【課題】上下方向へのビームの射出割合を制御する、上下非対称な大きさを持つ構造体を製造する際に、このような構造体を精度良く容易に製造することが可能となるフォトニック結晶面発光レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体基板１０１として、窒化物半導体基板のＣ軸が窒化物半導体基板の法線と窒化物半導体基板の主面１１２との双方から傾いた構造を有する窒化物半導体基板を用い、窒化物半導体基板の上に、活性層１０３を含む窒化物半導体層を成長させる成長工程と、窒化物半導体層１０４に、２次元フォトニック結晶を形成するための細孔１０６をエッチングにより形成するエッチング工程と、細孔が形成された窒化物半導体層を、窒素を含む原料雰囲気下で窒化物半導体層を構成する原子を輸送させる熱処理を行い、熱処理によって細孔の深さ方向の形状を上下非対称に変化させる熱処理工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ（ストライプ状の活性層）が高密度に配置された半導体レーザを提供すること。
【解決手段】互いに離間してストライプ状に設けられた、複数の活性層１０と、活性層１０のそれぞれに対応して、活性層１０の上側に設けられた複数の電極１２と、半導体からなり、活性層１０の間の領域にそれぞれに設けられ、電極１２よりも高い位置にその上面が位置する支持部４０と、複数の電極１２のうち１つと電気的に接続されるとともに、複数の支持部４０によって支えられて、当該複数の支持部４０の間に位置する電極１２と離間した構造を備える配線１６と、を備えることを特徴とする半導体レーザ。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＰ等の間接型半導体を材料として用いる半導体レーザダイオードにおいて発光効率を向上させる。
【解決手段】順方向バイアス電圧を印加することにより活性層１２に拡散電流を発生させ、発生された拡散電流により生じるジュール熱に基づいて何れか１以上の層１１、１２、１３の表面形状及び／又はドーパント分布を変化させることを繰り返すとともに、順方向バイアス電圧により活性層１２における伝導帯と価電子帯に反転分布を生じさせ、変化後の表面形状及び／又はドーパント分布に基づいて近接場光が発生した箇所では、反転分布を形成している伝導帯中の電子を非断熱過程に基づいて複数段階で誘導放出させることにより、拡散電流を減少させてジュール熱を低下させることにより、表面形状及び／又はドーパント分布を固定させるとともに、誘導放出により生成された光を共振面間で共振させることにより更なる誘導放出を誘発させる。 （もっと読む）

【課題】２回以上のバットジョイント工程を含む光集積素子の製造方法において、結晶粒の発生を抑え、光導波路構造の側面の凹凸を低減する。
【解決手段】ＩｎＰ基板上に第１の半導体積層部を成長させ、ＩｎＰ基板の＜０１１＞方向に延びる光導波路予定領域Ａの第１の部分を覆う第１のストライプ状部分３１を含むエッチングマスク３０を形成してウェットエッチングを行い、第２の半導体積層部を選択的に成長させ、光導波路予定領域Ａの第１の部分、及び第１の部分と隣接する第２の部分を覆う第２のストライプ状部分５１を含むエッチングマスク５０を形成してウェットエッチングを行い、第３の半導体積層部を選択的に成長させる。第２のストライプ状部分５１の一対の側縁５１ａを、第１のストライプ状部分３１の一対の側縁３１ａよりも内側（光導波路予定領域Ａ寄り）に形成する。 （もっと読む）

【課題】逆メサ方向で直線状に形成された直線導波路部と、逆メサ方向に対して傾く方向に形成された傾斜導波路部とを具備する光半導体装置であって、埋め込み導波路作製時の異常成長を抑制し、装置自体を小型化して伝搬損失を低減できる光半導体装置を提供することにある。
【解決手段】半導体レーザ１１が、活性層１０２を具備するものであり、導波路部１２が、活性層１０２と同じ高さで形成され、光を導波する導波路層１１５を具有するものであり、半導体レーザ１１がメサ構造で形成され、導波路部１２がメサ構造で形成されると共に、導波路部１２のメサ構造が半導体レーザ１１のメサ構造よりも低く形成され、半導体レーザ１２のメサ構造の側部に半導体層１２２が積層される一方、導波路部１２のメサ構造が半導体層１２２で埋め込まれるようにした。 （もっと読む）

【課題】光半導体集積素子の信頼性及び性能の向上を図る。
【解決手段】光半導体集積素子１は、基板３０の（００１）面上方に形成された第１光半導体素子１０と、基板３０の（００１）面上方で、第１光半導体素子１０の［１１０］方向に、第１光半導体素子１０と光学的に接続されて形成された第２光半導体素子２０とを含む。第１光半導体素子１０は、第１コア層１１と、第１コア層１１上方に形成され、第２光半導体素子２０側の側面に、（００１）面となす角度θが５５°以上９０°以下の結晶面を有する第１クラッド層１２とを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、リッジなどが形成されて平坦でない半導体表面に対しエピタキシャル成長を行った際に生じる半導体層の突起による弊害を回避できる半導体光素子とその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたリッジと、前記リッジの側面に接して形成された半導体層とを備える。そして、前記リッジの側面であって前記半導体層に埋め込まれた部分の上端部分には（１１１）Ｂ面が形成される。 （もっと読む）

【課題】長波長の発光を容易にすると共に容易な製造を可能にする構造を有するIII族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化ガリウム支持基体１３の主面１３ａにおいて第３の面１３ｅは第１の面１３ｃと第２の面１３ｄとの間に設けられる。第１及び第２の面１３ｃ、１３ｄは第３の面１３ｅに対して裏面１３ｂの方向に傾斜する。第３の面１３ｅは窒化ガリウム支持基体１３の＜０００−１＞軸の方向に向く。第１及び第２の電極１７、１９は、それぞれ、半導体領域１５におけるIII族窒化物半導体積層１５ｃ、１５ｄ上に位置し、III族窒化物積層１５ｃ、１５ｄは、それぞれ、第１及び第２の面１３ｃ、１３ｄ上に形成される。半導体領域１５は、第１導電型半導体層２３、活性層２５及び第２導電型半導体層２７を含む。角度ＡＬＰＨＡ１、ＡＬＰＨＡ２は＋５６度以上＋８０度未満の範囲にある。 （もっと読む）

１つ以上のＡｌ含有エッチング停止層を有する（Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂ）Ｎレーザダイオードを製造するステップを含む、（Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂ）Ｎレーザダイオードにおいて選択的エッチングを達成するために使用され得る構造および方法。エッチング停止層は、素子における１つ以上のエッチングされた層のエッチング深さを制御するために使用される層であり、エッチングされた層は、素子内にエッチング停止層と他の層との間に選択的にエッチングされた層を備える。エッチング停止層は、（Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂ）Ｎのｎ型ドープ、ｐ型ドープ、または非ドープ合金から構成される層に隣接する。最後に、エッチング停止層は、電子遮断層としても機能するか、またはしなくてもよい。
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【課題】素子内部における光損失の発生を抑制することが可能であり、かつ、素子の電気特性を向上させることが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子１０は、活性層２と凸状のリッジ３ａとを含む半導体レーザ素子層を備え、リッジ３ａの一方側面は、リッジ３ａの先端側に設けられ、活性層２の主表面に対して角度θ１で延びる側面３ｃと、リッジ３ａの根元側に設けられ、活性層２の主表面に対して角度θ１よりも小さい角度θ２で延びる側面３ｄとを有し、側面３ｄは、半導体レーザ素子層の結晶方位面からなる。 （もっと読む）

ファセットが、ファセットによって囲まれているキャビティ内の光学モードを支持するために十分に平滑であるように、光電気化学（ＰＥＣ）エッチを使用してファセットをエッチングすることによって半導体レーザ素子を加工する方法。ＰＥＣエッチングは、平滑な側壁を伴い、いかなるイオン損傷ももたらすことなく、ＧａＮ内に深い異方性トレンチをエッチングするために使用することが可能な方法であって、エッチングされたファセットの角度は、エッチングに作用するために使用される光の方向によって制御することが可能である。
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【課題】面内バラツキの少ない凸部を設ける方法を含み、活性層で発生した光が素子製造用基板に吸収されることの無い半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】素子製造用基板の｛１００｝面に＜１１０＞方向と平行に延びる凸部を形成し、次いで、凸部の頂面上に発光部を形成し、最終的に素子製造用基板を除去する工程を含み、凸部形成工程は、（ａ）素子製造用基板１１０の主面に、＜１１０＞方向と平行に延びるマスク層１６１を形成した後、（ｂ）エッチング液を用いてウェットエッチングを行い、断面形状が等脚台形であり、側面の傾斜角がθ_Uである凸部上層を形成し、次いで、（ｃ）エッチング液の温度を変えて、マスク層及び凸部上層の側面をエッチング用マスクとして用いてウェットエッチングを行い、等脚台形であり、且つ、側面の傾斜角がθ_D（但し、θ_D≠θ_U）である凸部下層を形成する各工程から成る。 （もっと読む）

【課題】設計自由度が高く、しかも、簡素な工程で、面内バラツキの少ない半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子の製造方法は、素子製造用基板の主面に凸部を形成し、次いで、凸部凸部の頂面上に発光部を形成する工程を具備し、凸部の形成工程は、（ａ）素子製造用基板１１０の主面に、＜１１０＞方向と平行に延びるマスク層１６１を形成した後、（ｂ）エッチング液を用いてウェットエッチングを行い、断面形状が等脚台形であり、側面の傾斜角がθ_Uである凸部上層を形成し、次いで、（ｃ）エッチング液の温度を変えて、マスク層及び凸部上層の側面をエッチング用マスクとして用いてウェットエッチングを行い、等脚台形であり、且つ、側面の傾斜角がθ_D（但し、θ_D≠θ_U）である凸部下層を形成する各工程から成る。 （もっと読む）

【課題】通常のシリコンプロセスを用いて容易に形成可能な方法によって、シリコンなどの基板上に、シリコンやそれに順ずるゲルマニウムなどのＩＶ族半導体を基本構成要素としたシリコンレーザー素子及びその製造方法の提供。
【解決手段】電子を注入するための第１の電極と、正孔を注入するための第２の電極と、前記第１及び第２の電極に電気的に接続された光を放出する発光部と、発光部からの光を伝送するための導波路を備え、前記１の電極、前記２の電極、及び発光部を単結晶シリコンとし、発光部は二酸化シリコン層で表面を覆われたシリコン極微細線であって、発光部は、二酸化シリコンよりも屈折率の高い導波路により覆われ、発光素子の上下に位置する絶縁膜の発光波長λにおける実効的な屈折率がｎのときに、λ/２ｎの周期で光進行方向に沿って並設させる。 （もっと読む）

【課題】レーザ光が半導体基板から丁度垂直な方向に出射する水平共振器面発光レーザを実現する。
【解決手段】（１００）面から［０１バー１］方向に９．７°傾斜した半導体基板上に表面出射型の水平共振器面発光レーザを形成することにより、反射鏡が基板表面となす角度が正確に４５°になるようにする。また、（１００）面から［０１１］方向に９．７°傾斜した半導体基板上に裏面出射型の水平共振器面発光レーザを形成することにより、反射鏡が基板表面となす角度が正確に１３５°となるようにする。 （もっと読む）

【課題】極性の影響を回避するとともに、結晶学的な表面が得られる素子形成用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】素子形成用基板の製造方法は、ａ−面またはｍ−面を主面とするＧａＮ基板１２０を準備するステップと、ＧａＮ基板１２０の主面をマスク１６０によってマスキングするステップと、マスキングされたＧａＮ基板１２０をエッチング液に曝して、結晶学的な表面を形成するステップと、を含む。エッチング液として、水酸化カリウム（ＫＯＨ）を用いることができる。素子形成用基板は、特に、半導体レーザダイオードの製造に用いることができ、結晶学的な表面を鏡面としてもちいることができる。 （もっと読む）

【課題】ピエゾ電界の発生を低減させるのに有利な半極性窒化物半導体を加工基材に選択成長させる際に、マスキング技術を利用することなくの特性ファセット面に選択成長させ、しかもその選択成長により形成された半極性窒化物半導体の結晶品質を高める。
【解決手段】（３１１）Ｓｉ基材１０の（３１１）面１０ａに、互いに平行に延びて対向する斜め上向き及び斜め下向きの側面たる（１−１１）面３１及び（−１１−１）面３２を有し、かつ（３１１）Ｓｉ基材１０の＜１−１−２＞方向に沿って延びる複数の溝３０を形成する。次いで、窒化物半導体を結晶成長させて、（１１−２２）面２０ａを主面とする窒化物半導体膜（ＧａＮ膜２０）を形成する。溝３０の幅ｄを２０μｍ以下、深さｈを０．２μｍ以上にするとともに、１≦ｈ／ｄに調整することにより、溝３０のうち（１−１１）面３１に窒化物半導体を優先的に結晶成長させる。 （もっと読む）

【課題】窒化物系半導体レーザ素子のレーザ特性が不安定になるのを抑制することが可能な窒化物系半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子１００は、窒化物系半導体層の[０００１]方向に対して略平行に延びる導波路と、導波路の前端に位置し、窒化物系半導体層の略（０００−１）面からなる光出射面１２と、導波路の後端に位置し、窒化物系半導体層の略（０００１）面からなる光反射面１３とを備え、光出射面１２から出射されるレーザ光の強度が、光反射面１３から出射されるレーザ光の強度よりも大きくされている。 （もっと読む）

【課題】光出力を高めることができる半導体レーザおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０に、上面１０Ａよりも低い段差部１１を形成する。段差部１１は、上面１０Ａに対して好ましくは５４．７°以上の角度で傾斜した側面１１Ｆ，１１Ｒを有するように形成する。この基板１０に、活性層２３を含む第１半導体層２０を形成する。第１半導体層２０の側面２０Ｆ，２０Ｒは、基板１０の上面１０Ａに対して傾斜した（１−１１）面または（１１−１）面となる。これに続けて、第１半導体層２０の上面および傾斜した側面２０Ｆ，２０Ｒに、第１半導体層２０のうち少なくとも活性層２３の傾斜した側面に接して活性層２３よりもバンドギャップの大きな非吸収領域を有する第２半導体層３０を形成する。第２半導体層３０のうち第１半導体層２０の上面に形成された部分をエッチング除去する。第２半導体層３０を劈開し一対の共振器端面を形成する。 （もっと読む）

【目的】 上下より電極を取り出せる構造を有する窒化物半導体素子素子を提供する。
【構成】 窒化物半導体よりなる基板の上に窒化物半導体層を形成してウェーハを得る工程と、前記ウェーハの表面に、［外１］乃至［外６］の内のいずれかに相当する面に沿って、溝を設ける工程と、前記溝に沿って窒化物半導体層及び基板を劈開する工程とを有し、前記溝は、前記ウェーハの端部に設けられ、前記劈開により形成された面は、レーザ素子の少なくとも一方の共振面とすることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子の製造方法。 （もっと読む）