【課題】発光素子及び光結合モジュールを提供する。
【解決手段】前記素子は、基板と、前記基板に備えられた発光部と、前記基板の下部面に備えられた反射部とを含む。前記発光部は、前記基板上に配置されたアクティブパターンと、前記アクティブパターンの上部に備えられた上部鏡と、前記アクティブパターンの下部に備えられた下部鏡とを含む。前記発光部は、基板に垂直な光を放射することができ、前記反射部は、前記放射光を前記基板の側面に反射することができる。 （もっと読む）

【課題】高い放熱性と製造の簡便性とを維持しつつ、半導体レーザ素子を、半田を介してサブマウントなどに接合する前と後とで、偏光特性が大きく異なってしまうのを抑制することの可能な半導体レーザ素子およびそれを備えた半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】リッジ部１１Ａの上面から少なくともリッジ部１１Ａの両側面に渡って金めっき層１４が形成されている。この金めっき層１４のうち少なくともリッジ部１１Ａの両側面との対向部分の表面に、半田層３０と反応しない非反応層１５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ストライブ幅と平行方向の不要な共振を抑制することで、光強度ピークを抑制できる構造の半導体レーザを提供する。
【解決手段】電流ブロック層８に形成したコンタクトホール８ａをレーザ光の出力方向に対して平行に複数に分割したストライプ状に並べた開口パターンとする。これにより、コンタクトホール８ａを一つのライン状とした場合と比較して利得分布が変わる。すなわち、利得分布をストライプ幅方向において部分的に低下させることができる。このため、ストライプ幅方向の不要な共振が無くなり、かつ、それによって注入電流分布も均一にすることができる。したがって、ストライブ幅と平行方向の不要な共振を抑制でき、光強度ピークを抑制できる構造の半導体レーザとすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ含有半導体層を有する水平共振器・垂直出射型半導体レーザ素子において、Ａｌ含有半導体層の酸化に起因する光出力特性の劣化を抑制する。
【解決手段】ＧａＡｓからなる基板１０１の主面上には、下層から順に下部クラッド層１０２、活性層１０３および上部クラッド層１０４が積層されている。上部クラッド層１０４は、高濃度のＡｌを含有するＡｌＧａＡｓまたはＡｌＧａＩｎＰで構成されている。上部クラッド層１０４の上部には、上部クラッド層１０４に含まれるＡｌの酸化を防止する機能を兼ね備えた出射面層１０５が形成されており、この出射面層１０５の上部には、電極コンタクト層１０６が形成されている。出射面層１０５は、ＩｎＧａＰで構成されており、電極コンタクト層１０６は、ＧａＡｓで構成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ素子部への熱的および機械的な影響が大きくなるのを抑制することが可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ装置１００は、ｎ型ＧａＮ基板１１およびｎ型クラッド層１２と、活性層１３と、ｐ型クラッド層１４とが順に形成された青紫色半導体レーザ素子部１０と、青紫色半導体レーザ素子部１０の上面に接合され、青紫色半導体レーザ素子部１０側からｐ型クラッド層２１および３１と、活性層２２および３２と、ｎ型クラッド層２３および３３とが順に積層する赤色半導体レーザ素子部２０および赤外半導体レーザ素子部３０と、ｎ型ＧａＮ基板１１およびｎ型クラッド層１２側とｎ型クラッド層２３および３３とを上面側から電気的に接続する導電膜５および９と導電材１７ａおよび１７ｂとコンタクト電極層１７ｃおよび１７ｄとを備える。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体の加工性をドライエッチングにより向上させる半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法を提供するものである。
【解決手段】インジウムを含む化合物半導体であるエッチング対象物１０にマスクパターン１１Ｐを形成し、ヨウ化水素ガスと三塩化ホウ素との２成分からなる混合ガスである第１のガスからなるプラズマをエッチング対象物１０に入射させてエッチング対象物１０の表面を選択的にエッチングすることにより半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、混合ガスの総流量に対するヨウ化水素ガスの流量の比である配合比が４０％〜６０％である。 （もっと読む）

【課題】高精度な層厚制御を行うことができ、再現性かつ均一性良くシングルモード動作することが可能となる凹型の表面レリーフ構造を備えた面発光レーザおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、下部反射ミラー、活性層、上部反射ミラーが積層されており、
前記上部反射ミラーの光出射部に、反射率の低い領域と該反射率の低い領域の中央部に形成された凹形状の反射率の高い領域とからなる反射率を制御するための構造を備え、波長λで発振する面発光レーザであって、
前記上部反射ミラーが複数の層を積層した積層構造体による多層膜反射鏡で構成され、
前記多層膜反射鏡は、該多層膜反射鏡上の光出射周辺部に、λ／８以上３λ／８以下の光学的厚さを持つ位相調整層を備え、
前記位相調整層内に波長λに対して吸収係数が５０００ｃｍ^−１以上の吸収層が設けられている構成とする。 （もっと読む）

この発明は、少なくとも１つの量子ドットを具えるエンタングル状態のフォトン対を発生させるフォトン対源を作る方法に関し、フォトン対源の操作挙動が少なくとも１つの量子ドットの励起子エネルギーレベルの微細構造分裂を調整することによって決定される。この励起子エネルギーレベルの微細構造分裂は、半導体基体の｛１１１｝結晶面上に少なくとも１つの量子ドットが離散状態で蒸着されることによって調整される。 （もっと読む）

【課題】セルフパルセーション動作を行うことができ、しかもレーザ光の可干渉性を充分に低下させることができ、低雑音のレーザ光を安定して得ることができる半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体レーザは、互いに対向する端面１０ａ、１０ｂの間に共振器長方向に延在する少なくとも一つのレーザストライプ１１を有するレーザチップ１０を有する。レーザストライプ１１は共振器長方向に利得領域１４および可飽和吸収領域１５を有する。可飽和吸収領域１５のレーザストライプ１１の幅を利得領域１４のレーザストライプ１１の幅に比べて大きくする。利得領域１４および可飽和吸収領域１５の上にそれぞれ電極１６、１７を互いに分離して設ける。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体レーザ装置とその駆動方法では、レーザ非発振時の自然放出光の大きさと発振時の発振遅延時間の大きさの双方を低減することが困難であった。特に高光出力を出すために共振器長を長くした半導体レーザでは、特にこの点が問題となっていた。
【解決手段】活性層の一部の領域に電流が注入できる電極５と残りの他の活性層領域に電流を注入できる電極６を有する半導体レーザ４、電極５に電流を流すレーザ駆動回路２、電極６に電流を流すレーザ駆動回路３とレーザ駆動回路２，３を制御する制御回路１から構成される。光出力を出す場合には電極５への電流注入を電極６の電流注入に対して先行させ、光出力を０にする場合には電極５への電流を等価的なしきい電流以下に減少させ、電極６の電流を等価的なしきい電流未満に減少させるレーザ駆動方法と半導体レーザ装置に達成される。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザの特性において良好な温度特性、高い偏光比、乱れのないＦＦＰ、高いキンク光出力の全てを満足し得る半導体レーザを実現する。
【解決手段】ｎ型クラッド層と、活性層と、ストライプ状のリッジと、リッジの一方の側に存在する第１の溝及び他方の側に存在する第２の溝をそれぞれ挟んで設けられたウィング領域とを有するｐ型クラッド層とを備える。前端面の反射率Ｒｆ、共振器端面の後端面の反射率Ｒｒ、前端面近傍領域における第１の溝の幅の最小値Ｗ１及び第２の溝の幅の最小値Ｗ２、後端面における第１の溝の幅Ｗ３及び前記第２の溝の幅Ｗ４とすると、Ｒｆ＜Ｒｒ、Ｗ１＜Ｗ３、及び、Ｗ２＜Ｗ４の関係式が成立し、前端面におけるリッジの幅Ｗｆ、後端面におけるリッジの幅Ｗｒとすると、Ｗｆ＞Ｗｒの関係式が成立し、リッジは、前端面側から後端面側に向かって幅が減少する領域を含む。 （もっと読む）

【課題】高温領域における光出力の低下を低減可能な位相シフト分布帰還型半導体レーザを提供する。
【解決手段】位相シフト分布帰還型半導体レーザ１１では、活性層１７は、第１の半導体端面２３ａから第２の半導体端面２３ｂに延びる軸Ａｘの方向に配列された第１、第２及び第３の部分１７ａ、１７ｂ、１７ｃを含む。第３の部分１７ｃは、第１の部分１７ａと第２の部分１７ｂとの間に位置する。第１及び第２のキャリアブロック層１９ｂ、２１ｂは、活性層１５における伝導帯Ｅ_Ｃ２において電子に対するポテンシャル障壁を提供する。第１のキャリアブロック層１９ｂは、活性層１５の第１の部分１５ａとｐ型III−Ｖ化合物半導体層１５との間に設けられている。第２のキャリアブロック層２１ｂは、活性層１７の第２の部分１７ｂとｐ型III−Ｖ化合物半導体層１５との間に設けられている。 （もっと読む）

【課題】赤外レーザの温度特性を高め、低電圧動作が可能な赤外レーザを有する二波長半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置は、基板１０と、基板１０上に形成された第１の半導体レーザと、第１の半導体レーザよりも短い波長の光を出力し、基板上に形成された第２の半導体レーザとを備えている。第１の半導体レーザは、基板１０の上方に形成された第１導電型の第１のクラッド層１２と、第１のクラッド層１２上に形成された第１導電型の第１のガイド層１３と、第１のガイド層１３上に形成されＡｌＧａＡｓを含む第１の活性層１４と、活性層１４上に形成され、活性層１４との界面部のＡｌ組成が上面部のＡｌ組成より小さい第２導電型の第２のガイド層１５ｇ２、１５ｇ１と、第２のガイド層１５ｇ１上に形成された第２導電型のクラッド層１６とを有している。 （もっと読む）

【課題】リッジ等を熱硬化性樹脂で埋め込んだ光半導体装置の製造方法に於いて、製造工程で使用する薬液によってリッジ等の先端部が痩せ細ることを防止して、装置抵抗が増大する等の装置特性の劣化を回避すること。
【解決手段】リッジ等の形成に使用した第１の絶縁膜を残したまま、リッジ等の頂上と側面を第２の絶縁膜で覆う工程と、第２の絶縁膜が形成された半導体基板の表面を熱硬化性樹脂で覆う工程と、熱硬化性樹脂をエッチングして前記頂上を覆う第２の絶縁体を露出させる工程と、ドライエッチング法によって第２の絶縁膜をエッチングして第１の絶縁膜を露出させる工程と、第１の絶縁膜をエッチング液によって選択的にエッチングして、前記頂上を露出させる工程を具備すること。 （もっと読む）

【課題】不純物の拡散温度を低減できて、発光効率の低下や閾値電流の増加を防止できる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】赤外レーザ活性層３のガイド層３ａ，３ｇの少なくとも一方のキャリア濃度は、1.0×10¹⁷cm^-3以上である。このため、赤外レーザ活性層３の光出射端面において、不純物の拡散を用いて、この赤外レーザ活性層３のバンドギャップを実効的に大きくして、発振波長に対する非吸収領域を形成する際に、この不純物の拡散温度を低減できて、発光効率の低下や閾値電流の増加を防止できる。 （もっと読む）

【課題】微細なレジストマスクを形成するための電子ビーム露光量の増大によるレジストマスク側面のラフネスを抑制することが可能な量子細線構造の作製方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る量子細線構造の作製方法は、所望の量子細線構造の幅よりも太い幅を有するレジストマスクを用いて絶縁体マスク１６を形成する工程と、この絶縁体マスク１６を用いて多重量子井戸層１２をエッチングし量子細線１７を形成する工程とを備える。多重量子井戸層１２のエッチング中に、絶縁体マスク１６の幅がエッチングにより細くなるので、所望の幅を有する量子細線１７が形成される。このため、絶縁体マスク１６のためのレジストマスクの幅は、量子細線構造の細線幅より太くできる。従って、電子ビームの露光量を増加することなく、レジストマスクの形成が可能になる。 （もっと読む）

【課題】赤外半導体レーザと赤色半導体レーザとがモノリシックに集積化され、高出力に十分対応できるＣＯＤレベルを有する２波長半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】基板１１上に赤外半導体レーザ１と、赤色半導体レーザ２とを備え、赤外半導体レーザおよび赤色半導体レーザは、基板上に形成された第１クラッド層２２、４２と、第１クラッド層上に形成された活性層２３、４３と、活性層上に形成された第２クラッド層２４、４４とを有する。赤外半導体レーザの活性層２３は、ＡｌＧａＡｓからなるバリア層と、ＧａＡｓからなるウェル層とが交互に積層され、赤色レーサの活性層４３は、ＡｌＧａＩｎＰからなるバリア層と、ＧａＩｎＰからなるウェル層とが交互に積層され、赤外半導体レーザの活性層の厚さは、赤色半導体レーザの活性層の厚さより薄く、赤外半導体レーザおよび赤色半導体レーザの出射端面近傍は、ともに活性層に不純物が拡散されている。 （もっと読む）

【課題】活性層の結晶欠陥の発生を抑制すると共に、発光点に加わる応力の非対称性を改善し、信頼性の低下防止と偏光特性とを向上できるようにする。
【解決手段】ｎ型ＧａＡｓからなる基板１０の上に、赤色レーザ部１と赤外レーザ部２とが集積化されている。ｐ型ＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型クラッド層１４と、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型クラッド層２４には、それぞれ発光点を有するリッジストライプ部が設けられており、各リッジストライプ部の両側方にはＳｉＮ_ｘからなる電流ブロック層１５Ａが形成され、電流ブロック層１５Ａ上における各リッジストライプ部の外側の領域にはＺｒＯ_２からなる歪緩和層１５Ｂが選択的に形成されている。ｐ型クラッド層１４，２４の熱膨張係数をＴｃとし、電流ブロック層１５Ａの熱膨張係数をＴｂとし、歪緩和層１５Ｂの熱膨張係数をＴｓとすると、Ｔｂ＜Ｔｃ＜Ｔｓの関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】低消費電力で長伝送距離の実現が可能な光送信機と光送信機の駆動方法とを提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板上に順に設けられたＬＤ４、第１の光強度モニタ装置８、波長フィルタ１０及び第２の光強度モニタ装置１４と、波長フィルタ１０を加熱する局所加熱装置１２と、局所加熱装置１２を用いて波長フィルタ１０の温度を調整する制御装置２２とを備え、ＬＤ４は、無温調でＩｎＰ系であり、互に異なる第１及び第２の波長成分を含む出力信号光を発生し、波長フィルタ１０は、波長フィルタ１０の温度変化に応じて透過帯域の中心波長が変化し、Ｓｉを含む材料から成り、制御装置２２は、第１及び第２の光強度モニタ装置によるモニタ結果に基づいて、第１の波長成分が透過され第２の波長成分が遮られるように局所加熱装置１２を用いて波長フィルタ１０の温度を調整する。 （もっと読む）

【課題】半導体材料、特に、良好な電気伝導率および大きな禁制帯幅を有するドープド半導体材料において、原子の秩序化の結果生じる禁制帯幅の減少のような所望しない効果を排除することができるものを得る。
【解決手段】半導体材料中で自由電荷キャリアを提供する第１のドーパント、例えばシリコンと、該半導体材料中で原子の無秩序化を促進する第２のドーパント、例えばスズあるいはテルルとを含む半導体材料であって、該第２のドーパント濃度が該半導体材料の全体に亘って実質的に均一である。 （もっと読む）