【課題】光出力の低下を防ぐことができる光半導体装置を得る。
【解決手段】半導体レーザ１に光導波路２がバットジョイント接合されている。半導体レーザ１は、ＩｎＧａＡｓＰ歪量子井戸活性層５と、ＩｎＧａＡｓＰ歪量子井戸活性層５の側面を覆う埋め込み層１７とを有するメサ構造である。光導波路２は、ＩｎＧａＡｓＰ歪量子井戸活性層５とは異なる層構造からなるＡｌＧａＩｎＡｓ量子井戸光導波路層９と、ＡｌＧａＩｎＡｓ量子井戸光導波路層９の側面を覆う埋め込み層１７とを有するメサ構造である。光導波路２のメサ幅Ｗ２は、半導体レーザ１のメサ幅Ｗ１より狭い。 （もっと読む）

【課題】所望のスペクトル線幅および所望の光強度のレーザ光を出力できる集積型半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】互いに異なる発振波長で単一モード発振する複数の分布帰還型の半導体レーザと、前記複数の半導体レーザからの出力光がそれぞれ入力される、該半導体レーザと同じ数の入力ポートを有し、該出力光を合流させて出力させることができる光合流器と、前記光合流器からの出力光を増幅する半導体光増幅器と、が集積され、前記半導体レーザの個数をＮ、前記各半導体レーザの共振器長および出力されるレーザ光のスペクトル線幅をそれぞれＬdfb、Δν０とし、前記半導体光増幅器の増幅器長、増幅率、および出力される増幅されたレーザ光のスペクトル線幅をそれぞれＬsoa、Ａ、Δνとし、Δν／Δν０をＲとすると、所定の関係式が成り立つ。 （もっと読む）

【課題】発光ムラを抑制した面発光素子アレイを提供する。
【解決手段】面発光素子アレイ３０は、基板上に形成された複数の並列素子アレイＰＡ−１、ＰＡ−２、・・・ＰＡ−ｎを含み、各並列素子アレイは、接続手段により直列に接続される。並列アレイ素子は、並列に接続された複数の面発光素子Ｐ１、Ｐ２、・・・Ｐｍを含んで構成され、面発光素子は、好ましくは面発光型半導体レーザから構成される。さらに並列素子アレイの向きは、複数の面発光素子に接続される電極の位置から決定され、並列素子アレイは、互いに向きが異なるように配置される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、損失の小さいレーザ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかるレーザ素子は、活性層の上に形成された上部クラッド層と、該活性層で発生した光であって最も利得の高い光よりも波長の長い光を、該上部クラッド層の上方に回折する周期で該活性層の上方の層に形成された２次の回折格子と、共振器の第１端面に形成された、該活性層で発生した光を反射する第１反射膜と、該共振器の該第１端面と反対側の端面である第２端面に形成された、該活性層で発生した光を反射する第２反射膜と、を備える。 （もっと読む）

【課題】利得、飽和出力の低下を抑制する半導体光増幅器を提供する。
【解決手段】半導体光増幅器は、半導体基板１と、その上方に形成されバリア層２に挟まれたコラムナ量子ドット層を複数層含み、各コラムナ量子ドット層は、量子ドット層とサイドバリア層７とを交互に成長し、サイドバリア層が量子ドットの側面を囲む活性層２１と、活性層上方に形成されたクラッド層２５と、クラッド層と半導体基板に接続された電極１６、２７と、を有し、複数のサイドバリア層を積層した積層部のバンド構造の価電子帯のバンド端準位が、エネルギ的に、バリア層２の価電子帯のバンド端準位と同等であるか、より高く、さらに、コラムナ量子ドット層の最上のサイドバリア層とその第２導電型電極側のバリア層との間に配置され、価電子帯のバンド端準位が、バリア層の価電子帯のバンド端準位よりも高く、サイドバリア層の価電子帯のバンド端準位よりも低い中間層８を備える。 （もっと読む）

【課題】量子暗号通信に利用可能な小型の光源装置を提供すること。
【解決手段】反射率Ｒ_１を有する第１反射器と、前記第１反射器に対向配置された反射率Ｒ_２（Ｒ_２＜Ｒ_１）を有する第２反射器と、前記第１及び第２反射器の間に配置されたレーザ媒質と、前記レーザ媒質を励起するための励起源と、を備え、前記第１反射器を透過したレーザ光の光子数が１パルス当たり１個となるように前記反射率Ｒ_１が設定されている、光源装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】各発振波長を固定したまま各波長のレーザ光の発振強度比を変化させることができるレーザ装置を提供する。
【解決手段】レーザ光源１は、半導体レーザダイオード１００，第１波長選択素子１２１およびコリメータレンズ１３０を備える。半導体レーザダイオード１００は、活性層１０３における光放出スペクトルに含まれる波長λ_０の光を共振させる分布帰還型の共振器が形成されている。第１波長選択素子１２１は、半導体レーザダイオード１００の第１端面１０１から出力された光のうち、活性層１０３における光放出スペクトルに含まれ波長λ_０と異なる波長λ_１の光の少なくとも一部をブラッグ反射させ、そのブラッグ反射させた波長λ_１の光のうち少なくとも一部を活性層１０３に帰還させる。半導体レーザダイオード１００に対して第１波長選択素子１２１の相対的方位は可変である。 （もっと読む）

【課題】レーザー照射により、固体表面に複数の量子ドットを同時に形成し、かつ、量子ドットを周期構造化させて２次元パターンを製造する方法及びこの方法により作製したデバイス構造並びにデバイスを提供する。
【解決手段】本発明の量子ドット形成表面の製造方法においては、固体材料の表面にレーザー照射を施して、該表面に量子ドット形状を有する量子ドット構造を１バッチの照射で複数個同時に形成し、かつ、前記量子ドット構造を周期配列させる。 （もっと読む）

【課題】光モード形状の急激な変化による光の散乱ロスを低減することの可能な半導体レーザおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】高台部２７がリッジ部２５の両端部の両側面に接しており、その部分において、活性層２２からリッジ部２５の両側面に接する表面までの厚さが共振器端面側で厚く、リッジ部２５の中央側で薄くなっている。これにより、共振器端面側の横方向屈折率分布の方が、リッジ部２５の中央側の横方向屈折率分布よりも緩やかとなっている。高台部２７の両端部において、共振器端面寄りの厚い部分からリッジ部２５の中央寄りの薄い部分にかけて緩やかな傾斜面２７Ａが形成されており、厚さが連続的に変化している。これにより、横方向屈折率分布が、厚い部分から薄い部分にかけて、傾斜面２７Ａの緩やかさに応じた緩やかさで連続して変化しているので、横方向屈折率分布の、共振器方向の変化が緩やかとなる。 （もっと読む）

【課題】作製時の歩留まりが高く、且つ光導波路と半導体光素子との結合効率を高めることができる半導体集積光デバイス及びその作製方法を提供する。
【解決手段】半導体集積光デバイス１Ａは、ｎ型ＩｎＰ基板３と、ｎ型ＩｎＰ基板３上に設けられ、III−Ｖ族化合物半導体を含む光導波路１１０を有する半導体レーザ領域１０と、半導体レーザ領域１０と並んでｎ型ＩｎＰ基板３上に設けられ、光導波路１１０と光学的に結合されｎ型ＩｎＰ基板３の主面に沿って延びる光導波路２１ａ〜２１ｅを有する光導波領域２０とを備える。光導波領域２０は、ｎ型ＩｎＰ基板３と光導波路２１ａ〜２１ｅとの間に設けられた下部クラッドとしての酸化シリコン層２３を更に有し、光導波路２１ａ〜２１ｅは、III−Ｖ族化合物とは異なる半導体からなる。 （もっと読む）

【課題】分離溝によって分離された第２電極及びリッジ構造を、正確に、確実に、且つ、容易に形成することを可能とする半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】バイ・セクション型のＧａＮ系半導体レーザ素子の製造方法は、（Ａ）第１化合物半導体層３０、発光領域４１及び可飽和吸収領域４２を構成する化合物半導体層４０、並びに、第２化合物半導体層５０を形成した後、（Ｂ）第２化合物半導体層５０上に帯状の第２電極６２を形成し、次いで、（Ｃ）第２電極６２をエッチング用マスクとして、少なくとも第２化合物半導体層５０の一部分をエッチングして、リッジ構造を形成した後、（Ｄ）第２電極６２に分離溝６２Ｃをウエットエッチング法にて形成し、以て、第２電極を第１部分６２Ａと第２部分６２Ｂとに分離溝によって分離する各工程を具備する。 （もっと読む）

【課題】二次元フォトニック結晶を構成する孔の微細化が困難な場合においても、活性層の利得の減少を抑制することができると共に、
該二次元フォトニック結晶の回折効率の減少を抑制することができ、素子特性の向上を図ることが可能となる二次元フォトニック結晶を備えた面発光レーザを提供する。
【解決手段】活性層と二次元フォトニック結晶を備え、該二次元フォトニック結晶の面内方向に共振モードを有する面発光レーザであって、
前記二次元フォトニック結晶は、半導体層と誘電体とによる屈折率の異なる媒質を二次元周期で配列して構成され、
前記二次元フォトニック結晶の格子定数をａとし、前記誘電体の半径をｒとしたとき、ｒ＝０．２２ａ以上であって、
前記誘電体は、前記活性層と前記二次元フォトニック結晶の距離が近接するに従い、前記二次元フォトニック結晶の結合係数が増加傾向を示して変化する屈折率を有する構成とする。 （もっと読む）

窒化物半導体デバイスは、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ量子ドット層（１０２ａ）を含む活性領域（１０２）を有する層構造と、量子ドット内の励起子のスピン配向を変更するために活性領域を横切って電界を印加する手段（１０４ａ，１０４ｂ）とを備えている。３００Ｋにおける励起子のスピン寿命は、活性領域を横切って印加された電界の値の少なくとも１つの範囲に関して、少なくとも１ｎｓ、より好ましくは少なくとも１０ｎｓ、および、特に好ましくは少なくとも１５ｎｓまたは２０ｎｓである。これらの寿命は、励起子の結合エネルギーが、活性領域を横切って印加された電界の値の少なくとも１つの範囲に関して、２５ｍｅＶまたはそれ以上であるように、デバイスを構成することによって得ることが可能である。
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【課題】電極開口部の中心軸と電流狭窄構造の径の中心軸を一致させ、かつ均一な形状のメサ構造を構成することができ、高出力で、基本モードによる単一横モード発振が可能な垂直共振器型面発光レーザの製造方法等を提供する。
【解決手段】メサ構造の垂直共振器型面発光レーザを製造する方法であって、
基板上の半導体層上に誘電体膜を形成する工程と、
誘電体膜に、中心軸が同一である大小二つの環状の第１のレジストパターンを形成し、これにより前記大小二つの環状のパターンを形成する工程と、
前記パターンが形成された誘電体膜に、小さい環状の開口パターンのみが露出するように第２のレジストパターンを形成し、該開口パターンの開口部に環状の電極を形成する工程と、
環状の電極を覆うように第３のレジストパターンを形成し、誘電体膜に形成された大きい環状の開口パターンと第３のレジストパターンを用いてメサ構造を形成する工程と、を有する構成とする。 （もっと読む）

本発明は、ナノワイヤ型半導体を備える光電子デバイスの製造方法に関連し、ナノワイヤ２が基板１上に形成され、該ナノワイヤは光ビームを放射することができ、第１の電気的接触ゾーンが前記基板上に形成され、第２の電気的接触ゾーンが前記ナノワイヤ上に形成され、前記第２の電気的接触ゾーンは、前記ナノワイヤ２の端部に、該ナノワイヤと直接接触して、前記ナノワイヤの所定の高さｈにわたって、且つ前記基板とは反対側にある端部の近く、及びナノワイヤ間に設けられ、前記ナノワイヤの上側表面２０は露出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発光効率や寿命などの特性を向上させた発光素子などの半導体装置を工業的に安価に得ることが可能な２インチ以上の大口径ＧａＮ基板、当該ＧａＮ基板の主表面上にエピタキシャル層を形成したエピタキシャル層付き基板、半導体装置およびＧａＮ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】主表面を有するＧａＮ基板１であって、低欠陥結晶領域５２と、当該低欠陥結晶領域５２に隣接する欠陥集合領域５１とを備える。低欠陥結晶領域５２と欠陥集合領域５１とは主表面から当該主表面と反対側に位置する裏面にまで延在する。主表面の法線ベクトルに対し、面方位［０００１］がオフ角方向に傾斜している。 （もっと読む）

【課題】全反射モードでのレーザ光の励起が可能であり、且つ、共振器からのレーザ光の取り出しが容易な半導体レーザ素子、およびそれを用いた半導体レーザジャイロを提供する。
【解決手段】本発明の半導体レーザ素子は、共振器３０を備える半導体レーザ素子であって、共振器３０の端面において全反射され多角形の周回光路４０を互いに逆方向に周回する第１および第２のレーザ光Ｌ１およびＬ２を励起する。周回光路４０の途中には、共振器の実効屈折率とは異なる屈折率を有するエアギャップ４１ａ〜４１ｄが形成されている。第１および第２のレーザ光Ｌ１およびＬ２の一部は、エアギャップ４１ａ〜４１ｄで反射されて出射される。 （もっと読む）

【課題】フォトニック結晶を用いた半導体レーザが発するレーザ光のコヒーレンスを低下させる。
【解決手段】フォトニック結晶を用いた半導体レーザにおいて、レーザモードを規定する構造パラメータをフォトニック結晶の面内で漸次変化させるチャープ構造とする。フォトニック結晶の面内において、異なる構造パラメータが設定された各部位からは、各構造パラメータに応じて定まる波長や位相をもつレーザ光が局所的に発生する。構造パラメータを漸次チャープ状になめらかに変化させることによって、波長や位相は漸次チャープ状になめらかに変化するレーザ光を発光する。 （もっと読む）

無極性または半極性ＩＩＩ族窒化物結晶方位上にデバイスを作製することにより、高い光発生効率が実現される発光ダイオード（ＬＥＤ）のような（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ発光デバイスが提供される。無極性および半極性発光デバイスがもつ圧電効果は、ｃ面発光デバイスよりもかなり低いので、より高い電流密度で効率の高い発光デバイスを実現することができる。
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