【課題】高出力かつ電流供給の改善された面発光レーザのための半導体基体を提供する。その際、半導体基体を僅かな技術コストで製造する。さらに、相応の面発光レーザおよび当該半導体基体のための製造方法を提供する。
【解決手段】放射光を発生する活性層（４）と、電流阻止領域（１２）および電流通過領域（１３）を有する電流供給層（６）とを含む、垂直な放射方向を有する放射光を出射する半導体基体（１）において、半導体基体（１）が、外部共振器を備えた面発光レーザのために設けられており、外部共振器は、電流通過領域（１３）とオーバーラップする所定の共振器ボリューム（１４）を有している。 （もっと読む）

光源には、半導体ダイオードレーザと、反射器内に三次元屈折率変動パターンを有する反射器と、が含まれる。反射器は、半導体ダイオードレーザと光学的に通じており、かつダイオードレーザの出力ビームと整合されて、出力ビームにおける光の一部が、反射器によってレーザへ反射し返されるようにする。
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【課題】 ＧａＮなどの導電性基板を用いた半導体発光装置において、２つの電極を基板あるいはヒートシンクから浮かせたフローティング実装を可能とし、放熱特性を生かしつつ、低電圧駆動を可能とする。
【解決手段】 ｎ型ＧａＮからなる基板１１とｎ側コンタクト層１３との間に、ｐ型ＧａＮ：Ｍｇ層からなる電流阻止層１２を介在させる。基板１１，電流阻止層１２およびｎ側コンタクト層１３の上下３層でｎｐｎ構造が形成され、基板１１とその上のレーザ構造とが電気的に分離される。ｐ側電極２２を上にして基板１１の裏面側をヒートシンク２８に接続させたとしても、ｎ側電極２４は、基板１１およびヒートシンク２８を介して接地されることがなく、ｐ側電極２２と共に基板１１から切り離されてフローティング状態となる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ノイズ等が抑えられた高性能の半導体レーザ装置を比較的低い製造コストで、提供することを目的とする。
【解決手段】 段差を設けたサブマウント体２０ａの上に、複数の半導体レーザチップ２１ａ、２１ｂを搭載することにより、発光点２６，２７を結ぶ直線とベース面とに角度θをもたせ、ビープスポットを斜めにして光ディスクのピット列に照射可能な構造とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は多波長半導体レーザ及びその製造方法に関するものである。
【解決手段】 本発明は窒化物単結晶成長のための基板上に第１及び第２窒化物エピタキシャル層を水平方向に並べて形成するステップと、窒化物単結晶成長用基板から第１及び第２窒化物エピタキシャル層を分離するステップと、第１及び第２窒化物エピタキシャル層を第１導電型基板３１上に接合するステップと、第１及び第２窒化物エピタキシャル層を選択的に除去して第１導電型基板３１の一部上面を露出させ、第１及び第２半導体レーザ構造２０ａ、２０ｂを形成するステップと、上記露出した第１導電型基板３１の一部上面に第３半導体レーザ構造２０ｃを形成するステップとを含む多波長半導体レーザの製造方法を提供する。 （もっと読む）

本発明は、活性垂直エミッタ層（３）を有する光ポンピング式垂直エミッタと、横方向に伝搬されるポンピングビームフィールドを形成するポンピングビーム源とを備えた半導体装置に関しており、ここでこのポンピングビームフィールドにより、ポンピング領域において垂直エミッタ層（３）が光ポンピングされ、ポンピングビームフィールドの波長は、垂直エミッタによって形成されるビームフィールド（１２）の波長よりも短い。上記のポンピングビーム源は活性ポンピング層（２）を有しており、この活性ポンピング層は、上記の垂直エミッタ層（３）と垂直方向に並んで配置されており、また垂直方向に見て少なくとも部分的に垂直エミッタ層と重なっている。ここでは活性ポンピング層（２）はつぎのように配置されている。すなわち、動作時に形成されるポンピングビームフィールドが、垂直エミッタ層（３）によって形成されかつ横方向に伝搬する寄生的なビームフィールドよりも高い出力を有しているか、または横方向に伝搬する寄生的なビームフィールドの、垂直エミッタ層（３）による形成が抑圧されるように配置されるのである。
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ｎ型ドーピングされる閉じ込め層（１４）と、ｐ型ドーピングされる閉じ込め層（２２）と、これらのｎ型ドーピングされる閉じ込め層（１４）とｐ型ドーピングされる閉じ込め層（２２）との間に配置され光子を放出する活性層（１８）とを含む層構造を備えた発光半導体素子において、本発明によれば、高い活性ドーピングとシャープなドーピングプロファイルを形成するため、ｎ型ドーピングされる閉じ込め層（１４）は第１のｎ型ドーパント（または互いに異なる２つのｎ型ドーパント）によりドーピングされ、活性層（１８）の層品質を改善させるため活性層（１８）は第１のドーパントとは異なる第２のドーパントによりドーピングされる。
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