【課題】効率の良いレーザ動作を実現することが可能な半導体光素子を提供する。
【解決手段】半導体光素子１は、活性層４０と第１反射層３０とを含む半導体積層３と、半導体積層３の活性層４０側の主面３ａから離間して配置された第２反射層６０と、を備える。活性層４０は、キャリヤ励起層４１及びキャリヤ励起層４１に挟まれた井戸層５０を有する。キャリヤ励起層４１はIV−VI族化合物半導体及びII−VI族化合物半導体を含んだ複数の半導体層からなると共に、キャリヤ励起層のバンドギャップは井戸層５０に近づくに従って減少する。井戸層５０は、IV−VI族化合物半導体及びII−VI族化合物半導体を含んだ短周期超格子構造を有する第１の層及びIV−VI族化合物半導体を含む第２の層を備える。 （もっと読む）

【課題】室温で共振器ポラリトン状態を動作させることを可能にする、コア・シェル型量子ドットの配列構造を提供する。
【解決手段】半導体から成るコア１と、このコア１の周囲に接して形成されたシェル２とによる、コア・シェル型量子ドット１１を用いて、複数個のコア・シェル型量子ドット１１が、双極子相互作用が働く範囲内の間隔で配列された、コア・シェル型量子ドットの配列構造２０を構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザダイオードを光源とし、広範囲に可視光を照射することを可能にする発光装置を提供する
【解決手段】レーザ光を出射する半導体レーザダイオードと、半導体レーザダイオードと離間して設けられ、レーザ光を吸収し可視光を発する発光体とを備え、発光体が、レーザ光を発光体の中心部に入射するための光路を有することを特徴とする発光装置。この光路が導光体で形成されることが望ましい。また、発光体の中心部に光拡散材を有することが望ましい。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザダイオードを光源とし、輝度分布の均一性の高い可視光を効率よく得られる発光装置を提供する。
【解決手段】レーザ光を出射する半導体レーザダイオードと、上面、下面、対向する２つの側面および対向する２つの端面を備え、レーザ光が第１の端面から入射され、下面に凹凸を有し、レーザ光を下面で反射し上面方向に出射する導光体と、導光体の上面側に設けられ、導光体から出射されるレーザ光を吸収し可視光を発する発光体と、導光体の下面および２つの側面に接する導光体よりも低屈折率の物質を有することを特徴とする発光装置。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザダイオードを光源とし、線形状の可視光を効率よく得られる発光装置を提供する。
【解決手段】レーザ光を出射する半導体レーザダイオードと、レーザ光の中心軸に沿って配置され、互いに対向する第１および第２の側面部と、第１および第２の側面部間に、レーザ光の入射面を有し、入射面が中心軸に傾斜して設けられ、レーザ光を吸収し入射面側に可視光を発する蛍光層と、蛍光層の入射面側に設けられ、長手方向と短手方向を有し、中心軸の方向に沿って長手方向が配置されている、可視光を取り出すスリット部と、半導体レーザダイオードのスリット部側に、中心軸と交差しないよう設けられ、レーザ光の一部を蛍光層に向けて反射する反射体と、を有することを特徴とする発光装置。 （もっと読む）

【課題】フォトニック結晶発光素子の耐熱性を向上させ、かつ効率を高める。
【解決手段】フォトニック結晶発光素子１０００は、３次元フォトニック結晶１００を用いている。該フォトニック結晶は、共振器１１０を形成する第１の欠陥、該共振器で発生した光を外部へ取り出す導波路１２０を形成する第２の欠陥および該共振器で発生した熱を外部へ放出する放熱部１３０を形成する第３の欠陥を有する。フォトニック結晶は、共振器の内部に配置された活性部１８０、Ｐ型半導体からなるＰクラッド１５０およびN型半導体からなるNクラッド１６０により構成されている。第３の欠陥の少なくとも一部は半導体で構成されている。共振器と放熱部の光の結合効率が共振器と導波路の光の結合効率よりも低く、かつ活性部から放熱部に伝導して放出される熱が活性部から導波路に伝導して放出される熱よりも多い。 （もっと読む）

光電子素子は、第１の電極と、第１の電極上に配置される量子ドット層であって、複数の量子ドットを含む量子ドット層と、量子ドット層上に直接配置されるフラーレン層であって、量子ドット層とフラーレン層とが電子的ヘテロ接合を形成する、フラーレン層と、フラーレン層上に配置される第２の電極とを含む。素子は、電子ブロッキング層を含んでもよい。量子ドット層は、向上した電荷キャリア移動度を呈するように、化学処置によって修飾されてもよい。
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【課題】複数のレーザ構造部から射出される光の偏光方向を揃えたり、単一のレーザ構造部から射出される光の偏光方向を所望の方向に向けたりすることの可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】互いに並列配置された複数のリッジ部３０の上面には上部電極３３、配線層３５および絶縁層３６が設けられている。上部電極３３は、リッジ部３０の延在方向に延在する帯状の形状となっており、中心軸ＡＸ上に配置されている。配線層３５は、一の上部電極３５と、一のパッド電極３４とを互いに接続しており、全てのリッジ部３０を跨いで形成されている。上部電極３３および配線層３５のうちリッジ部３０の上面と対向する部分は、リッジ部３０の中心軸を中心として左右対称の形状となっている。 （もっと読む）

本発明は、横結合を有するＤＦＢレーザダイオードに関するもので、該ＤＦＢレーザダイオードは、少なくとも１つの半導体基板１０と、該半導体基板上に配設された少なくとも１つの活性層４０と、該活性層４０より上に配設された少なくとも１つのリッジ７０と、該リッジ７０に隣接して上記活性層４０より上に配設された少なくとも１つの周期表面構造１１０と、上記活性層の下及び／又は上に配設された１μｍ以上の厚さを有する少なくとも１つの導波層３０，５０とを有する。 （もっと読む）

【課題】レーザダイオードを光源とする発光装置において、発光面積が細く、高輝度の線状の白色光を得ることを可能とする半導体発光装置、及び放熱と光取り出しを両立させた半導体発光装置を提供すること。
【解決手段】光取り出し口を有するパッケージと、このパッケージ内に配置され、紫外光から可視光までの範囲内のいずれかの波長の光を発する半導体レーザダイオードと、前記半導体レーザダイオードが発する光を吸収して波長の異なる可視光を出力する蛍光体を含み、周囲が前記パッケージに密着し、かつ前記レーザダイオードの光路上に配置された可視発光体とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子において、発光効率の低下を抑えつつ発光波長の長波長化を図る。
【解決手段】半導体発光素子１０は、二つの量子井戸８、９を備える。第１の量子井戸８は、第１の障壁層（CdTe層１、５）と、第１の障壁層に挟まれた第１の井戸層（PbTe層２、４）とから構成され、第２の量子井戸９は、第１の井戸層と第１の井戸層に挟まれた第２の井戸層（SnTe層３）とから構成される。この構造にしたことより、第２の量子井戸の正孔サブバンドの基底準位７が、第１の井戸層のバンドギャップBG内に形成され得るので、第１の量子井戸８の電子サブバンドの基底準位６における電子と、第２の量子井戸９の正孔サブバンドの基底準位７における正孔との再結合による発光を利用して、第１の井戸層のバンドギャップエネルギーよりも小さいエネルギーで発光することが可能になる。従って、発光波長の長波長化を図ることが可能になる。 （もっと読む）

光源が開示される。開示される光源は、窒素を含み、かつ第１波長の光を放射するＩＩＩ−Ｖ系ポンプ光源（１７０）を含む。光源は、ポンプ光源（１７０）によって放射された第１波長の光（１７４）の少なくとも一部分を、第２波長（１７６）の少なくとも部分コヒーレント光に変換する、垂直共振器面発光レーザー（ＶＣＳＥＬ）更に含む。ＶＣＳＥＬは、第２波長の光のための光学キャビティを形成する第１ミラー（１２０）及び第２ミラー（１６０）を含む。第１ミラー（１２０）は第２波長において実質的に反射性であり、第１多層スタックを含む。第２ミラー（１６０）は、第１波長において実質的に透過性であり、第２波長において部分的に反射性かつ部分的に透過性である。第２ミラーは、第２多層スタックを含む。ＶＣＳＥＬは、第１ミラーと第２ミラーとの間に配置され、かつ第１波長の少なくとも一部分を第２波長の光に変換する半導体多層スタック（１３０）を更に含む。半導体多層スタック（１３０）は、Ｃｄ（Ｍｇ）ＺｎＳｅ合金を含む量子井戸を含む。
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【課題】ｎ型クラッド層に要求される特性を有するｎ型クラッド層またはｐ型クラッド層に要求される特性を有するｐ型クラッド層を備えた半導体素子を提供する。
【解決手段】ｎ型第１クラッド層１２Ａにおいて、ｎ型キャリア密度をｎ型第２クラッド層１２Ｂよりも高くし、かつ層厚をｎ型第２クラッド層１２Ｂよりも厚くすることにより、ｎ型クラッド層１２全体のキャリア伝導性を確保する。ｎ型第２クラッド層１２Ｂにおいて、伝導帯サブレベル下端を活性層１４よりも高くすることにより、キャリア閉じ込めに十分な電子障壁を確保し、さらにタイプＩＩ発光を抑制する。 （もっと読む）

【課題】ｎ型クラッド層およびｐ型クラッド層が共に主として同種の混晶からなり、かつ低抵抗化可能であって活性層とタイプＩ接合し得る半導体素子を提供する。
【解決手段】ｎ型クラッド層１２およびｐ型クラッド層１６が共に、主としてＭｇ_ｘ１Ｚｎ_ｘ２Ｃｄ_{１−ｘ１−ｘ２}Ｓｅ混晶層（第１半導体層１２Ａ，１６Ａ）と、主としてＭｇ_ｘ３Ｂｅ_ｘ４Ｚｎ_{１−ｘ３−ｘ４}Ｓｅ_ｘ５Ｔｅ_１−ｘ５混晶層（第２半導体層１２Ｂ，１６Ｂ）を交互に含む超格子構造となっている。ｎ型クラッド層１２は、第１半導体層１２Ａおよび第２半導体層１２Ｂのうち少なくとも第１半導体層１２Ａにｎ型不純物を含んでいる。ｐ型クラッド層１６は、第１半導体層１６Ａおよび第２半導体層１６Ｂのうち少なくとも第２半導体層１６Ｂにｐ型不純物を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】内部量子効率の高い、信頼性に優れた発光素子を提供する。
【解決手段】ＺｎＳｅＴｅまたはＢｅＺｎＳｅＴｅからなる活性層１５と、ＭｇＳｅ／ＢｅＺｎＳｅＴｅ超格子からなる第２ガイド層１７との間に電子障壁層１６を有する。電子障壁層１６はＭｇＢｅＺｎＳｅＴｅ単層、またはＭｇＳｅ／ＢｅＺｎＴｅ超格子からなり、電子障壁層１６の伝導体下端が活性層１５の伝導帯下端よりも高い準位となるような組成比となっている。 （もっと読む）

【課題】リッジ形状のばらつきに起因するＦＦＰや閾値電流のばらつきを低減することの可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｐ型クラッド層１６内に、単層からなる第１ｐ型クラッド層１６Ａと、超格子構造からなる第２ｐ型クラッド層１６Ｂが設けられている。第２ｐ型クラッド層１６Ｂは、第１ｐ型クラッド層１６Ａとの関係でコンタクト層１７側に設けられており、第１ｐ型クラッド層１６Ａに主に含まれる材料と同一の材料によって主に形成されている。 （もっと読む）

【課題】キャリア濃度を高くすることが可能であり、かつ電気抵抗を低くすることの可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ型クラッド層１２は第１半導体層１２Ａと第２半導体層１２Ｂとを交互に積層してなる超格子層となっている。第１半導体層１２Ａは、Ｔｅを含まないＳｅ混晶を主に含んでおり、例えばＢｅ_ｘ１Ｍｇ_ｘ２Ｚｎ_ｘ３Ｓｅ混晶（０≦ｘ１≦１，０≦ｘ２≦１，０≦ｘ３≦１，ｘ１＋ｘ２＋ｘ３＝１）を含んで構成されている。第２半導体層１２Ｂは、Ｔｅ混晶を主に含んでおり、例えばＢｅ_ｘ４Ｍｇ_ｘ５Ｚｎ_ｘ６Ｔｅ混晶（０≦ｘ４≦１，０≦ｘ５≦１，０≦ｘ６≦１，ｘ４＋ｘ５＋ｘ６＝１）を含んで構成されている。 （もっと読む）

【課題】量子井戸構造の質の向上を図ることができるＺｎＯ系半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体装置の製造方法は、（ａ）基板を準備する工程と、（ｂ）基板の上方に、ＺｎＯ系化合物半導体からなる井戸層を成長する工程と、（ｃ）基板の上方に、ＺｎＯ系化合物半導体からなる障壁層を、サーファクタントとしてＳを供給しながら成長する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系半導体からなるアクセプタドープ層を含む積層体を形成する場合に、アクセプタ元素の濃度を低下させずに、アクセプタドープ層又はアクセプタドープ層以降の層の平坦性が悪くなるのを抑制することができるＺｎＯ系半導体素子を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ基板１上にｎ型Ｍｇ_ＺＺｎＯ層２、アンドープＭｇＺｎＯ層３、ＭＱＷ活性層４、アンドープＭｇ_ＸＺｎＯ層５、アクセプタドープＭｇ_ＹＺｎＯ層６が順に積層されている。アクセプタドープＭｇ_ＹＺｎＯ（０≦Ｙ＜１）層６は、アクセプタ元素を少なくとも１種類含んでおり、この層に接してアンドープＭｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ（０＜Ｘ＜１）層５が形成されている。このため、アクセプタドープ層にアクセプタ元素を十分取り込むことができるとともに、アクセプタドープ層の表面平坦性は良くなる。 （もっと読む）

【課題】広い波長域で良好な完全フォトニックバンドギャップを有し、製造が容易な３次元フォトニック結晶を提供する。
【解決手段】 ３次元フォトニック結晶は、第１の媒質により形成された構造体と該第１の媒質よりも屈折率が低い第２の媒質とが３次元方向に周期的に配置されて構成される。構造体が第１の方向に延びる第１及び第３層と、構造体が第２の方向に延びる第２及び第４層とが積層されている。各層の構造体は、積層方向での一端面としての平坦面と、第１の幅及び第１の高さを有する第１の構造部分と、第１の幅及び第１の高さよりも大きい第２の幅及び第２の高さを有する第２の構造部分と、幅及び高さが連続的又は段階的に変化する第３の構造部分とを有する。隣接２層のうち一方の層における第１の構造部分での平坦面が、他方の層における第２の構造部分の上記平坦面とは反対側の面に接している。 （もっと読む）