【課題】実際のスペックルノイズを低減することの可能な半導体レーザアレイを提供する。
【解決手段】発振波長の互いに異なる複数のリッジ部１５−１〜１５−６を備える。各リッジ部１５−１〜１５−６は、各リッジ部１５−１〜１５−６直下の発光領域１２−１〜１２−６から射出された光の合成光を吸収可能な吸収体の、合成光の波長に対応する光感度と、合成光の強度との積が所定の範囲内となるような強度の光を射出可能に形成されている。これにより、吸収体における光感度の高い波長の光によるスペックルノイズを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＤ値の向上と、吸収損失の増大の抑制とを両立させることの可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】基板１０上に、バッファ層１１、下部クラッド層１２、下部ガイド層１３、活性層１４、上部ガイド層１５、上部クラッド層１６Ａ、ストップ層１７、上部クラッド層１６Ｂ、中間層１８およびコンタクト層１９を備える。上部クラッド層１６Ｂ、中間層１８およびコンタクト層１９がリッジ部２０を構成し、リッジ部２０の両端に前端面Ｓ１，後端面Ｓ２を有する。前端面Ｓ１，後端面Ｓ２のうち少なくとも一方の端面およびその近傍に、活性層１４の発光波長に相当するエネルギーよりも大きなバンドギャップを有する不純物拡散領域３０を有し、少なくともリッジ部２０の幅方向の両端部との対向領域に、リッジ部２０の上面から少なくとも活性層１４にまで達する峰３１を有している。 （もっと読む）

【課題】圧縮歪量が１％以上の高圧縮歪量子井戸層を含む活性層を有する半導体発光素子において、耐久性および信頼性の向上を可能とする。
【解決手段】圧縮歪量が１％以上の高圧縮歪量子井戸層を含む活性層Ａ１を有する半導体発光素子１０において、活性層Ａ１の歪量以下の圧縮歪量を有する層から構成される圧縮歪緩衝層Ｂ１を、活性層Ａ１上に隣接するように形成する。 （もっと読む）

【課題】レーザ光を照射できる角度をより広くできるようにする。
【解決手段】前端面および後端面よりレーザ光を照射する端面発光型半導体レーザ１１ａ〜１１ｅを有し、半導体レーザ１１ａ〜１１ｅの前端面より出射されるレーザ光を偏向させるマイクロプリズム１４を半導体レーザ１１ａ〜１１ｅの前端面側に配置し、半導体レーザ１１ａ〜１１ｅの後端面より出射されるレーザ光を偏向させるマイクロプリズム１５を半導体レーザ１１ａ〜１１ｅの後端面側に配置し、マイクロプリズム１４、１５を介して半導体レーザ１１ａ〜１１ｅの前後両方向からレーザ光を照射させる。 （もっと読む）

【課題】モノリシックに形成された高出力二波長レーザを備えた半導体レーザ装置において、レーザの高出力動作中のＣＯＤレベルの低下を抑制する。
【解決手段】半導体基板１の一主面の一部である第１領域上に、半導体基板側より順に積層された第１下部クラッド層３、第１量子井戸構造を有する第１活性層４、および第１上部クラッド層５、７を有し、第１共振器を形成する第１半導体レーザ構造１０が形成され、半導体基板の一主面の第１領域とは異なる第２領域上に、半導体基板側より順に積層された第２下部クラッド層１３、第２量子井戸構造を有する第２活性層１４、および第２上部クラッド層１５、１７を有し、第２共振器を形成する第２半導体レーザ構造２０が形成されている。第１及び第２共振器の端面には、端面コート膜３１、３２が形成され、第１及び第２共振器の端面と端面コート膜との間に、窒素含有層３０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】発光色の安定性に優れる発光装置ならびにその発光装置を用いた画像表示装置および液晶ディスプレイを提供する。
【解決手段】近紫外領域の波長を有する一次光を発する第１の発光素子と一次光を吸収して一次光よりも長波長の二次光を発する複数の蛍光体粒子を含む波長変換部とを備えた発光装置であって、二次光を発する蛍光体粒子のうち少なくとも１種類はアスペクト比の平均値が２以上２０以下であるものを含む発光装置、その発光装置を用いた画像表示装置および液晶ディスプレイである。ここで、蛍光体粒子には、β型サイアロンからなる緑色蛍光体が含まれることが好ましい。 （もっと読む）

ビーム放射デバイス（１）の製造方法を開示する。遠距離場における放出特性を設定する。この設定された放出特性から、ビーム放射デバイス（１）に対する屈折率プロファイルをデバイスの主要放出方向に対して垂直に延在する方向で求める。デバイスが事前に定められた屈折率プロファイルを有するように、デバイスに対する構造を求める。この事前に定められた構造に従って、デバイス（１）を構成する。
さらにビーム放射デバイスを開示する。
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半導体層列を有する半導体本体（２）を備えているオプトエレクトロニクスコンポーネント（１）が提供される。半導体本体（２）の半導体層列は、ポンプ放射を発生させるように設けられているポンプ領域（３）と、発光放射を発生させるように設けられている発光領域（４）とを備えている。発光領域（４）およびポンプ領域（３）は、互いに積み重なって配置されている。オプトエレクトロニクスコンポーネント（１）の動作時、ポンプ放射が発光領域（４）に光ポンピングを行う。オプトエレクトロニクスコンポーネント（１）の動作時、半導体層列を有する半導体本体（２）から横方向に発光放射が現れる。 （もっと読む）

【課題】高出力化，高耐熱化，及びキンクの発生の抑制が図れ、また、放射特性の制御を可能にして共振器端面付近での光分布を制御できる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】互いに対向する一対の共振器面Ａ５０，Ｂ５０を有する半導体レーザ素子において、共振器面に直交する一面を有する半導体基板１と、一面上に形成されて共振器面同士を連結するリッジ１０と、を備え、リッジは、共振器面間に設けられて共振器面及び一面に沿う方向に第１の幅Ｗ１１を有する第１の幅部１１と、共振器面とそれぞれ接し、前記方向に第１の幅よりも広い第２の幅Ｗ１２を有する第２の幅部１２と、第１の幅部と第２の幅部とを連結し、第１の幅部側から第２の幅部側に向かって連続的に広くなると共に、第１の幅部と接する部分では第１の幅と略同じとなり第２の幅部と接する部分では第２の幅と略同じとなる第３の幅Ｗ１３を有する第３の幅部１３と、を備える構成とする。 （もっと読む）

【課題】 十分なキャリア濃度を有するｎ型バッファ層を備えるとともに、ｎ型クラッド層の屈折率の均一性を向上させる。
【解決手段】 基板と、基板上に順にエピタキシャル成長させたｎ型バッファ層及びｎ型クラッド層と、を備えた発光素子用エピタキシャルウェハであって、ｎ型バッファ層中のキャリア濃度は０．７×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３〜１．３×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の範囲であり、ｎ型バッファ層中の水素濃度は２．０×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である。 （もっと読む）

【課題】光導波路の集積化に対応しつつ、異なる屈折率の材料が接合された界面における反射を低減する。
【解決手段】光導波路領域Ｒ６１、溝部Ａ６１、半導体板Ｂ６１および光導波路領域Ｒ６２を光導波方向に沿って半導体基板７０１に順次形成し、溝部Ａ６１の幅および半導体板Ｂ６１の厚さは、光導波路領域Ｒ６１と溝部Ａ６１との界面で反射した光が、溝部Ａ６１と半導体板Ｂ６１との界面で反射した光および半導体板Ｂ６１と光導波路領域Ｒ６２との界面で反射した光によって弱められるように設定する。 （もっと読む）

【課題】半導体量子ドットのバンドギャップを広範囲に制御するため、化合物半導体基板上に、互いの高さが均一である複数の半導体量子ドットを形成すること。
【解決手段】半導体量子ドット素子１において、化合物半導体基板２と、化合物半導体基板２上に形成された複数の半導体量子ドット３と、を備え、複数の半導体量子ドット３は、直径が化合物半導体基板２の中心から周縁側に向かうに従って徐々に小さく高さがほぼ一定に形成されていること、を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】エッチング深さの制御性を向上させてリッジ部の加工精度を改善でき、したがってキンクの発生を十分に抑制できる半導体レーザ素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板１０１上に、バッファ層１０２と、第一下クラッド層１０３と、エッチング開始層１０４と、第二下クラッド層１０５と、活性層１０７と、上クラッド層１０９とを少なくとも順に含む半導体層を積層する。第一フォトマスクを用いて半導体層１１１〜１０５のエッチングを行って、モニタ領域１０８でエッチング開始層１０４を露出させる。第二フォトマスク１１６を用いて半導体層１１１〜１０９ａのドライエッチングを、第二エッチングモニタ用開口部１１８を通して上記ドライエッチングの進行を観測しながら行い、第一下クラッド層１０３の消失に応じた所定のタイミングで上記ドライエッチングを停止させる。 （もっと読む）

【課題】異種材料が埋め込まれた３−５族窒化物半導体を含む化合物半導体結晶を、厚さを大きくすることなしに結晶性よく基板上に成長させる、化合物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】成長基板１１上に、成長基板１１及び３−５族窒化物半導体を含む化合物半導体のいずれとも異なる異種材料が埋め込まれた窒化物半導体を含む窒化物半導体層１３を設けて化合物半導体基板を製造する場合、異種材料としてタンタル、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、プラチナ、バナジウム、パラジウム、またはそれらのいずれかを含む合金からなる金属材料を選択し、該金属材料による埋め込み部１２Ａを成長基板１１上に形成し、埋め込み部１２Ａによって横方向成長を促進させつつ３−５族窒化物半導体を含む化合物半導体をエピタキシャル結晶成長させ、これにより、成長基板１１の上に３−５族窒化物半導体を含む化合物半導体エピタキシャル結晶を積層する。 （もっと読む）

【課題】遠視野像をガウシアン形状にできる半導体レーザ素子の提供。
【解決手段】ｎ型のＧａＡｓ基板と、ＧａＡｓ基板の第１の面に順次形成されるｎ型のクラッド層、ｎ型の下ガイド層、活性層、ｐ型の上ガイド層、ｐ型の第１クラッド層、ｐ型のエッチングストッパ層、ｐ型の第２クラッド層及びｐ型のコンタクト層と、コンタクト層及び第２クラッド層に設けられ底面がエッチングストッパ層となる平行に延在する２本の溝とを有し、溝間にはメサ第２クラッド層及びメサコンタクト層によってメサが形成されている。溝間のメサコンタクト層の幅ａはメサ第２クラッド層の幅（メサ幅Ｗ）よりも小さく、かつメサコンタクト層の縁の外側には所定長さ（ｂ）に亘ってメサ第２クラッド層の上面が露出している。メサコンタクト層の側面から溝及び溝の外側に位置するコンタクト層上に掛けて絶縁膜が設けられている。メサコンタクト層の上面及び絶縁膜に掛けてｐ電極が形成され、ＧａＡｓ基板の第２の面にはｎ電極が形成されている。 （もっと読む）

【課題】キンクレベルを向上させることができる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】互いに平行な２つの共振器面を有する半導体レーザ素子において、第１導電型の半導体基板１と、表面上に形成される第１導電型の第１クラッド層２と、第１クラッド層上に形成される活性層３と、活性層上に形成される第２導電型の第２クラッド層４と、第２クラッド層上に形成され、共振器面に直交する方向に延在する第２導電型のリッジ部２０と、リッジ部との段差を埋めるように形成される第１導電型の電流ブロック層２２と、リッジ部上と電流ブロック層上に形成される第２導電型のコンタクト層１１とを有し、電流ブロック層は、活性層でレーザ光が発生された際に活性層から電流ブロック層に漏れ出たレーザ光を透過する透明層９Ａ，９Ｂを有し、透明層は、リッジ部の長手方向における途中の一部の領域が、それ以外の領域よりも薄くなされて形成されている。 （もっと読む）

【課題】共振器端面での入射波と反射波の位相差を正しく計算する設計方法を提供することにより、ファブリペロー共振器型レーザの光学損傷レベルを高める。
【解決手段】ファブリペロー共振器型レーザで光学損傷レベルを高めようとする場合、端面近傍に定在波の節を位置させるのが望ましい。従来、多層コーティング膜と屈折率がｎ_０であるレーザ出射光の伝搬媒体（通常は空気）との界面に関して反射特性を計算していた。それに対し、多層コーティング膜と屈折率がｎ_ｓである共振器媒体との界面に関して反射特性を計算することにより、定在波の腹・節の位置が正しく計算される。こうした計算により、ファブリペロー共振器の端面近傍に定在波を位置させる設計方法が可能になる。 （もっと読む）

【課題】偏光角のばらつきが少ないマルチビーム半導体レーザ素子の提供。
【解決手段】ｎ型の半導体基板と、基板の第１の面に積層されるｎ型クラッド層、活性層、ｐ型クラッド層、コンタクト層と、基板の一端から他端に亘りかつコンタクト層からｐ型クラッド層の所定深さに形成される複数本の区画溝と、隣接する区画溝によって挟まれる各区画部分に形成され基板の一端から他端に亘りかつコンタクト層からｐ型クラッド層の所定深さに形成される２本の分離溝によって挟まれたストライプ状のリッジと、各リッジのコンタクト層の両側面から分離溝を越えて区画部分の端に至る部分を覆う絶縁層と、基板の第２の面に設けられる第１の電極と、各区画部分においてリッジ，分離溝及び分離溝の外側の多層半導体層上に亘って設けられる第２の電極とを有し、第２の電極は下層の第２の電極層と、上層の第２のメッキ層とからなり、第２のメッキ層はリッジ部分に対応する箇所が最も厚くなり区画溝に向かって徐々に薄くなる円弧状断面となっている。 （もっと読む）

【課題】ＧＲモードによるピーク反射率を制御可能なフォトニック結晶層を有する構造体、それを用いた面発光レーザを提供する。
【解決手段】フォトニック結晶層を有する構造体であって、
前記フォトニック結晶層１０００は、第１の屈折率を有する材料からなる第１の部材１０１０に、周期的に配列された複数の孔１０１６を備え、
前記複数の孔の内側に設けられた第２の屈折率を有する材料からなる第２の部材１０１５が、その中心位置を前記孔の中心位置に対し、前記フォトニック結晶層の面内方向にずらして配置されている。 （もっと読む）

【課題】放熱性を改善しつつＡｌ含有層の酸化が低減された、Ａｌ系材料で構成された活性層を有するＩｎＰ基板上の半導体光素子を提供すること。
【解決手段】半導体レーザ１００は、Ａｌ系材料で構成された活性層を有するＩｎＰ基板上の半導体レーザにおいて、Ａｌ系材料で構成された活性層１０５と、活性層１０５の上の境界層１０８Ａと、境界層１０８Ａの上の、Ａｌを含有しない導波層１０９を有するリッジ１１１と、境界層１０８Ａの上のリッジを埋め込む埋め込み層１１２とを備える。境界層１０８Ａは、リッジ１１１を形成するためのエッチングにより露出する表面とＡｌ含有層である上側ＳＣＨ層１０６との間に存在し、上側ＳＣＨ層１０６や量子井戸活性層１０５が露出して酸化することを回避する。導波層１０９は、リッジ１１１内部にありエッチングにより側面が露出するが、Ａｌを含有しないので、Ａｌ含有層が露出することによる酸化の問題は生じない。 （もっと読む）