【課題】本発明は、劈開時の結晶欠けを抑制できる半導体レーザダイオードとその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体レーザダイオードは、基板１４と、該基板１４の上方に形成された活性層２６と、該活性層２６の上に形成された半導体層２８と、該半導体層２８のうち該前端面１２ａを含む部分の格子間結合の一部を切断して形成された、格子間結合を切断しない部分よりも高抵抗となる前端面高抵抗部２８ａと、該半導体層２８のうち該後端面１２ｂを含む部分の格子間結合の一部を切断して形成された、格子間結合を切断しない部分よりも高抵抗となる後端面高抵抗部２８ｂと、該前端面１２ａにおいて該前端面高抵抗部２８ａと直接接しない部分を有し、かつ該後端面１２ｂにおいて該後端面高抵抗部２８ｂと直接接しない部分を有するように、該半導体層２８の上に形成された電極３８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 モード制御のための反射率制御を行うために設けられた段差構造を備えた面発光レーザにおいて、遠視野光強度分布の拡がり角を改善した面発光レーザを提供する。
【解決手段】 反射率差を付与する第１の段差構造と、遠視野光強度分布を変化させる第２の段差構造とを備える。第１の段差構造の段差を形成する領域と、第２の段差構造の段差を形成する領域とは所定の関係を有する。 （もっと読む）

【課題】緩和振動周波数の温度による変化が小さい光半導体素子を提供する。
【解決手段】光半導体素子１０は、活性層２４を有するメサ部２０と、メサ部２０を埋め込む埋め込み層３０と、を備え、埋め込み層３０は、活性層２４の屈折率の温度変化係数よりも大きい屈折率の温度変化係数を有し、且つ活性層２４の屈折率よりも大きい屈折率を有する屈折率調整領域３３を有し、屈折率調整領域３３は、埋め込み層３０の高さ方向において、活性層２４と少なくとも一部が重なる位置に配置される。 （もっと読む）

【課題】窓領域への電流注入及び窓領域における自由キャリア吸収損失を効果的に抑制しうる光半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型の第１のクラッド層と、第１のクラッド層上に形成された活性層と、活性層上に形成された第２導電型の第２のクラッド層とを有し、対向する一対の端部に不純物の添加によって活性層のエネルギーバンドギャップが広げられた窓領域が形成された積層構造体を有し、第１のクラッド層及び第２のクラッド層のうちの一方は、第１の層と、活性層と第１の層との間に設けられ、第１の層よりもキャリア濃度の低い第２の層とを有し、窓領域が設けられた部分の第２の層の導電型が窓領域を形成する不純物によって反転している。 （もっと読む）

【課題】窓領域の形成による動作電流や導波損失の増加を抑制することができるとともに、製造歩留まりの良好な半導体レーザ素子、及び半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、量子井戸構造を有する活性層を含む半導体積層部を設けた半導体レーザ素子において、半導体積層部の上部にストライプ状の導波路を形成し、劈開により共振器端面を形成する。基板の主面に対して垂直上方からみた平面視において、共振器端面を形成するための劈開位置に沿う帯状の領域に、活性層の量子井戸構造よりもバンドギャップを広くした窓領域を形成するとともに、窓領域の一部を除去するための溝部を劈開位置に形成する。また、窓領域は、基板の主面と垂直な方向において、少なくとも活性層と同じ高さの位置に形成する。溝部は、基板の主面と平行であって導波路の長手方向と垂直な方向に導波路の端から離れるように形成する。 （もっと読む）

【課題】選択酸化により電流狭窄構造を製造するに当たり、製造歩留まりの向上を図ることが可能となる垂直共振器型面発光レーザーの製造方法を提供する。
【解決手段】垂直共振器型面発光レーザーの製造方法であって、基板上に、屈折率の異なる複数ペアの積層よる下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０３とを、順に成長させる工程と、活性領域の上部に、中間層１０４を成長させる工程と、中間層をパターニングし、電流狭窄部となる領域を形成する工程と、パターニングされた電流狭窄部となる領域を含む中間層の上に、中間層よりも厚さの薄い選択酸化層１０６と、屈折率の異なる複数ペアの積層よる上部ＤＢＲ１０７とを、順に成長させる工程と、水蒸気酸化により、電流狭窄部となる領域上に形成された選択酸化層以外の選択酸化層を酸化し、水蒸気酸化により酸化されていない電流狭窄部となる領域上の選択酸化層で電流狭窄部１０９を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ装置の高温特性を向上させる。
【解決手段】活性層３の上部には、光を活性層３に閉じ込めるための光ガイド層４が形成されており、光ガイド層４の上部には、ＭｇやＺｎをドーパントとして含むｐ型クラッド層５が形成されている。光ガイド層４は、アンドープＡｌＧａＩｎＰからなる第１光ガイド層４ａと、ＳｉドープＡｌＧａＩｎＰからなるＳｉドープ層４ｂと、アンドープＡｌＧａＩｎＰからなる第２光ガイド層４ｃとをこの順に積層した３層構造で構成されている。Ｓｉドープ層４ｂは、ｐ型クラッド層５内のｐ型ドーパント（Ｍｇ、Ｚｎ）が活性層３に拡散するのを抑える拡散防止層であり、その膜厚は２ｎｍ〜２０ｎｍ、Ｓｉ濃度は２×１０^１７ｃｍ^−３〜１×１０^１８ｃｍ^−３である。 （もっと読む）

【課題】１枚のウェハからより多くのチップを取得することができる高性能な発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】加熱したｎ型基板１００上にIII族原料ガス及びＶ族原料ガスを供給し、ｎ型基板１００上に少なくともｎ型クラッド層５、活性層７、ｐ型クラッド層９，１１及びコンタクト層１３からなるIII−Ｖ族半導体層２を積層する発光素子用エピタキシャルウェハ１において、III−Ｖ族半導体層２のいずれかの層に不可避不純物として混入するＳ（硫黄）の濃度を１．０×１０¹⁵ｃｍ^-3以下にすべく、その層の成長時の基板温度を６２０℃以上とし、かつＶ族原料ガスとIII族原料ガスの実流量比を１３０以上とした。 （もっと読む）

【課題】高出力の単一横モード発振のため長共振器化した際においても、縦モードホッピングの発生を抑制することができ、より安定した単一縦モード発振が可能となる面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板上の、第１および第２のミラーとで共振器が構成され、第１と第２のミラーとの間に設けられた第１の活性層と、第１の活性層と第１のミラーとの間に設けられた第２の活性層と、を有する発振波長λの垂直共振器型面発光レーザであって、第１の活性層は、実効的な共振器長Ｌを構成する実効共振器の端から３Ｌ／８〜５Ｌ／８となる第１の領域内であって、かつ、発振波長λに対応した縦モードの定在波の腹に配置され、第２の活性層は、実効共振器の端から３Ｌ／８Ｍ〜５Ｌ／８Ｍ（Ｍは２以上の整数）となる第２の領域内であって、かつ、発振波長λに対応した縦モードの定在波の腹に配置されている。 （もっと読む）

【課題】水平の遠視野像と垂直の遠視野像が同じ高出力の光を出射することができる面発光レーザダイオードを得る。
【解決手段】ｎ型の半導体基板１上に、ｎ型クラッド層２、活性層３、及びｐ型クラッド層４が順に積層されている。ｐ型クラッド層４内に２次の回折格子６が設けられている。２次の回折格子６のパターンは、同心円状の円形である。ｎ型クラッド層２、活性層３、ｐ型クラッド層４、及びｐ型コンタクト層５を含む活性領域７も円形である。 （もっと読む）

【課題】出力波長が互いに異なる複数の半導体レーザ構造の光軸調整が容易であり、且つ小型化が可能な半導体レーザ集積素子および半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置１Ａは、半導体レーザ集積素子１０と、半導体レーザ素子４０とを備える。半導体レーザ集積素子１０では、２つの半導体レーザ構造２０Ａ，２０Ｂが半導体基板１１上に形成されている。半導体レーザ構造２０Ａ，２０Ｂは、それぞれ青色レーザ光及び緑色レーザ光を出力する。半導体レーザ素子４０は赤色レーザ光を出力し、半導体レーザ構造２０Ａ上にフェースダウン実装されている。半導体レーザ集積素子１０は、半導体レーザ構造２０Ａ，２０Ｂの各共振端面を覆う誘電体膜を更に備える。各共振端面上における誘電体膜の厚さは略等しく、半導体レーザ構造２０Ａ，２０Ｂの各発振波長における誘電体膜の反射率の差は１０％以下である。 （もっと読む）

【課題】外力によるパッケージの変形を抑制することができる面発光レーザモジュールを提供する。
【解決手段】 面発光レーザモジュール１０は、フラットパッケージ２０、金属リング３０、キャップ、及び面発光レーザアレイチップ６０を有している。金属リング３０は、フラットパッケージ２０に、キャビティ領域を取り囲んで固着されている。キャップは、キャップ本体４１及びガラス板４２を有している。キャップ本体４１は、立ち上がり部と、フランジ部と、傾斜部とを有している。フランジ部と金属リング３０とはシーム溶接されている。 （もっと読む）

【課題】電流狭窄層における酸化領域の一部を除去し、酸化による歪を緩和する際、機械的な強度を保つことが可能となる面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板上の多層膜反射鏡の一部の層を構成する被酸化層に電流狭窄層を形成して活性層への電流注入を制限するようにした面発光レーザの製造方法であって、電流狭窄層は、酸化領域の一部が除去された酸化領域除去部分を有し、酸化領域除去部分は、非酸化領域の中心からみて、少なくとも以下の（１）〜（３）のいずれか一つの条件を満たす領域によって形成されていることを特徴とする面発光レーザ。（１）非酸化領域の形状は多角形であり、その頂点の方向を含む領域であること。（２）基板は傾斜基板であり、最大傾斜角の方向とは逆側の方向を含む領域であること。（３）電極が電気的コンタクトをしている面積が最大となる方向を含む領域であること。 （もっと読む）

【課題】Ｐ型、Ｎ型（Ｉ型）結晶を別々に形成する２チャンバ方式により、Ｍｇのドーピングに伴う遅延効果およびメモリ効果を抑制し、エピタキシャル成長時間を短縮したＭＯＣＶＤ装置およびその成長方法、上記のＭＯＣＶＤ装置を適用して形成した半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】水冷機構を備えるコールドウォール構造を備え、ガスの流れはウェハ８の表面に対して水平方向であり、Ｐ型層成長とＮ型（Ｉ型）層成長ではそれぞれ別のＮ型（Ｉ型）層成長用チャンバ１４・Ｐ型層成長用チャンバ１６で成長するように構成され、ウェハ８を保持するサセプタも別々のＮ型層成長用サセプタ３・Ｐ型層成長用サセプタ５を使用するＭＯＣＶＤ装置およびその成長方法、上記のＭＯＣＶＤ装置を適用して形成した半導体装置およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】 放熱性がよく、ボンディング強度およびボンディング精度を損なうことのない半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】 半導体レーザ装置１は、少なくとも１つ以上のレーザ発光部１２を含む半導体レーザ素子１０と、半導体レーザ素子１０が実装されるサブマウント２０と、サブマウント２０が搭載される搭載面３１ａを有するパッケージ３０とを含み、サブマウント２０の厚み方向Ｚ２の一方の表面部は、半導体レーザ素子１０が実装される平坦な実装面２１ａを有し、他方の表面部である接合側表面部２１ｂは、その周縁の部分であって、平坦な表面を有する枠状の平坦部分２５ａと、平坦部分２５ａに囲繞される部分であって、平坦部分２５ａの表面よりも窪んだ凹部２６を有する凹凸部分２５ｂとから成り、接合側表面部２１ｂを介して、サブマウント２０がパッケージ３０に接合される。 （もっと読む）

【課題】リッジ部を形成するためのエッチングの際にＧａＡｓキャップ層の側壁にサイドエッチングが進行することを防止できる半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、半導体基板２上にｎクラッド層３と、活性層４と、第１ｐクラッド層５と、エッチングストップ層６と、第２ｐクラッド層７と、キャップ層９とを順次積層して形成する工程と、キャップ層９の一部を除去した開口部１０ＡにＺｎＯ層１１を形成して窓領域を形成する工程と、開口部１０Ａからキャップ層９上にかけてストライプ状の絶縁膜マスクパターン１６を形成し、絶縁膜マスクパターン１６から露出したキャップ層９をエッチング除去する工程と、絶縁膜マスクパターン１６から露出しているキャップ層９の側壁を酸化する工程と、エッチングストップ層６に達するまでエッチングを行ってリッジを形成する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リッジ型半導体レーザにおいて、活性層内においてリッジ部から比較的に離れた箇所の結晶欠陥に起因して特性劣化が生じる半導体レーザ素子を、比較的に短い試験時間で行うスクリーニング試験によって効果的に選別し、信頼性の高い半導体レーザと、スクリーニング試験方法とを提供すること。
【解決手段】ｎ型半導体層３、ｐ型半導体層７及びリッジ部１７を有するリッジ型の半導体レーザ１ａの活性層５は第１の領域５ａ〜第３の領域５ｃからなり、第１の領域５ａ〜第３の領域５ｃはｎ型半導体層３の表面に沿って順に配置され、リッジ部１７とｐ型半導体層７とは第２の領域５ｂの上において接続されており、第２の領域５ｂはリッジ部１７に沿って延びており、半導体レーザ１ａのｐ側電極１３ｂはリッジ部１７に接続しており、スクリーニング用電極１３ａとｐ型半導体層７とは第１の領域５ａの上において接続されており、スクリーニング用電極１３ｃとｐ型半導体層７とは第３の領域５ｃの上において接続されている。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ装置の高温・高出力特性を改善する。
【解決手段】ｐ型第２クラッド層５の一部に形成されたリッジ部５Ａの両側壁およびリッジ部５Ａの両側の平坦部（ｐ型第２クラッド層５の上面）には、１００ｎｍ以下の薄い膜厚を有する第１パッシベーション膜８が形成されている。また、リッジ部５Ａの側壁下部、およびリッジ部５Ａの側壁近傍のｐ型第２クラッド層５の上面には、第１パッシベーション膜８を覆うように第２パッシベーション膜９が形成されている。リッジ部５Ａの側壁底部における２層のパッシベーション膜の合計の膜厚は、１５０ｎｍ〜６００ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】電気抵抗と温度抵抗の増大を引き起こすことなくキンク特性を改善することのできる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体レーザ素子は、半導体基板１と、ｎ型で（Ａｌ_xＧａ_1-x）_yＩｎ_1-yＰの組成からなる第１クラッド層２と、ｎ型で（Ａｌ_ｚＧａ_1-z）_yＩｎ_1-yＰの組成からなり、ｘがｚより０．０５以上小さくなる第２クラッド層３と、（Ａｌ_uＧａ_1-u）_yＩｎ_1-yＰの組成からなり、ｕがｚより０．５以上小さくなる第１ガイド層４と、III−Ｖ族化合物半導体からなる活性層５と、（Ａｌ_uＧａ_1-u）_yＩｎ_1-yＰの組成からなる第２ガイド層６と、ｐ型で（Ａｌ_ｚＧａ_1-z）_yＩｎ_1-yＰの組成からなる第３クラッド層７と、ｐ型でIII−Ｖ族化合物半導体からなるエッチング停止層８と、ｐ型で（Ａｌ_ｚＧａ_1-z）_yＩｎ_1-yＰの組成からなり、リッジ１２を形成する第４クラッド層９とを備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リッジの不具合による素子特性の不安定化を防止することのできる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体レーザ素子は、第１導電型のIII−Ｖ族化合物半導体からなる半導体基板１と、半導体基板１上に設けられた第１導電型のIII−Ｖ族化合物半導体からなる第１クラッド層２と、第１クラッド層２上に設けられたIII−Ｖ族化合物半導体からなる活性層３と、活性層３上に設けられた第２導電型のIII−Ｖ族化合物半導体からなる第２クラッド層４と、第２クラッド層４上に隆起してストライプ状に形成され、上面が側面方向に庇状に突出しているリッジ１１とを備えていることを特徴とする。 （もっと読む）