物は、ケイ素（Ｓｉ）である請求項１７に記載の半導体発光素子。
【請求項１９】
第４化合物半導体層における不純物は、Ｖ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物、及び、ケイ素（Ｓｉ）から成る請求項１７に記載の半導体発光素子。
【請求項２０】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項２１】
第３化合物半導体層は、第４化合物半導体層側から、少なくとも、第３Ａ化合物半導体層、第３Ｂ化合物半導体層及び第３Ｃ化合物半導体層の３層構造を有し、
少なくとも第３Ｂ化合物半導体層は、活性層の側面に接しており、
第３Ａ化合物半導体層及び第３Ｃ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３Ｂ化合物半導体層における不純物は、炭素（Ｃ）である請求項２０に記載の半導体発光素子。
【請求項２２】
第３化合物半導体層における不純物は、ＩＩＩ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物、及び、炭素（Ｃ）から成る請求項２０に記載の半導体発光素子。
【請求項２３】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項２４】
第３化合物半導体層は、第４化合物半導体層側から、少なくとも、第３Ａ化合物半導体層、第３Ｂ化合物半導体層及び第３Ｃ化合物半導体層の３層構造を有し、
少なくとも第３Ｂ化合物半導体層は、活性層の側面に接しており、
第３Ａ化合物半導体層及び第３Ｃ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３Ｂ化合物半導体層における不純物は、炭素（Ｃ）である請求項２３に記載の半導体発光素子。
【請求項２５】
第３化合物半導体層における不純物は、ＩＩＩ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物、及び、炭素（Ｃ）から成る請求項２３に記載の半導体発光素子。
【請求項２６】
電流ブロック層は、第２導電型を有する第５化合物半導体層から更に構成されており、
第４化合物半導体層及び第５化合物半導体層によって第３化合物半導体層が挟まれた構造を有し、
第３化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第５化合物半導体層を第２導電型とするための第５化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る請求項２、請求項５、請求項８、請求項１１、請求項１４、請求項１７、請求項２０及び請求項２３のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
【請求項２７】
電流ブロック層は、第１導電型を有する第６化合物半導体層から更に構成されており、
第３化合物半導体層及び第６化合物半導体層によって第４化合物半導体層が挟まれた構造を有し、
第４化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第６化合物半導体層を第１導電型とするための第６化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る請求項２、請求項５、請求項８、請求項１１、請求項１４、請求項１７、請求項２０及び請求項２３のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
【請求項２８】
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
を備えており、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されており、
第１化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第３化合物半導体層を第１導電型とするための不純物とは異なる半導体発光素子。
【請求項２９】
第３化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第１化合物半導体層を第１導電型とするための不純物よりも、面方位依存性が小さい請求項２８に記載の半導体発光素子。
【請求項３０】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）である請求項２８に記載の半導体発光素子。
【請求項３１】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であり、
第２Ａ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）である請求項２８に記載の半導体発光素子。
【請求項３２】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である請求項２８に記載の半導体発光素子。
【請求項３３】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であり、
第２Ａ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）である請求項２８に記載の半導体発光素子。
【請求項３４】
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
を備えており、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されており、
第２化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第４化合物半導体層を第２導電型とするための不純物とは異なる半導体発光素子。
【請求項３５】
第４化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第２化合物半導体層を第２導電型とするための不純物よりも、面方位依存性が小さい請求項３４に記載の半導体発光素子。
【請求項３６】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第２化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である請求項３４に記載の半導体発光素子。
【請求項３７】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であり、
第２Ａ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である請求項３４に記載の半導体発光素子。
【請求項３８】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第２化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）である請求項３４に記載の半導体発光素子。
【請求項３９】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であり、
第２Ａ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）である請求項３４に記載の半導体発光素子。
【請求項４０】
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
を備えており、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されており、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）である半導体発光素子。
【請求項４１】
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
を備えており、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されており、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第２化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である半導体発光素子。
【請求項４２】
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
を備えており、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されており、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である半導体発光素子。
【請求項４３】
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
を備えており、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されており、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第２化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）である半導体発光素子。
【請求項４４】
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
を備えており、
電流ブロック層は、少なくとも、第２導電型を有する第４化合物半導体層、及び、第１導電型を有する第３化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成されており、
第４化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成り、且つ、第１化合物半導体層を第１導電型とするための第１化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成り、
第２化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第２化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成り、
第１化合物半導体層、電流ブロック層、及び、第２化合物半導体層を通る迂回経路を想定したとき、各化合物半導体層の界面から構成されたｐｎ接合界面が迂回経路内に少なくとも３つ、存在する半導体発光素子。
【請求項４５】
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第１Ａ化合物半導体層を第１導電型とするための第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成り、且つ、第２化合物半導体層を第２導電型とするための第２化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成る請求項４４に記載の半導体発光素子。
【請求項４６】
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第２Ａ化合物半導体層を第２導電型とするための第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成り、且つ、第１化合物半導体層を第１導電型とするための第１化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成る請求項４４に記載の半導体発光素子。
【請求項４７】
第４化合物半導体層と第３化合物半導体層との間には、更に、少なくとも、第１導電型を有する化合物半導体層及び第２導電型を有する化合物半導体層の２層の化合物半導体層が順次積層されている請求項４４に記載の半導体発光素子。
【請求項４８】
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
を備えており、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されており、
第４化合物半導体層は、第３化合物半導体層側から、少なくとも、第４Ａ化合物半導体層、第４Ｂ化合物半導体層及び第４Ｃ化合物半導体層の３層構造を有し、
少なくとも第４Ｂ化合物半導体層は、活性層の側面に接しており、
第４Ａ化合物半導体層及び第４Ｃ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第４Ｂ化合物半導体層における不純物は、炭素（Ｃ）である半導体発光素子。
【請求項４９】
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
を備えており、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されており、
第４化合物半導体層における不純物は、ＩＩＩ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物、及び、炭素（Ｃ）から成る半導体発光素子。
【請求項５０】
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
を備えており、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されており、
第４化合物半導体層は、第３化合物半導体層側から、少なくとも、第４Ａ化合物半導体層、第４Ｂ化合物半導体層及び第４Ｃ化合物半導体層の３層構造を有し、
少なくとも第４Ｂ化合物半導体層は、活性層の側面に接しており、
第４Ａ化合物半導体層及び第４Ｃ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第４Ｂ化合物半導体層における不純物は、ケイ素（Ｓｉ）である半導体発光素子。
【請求項５１】
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
を備えており、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されており、
第４化合物半導体層における不純物は、Ｖ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物、及び、ケイ素（Ｓｉ）から成る半導体発光素子。
【請求項５２】
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
を備えており、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されており、
第３化合物半導体層は、第４化合物半導体層側から、少なくとも、第３Ａ化合物半導体層、第３Ｂ化合物半導体層及び第３Ｃ化合物半導体層の３層構造を有し、
少なくとも第３Ｂ化合物半導体層は、活性層の側面に接しており、
第３Ａ化合物半導体層及び第３Ｃ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３Ｂ化合物半導体層における不純物は、ケイ素（Ｓｉ）である半導体発光素子。
【請求項５３】
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
を備えており、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されており、
第３化合物半導体層における不純物は、Ｖ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物、及び、ケイ素（Ｓｉ）から成る半導体発光素子。
【請求項５４】
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
を備えており、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されており、
第３化合物半導体層は、第４化合物半導体層側から、少なくとも、第３Ａ化合物半導体層、第３Ｂ化合物半導体層及び第３Ｃ化合物半導体層の３層構造を有し、
少なくとも第３Ｂ化合物半導体層は、活性層の側面に接しており、
第３Ａ化合物半導体層及び第３Ｃ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３Ｂ化合物半導体層における不純物は、炭素（Ｃ）である半導体発光素子。
【請求項５５】
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
を備えており、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されており、
第３化合物半導体層における不純物は、ＩＩＩ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物、及び、炭素（Ｃ）から成る半導体発光素子。
【請求項１】
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
を備えており、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されており、
第１化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第１化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第２化合物半導体層を第２導電型とするための第２化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成り、
第３化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第４化合物半導体層を第２導電型とするための第４化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る半導体発光素子。
【請求項２】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
第４化合物半導体層は、第３化合物半導体層側から、少なくとも、第４Ａ化合物半導体層、第４Ｂ化合物半導体層及び第４Ｃ化合物半導体層の３層構造を有し、
少なくとも第４Ｂ化合物半導体層は、活性層の側面に接しており、
第４Ａ化合物半導体層及び第４Ｃ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第４Ｂ化合物半導体層における不純物は、炭素（Ｃ）である請求項２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
第４化合物半導体層における不純物は、ＩＩＩ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物、及び、炭素（Ｃ）から成る請求項２に記載の半導体発光素子。
【請求項５】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項６】
第４化合物半導体層は、第３化合物半導体層側から、少なくとも、第４Ａ化合物半導体層、第４Ｂ化合物半導体層及び第４Ｃ化合物半導体層の３層構造を有し、
少なくとも第４Ｂ化合物半導体層は、活性層の側面に接しており、
第４Ａ化合物半導体層及び第４Ｃ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第４Ｂ化合物半導体層における不純物は、炭素（Ｃ）である請求項５に記載の半導体発光素子。
【請求項７】
第４化合物半導体層における不純物は、ＩＩＩ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物、及び、炭素（Ｃ）から成る請求項５に記載の半導体発光素子。
【請求項８】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項９】
第３化合物半導体層は、第４化合物半導体層側から、少なくとも、第３Ａ化合物半導体層、第３Ｂ化合物半導体層及び第３Ｃ化合物半導体層の３層構造を有し、
少なくとも第３Ｂ化合物半導体層は、活性層の側面に接しており、
第３Ａ化合物半導体層及び第３Ｃ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３Ｂ化合物半導体層における不純物は、ケイ素（Ｓｉ）である請求項８に記載の半導体発光素子。
【請求項１０】
第３化合物半導体層における不純物は、Ｖ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物、及び、ケイ素（Ｓｉ）から成る請求項８に記載の半導体発光素子。
【請求項１１】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項１２】
第３化合物半導体層は、第４化合物半導体層側から、少なくとも、第３Ａ化合物半導体層、第３Ｂ化合物半導体層及び第３Ｃ化合物半導体層の３層構造を有し、
少なくとも第３Ｂ化合物半導体層は、活性層の側面に接しており、
第３Ａ化合物半導体層及び第３Ｃ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３Ｂ化合物半導体層における不純物は、ケイ素（Ｓｉ）である請求項１１に記載の半導体発光素子。
【請求項１３】
第３化合物半導体層における不純物は、Ｖ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物、及び、ケイ素（Ｓｉ）から成る請求項１１に記載の半導体発光素子。
【請求項１４】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項１５】
第４化合物半導体層は、第３化合物半導体層側から、少なくとも、第４Ａ化合物半導体層、第４Ｂ化合物半導体層及び第４Ｃ化合物半導体層の３層構造を有し、
少なくとも第４Ｂ化合物半導体層は、活性層の側面に接しており、
第４Ａ化合物半導体層及び第４Ｃ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第４Ｂ化合物半導体層における不純物は、ケイ素（Ｓｉ）である請求項１４に記載の半導体発光素子。
【請求項１６】
第４化合物半導体層における不純物は、Ｖ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物、及び、ケイ素（Ｓｉ）から成る請求項１４に記載の半導体発光素子。
【請求項１７】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項１８】
第４化合物半導体層は、第３化合物半導体層側から、少なくとも、第４Ａ化合物半導体層、第４Ｂ化合物半導体層及び第４Ｃ化合物半導体層の３層構造を有し、
少なくとも第４Ｂ化合物半導体層は、活性層の側面に接しており、
第４Ａ化合物半導体層及び第４Ｃ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第４Ｂ化合物半導体層における不純物は、ケイ素（Ｓｉ）である請求項１７に記載の半導体発光素子。
【請求項１９】
第４化合物半導体層における不純物は、Ｖ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物、及び、ケイ素（Ｓｉ）から成る請求項１７に記載の半導体発光素子。
【請求項２０】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項２１】
第３化合物半導体層は、第４化合物半導体層側から、少なくとも、第３Ａ化合物半導体層、第３Ｂ化合物半導体層及び第３Ｃ化合物半導体層の３層構造を有し、
少なくとも第３Ｂ化合物半導体層は、活性層の側面に接しており、
第３Ａ化合物半導体層及び第３Ｃ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３Ｂ化合物半導体層における不純物は、炭素（Ｃ）である請求項２０に記載の半導体発光素子。
【請求項２２】
第３化合物半導体層における不純物は、ＩＩＩ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物、及び、炭素（Ｃ）から成る請求項２０に記載の半導体発光素子。
【請求項２３】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項２４】
第３化合物半導体層は、第４化合物半導体層側から、少なくとも、第３Ａ化合物半導体層、第３Ｂ化合物半導体層及び第３Ｃ化合物半導体層の３層構造を有し、
少なくとも第３Ｂ化合物半導体層は、活性層の側面に接しており、
第３Ａ化合物半導体層及び第３Ｃ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３Ｂ化合物半導体層における不純物は、炭素（Ｃ）である請求項２３に記載の半導体発光素子。
【請求項２５】
第３化合物半導体層における不純物は、ＩＩＩ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物、及び、炭素（Ｃ）から成る請求項２３に記載の半導体発光素子。
【請求項２６】
電流ブロック層は、第２導電型を有する第５化合物半導体層から更に構成されており、
第４化合物半導体層及び第５化合物半導体層によって第３化合物半導体層が挟まれた構造を有し、
第３化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第５化合物半導体層を第２導電型とするための第５化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る請求項２、請求項５、請求項８、請求項１１、請求項１４、請求項１７、請求項２０及び請求項２３のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
【請求項２７】
電流ブロック層は、第１導電型を有する第６化合物半導体層から更に構成されており、
第３化合物半導体層及び第６化合物半導体層によって第４化合物半導体層が挟まれた構造を有し、
第４化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第６化合物半導体層を第１導電型とするための第６化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る請求項２、請求項５、請求項８、請求項１１、請求項１４、請求項１７、請求項２０及び請求項２３のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
【請求項２８】
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
を備えており、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されており、
第１化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第３化合物半導体層を第１導電型とするための不純物とは異なる半導体発光素子。
【請求項２９】
第３化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第１化合物半導体層を第１導電型とするための不純物よりも、面方位依存性が小さい請求項２８に記載の半導体発光素子。
【請求項３０】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）である請求項２８に記載の半導体発光素子。
【請求項３１】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であり、
第２Ａ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）である請求項２８に記載の半導体発光素子。
【請求項３２】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である請求項２８に記載の半導体発光素子。
【請求項３３】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であり、
第２Ａ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）である請求項２８に記載の半導体発光素子。
【請求項３４】
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
を備えており、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されており、
第２化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第４化合物半導体層を第２導電型とするための不純物とは異なる半導体発光素子。
【請求項３５】
第４化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第２化合物半導体層を第２導電型とするための不純物よりも、面方位依存性が小さい請求項３４に記載の半導体発光素子。
【請求項３６】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第２化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である請求項３４に記載の半導体発光素子。
【請求項３７】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であり、
第２Ａ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である請求項３４に記載の半導体発光素子。
【請求項３８】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第２化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）である請求項３４に記載の半導体発光素子。
【請求項３９】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であり、
第２Ａ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）である請求項３４に記載の半導体発光素子。
【請求項４０】
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
を備えており、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されており、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）である半導体発光素子。
【請求項４１】
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
を備えており、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されており、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第２化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である半導体発光素子。
【請求項４２】
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
を備えており、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されており、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）である半導体発光素子。
【請求項４３】
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
を備えており、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されており、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第２化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）である半導体発光素子。
【請求項４４】
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
を備えており、
電流ブロック層は、少なくとも、第２導電型を有する第４化合物半導体層、及び、第１導電型を有する第３化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成されており、
第４化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成り、且つ、第１化合物半導体層を第１導電型とするための第１化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成り、
第２化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第２化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成り、
第１化合物半導体層、電流ブロック層、及び、第２化合物半導体層を通る迂回経路を想定したとき、各化合物半導体層の界面から構成されたｐｎ接合界面が迂回経路内に少なくとも３つ、存在する半導体発光素子。
【請求項４５】
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第１Ａ化合物半導体層を第１導電型とするための第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成り、且つ、第２化合物半導体層を第２導電型とするための第２化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成る請求項４４に記載の半導体発光素子。
【請求項４６】
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第２Ａ化合物半導体層を第２導電型とするための第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成り、且つ、第１化合物半導体層を第１導電型とするための第１化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成る請求項４４に記載の半導体発光素子。
【請求項４７】
第４化合物半導体層と第３化合物半導体層との間には、更に、少なくとも、第１導電型を有する化合物半導体層及び第２導電型を有する化合物半導体層の２層の化合物半導体層が順次積層されている請求項４４に記載の半導体発光素子。
【請求項４８】
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
を備えており、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されており、
第４化合物半導体層は、第３化合物半導体層側から、少なくとも、第４Ａ化合物半導体層、第４Ｂ化合物半導体層及び第４Ｃ化合物半導体層の３層構造を有し、
少なくとも第４Ｂ化合物半導体層は、活性層の側面に接しており、
第４Ａ化合物半導体層及び第４Ｃ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第４Ｂ化合物半導体層における不純物は、炭素（Ｃ）である半導体発光素子。
【請求項４９】
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
を備えており、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されており、
第４化合物半導体層における不純物は、ＩＩＩ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物、及び、炭素（Ｃ）から成る半導体発光素子。
【請求項５０】
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
を備えており、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されており、
第４化合物半導体層は、第３化合物半導体層側から、少なくとも、第４Ａ化合物半導体層、第４Ｂ化合物半導体層及び第４Ｃ化合物半導体層の３層構造を有し、
少なくとも第４Ｂ化合物半導体層は、活性層の側面に接しており、
第４Ａ化合物半導体層及び第４Ｃ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第４Ｂ化合物半導体層における不純物は、ケイ素（Ｓｉ）である半導体発光素子。
【請求項５１】
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
を備えており、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されており、
第４化合物半導体層における不純物は、Ｖ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物、及び、ケイ素（Ｓｉ）から成る半導体発光素子。
【請求項５２】
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
を備えており、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されており、
第３化合物半導体層は、第４化合物半導体層側から、少なくとも、第３Ａ化合物半導体層、第３Ｂ化合物半導体層及び第３Ｃ化合物半導体層の３層構造を有し、
少なくとも第３Ｂ化合物半導体層は、活性層の側面に接しており、
第３Ａ化合物半導体層及び第３Ｃ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３Ｂ化合物半導体層における不純物は、ケイ素（Ｓｉ）である半導体発光素子。
【請求項５３】
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
を備えており、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されており、
第３化合物半導体層における不純物は、Ｖ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物、及び、ケイ素（Ｓｉ）から成る半導体発光素子。
【請求項５４】
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
を備えており、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されており、
第３化合物半導体層は、第４化合物半導体層側から、少なくとも、第３Ａ化合物半導体層、第３Ｂ化合物半導体層及び第３Ｃ化合物半導体層の３層構造を有し、
少なくとも第３Ｂ化合物半導体層は、活性層の側面に接しており、
第３Ａ化合物半導体層及び第３Ｃ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３Ｂ化合物半導体層における不純物は、炭素（Ｃ）である半導体発光素子。
【請求項５５】
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、並びに、
（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、
を備えており、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されており、
第３化合物半導体層における不純物は、ＩＩＩ族原子が占めるサイトを置換サイトとする不純物、及び、炭素（Ｃ）から成る半導体発光素子。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図２６】
【図２７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図２６】
【図２７】
【公開番号】特開２００９−６００７８（Ｐ２００９−６００７８Ａ）
【公開日】平成２１年３月１９日（２００９．３．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−１１０５４０（Ｐ２００８−１１０５４０）
【出願日】平成２０年４月２１日（２００８．４．２１）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年３月１９日（２００９．３．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年４月２１日（２００８．４．２１）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
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