【課題】縦モードがマルチモード発振特性であり且つ温度特性及び信頼性に優れた集積型半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】赤外レーザ部１００と赤色レーザ部１３０とが同一のｎ型ＧａＡｓ基板１０１上に搭載されたモノリシック２波長レーザ装置において、１×１０¹⁷ｃｍ^-3＜赤外レーザ部１００のｐ型（ＡｌＧａ）ＩｎＰ第１クラッド層１０５の不純物濃度＜赤色レーザ部１３０のｐ型（ＡｌＧａ）ＩｎＰ第１クラッド層１３５の不純物濃度＜７×１０¹⁷ｃｍ^-3の関係を満たしている。 （もっと読む）

【課題】上側ミラー又はメサ構造体の選択的パターニングにより形成された、モード制御を伴うＶＣＳＥＬを提供すること。
【解決手段】上面及び底面を有する基板と、基板の上面に配置された交互の屈折率の第１ミラー層スタックと、第１スタック上に配置された活性層と、活性層上に配置された交互の屈折率の第２ミラー層スタックと、第２スタックの中央に配置され、レーザのスペクトル幅特性を改善するために第２ミラー層スタックの少なくとも幾つかを通って延びる凹部と、を有する表面発光レーザである。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体層内に拡散領域を形成する場合に横方向の拡散を抑制すること、または、電極間のリーク電流を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＩｎＰおよびＡｌＧａＩｎＰの少なくとも１つを含む化合物半導体層の表面を弗酸水溶液または緩衝弗酸で処理する工程（ステップＳ１０）と、前記化合物半導体層の前記表面上に屈折率が１．７７以上かつ１．８５以下の窒化シリコン膜を形成する工程（ステップＳ１２）と、前記窒化シリコン膜をマスクに前記化合物半導体層内に拡散領域を形成する工程（ステップＳ１４）と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】横方向酸化によって、電流素子層が形成された面発光型半導体発光素子において、簡便かつ低コストな製法により高性能化、高機能化、高信頼性化、長寿命化を図ることが可能な素子構造を提供する。
【解決手段】第１の半導体多層膜反射鏡６、半導体活性層４、クラッド層３及び５は凸部形状のメサ部となっている。半導体多層膜反射鏡２の最上層２ａ及び半導体多層膜反射鏡６の最下層６ａは、その側面から発光領域１７に向かって横方向酸化されることによって電流狭窄部８を形成している。前記半導体多層膜反射鏡２あるいは半導体多層膜反射鏡６はその結晶方向に対して酸化されやすい第１方向と酸化されにくい第２方向を呈する酸化異方性を持ち、前記第１の方向に沿った前記発光領域から前記電流路狭窄部までの距離が前記第２の方向に沿った前記発光領域から前記電流路狭窄部までの距離よりも長くなっている。 （もっと読む）

【課題】高出力化が可能な面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】面発光レーザ素子は、共振器スペーサー層１０３，１０５と、活性層１０４とを備える。活性層１０４は、共振器スペーサー１０３，１０５間に共振器スペーサー層１０３，１０５に接して形成される。共振器スペーサー層１０３は、格子整合するＧａ_０．５Ｉｎ_０．５Ｐからなる。活性層１０４は、ＧａＩｎＰＡｓからなる井戸層１０４Ｂ，１０４Ｄ，１０４Ｆと、Ｇａ_０．５Ｉｎ_０．５Ｐからなる障壁層１０４Ａ，１０４Ｃ，１０４Ｅ，１０４Ｇとが交互に積層された量子井戸構造からなる。共振器スペーサー層１０５は、（Ａｌ_０．７Ｇａ_０．３）_０．５Ｉｎ_０．５Ｐからなる。 （もっと読む）

本発明は、垂直主放射方向において放射を放出する光学的にポンピングされる面発光型の垂直放射体（１）と、垂直主放射方向を横断する方向に延びるポンプ主放射においてポンプ放射を放出する、少なくとも１つのモノリシックに集積されたポンプ放射源（２）とを有する半導体レーザ装置に関する。第１の実施形態によれば、ポンプ放射源（２）の少なくとも１つの垂直部分が、ポンプ主放射方向を横断し、且つ垂直主放射方向を横断する横方向においてポンプ放射に対して屈折率導波型に構成されている。第２の実施形態によれば、ポンプ放射源（２）が少なくとも１つの垂直部分において、ポンプ主放射方向を横断する横方向では別の垂直部分よりも狭い幅を有する。このようにして適切な寸法設計ではポンプ放射のモードが完全にまたは少なくとも部分的に垂直方向においてこの部分から押し出され、これにより導電層におけるポンプ放射の吸収損失が低減される。
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【課題】 偏波無依存型半導体光増幅器に関し、偏波間の利得差をなくすことと、飽和光出力を増大させることを両立する。
【解決手段】 偏波無依存型半導体光増幅器を構成する伸張歪を導入したバルク結晶からなる歪バルク活性層３の層厚を２０ｎｍ〜９０ｎｍとし、歪量を−０．１０％〜−０．６０％とする。 （もっと読む）

【課題】GaAs傾斜基板上に逆メサ構造を持つAlGaInPまたはGaInP系の半導体レーザにおいて、導波路軸方向に対して正確に直交した状態に導波路端面を形成する。
【解決手段】第１導電型GaAs基板１上に、少なくとも第１導電型AlGaInP下部クラッド層３、AlGaInP下部光ガイド層４、AlGaInPまたはGaInP量子井戸活性層５、AlGaInP上部光ガイド層６、第２導電型AlGaInP上部第一クラッド層７、GaInPエッチングストップ層８、第２導電型AlGaInP上部第二クラッド層11および第２導電型GaAsキャップ層14を有し、第２導電型AlGaInP上部第二クラッド層11が逆メサ形のリッジ状に形成された半導体レーザにおいて、第１導電型GaAs基板１として、面方位が（0 0 1)面から[1 -1 0]方向に７°から20°傾斜した基板を用い、ストライプ方向を[1 1 0]方向とする。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓの格子定数より低い格子定数を有する改善された擬似基板並びにかかる擬似基板を備えた半導体素子を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ製の半導体基板（１）であってその上に半導体層配列（２、１３、１４、３５）が施与された半導体基板であって、該半導体層配列（２、１３、１４、３５）は、Ａｌ_１−ｙＧａ_ｙＡｓ_１−ｘＰ_ｘ［式中、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１］からなる多数の半導体層を含み、その際、幾つかの半導体層は、それぞれリン割合ｘを有し、その割合は、半導体層配列の成長方向でその下にある隣接する半導体層中の割合よりも大きいことを特徴とする半導体基板と該基板を含む半導体素子とによって解決される。 （もっと読む）

【課題】とりわけ時間的に特に安定したレーザエミッションを有する光ポンピングされる面発光半導体レーザ及びこのような半導体レーザを有する光学的プロジェクション装置を提供することである。
【解決手段】上記課題は、光ポンピングされる面発光半導体レーザにおいて、モード選択装置が半導体レーザの予め設定可能な比較的高い共振モードの抑圧のために設けられており、この半導体レーザにおいてモード選択装置は固定的に半導体レーザの半導体ボディに結合されていることによって解決され、さらに、光学的プロジェクション装置においては、上記光ポンピングされる面発光半導体レーザ及びこのような半導体レーザのための制御電子装置を有することによって解決される。 （もっと読む）

表面発光型半導体レーザであって、半導体チップ（１）と、第１の共振器ミラー（４）と、少なくとも１つの別の共振器ミラー（８）と、ポンピングレーザ（１０）を有しており、前記少なくとも１つの別の共振器ミラーは半導体チップ（１）外に配置されており、前記第１の共振器ミラー（４）とともに、共振器長Lを有するレーザ共振器を構成し、前記ポンピングレーザは半導体レーザ（１）を光学的にポンピングするために、ポンピングパワーを有するポンピングビーム（１４）を半導体チップ（１）内に放射する。この表面発光型半導体レーザにおいて、前記ポンピングパワーは変調周波数ｆ_ｐによって変調され、共振器長Lは、この変調周波数ｆ_ｐに合わせて調整されている。
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【課題】室温で連続動作し得る青色光レーザダイオードを提供する。
【解決手段】第１および第２半導体の積層パターンを有する超格子領域１３内
にミニバンド１８を形成することによって活性領域２へのキャリヤの移動が向上
する半導体素子が提供される。パターン積層膜厚は代表的には２５ナより小さい
。ミニバンド１８の最小エネルギー準位２１は、活性領域２と超格子領域１３と
の間のガイド領域３のエネルギー準位に等しいかまたはこれより大きい。 （もっと読む）

【課題】結晶成長の回数を増やすことなく、高温高出力動作可能なモノリシック型半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体基板１上にｎ形クラッド層２ａ、活性層３ａ、リッジ部が形成されるｐ形クラッド層４ａを有する赤外発光層形成部９ａ、リッジ側部に赤外用の電流狭窄層５ａが少なくとも形成されたＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ素子１０ａと、ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ素子１０ａが形成されていない領域に、ｎ形クラッド層２ｂ、活性層３ｂ、リッジ部が形成されるｐ形クラッド層４ｂを有する赤色発光層形成部９ｂ、赤外用の電流狭窄層５ａと同一材料からなり、活性層３ｂのバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有する赤色用の電流狭窄層５ｂがリッジ側部に少なくとも形成されたＩｎＧａＡｌＰ系半導体レーザ素子とを、同一の半導体基板上に形成する。 （もっと読む）

【課題】リッジ形成工程を簡単化できる複合素子形半導体レーザとその製造方法を提案する。
【解決手段】第１部分と第２部分とを有する半導体基板層が使用され、この半導体基板層の第２部分は、第１部分よりも厚さが薄い。第１活性層を含む第１半導体積層体を有する第１の半導体レーザ素子が第１部分上に配置される。第２活性層を含む第２半導体積層体を有する第２の半導体レーザ素子が第２部分上に配置される。第２部分と第２の半導体レーザ素子との間には、第１半導体積層体と同じ半導体積層体からなるスペーサが配置される。第１、第２の各半導体レーザ素子はそれぞれリッジ構造を有し、これらの各リッジ構造のリッジ頂面が、半導体基板層の基準面からほぼ同じ高さに位置し、これらのリッジ構造が同時に形成される。 （もっと読む）

【課題】 容易に製造することができると共に、光の出射位置を精度よく制御することができる発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 導電性かつ可視領域において透明の第１の基板２１の表面に第１の発光素子２０を形成すると共に、第１の発光素子２０の上にｐ側電極２８を形成したのち、第１の基板２１を透してｐ側電極２８の位置を観察しつつ、第１の基板２１の裏面にｎ側電極２９を形成する。続いて、導電性の支持基体１１の上に、第１の発光素子２０をｐ側電極２８が支持基体１１に電気的に接続されるようにして接着する。次に、第２の発光素子３０をｐ側電極５７が第１の発光素子２０のｎ側電極２９に電気的に接続されるようにして第１の基板２１に接着する。 （もっと読む）

【課題】 キャリアの分布の偏りを低減可能な半導体発光素子を提供する
【解決手段】 本発明の実施の形態の半導体発光素子は、ｎ型クラッド層と、ｐ型クラッド層と、活性層とを備える。活性層は、複数の井戸層と複数のバリア層とを含む多重量子井戸構造の活性層であり、ｎ型クラッド層とｐ型クラッド層の間に設けられている。井戸層の伝導帯のポテンシャルエネルギーとバリア層の伝導帯のポテンシャルエネルギーとの差である伝導帯のエネルギー障壁差が、井戸層の価電子帯のポテンシャルエネルギーとバリア層の価電子帯のポテンシャルエネルギーとの差である価電子帯のエネルギー障壁差より小さい。第２の半導体発光素子では、複数のバリア層のうちｐ型クラッド層の側のバリア層の厚さが、ｎ型クラッド層の側のバリア層の厚さより薄い。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、半導体発光素子への電気的接続方法を改善して、信頼性および生産性を高めた発光装置を提供することにある。
【解決手段】本実施形態に係る発光装置は、対向する第１面および第２面を有し、第１面および第２面の対向方向に直交する方向に光を出射する発光部を複数備えた半導体発光素子１と、半導体発光素子１の第１面側を支持し、半導体発光素子１に電気的に接続された第１電極部材３と、第２電極部材５と、半導体発光素子１の第２面側と第２電極部材５とを電気的に接続するフレキシブル基板１０とを有し、フレキシブル基板は、絶縁基板と、絶縁基板に形成された導電層とを有する。 （もっと読む）

【課題】改善された拡散バリアを備えた発光光電半導体チップを提供し、ｐ型ドーパントの活性層への拡散を効率よく低減する。
【解決手段】第１の非ドープ層および第２の非ドープ層はアルミニウムを含み、第１の非ドープ層はアルミニウム成分ｙ１を有し、第２の非ドープ層はアルミニウム成分ｙ２を有し、第１の非ドープ層のアルミニウム成分ｙ１は第２の非ドープ層のアルミニウム成分ｙ２よりも大きい。 （もっと読む）

反応槽（２）、少なくとも一つの種（９）のための支持手段（３）、少なくとも一つの反応ガスのための吸気手段（５０、５１、５２）燃焼ガスのための吸気手段（５０、５１、５２）、および前記燃焼ガスの間に燃焼を誘発する手段から構成される、基材上に結晶を成長させるためのリアクター（１）。反応槽（２）の内部（２０）に設置された種（９）上の結晶成長は、少なくとも一つのガスを反応槽（２）に導入し、燃焼ガスを反応槽（２）に導入し、燃焼ガスの間に燃焼を誘発し、および前記種（９）の上に生成した材料を堆積するステップから構成される。 （もっと読む）

【課題】所定の波長帯で高反射率を実現することの可能な多波長半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】基板１０上に、波長６６０ｎｍのレーザ光を発振する第１素子部２０Ａと、波長７８０ｎｍのレーザ光を発振する第２素子部２０Ｂとを有する。第１素子部２０Ａおよび第２素子部２０Ｂのそれぞれの前端面には前端面膜３０が、後端面には後端面膜３１がそれぞれ一括形成されている。後端面膜３１は、後端面上に屈折率がｎ１の第１後端面膜３２Ａおよび屈折率がｎ２（＞ｎ１）の第２後端面膜３２Ｂを１組とする層を１または複数積層して構成された第１反射膜３２と、第１反射膜３２上に屈折率がｎ３（≦ｎ１）の第３後端面膜３３Ａおよび屈折率がｎ４（＞ｎ１）の第４後端面膜３３Ｂを１組とする層を１または複数積層して構成された第２反射膜３３とを有する。 （もっと読む）