本発明は、コア及び複数のシェルを含むコア／多重シェル半導体ナノクリスタルを提供する。このナノクリスタルは、タイプ−Ｉのバンドオフセット及び、約４００ｎｍ〜１６００ｎｍ超のＮＩＲまでの可視範囲をカバーする明るさが調整可能な放射を提供する高いフォトルミネセンス量子収率を示す。 （もっと読む）

【課題】成膜時のチャージアップによる局所的な膜質変化を防止し、半導体レーザ素子の反射率のばらつきを低減させることができる半導体レーザの製造方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも所定表面領域が酸化し難い導電性材料にて構成された保持部材１１、１４を用いて、共振器端面１７ａが露出した複数の半導体レーザ素子を有するレーザバー１７を、共振器端面と所定表面領域が同じ向きとなるように保持し、共振器端面に所定反射率のコート膜を形成するための成膜装置内に保持部材１１、１４にて保持したレーザバー１７を設置し、共振器端面にコート膜を成膜する半導体レーザ素子の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 半導体レーザに関し、量子ドットにおける高速のキャリア緩和を可能にし、動作特性を向上する。
【解決手段】 基板上にウェッティング層３と自己形成量子ドットである量子ドット１からなる活性層４を設けるとともに、量子ドット１の周囲に接するように低バンドギャップ層２を設ける。 （もっと読む）

【課題】高温、高出力動作が可能で、且つ、信頼性の高い半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】図１に示すように、半導体レーザ装置１０は、ｎ型ＧａＡｓからなる基板１００上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型クラッド層１０１、ＡｌＧａＩｎＰからなるガイド層１０２ａ、複数のＧａＩｎＰ層と複数のＡｌＧａＩｎＰ層とで構成される量子井戸からなる活性層１０２、ＡｌＧａＩｎＰからなるガイド層１０２ｂ、ＡｌＧａＡｓからなる拡散防止層１０３、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型第１クラッド層１０４、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰからなる電流ブロック層１０５、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型第２クラッド層１０６、およびｐ型ＧａＡｓからなるコンタクト層１０７が順に積層された構造を有している。 （もっと読む）

【課題】
製造工程中に電流狭窄層の組成管理を確実に行い、安定したレーザ光の発振を可能とする半導体レーザを提供する。
【解決手段】
活性層の上にクラッド層と電流狭窄層とを順次積層形成することでリッジストライプ構造の半導体レーザを製造する製造方法であって、前記電流狭窄層の形成工程において、間接遷移型化合物半導体を主成分として第1の層を形成し、その上に直接遷移型化合物半導体を主成分として第2の層を形成して、前記第2の層の形成後には、外部より前記直接遷移型化合物半導体を励起させて前記第2の層から発せられる光学的特性を検査する検査工程を行う製造方法を用い、それによって得られる高出力で高精度なレーザ発振を可能とする半導体レーザの構成とする。 （もっと読む）

【課題】出力側にグレーティングを備えず、かつ波長選択の制御を容易にする。
【解決手段】導波路20内に、出力部30、活性部40及び波長選択部50を順に備えている。波長選択部は、分岐部60、第1波長選択部70及び第2波長選択部80を備えている。分岐部は、活性部から送られた光信号を第1分岐光及び第2分岐光に分岐すると共に、第1分岐光が波長選択されて得られる第1選択光、及び、第2分岐光が波長選択されて得られる第2選択光を合波して活性部を経て出力部へ出力する。第1波長選択部は、第1分岐光を外部から印加された第1バイアス電圧に応じて定められる波長域の第1選択光を選択して分岐部へ戻すと共に、外部から印加された第2バイアス電圧に応じて第2選択光の位相に対し、第1選択光の位相を調整する。第2波長選択部は、第2分岐光を波長選択して得られた第2選択光を分岐部へ戻し、かつ、複数の反射波長ピークを有する波長可変グレーティングを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 歩留まりの向上、製造コストの低減をすることができ、複数の異なる波長のレーザ光を出力するレーザダイオードチップ、該レーザダイオードチップを備えたレーザダイオード及びレーザダイオードチップの製造方法を提供する。
【解決手段】 ｐ−ＧａＡｓキャップ層６及びｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層５の中央部を挟んでへき開面に平行な横方向両側部分は、エッチングにより切り出され、ｐ−ＧａＡｓキャップ層２６及びｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２５の中央部を挟んでへき開面に平行な横方向両側部分は、エッチングにより切り出されてある。へき開面から見たｐ−ＧａＡｓキャップ層６及びｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層５の形状、並びにｐ−ＧａＡｓキャップ層２６及びｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２５の形状は、山状にしてある。切り出された部分には、液体酸化膜を焼成した酸化膜からなる電流狭窄層７、７、７を設けてある。 （もっと読む）

【課題】本発明は、短時間成膜が可能で、反射率制御に優れ、かつ、信頼性が低下しない高出力半導体レーザ、さらには、従来よりも高反射率の高出力半導体レーザを提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板１上にレーザ発振するように半導体層が積層される半導体積層部２を有しており、半導体積層部２の光出射面である一端部に第１の端面膜３が形成され、半導体積層部２の他端部に第２の端面膜４と金属膜５とが形成されている。 （もっと読む）

光の周波数変換のための装置であって、その装置は、第一周波数を有する光を出射するための発光デバイスであって、延長導波路の基本横モードが低ビーム発散によって特徴付けられるように選択された延長導波路を有する端面発光半導体発光ダイオードである発光デバイスを備える。装置はさらに、発光デバイスと光反射体との間に画定される外部キャビティを光が複数回通過し、かつ第一周波数を有するレーザ光を発生するためのフィードバックをもたらすように、構成かつ設計された光反射体を備える。装置はさらに、外部キャビティ内に配置された非線形光学結晶であって、第一周波数を有するレーザ光が非線形光学結晶を複数回通過したときに、第一周波数が第一周波数とは異なる第二周波数に変換されるように選択された非線形光学結晶を備える。
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【課題】 導電型がＰ型の半導体層のキャリアの電気的活性化率を高くできる半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】 この半導体層の製造方法では、ＭＢＥ法によるＰ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層５およびＰ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層７の成長は、Ｇａセルと、Ａｌセル、Ｉｎセル、Ｐセル、およびドーパントである例えばＢｅ(ベリリウム)セルのシャッターを開け、それぞれの分子線を基板上に照射し、例えば、５００℃でＰ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５、７をエピタキシャル成長する。この後、Ａｌセルを閉じ、Ｇａ分子線とＩｎ分子線とＰ分子線の照射によって、Ｐ型ＧａＩｎＰ中間層８を成長し、積層した半導体層を降温し、水素パッシベーションの影響がない温度範囲(一例として４５０℃を超える温度)で、Ｐセルのシャッターも閉じて、成長した半導体層へのＰの分子線の照射を停止した。 （もっと読む）

【課題】高温動作や高出力動作を可能とする半導体レーザを提供する。
【解決手段】基板１０と、基板１０上に少なくともｎ型クラッド層１１、活性層１３およびｐ型クラッド層１５をこの順に含んで設けられた半導体層とを備えた半導体レーザ１であって、ｐ型クラッド層１５は、その内部にｐ型クラッド層１５と異なる組成からなる不純物拡散防止層を少なくとも２層（第１不純物拡散防止層１６Ａおよび第２不純物拡散防止層１６Ｂ）含むものである。不純物拡散防止層１６Ａ，１６Ｂは、活性層１３の上にｐ型クラッド層１５をエピタキシャル成長させる際にドープされるｐ型不純物が活性層１３にまで拡散するのを防止するためのものである。 （もっと読む）

気密封止されたパッケージ２内に活性領域がＡｌＧａＡｓ系結晶、はＡｌＧａＩｎＰ系結晶、ＡｌＧａＮ系結晶、あるいはＩｎＧａＮ系結晶からなる半導体レーザ素子３を備える半導体レーザ装置１において、パッケージ２内の雰囲気ガスを酸素を含む気体とした。半導体レーザ素子３は、レーザ出射面に誘電体酸化膜を具備する。雰囲気ガスを酸素と窒素の混合ガスとし、酸素の割合を２０％以上とした。
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【課題】発熱を低減でき信頼性の高いＡｌＧａＩｎＰ半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板２上に活性層５を挟む一対のクラッド層３、４が積層され、このクラッド層３、４上にＩｎＧａＩｎＰクラッド層９、障壁緩和層１０、ＧａＡｓキャップ層１１とが順次積層されたリッジ部８及びリッジ部８を挟持する一対のＡｌＩｎＰ電流ブロック層１２が形成され、障壁緩和層１０は、ＡｌＧａＩｎＰクラッド層９近傍にこのＡｌＧａＩｎＰクラッド層９側からＧａＡｓキャップ層１１側にむかって組成Ｘを０〜０．３５でグレーデッドに変化させた（Ａｌ_xＧａ_1-x）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ層と、ＧａＡｓキャップ層１１近傍にＧａＡｓとＧａＩｎＰとをペアとする超格子構造とからなる。 （もっと読む）

半導体レーザ素子端面に一括形成できる高反射率の多層膜を有する多波長半導体レーザ装置が提供される。多波長半導体レーザ装置は、互に異なる波長で発振する複数の半導体レーザ素子からなる。複数の半導体レーザ素子はその出射端面及び後側端面の少なくとも一方に成膜された同一積層構造の反射膜を有する。反射膜は、膜厚方向に配置された、半導体レーザ素子のうちの第１半導体レーザ素子で発振された第１波長に対する第１所定反射率を有する第１反射領域と、第１半導体レーザ素子以外の第２半導体レーザ素子で発振された第１波長と異なる第２波長に対する第２所定反射率を有する第２反射領域と、を有する。
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【課題】多波長レーザーダイオード及びその製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも三つのレーザーダイオード（２００，４００、６００）が順次に積層されており、前記レーザーダイオードそれぞれの発光点（２６、５６、８６）の中心部が前記レーザーダイオードの積層方向に一直線上に整列して配置されていることを特徴とする多波長レーザーダイオード。 （もっと読む）

【課題】 駆動電流の変化のない半導体レーザ装置を歩留まりよく製造できる半導体レーザ装置の製造方法を提供することにある。
【解決手段】 この半導体レーザ装置の製造方法は、第１のエージング工程Ｓ１と、第１の検査工程Ｓ２と、実装工程Ｓ３と、第２のエージング工程Ｓ４と、第２の検査工程Ｓ５とを備える。このように、上記実装工程Ｓ３の前に、半導体レーザチップに、高温直流通電の上記第１のエージング工程Ｓ１を行っているので、上記実装前の半導体レーザチップのしきい値電流および駆動電流を低減できる。 （もっと読む）

【課題】同一基板上に複数の波長の異なる半導体レーザ装置チップを集積する場合において、同時に端面窓構造を形成する。
【解決手段】１０１はｎ型ＧａＡｓ基板、１０２はｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、１０３はＧａＡｓ井戸層とＡｌＧａＡｓ障壁層から構成された量子井戸構造の活性層、１０４はｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第一クラッド層、１０５はｐ型ＧａＩｎＰエッチング停止層、１０６はｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第二クラッド層、１０７はｐ型ＧａＩｎＰバンド不連続緩和層、１０８はｐ型ＡｌＧａＡｓ拡散制御膜である。１１１はレーザ端面に端面窓構造を形成するためにＺｎの固相拡散により設けられた不純物拡散領域である。 （もっと読む）

【課題】 リッジ側壁とリッジ直下のエッチングストップ層との交差部であるリッジ裾部が、角状に形成され、高出力領域においてもキンクを発生しにくい半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】 ｎ型半導体基板２、ｎ型クラッド層４、活性層５、ｐ型第１クラッド層６、ｐ型エッチングストップ層７、アルミニウムを含むｐ型第２クラッド層２１を有する積層体３０を、チャンバ内の電極上に載置し、該電極に引き込み電圧を印加しながらドライエッチングしてリッジ２４を形成する。このとき、エッチングガスとして酸素ガスを含むガスを用いる。 （もっと読む）

【課題】 ｎ型ドーパントとしてＳｉを用い、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層もしくはｎ−ＡｌＧａＡｓを含む半導体層を有する半導体レーザ装置の高効率化・高信頼性化を図る。
【解決手段】 ｎ−ＧａＡｓ基板１２の上に配設されるとともにｎ型不純物としてドープされたＳｉの濃度が０．２×１０^１８ｃｍ^−３〜１．４×１０^１８ｃｍ^−３の範囲であるＡｌＧａＡｓ層を含むｎ−バンド不連続緩和層１５と、このｎ−バンド不連続緩和層１５の上に配設されるとともにＡｌＧａＩｎＰで形成されたｎ型クラッド層１６と、このｎ型クラッド層１６の上に配設され、量子井戸を含む活性層１８２と、この活性層の上に配設されたＡｌＧａＩｎＰのｐ型クラッド層とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】 エッチングストッパ層により、発光効率が低下しない改良されたリッジを有する半導体レーザとその製造方法を提案する。
【解決手段】 エッチングストッパを用いない半導体レーザまたは発光効率を低下させることのないエッチングストッパを用いた半導体レーザが提案される。リッジは第３クラッド層をエッチングするエッチング工程により形成される。このエッチング工程は、ドライエッチングを行なう第１エッチング工程と、ウエットウッチングを行なう第２エッチング工程を含む。第１エッチング工程は、第２クラッド層の直上まで、第３クラッド層をドライエッチングし、第２エッチング工程はその仕上げのエッチングを行なう。 （もっと読む）