【課題】ストライプ状の各活性領域からの発熱を効率よく放熱することができ、低消費電流及び低消費電力で動作させることができる半導体レーザ装置及び画像表示装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１３は、複数の光ビームを出射する複数のストライプ状の活性領域１２を有し、基台１８は、複数の活性領域１２の近傍の第１の面１４に隣接して形成されるとともに複数のストライプ状の活性領域１２のそれぞれに対応する半導体レーザ素子１３の複数のストライプ状のレーザ電極１５のそれぞれと電気的に接続された複数の配線１６，２１が形成されており、複数のレーザ電極１５のそれぞれのレーザ電極１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄと配線１６，２１との複数の接続箇所２２ａ、２２ｂから活性領域１２に電流が注入される。 （もっと読む）

絶縁された電極を作成し、それらの電極間にナノワイヤを組み込む(600)方法(100)はそれぞれ、半導体層(210)上の半導体材料の横方向エピタキシャル過成長を使用して、同一結晶方位を有する絶縁電極(260、270)を形成する。この方法(100、600)は、半導体層上の絶縁膜(240)内の窓(242)を介した半導体機構要素(250)の選択的エピタキシャル成長(140)を含む。垂直ステム(252)は、窓を介して半導体層と接触し、レッジ(254)は、絶縁膜上の垂直ステムの横方向エピタキシャル過成長である。この方法は更に、半導体機構要素と半導体層から１対の絶縁電極(260、270)を作成(160)することを含む。ナノワイヤベースのデバイス(800)は、１対の絶縁電極と、１対の絶縁電極のそれぞれの表面間を架橋するナノワイヤ(280)とを含む。 （もっと読む）

【課題】耐湿性を低下させることなく、発光強度の低下及び電気特性の劣化を抑制することができる発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光素子は、第１ブラッグ反射型ミラー層１０３と、第１ブラッグ反射型ミラー層１０３より光射出面側に形成された第２ブラッグ反射型ミラー層１０８と、第１ブラッグ反射型ミラー層１０３及び第２ブラッグ反射型ミラー層１０８の間に位置する活性層１０５と、第２ブラッグ反射型ミラー層１０８より光射出面側に位置する耐湿層１０９とを具備する。第２ブラッグ反射型ミラー層１０８は、第２導電型Ａｌ_ｉＧａ_１−ｉＡｓ層及び第２導電型Ａｌ_ｊＧａ_１−ｊＡｓ層（０≦ｉ＜ｊ≦１）を交互に複数積層した構造を有しており、耐湿層１０９は、Ａｌ_ｋＧａ_ｌＩｎ_{１−ｋ−ｌ}Ｐ膜（０＜ｋ≦０．０４、０＜ｌ＜１、かつ０＜ｋ＋ｌ≦１）を有する。 （もっと読む）

【課題】キャリア・オーバーフローを抑制することにより、高温動作を可能とする半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】基板１０上に、下部クラッド層１１、下部ガイド層１２、活性層１３、上部ガイド層１４、上部クラッド層１５およびコンタクト層１６を基板１０側からこの順に含んで構成されたＡｌＧａＩｎＰ系の積層構造２０を備える。この積層構造２０は、応力源であるヒートシンク３から半田２を介して２２００ｐｐｍよりも大きく１２０００ｐｐｍ以下の圧縮応力を受けている。これにより、ヒートシンク３からの圧縮応力の大きさを下部クラッド層１１および上部クラッド層１５などから活性層１３へ与えられる応力の種類および大きさに応じて設定することにより、活性層１３における伝導帯の下端と、下部クラッド層および上部クラッド層における伝導帯の下端との間の電子障壁ΔＥｃの値を大きくすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】従来技術にある問題点を解消し、活性層ＰＬ波長のエピウエハ面内分布が小さい半導体ＬＤエピ構造を提供する。
【解決手段】基板２上に、Ｎクラッド層４、活性層５、Ｐクラッド層６を含む多層の薄膜結晶を積層した半導体ＬＤエピ構造１において、Ｎクラッド層４を５００ｎｍ以上、１０００ｎｍ未満に薄膜化したものである。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型クラッド層における電子の溢れ出しを抑制し、温度特性を向上させると共に、活性層への光閉じ込めが可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 ｎ型ＧａＡｓからなる基板１０上に、Ａｌ_ｘＧａ_1-xＰからなるｎ型クラッド層１２、ＧａＩｎＰからなる活性層１３、およびＡｌ_ｘＧａ_1-xＰからなるｐ型クラッド層１５を有する。活性層１３とｐ型クラッド層１５との間にＧａＰからなる電子障壁層１４が設けられる。クラッド層と活性層との間の屈折率差を確保することができると同時に、伝導帯におけるバンド不連続を大きくとることができる。 （もっと読む）

ハイブリッド型エバネッセント・レーザーを電気的にポンピングする装置および方法。能動半導体材料が、光導波路と能動半導体材料との間のエバネッセント結合界面を画定する光導波路の上に配置され、それにより、光導波路によって案内されるべき光モードは光導波路および能動半導体材料両方に重なる。電流注入経路が能動半導体材料を通じて画定され、光モードに少なくとも部分的に重なる。それにより、光モードに少なくとも部分的に重なる電流注入経路に沿った電流注入に応答した能動半導体材料の電気的ポンピングに応答して光が生成される。
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【課題】多波長量子ドットレーザ素子の提供。
【解決手段】異なる発光波長を有する量子ドット活性領域の垂直方向の積層体が使用され、各量子ドット活性領域の厚さ、材料組成、および、量子ドットサイズが変調されて様々なレーザ発振状態が形成される。量子ドットレーザ素子に印加される電流が発振開始電流条件よりも大きい場合、異なる波長を有するレーザが各量子ドット活性領域で同時に得られ、それにより、多波長量子ドットレーザ素子の適用が達成される。 （もっと読む）

【課題】 自然放出光の漏れ光の発生が抑制される半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 基板１１と、下部ＤＢＲ層１５と、所定の発光スペクトルで発光する活性層２１と、下部ＤＢＲ層１５とともに所定の共振波長を有する垂直共振器を構成する上部ＤＢＲ層２５とを備え、活性層２１から放出されて垂直共振器で共振された光が、素子上面から外部へと出射されるように発光素子１Ａを構成する。また、上部ＤＢＲ層２５の第２反射スペクトルの反射帯域の短波長側帯域端が、下部ＤＢＲ層１５の第１反射スペクトルの反射帯域の短波長側帯域端よりも短波長側に位置するとともに、基板１１を含む基板部が、上部ＤＢＲ層２５で反射されて下部ＤＢＲ層１５を通過した光を吸収する光吸収部として機能する構成とする。 （もっと読む）

【課題】電子のオーバーフローを抑制し、特性を向上させることができる半導体発光素子およびこれを用いた光装置を提供する。
【解決手段】活性層１４と第１ｐ型クラッド層１７との間に電子障壁層１６を設ける。この電子障壁層１６を、ＩＩ族元素のうち少なくともベリリウム（Ｂｅ）と、ＶＩ族元素のうち少なくともテルル（Ｔｅ）とを含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体、具体的には、ベリリウムテルル（ＢｅＴｅ）またはＢｅＺｎＴｅにより構成する。電子障壁層１６の活性層１４に対するΔＥｃが大きくなり、第１ｐ型クラッド層１７ないし第２ｐ型クラッド層１９への電子のオーバーフローが確実に抑制され、温度特性や信頼性が向上する。 （もっと読む）

【課題】Ｉｏｐを長時間一定の値に保つ、つまり信頼性が高い発光素子チップを多く取ることができる発光素子用エピウェハを提供する。
【解決手段】基板２上に、III族およびＶ族原料ガスを用いてｎ型クラッド層６、活性層８、ｐ型第１クラッド層１０、ｐ型第２クラッド層１２を含むエピタキシャル層３を成長させた発光素子用エピタキシャルウェハ１において、エピタキシャル層３の水素濃度の平均値を９．２×１０¹⁶ａｔｏｍｓ／ｃｍ³ 以下にしたものである。 （もっと読む）

【課題】閾値電流が小さく小型化できる２次元フォトニック結晶面発光レーザおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に積層した下部クラッド層と、前記下部クラッド層上に積層しキャリアの注入により発光する活性層と、前記活性層上に積層した上部クラッド層と、を備え、前記上部クラッド層から前記活性層を貫いて前記下部クラッド層に達する深さを有する空孔を前記活性層の主面方向に周期的に配列した２次元フォトニック結晶が形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザにおいて、比較的高い放射品質を提供すると同時に電気特性も向上させる。
【解決手段】半導体レーザ１には、電磁放射を発生させるための活性領域３を含む半導体層列２と、高次のモードを減衰させるための吸収領域４が設けられており、この吸収領域４は半導体層列２内に配置されているかまたは半導体層列２に接している。 （もっと読む）

【課題】光学的にポンピングされるレーザと、レーザを光学的にポンピングする半導体レーザとから成る改善されたレーザ装置を提供すること。この装置は殊に、光学的ポンピングの改善された効率を特徴とし、このレーザ装置の構造サイズは比較的小さく、製造コストは比較的低い。さらに、レーザを光学的にポンピングするための有利な半導体レーザを提供すること。
【解決手段】半導体レーザは、モノリシックに集積された、重なり合って配置された複数の活性領域を含んでおり、少なくとも２つまたは２つより多い活性領域は異なる波長のポンピングビームを放出するレーザ装置、および半導体レーザは、モノリシックに集積された、重なり合って配置された複数の活性領域を有しており、少なくとも２つまたは２つより多い活性領域は異なる波長のポンピングビームを放出する、レーザを光学的にポンピングするための半導体レーザ。 （もっと読む）

【課題】プロセスを複雑化させることなく、キンクレベルの低下を抑制でき、従来よりも水平放射角度を広くできる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】第１導電型半導体基板１と、第１導電型半導体基板上に設けられた第１導電型クラッド層２と、第１導電型クラッド層上に設けられた活性層３と、活性層上に設けられた第２導電型クラッド層４と、第２導電型クラッド層上に設けられたリッジ１０と、リッジの両側にリッジの段差を埋めるように設けられた第１導電型電流ブロック層１２とを有する構成とし、第１導電型電流ブロック層を、活性層よりも屈折率が低くバンドギャップが大きく、厚さが０．１１μｍ〜０．３０μｍの範囲内とする。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ装置を、これにより形成されるレーザビームの波長に関して柔軟に製造できるように構成することである。
【解決手段】光学的にポンピングされる少なくとも１つの面発光型垂直発光体（１）と、モノリシックに集積された少なくとも１つのポンピングビーム源（２）とを有する半導体レーザ装置であって、
前記垂直発光体（１）は、少なくとも１つのビーム形成垂直発光ゾーン（５）を備え、
前記ポンピングビーム源（２）は、ポンピングビームを主ビーム方向で放射するように構成されており、
該主ビーム方向は、前記垂直発光体（１）の垂直ビームの主ビーム方向に対して横に延在する形式の半導体レーザ装置において、
前記少なくとも１つの垂直発光体（１）は、有機材料を含む少なくとも１つの層を有する、ことを特徴とする半導体レーザ装置。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザより発生する熱を効率よく放熱し、かつ、半導体レーザ素子をヒートシンクに融着する際に発生する内部ストレスを低減する半導体レーザを提供する。
【解決手段】第１伝導型半導体基板１上に、少なくとも第１伝導型クラッド層２と、活性層３と、第２伝導型クラッド層４と電極層７を有する半導体レーザ素子において、電極層７上に形成したＡｕメッキ層８と、前記Ａｕメッキ層８上に形成した半田と合金化しない非合金化電極層９と、合金化電極層１０を有する。この半導体レーザ素子を、合金半田を用いて合金化電極層１０の上面をヒートシンクに融着した場合、非合金化電極層９は溶融せず、合金化電極層１０のみが合金半田と溶融して合金化し接合されるため、Ａｕメッキ層８が合金半田と溶融することがなく、合金半田の組成ずれ、及びＡｕメッキ層８の溶融による層厚の薄膜化を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】基板および半導体多層構造が含まれるフリップチップ半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体多層構造には、表面および表面の反対の位置に裏面がある。半導体多層構造は表面によって基板に接続される。なおその上に、裏面には、複数の凸面があり、より詳細には、複数の凸面は、周期構造で配置されている。 （もっと読む）

【課題】熱干渉の増加を伴うことなく、複数の面発光レーザ素子を高密度に配置することができる面発光レーザアレイを提供する。
【解決手段】各ＶＣＳＥＬは、ＶＣＳＥＬ以外の領域（外部領域）と、部分的に積層方向（Ｘ軸方向）に直交する方向にエピ部を介して繋がっており、従来の周囲を完全に溝で取り囲まれたメサ状のＶＣＳＥＬアレイに比較して、積層方向に直交する方向への放熱が大きくなり、各ＶＣＳＥＬの温度上昇を低減することができる。また、１つのＶＣＳＥＬが複数の溝１０６で囲まれているので、１つの溝で囲まれている場合に比べて、エピ部を介して外部領域と繋がっている割合を高めることができる。しかも、隣接するＶＣＳＥＬとは１つの溝で分離されているので、高密度に配置することができるとともに、隣接するＶＣＳＥＬへの熱干渉はメサ状のアレイと同様に低く抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】縦モードがマルチモード発振特性であり且つ温度特性及び信頼性に優れた集積型半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】赤外レーザ部１００と赤色レーザ部１３０とが同一のｎ型ＧａＡｓ基板１０１上に搭載されたモノリシック２波長レーザ装置において、１×１０¹⁷ｃｍ^-3＜赤外レーザ部１００のｐ型（ＡｌＧａ）ＩｎＰ第１クラッド層１０５の不純物濃度＜赤色レーザ部１３０のｐ型（ＡｌＧａ）ＩｎＰ第１クラッド層１３５の不純物濃度＜７×１０¹⁷ｃｍ^-3の関係を満たしている。 （もっと読む）