【課題】超短パルスのレーザ光を出力し得る構成、構造を有する電流注入型の半導体レーザ装置組立体を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置組立体は、（Ａ）光密度が、１０ギガワット／ｃｍ²以上であり、且つ、キャリア密度が１×１０¹⁹／ｃｍ³以上である電流注入型のモード同期半導体レーザ素子１０、及び、（Ｂ）モード同期半導体レーザ素子１０から出射されたレーザ光が入出射される分散補償光学系１１０を備えている。 （もっと読む）

【課題】半極性面上への良好な電極形成と良好なリッジ形成との両方を可能にする、窒化物半導体発光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】リッジ形状を規定するパターンを有するハードマスク４４を形成する。このマスク４４は、摂氏３００度以下の成膜温度で成膜されたチタン層と摂氏３００度以下の成膜温度で成膜された酸化シリコン層との多層構造を有する。マスク４４と下地との間で安定した密着性を得る。このエッチングは、ＩＣＰ−ＲＩＥ法で摂氏３００度以下の基板温度で行われる。基板主面１２ａ及び半極性主面１４ａは基準軸Ｃｘに直交する面から６３度以上８０度以下の範囲の角度で傾斜する。この角度範囲では半極性主面１４ａは酸化されやすいステップを有する。ハードマスク４４を用いて半導体積層１４及び金属層３４のエッチングを行い、半導体リッジ５０を含む窒化物半導体領域４８と電極層４６とを形成する。 （もっと読む）

【課題】バルクＡｌＮ上にエピタキシャル成長させた１層以上の層からバルク窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を実質的に除去する方法を提供する。
【解決手段】このバルクＡｌＮはエッチング処理中にエッチング液へさらされる。エッチング処理中、バルクＡｌＮの厚さを測定しこれをエッチングを調整するために使用することができる。 （もっと読む）

【課題】メサ構造の側面からの樹脂の剥離を抑制できる光半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】光導波路層１１、クラッド層１２、コンタクト層１３、及びキャップ層１７を半導体基板２上に順次成長させる。エッチングマスク７０をキャップ層１７上に形成し、キャップ層１７に対してウェットエッチングを行う。少なくともコンタクト層１３及びクラッド層１２に対してドライエッチングを行い、メサ構造１４を形成する。メサ構造１４を覆う絶縁膜１５を形成する。半導体基板２上に樹脂を塗布することにより、メサ構造１４を誘電体樹脂層９によって埋め込む。メサ構造１４上の誘電体樹脂層９及び絶縁膜１５に対してエッチングを行い、キャップ層１７を露出させる。キャップ層１７を除去したのち、メサ構造１４上に電極５０を形成する。 （もっと読む）

【課題】リーク電流の増加を縮小可能な、窒化物半導体発光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】誘電体マスク３５ａを用いて犠牲膜３３から金属膜３１を介して窒化物半導体領域３９までのエッチングを行って、リフトオフ層３３ａ、電極３１ａ及びエッチングされた窒化物半導体領域４１を形成すると共に、窒化物半導体領域３９の半極性主面３９ａをエッチングして半導体リッジ４１ａを形成する。このエッチング中に、リッジ部４１ａの形成のためにエッチングされるIII族窒化物半導体表面の面方位に依存して、エッチングされた表面４１ｂにはピラー状の微小突起４３が形成される。半極性面では、微小突起の生成がｃ面に比べて生成されやすい。エッチングにおける基板温度が摂氏６０度以上摂氏２００度以下の範囲にあるとき、微小突起の面密度の増大を避けることができる。 （もっと読む）

【課題】リッジ導波路のメサ幅を高精度に制御する。
【解決手段】半導体基板上に設けられたコア層と、コア層の上方に突出するリッジ型の導波路を備え、導波路は、コア層の上方に設けられたメサ状の第１クラッド層と、第１クラッド層上に設けられた第１エッチングストップ層と、第１エッチングストップ層上に設けられ、第１クラッド層と同一の組成を有する第２クラッド層とを有し、第１エッチングストップ層は、第１クラッド層及び第２クラッド層を化学エッチングするエッチャントでエッチングされない半導体光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】それぞれの面発光レーザ素子の発振周波数と所望の発振周波数との誤差が小さい面発光レーザ素子アレイを提供する。
【解決手段】ｌｏｇ_２ｎ回の調整工程を有し、それぞれの調整工程においてそれぞれの波長調整層の膜厚を調整するか否かを波長調整層毎に選択することで、それぞれの波長調整層を略一定間隔の膜厚にし、それぞれの調整工程における調整量は、ｄ×２＾ｋであらわされ、単位量ｄとして、それぞれのレーザ素子にそれぞれの目標発振周波数の光を発生させようとした場合の、目標発振周波数が隣接する他のレーザ素子との間で有するべき波長調整層の膜厚差の平均値を用いる製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体からのＶ族原子の脱離を抑制しつつ同一面内でエッチング深さが異なる形状を簡易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。
【解決手段】酸素プラズマの所定の濃度に対して、開口部幅の異なる領域毎に、半導体表面にて酸素プラズマによりポリマーの生成を抑制しつつ半導体表面のエッチングが進行する状態のみが発現するように前記開口部幅１９０５が設定された開口部１９０１を有するマスク１９００を半導体表面に形成する第１の工程と、マスク１９００が形成された前記半導体表面に前記炭化水素系プラズマおよび前記酸素プラズマを照射し、前記酸素プラズマを前記マスクの開口部幅方向にて前記開口部に拡散させることによりポリマーの生成を抑制するとともにエッチングに寄与する炭化水素系プラズマの濃度を制御する第２の工程を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】リッジの不具合による素子特性の不安定化を防止することのできる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体レーザ素子は、第１導電型のIII−Ｖ族化合物半導体からなる半導体基板１と、半導体基板１上に設けられた第１導電型のIII−Ｖ族化合物半導体からなる第１クラッド層２と、第１クラッド層２上に設けられたIII−Ｖ族化合物半導体からなる活性層３と、活性層３上に設けられた第２導電型のIII−Ｖ族化合物半導体からなる第２クラッド層４と、第２クラッド層４上に隆起してストライプ状に形成され、上面が側面方向に庇状に突出しているリッジ１１とを備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】再成長層の厚さの違いを低減可能な半導体集積素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】この方法は、所定の方向に順に配列された第１の導波路メサ２１〜第３の導波路メサ２３を有する発光素子部２のための第１の半導体積層１００を半導体基板１０の上に設ける工程と、第１の半導体積層１００の上に第１のマスク６０を形成する工程と、第１のマスク６０を用いて第１の半導体積層１００をエッチングする工程と、第１のマスク６０を用いて光変調部３のための第２の半導体積層２００を半導体基板１０の上に成長する工程とを備える。第１のマスク６０、所定の方向に延在する第１のアーム部６１及び第２のアーム部６２と、第１のアーム部６１と第２のアーム部６２との間に設けられ第１のアーム部６１と第２のアーム部６２とを接続する第１のブリッジ部６３及び第２のブリッジ部６４とを有する。 （もっと読む）

【課題】レンズが高密度に集積されていて且つ、作製歩留まりのよい水平共振器垂直出射レーザを提供する。
【解決手段】半導体基板上に第１導電型クラッド層と活性層と第２導電型クラッド層が積層された積層構造を含み活性層で発生した光を反射もしくは共振させる共振器構造部と、半導体基板の一部に設けられ活性層からの光を導波する光導波路層と、該光を反射させ半導体基板の裏面から出射するための光導波路層に設けられた反射鏡と、半導体基板の裏面に設けられ反射鏡で反射された光を集光する集光レンズとを備え、半導体基板の裏面には集光レンズが設けられた溝部と、半導体基板のヘキカイ方向に沿って設けられたテラス状部とを有し、該テラス状部は共振器構造の下方に配置され、ヘキカイ方向を長手方向とするテラス形状を有することを特徴とする水平共振器垂直出射レーザ。 （もっと読む）

【課題】良好なエッチングの制御性を提供できる化合物半導体光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】III−Ｖ族化合物半導体からなる半導体基板上１０１にＧａを構成原子として含むコンタクト層１０５を形成し、コンタクト層１０５上にＧａを構成原子として含まないエッチングモニタ層１０６を形成し、エッチングモニタ層上にＧａを構成原子として含むカバー層１０７を形成する半導体層形成工程と、塩素系ガスを用いたドライエッチングにより、カバー層１０７及びエッチングモニタ層１０６を連続してエッチングするエッチング工程と、を含み、エッチング工程では、Ｇａの発光プラズマの波長成分の有無を観察することにより、ドライエッチングを停止するタイミングを制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】メサ部を形成するためのエッチング深さを精度良く制御できる光半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この製造方法は、エッチングマーカー層４２を半絶縁性基板２０上に成長させる工程と、下部クラッド層２５、光導波層２６および上部クラッド層２７をエッチングマーカー層４２上に順に成長させる工程と、下部クラッド層２５、光導波層２６および上部クラッド層２７に対してプラズマエッチングを行うことにより、所定の光導波方向に延びるメサ部２２〜２４を形成するメサエッチング工程とを備える。エッチングマーカー層４２のプラズマ発光強度は、該エッチングマーカー層４２に接するｎ型コンタクト層２１及び下部クラッド層２５のプラズマ発光強度より大きい。メサエッチング工程の際、プラズマ発光強度の変化に基づいてプラズマエッチングを停止する。 （もっと読む）

【課題】井戸層に効率よくキャリアを供給することができる窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、ｎ型窒化物半導体１０４と、ｐ型窒化物半導体１０６と、ｎ型窒化物半導体１０４とｐ型窒化物半導体１０６との間に配置される活性層と、を備える。活性層は、２層の障壁層８０１、８０２、８０４、８０５を積層した積層体と、井戸層８０３とが交互に積層することにより構成される。積層体は、窒化ガリウムからなる第１の障壁層８０１、８０５と、窒化ガリウムからなる第２の障壁層８０２、８０４とからなる。 （もっと読む）

【課題】高い歩留まり、低コスト、高い信頼性および良好な波面品質のＩｎＧａＡｌＮレーザの提供。
【解決手段】基板１２上で、エピタキシャル成長され、下部クラッド層２０、活性層２２、上部クラッド層２４および接触層２６を有する。リソグラフィによって画定されたマスクを介したドライエッチングは、長さＩ_ｃおよび幅ｂ_ｍのレーザメサ３０を作製する。リソグラフィおよびエッチングの別の手順は、メサの上部に幅ｗのリッジ構造３２を形成する。エッチングステップはまた、レーザ導波路構造の端部にミラーまたはファセットを形成する。チップの長さＩ_ｓおよび幅ｂ_ｓは、導波路の長さＩ_ｃおよびメサの幅ｂ_ｍ以上の好都合な値とされ得る。 （もっと読む）

【課題】回折格子の凹部の深さを高精度に制御することが可能な回折格子の形成方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係る回折格子の形成方法は、回折格子が形成されるべき上部ＳＣＨ層１１上に、エッチングストップ層１３と、上部ＳＣＨ層１１と同じ組成の材料からなる半導体層１５とをこの順に形成する工程と、第１マスク層１７をマスクとして半導体層１５をエッチングすることにより、半導体層１５に凹部１５ｃを形成するエッチング工程と、半導体層１５の凹部１５ｃの深さＤ１５を測定する測定工程と、測定工程において測定された深さＤ１５に基づき上部ＳＣＨ層１１のエッチング条件を選択する工程と、第２マスク層をマスクとして上記エッチング条件で上部ＳＣＨ層１１をエッチングすることにより、上部ＳＣＨ層１１に回折格子の凹部を形成する回折格子形成工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ系III−Ｖ化合物半導体層を含む活性層を低いダメージで形成することを可能な、半導体光素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】シリコン酸化物層からなるハードマスク２９を用いて、半導体領域１０から半導体メサ２０を形成する。半導体領域１０の加工のために、半導体領域１０に第１及び第２のエッチングを施す。第１のエッチングでは、炭化水素系エッチャントを含む雰囲気におけるエッチングと酸素を含む雰囲気におけるアッシングとの組み合わせで、該エッチングで形成された活性層側面に保護層を堆積させる。保護層は、カーボンおよびシリコン酸化物を含むので、カーボン系物質からなる堆積物に比べて堅い。第２のエッチングでは、第１導電型クラッド層２２の形成に適切な加工条件で第１導電型半導体層１２を加工できる。活性層側面はその上に第１のエッチングで形成された保護層で保護されるので、第２のエッチング中における活性層２４へのダメージは低減される。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】基板上に、下部半導体ＤＢＲ、下部スペーサ層、活性層、上部スペーサ層及び上部半導体ＤＢＲを順次積層形成する成膜工程と、前記下部半導体ＤＢＲ、前記下部スペーサ層、前記活性層、前記上部スペーサ層及び前記上部半導体ＤＢＲの一部を除去することにより分離溝を形成する分離溝形成工程と、前記分離溝の側面にＧａのイオン注入を行なうＧａイオン注入工程と、を有することを特徴とする面発光レーザ素子の製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】活性層と半導体基板との間に回折格子が設けられるＤＦＢレーザ素子において、発振波長と利得ピーク波長との差を小さくする。
【解決手段】本方法は、半導体基板上に回折格子を含む半導体層を形成する回折格子形成工程Ｓ１１と、半導体層上に活性層を形成する活性層形成工程Ｓ１２と、活性層の利得ピーク波長を測定する測定工程Ｓ１３と、少なくとも活性層を所定方向に延びるメサ形状に成形することにより光導波路を形成するメサ形成工程Ｓ１５とを含む。メサ形成工程Ｓ１５において、所定方向と交差する方向における活性層の幅及び回折格子の周期に依存する、当該分布帰還型半導体レーザ素子の発振波長と、測定工程において得られる活性層の利得ピーク波長との差が所定の範囲内となるように、活性層の幅を決定する。 （もっと読む）

【課題】自励発振に関わる特性と、通常の半導体レーザとしての特性との両立した窒化物半導体レーザ素子を提供する。
を提供する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体レーザ素子は、基板上に少なくともｎ型窒化物半導体層と活性層とｐ型窒化物半導体層とｎ側電極とリッジストライプを有する共振器とを含む窒化物半導体レーザ素子であって、リッジストライプは、共振器の長手方向に並列する、第１のリッジストライプと第２のリッジストライプとからなり、第１のリッジストライプ上に形成された第１のｐ側電極と第２のリッジストライプ上に形成された第２のｐ側電極とを有し、第１のｐ側電極と第２のｐ側電極とは、互いに電気的に分離されており、第２のｐ側電極は、該第２のリッジストライプの側面に露出したｐ型窒化物半導体層に接することを特徴とする。 （もっと読む）