半導体発光素子
【課題】発光部の積層構造の頂面に電流ブロック層と同じ積層構造を有する堆積層が存在しない半導体発光素子（例えばＳＤＨレーザ）を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、活性層を備えた発光部、発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、並びに、電流ブロック層及び発光部上に形成された埋込層を具備し、活性層の平面形状は、中央部の幅が両端部の幅よりも狭い帯状の形状を有し、電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有する第４化合物半導体層から構成され、第２導電型を有する埋込層は、第１埋込層及び第２埋込層が順次積層され、第２埋込層を第２導電型とするための不純物は、第２埋込層における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成る。
【解決手段】半導体発光素子は、活性層を備えた発光部、発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、並びに、電流ブロック層及び発光部上に形成された埋込層を具備し、活性層の平面形状は、中央部の幅が両端部の幅よりも狭い帯状の形状を有し、電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有する第４化合物半導体層から構成され、第２導電型を有する埋込層は、第１埋込層及び第２埋込層が順次積層され、第２埋込層を第２導電型とするための不純物は、第２埋込層における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成る。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、
（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、並びに、
（Ｃ）電流ブロック層及び発光部上に形成された埋込層、
を備え、
活性層の平面形状は、中央部の幅が両端部の幅よりも狭い帯状の形状を有し、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されている半導体発光素子であって、
第２導電型を有する埋込層は、第１埋込層及び第２埋込層が順次積層された積層構造体から構成されており、
電流ブロック層の上方に位置する埋込層において、第２埋込層を第２導電型とするための不純物は、第２埋込層における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成ることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
電流ブロック層の上方に位置する埋込層において、第１埋込層を第２導電型とするための不純物は、第１埋込層における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成ることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
第１化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第１化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第２化合物半導体層を第２導電型とするための第２化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成り、
第３化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第４化合物半導体層を第２導電型とするための第４化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成ることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであることを特徴とする請求項３に記載の半導体発光素子。
【請求項５】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであることを特徴とする請求項３に記載の半導体発光素子。
【請求項６】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであることを特徴とする請求項３に記載の半導体発光素子。
【請求項７】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであることを特徴とする請求項３に記載の半導体発光素子。
【請求項８】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであることを特徴とする請求項３に記載の半導体発光素子。
【請求項９】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであることを特徴とする請求項３に記載の半導体発光素子。
【請求項１０】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであることを特徴とする請求項３に記載の半導体発光素子。
【請求項１１】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであることを特徴とする請求項３に記載の半導体発光素子。
【請求項１２】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であり、
第２埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項１３】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であり、
第２Ａ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であり、
第２埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項１４】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であり、
第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項１５】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であり、
第２Ａ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であり、
第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項１６】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第２化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第２埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項１７】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であり、
第２Ａ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第２埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項１８】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第２化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）であり、
第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項１９】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であり、
第２Ａ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）であり、
第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項２０】
第１化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第３化合物半導体層を第１導電型とするための不純物とは異なることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項２１】
第２化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第４化合物半導体層を第２導電型とするための不純物とは異なることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項２２】
電流ブロック層は、少なくとも、第２導電型を有する第４化合物半導体層、及び、第１導電型を有する第３化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成されており、
第４化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成り、且つ、第１化合物半導体層を第１導電型とするための第１化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成り、
第２化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第２化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成り、
第１化合物半導体層、電流ブロック層、及び、第２化合物半導体層を通る迂回経路を想定したとき、各化合物半導体層の界面から構成されたｐｎ接合界面が迂回経路内に少なくとも３つ、存在することを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項２３】
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第１Ａ化合物半導体層を第１導電型とするための第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成り、且つ、第２化合物半導体層を第２導電型とするための第２化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成ることを特徴とする請求項２２に記載の半導体発光素子。
【請求項２４】
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第２Ａ化合物半導体層を第２導電型とするための第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成り、且つ、第１化合物半導体層を第１導電型とするための第１化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成ることを特徴とする請求項２２に記載の半導体発光素子。
【請求項２５】
第４化合物半導体層と第３化合物半導体層との間には、更に、少なくとも、第１導電型を有する化合物半導体層及び第２導電型を有する化合物半導体層の２層の化合物半導体層が順次積層されていることを特徴とする請求項２２に記載の半導体発光素子。
【請求項１】
（Ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成された発光部、
（Ｂ）発光部の側面に接して設けられた電流ブロック層、並びに、
（Ｃ）電流ブロック層及び発光部上に形成された埋込層、
を備え、
活性層の平面形状は、中央部の幅が両端部の幅よりも狭い帯状の形状を有し、
電流ブロック層は、第１導電型を有する第３化合物半導体層、及び、第２導電型を有し、第３化合物半導体層に接した第４化合物半導体層から構成されている半導体発光素子であって、
第２導電型を有する埋込層は、第１埋込層及び第２埋込層が順次積層された積層構造体から構成されており、
電流ブロック層の上方に位置する埋込層において、第２埋込層を第２導電型とするための不純物は、第２埋込層における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成ることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
電流ブロック層の上方に位置する埋込層において、第１埋込層を第２導電型とするための不純物は、第１埋込層における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成ることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
第１化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第１化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第２化合物半導体層を第２導電型とするための第２化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成り、
第３化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第４化合物半導体層を第２導電型とするための第４化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成ることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであることを特徴とする請求項３に記載の半導体発光素子。
【請求項５】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであることを特徴とする請求項３に記載の半導体発光素子。
【請求項６】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであることを特徴とする請求項３に記載の半導体発光素子。
【請求項７】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであることを特徴とする請求項３に記載の半導体発光素子。
【請求項８】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであることを特徴とする請求項３に記載の半導体発光素子。
【請求項９】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであることを特徴とする請求項３に記載の半導体発光素子。
【請求項１０】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであることを特徴とする請求項３に記載の半導体発光素子。
【請求項１１】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであることを特徴とする請求項３に記載の半導体発光素子。
【請求項１２】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であり、
第２埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項１３】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であり、
第２Ａ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であり、
第２埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項１４】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であり、
第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項１５】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であり、
第２Ａ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であり、
第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項１６】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第２化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第２埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項１７】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であり、
第２Ａ化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第２埋込層を第２導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項１８】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第２化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）であり、
第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項１９】
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であり、
第２Ａ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）であり、
第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）又はマンガン（Ｍｎ）であり、
第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、ケイ素（Ｓｉ）又は錫（Ｓｎ）であり、
第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）又はイオウ（Ｓ）であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項２０】
第１化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第３化合物半導体層を第１導電型とするための不純物とは異なることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項２１】
第２化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第４化合物半導体層を第２導電型とするための不純物とは異なることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項２２】
電流ブロック層は、少なくとも、第２導電型を有する第４化合物半導体層、及び、第１導電型を有する第３化合物半導体層が順次積層された積層構造体から構成されており、
第４化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成り、且つ、第１化合物半導体層を第１導電型とするための第１化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成り、
第２化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第２化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成り、
第１化合物半導体層、電流ブロック層、及び、第２化合物半導体層を通る迂回経路を想定したとき、各化合物半導体層の界面から構成されたｐｎ接合界面が迂回経路内に少なくとも３つ、存在することを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項２３】
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第１Ａ化合物半導体層を第１導電型とするための第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成り、且つ、第２化合物半導体層を第２導電型とするための第２化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成ることを特徴とする請求項２２に記載の半導体発光素子。
【請求項２４】
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第２Ａ化合物半導体層を第２導電型とするための第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成り、且つ、第１化合物半導体層を第１導電型とするための第１化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成ることを特徴とする請求項２２に記載の半導体発光素子。
【請求項２５】
第４化合物半導体層と第３化合物半導体層との間には、更に、少なくとも、第１導電型を有する化合物半導体層及び第２導電型を有する化合物半導体層の２層の化合物半導体層が順次積層されていることを特徴とする請求項２２に記載の半導体発光素子。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【図４０】
【図４１】
【図４２】
【図４３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【図４０】
【図４１】
【図４２】
【図４３】
【公開番号】特開２００９−７１１７１（Ｐ２００９−７１１７１Ａ）
【公開日】平成２１年４月２日（２００９．４．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−２３９８００（Ｐ２００７−２３９８００）
【出願日】平成１９年９月１４日（２００７．９．１４）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年４月２日（２００９．４．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年９月１４日（２００７．９．１４）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
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