【課題】一般に市場に出回っている安価なＳＯＩウェハを用いて直接遷移化して発光するゲルマニウム発光素子、あるいはゲルマニウム単結晶に大きな伸長歪みを印加することなく、良好な発光特性を有するゲルマニウム発光素子、あるいはレーザ発振のためのしきい値電流を低減することが出来るゲルマニウム発光素子を提供する。
【解決手段】（１００）面、もしくは（１１０）面、またはそれらと結晶学的に等価な面方位を表面に持つゲルマニウム層が絶縁体上に設けられた薄膜レーザ・ダイオード、あるいは、発光部として基板方向に垂直に形成された薄膜状のゲルマニウム・フィンを備え、該発光部は（１００）面または（１１０）面、もしくはそれと結晶学的に等価な面方位をを表面に持ち、一つまたは複数の発光層を有するゲルマニウム・レーザ・ダイオードであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】キャビティモードを崩すことなくＱスイッチでのレーザ発振が可能となるナノスケールのビーム構造によるキャビティを備えたナノキャビティレーザを提供する。
【解決手段】ナノスケールのビーム構造によるキャビティを備えたナノキャビティレーザであって、
前記キャビティは、所定周期で形成された孔を備えた二つのミラー領域と、該二つのミラー領域で挟まれたキャビティ領域と、を有し、
前記キャビティ領域は、電源からのキャリアが注入される活性層と、発振周波数の光子エネルギーよりも広いバンドギャップをもつワイドギャップ半導体と、を備えると共に、
前記ワイドギャップ半導体に、キャリア分布を発生させるキャリア分布発生手段を備え、
前記キャリア分布発生手段によるキャリア分布の発生により、キャビティモードを崩すことなく、キャビティの損失を制御する。 （もっと読む）

【課題】本願発明は、ディスク状の光共振器を備えた発光素子において、発光のメカニズムを解明することによって、新たな構造を提案してレーザ発振の可能な発光素子を実現することを目的とする。
【解決手段】本願発明は、基板上に積層されたディスク状の光共振器を備える発光素子であって、前記光共振器は光を伝搬させる半導体からなるコアと前記コアに対して積層方向の前記基板側又はその反対側のうち少なくとも前記基板側に積層されたクラッドとを有し、前記コアは少なくともディスク外周側が空間又は前記クラッドよりも屈折率の低い透明体で覆われており、前記クラッドはディスク外周側の一部が空間又は前記クラッドよりも屈折率の低い透明体で覆われていることを特徴とする発光素子である。 （もっと読む）

【課題】薄膜が機械的に損傷することを回避できる、シリコン薄膜に等電子中心を導入するための方法を提供する。
【解決手段】ＳＯＩ基板上のシリコン薄膜に等電子中心を導入する方法であって、室温において、不純物原子イオンを高電圧で加速させシリコン薄膜に照射し、ラピッドサーマルアニール法によって窒素雰囲気中において不純物原子イオンを照射したシリコン薄膜をアニールし、ラピッドサーマルアニール法によって窒素雰囲気中においてシリコン薄膜を急冷することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＰ等の間接型半導体を材料として用いる半導体レーザダイオードにおいて発光効率を向上させる。
【解決手段】順方向バイアス電圧を印加することにより活性層１２に拡散電流を発生させ、発生された拡散電流により生じるジュール熱に基づいて何れか１以上の層１１、１２、１３の表面形状及び／又はドーパント分布を変化させることを繰り返すとともに、順方向バイアス電圧により活性層１２における伝導帯と価電子帯に反転分布を生じさせ、変化後の表面形状及び／又はドーパント分布に基づいて近接場光が発生した箇所では、反転分布を形成している伝導帯中の電子を非断熱過程に基づいて複数段階で誘導放出させることにより、拡散電流を減少させてジュール熱を低下させることにより、表面形状及び／又はドーパント分布を固定させるとともに、誘導放出により生成された光を共振面間で共振させることにより更なる誘導放出を誘発させる。 （もっと読む）

【課題】水平電流注入型のシリコンレーザおよびゲルマニウムレーザにおいて、光出力を向上させることを目的とする。更に、活性層の元素にかかわらず、水平電流注入型レーザの光出力向上を図る。
【解決手段】水平電流注入型半導体レーザにおいて、活性層がシリコン薄膜またはゲルマニウム薄膜であり、コア層近傍に設けられているか、または、少なくとも一部がコア層内にあり、第一の端面の反射率が第二の端面の反射率以上であり、第一の端面でのコア層幅が０次モードのみしか存在し得ない最大コア幅より大きく、第二の端面でのコア層幅が０次モードのみしか存在し得ない最大コア幅以下であり、コア層の少なくとも一部に幅が光の伝搬方向に沿って変化する部位があり、当該コア層幅が変化する部位では０次モードの強度分布を有する光のみが放射することなく伝搬し、高次モードの強度分布を有する光は放射させる。 （もっと読む）

【課題】新規のＩＩ−ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体を提供する。
【解決手段】本願は、Ｚｎ−（ＩＩ）−ＩＩＩ−Ｎにて示される新規の化合物半導体の形態の新たな組成物を提供する。このとき、上記ＩＩＩは、周期表のＩＩＩ族に属する１つ以上の元素であり、上記（ＩＩ）は、任意の元素であって、周期表のＩＩ族に属する１つ以上の元素である。上記化合物半導体の例としては、ＺｎＧａＮ、ＺｎＩｎＮ、ＺｎＩｎＧａＮ、ＺｎＡｌＮ、ＺｎＡｌＧａＮ、ＺｎＡｌＩｎＮ、および、ＺｎＡｌＧａＩｎＮを挙げることができる。このタイプの化合物半導体は、従来、知られていないものである。 （もっと読む）

【課題】２ＤＰＣ光共振器を用いた光源装置に関して、高い光取り出し効率を有するとともに集積化に適し、光出力の偏波方向を所望の方向に制御することが可能な、光源装置を提供すること。
【解決手段】デバイス基板と、該デバイス基板上にウエハ接合用接着材料を介して形成された、コアに発光体が導入された２次元フォトニック結晶光共振器、水素化アモルファスシリコン光導波路及び該水素化アモルファスシリコン光導波路を伝搬する光を反射するための反射ミラーとを含む光源装置であって、該２次元フォトニック結晶光共振器が、少なくとも１つの鏡映面を有し、該水素化アモルファスシリコン光導波路が、２次元フォトニック結晶光共振器近傍において、少なくとも１つの鏡映面を有するとともに、２次元フォトニック結晶光共振器、水素化アモルファスシリコン光導波路が、互いの鏡映面が重なり合うように配置されていることを特徴とする光源装置。 （もっと読む）

【課題】通常のシリコンプロセスで容易に形成可能な方法によって、シリコン基板上にシリコンを基本構成要素とした、高効率なシリコン発光素子およびシリコンレーザー素子を提供する。
【解決手段】電子を注入するため電極と正孔を注入するための電極、およびそれらに電気的に接続された発光部を有し、その発光部に面方位が（００１）方向のシリコン結晶の薄膜が複数並行に配列した構造を持つ発光素子であって、それぞれの薄膜の間が熱酸化によって生じた酸化膜で満たされており、シリコン薄膜に対して圧力が印加された構造となっていることを特徴とするシリコン発光素子。 （もっと読む）

【課題】ｐｎ接合において整流性を保った状態で発光効率や発光強度を高めることが可能な発光素子を提供すること。
【解決手段】本発明に係る発光素子１０は、ダイヤモンド半導体層からなり、ｐ型のα層２とｎ型のβ層３との間に一つまたは複数のγ層４を配してなる発光素子であって、前記α層と前記β層は各々、電流を注入するための電極（第一電極５、第二電極６）を備えており、前記α層及び前記β層における電流の伝導機構が何れも３００Ｋの温度においてホッピング伝導であるとともに、前記α層と前記β層とを貫通する順方向に電流を流した際に、紫外線を放出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】不純物ドーピングによる結合伸長効果に立脚した、直接遷移型半導体と同等レベルの強発光や強吸収を有する半導体材料を提供する。
【解決手段】四面体結合構造をなして結合した構成原子を含む母体半導体と、母体半導体に添加された異種原子Ｚとを有し、前記異種原子Ｚは結合間に導入されて結合長を伸長させたbond-center構造を形成し、前記異種原子Ｚに対して前記bond-center構造が１％以上含まれることを特徴とする半導体材料。 （もっと読む）

【課題】シリコンフォトニクスの光源に適用可能なシリコン発光素子を提供する。
【解決手段】第１の面と該第１の面の反対側にある第２の面とを有する第１導電型のシリコン基板と、シリコン基板の第１の面上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜上に設けられ第１導電型と異なる第２導電型のシリコン層と、シリコン層上に設けられた第１の電極と、シリコン基板の第２の面上に設けられた第２の電極と、を備え、シリコン基板のキャリア濃度は、５×１０^１５ｃｍ^−３〜５×１０^１８ｃｍ^−３であり、シリコン層のキャリア濃度は、１×１０^１７ｃｍ^−３〜５×１０^１９ｃｍ^−３であり、且つ、シリコン基板のキャリア濃度より一桁以上大きく、絶縁膜の膜厚は、０．３ｎｍ〜５ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】通常のシリコンプロセスを用いて容易に形成可能な方法によって、シリコンなどの基板上に、シリコンやそれに順ずるゲルマニウムなどのＩＶ族半導体を基本構成要素としたシリコンレーザー素子及びその製造方法の提供。
【解決手段】電子を注入するための第１の電極と、正孔を注入するための第２の電極と、前記第１及び第２の電極に電気的に接続された光を放出する発光部と、発光部からの光を伝送するための導波路を備え、前記１の電極、前記２の電極、及び発光部を単結晶シリコンとし、発光部は二酸化シリコン層で表面を覆われたシリコン極微細線であって、発光部は、二酸化シリコンよりも屈折率の高い導波路により覆われ、発光素子の上下に位置する絶縁膜の発光波長λにおける実効的な屈折率がｎのときに、λ/２ｎの周期で光進行方向に沿って並設させる。 （もっと読む）

【課題】ダブルへテロ構造とは異なる、光閉じ込め係数Γの大きい、新規な素子構造を有する半導体発光素子を提供することを提供すること。
【解決手段】絶縁膜上に光共振器、該光共振器の両側にそれぞれ配置されたｐ電極及びｎ電極を具備する半導体発光素子であって、前記光共振器は、発光波長よりも狭い間隔を隔てて並置された第１及び第２の半導体細線、これら半導体細線の両端部にそれぞれ設けられた光共振器ミラー、及び前記第１及び第２の半導体細線間に配置され、それぞれた前記第１及び第２の半導体細線に電気的に接続された複数の半導体超薄膜を備え、前記第１の細線は前記ｐ電極に、前記第２の細線は前記ｎ電極にそれぞれ電気的に接続され、電流注入により前記半導体超薄膜からレーザ発振を生ずることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発光効率が向上可能な発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、ｎ型シリコン酸化膜２と、ｐ型シリコン窒化膜３とを備える。ｐ型シリコン窒化膜３は、ｎ型シリコン酸化膜２に接して形成され、ｎ型シリコン酸化膜２およびｐ型シリコン窒化膜３は、ｐ−ｎ接合を形成する。ｎ型シリコン酸化膜２は、ｎ型Ｓｉからなる複数の量子ドット２１を含む。ｐ型シリコン窒化膜３は、ｐ型Ｓｉからなる複数の量子ドット３１を含む。ｎ型シリコン酸化膜２側から電子を注入し、ｐ型シリコン窒化膜３側から正孔を注入することによって、ｎ型シリコン酸化膜２とｐ型シリコン窒化膜３との界面で発光する。 （もっと読む）

【課題】ＩＶ族元素半導体、III−Ｖ族化合物半導体、ＩＶ族化合物半導体、有機化合物半導体、金属結晶もしくはそれらの誘導体又はガラスから成る基板上に作製された短波長の光を放出又は吸収するよう機能する半導体光デバイスを提供する。
【解決手段】本発明においては、半導体光デバイスが、既存の半導体デバイスに用いられている材料から成る基板上に形成された高純度の酸化モリブデンを含む。これにより、深紫外波長領域から可視波長領域までの光を放射又は吸収できる安価な光デバイスが実現される。 （もっと読む）

【課題】通常のシリコン・プロセスを用いて容易に形成可能な方法によって、シリコンなどの基板上に、シリコンやそれに順ずるゲルマニウムなどのIV族半導体を基本構成要素としたシリコン・レーザー素子及びその製造方法を提供する事にある。
【解決手段】電子を注入する第１の電極部と、正孔を注入する第２の電極部と、第１の電極部及び第２の電極部と電気的に接続された発光部を備え、発光部を単結晶のシリコンとし、発光部が第１の面（上面）と第１の面に対向する第２の面（下面）を有し、第１及び第２の面の面方位を（１００）面とし、第１及び第２の面に直交する方向の発光部の厚さを薄くし、発光部の近傍に配置された、第1の誘電体から構成される導波路と、第１及び第２の誘電体を交互に隣接させる事によって形成したミラーを有する極薄シリコン・レーザーである。 （もっと読む）

【課題】本願発明は、リング状の光共振器を備えた発光素子において、発光のメカニズムを解明することによって、新たな構造を提案してレーザ発振の可能な発光素子を実現することを目的とする。
【解決手段】本願発明は、基板上に積層されたリング状の光共振器を備える発光素子であって、前記光共振器は光を伝搬させる半導体からなるコアと前記コアに対して積層方向の前記基板側又はその反対側のうち少なくとも前記基板側に積層されたクラッドとを有し、前記コアは少なくともリング内周側及びリング外周側が空間又は前記クラッドよりも屈折率の低い透明体で覆われており、前記クラッドはリング内周側及びリング外周側の一部が空間又は前記クラッドよりも屈折率の低い透明体で覆われていることを特徴とする発光素子である。 （もっと読む）

【課題】短波長の光を放射又は吸収するよう機能する半導体デバイスを提供する。
【解決手段】半導体光デバイスの主要部に、高純度の酸化モリブデンが提供される。本発明においては、半導体光デバイスの発光領域又は吸収領域に高純度の酸化モリブデンが用いられる。これにより、深紫外波長領域の光を放射又は吸収できる安価な光デバイスが実現される。 （もっと読む）

【課題】本来は非発光性である間接半導体を用いて実用可能な発光素子を提供すること。
【解決手段】Ｓ、Ｓｅ、Ｃｕ及びＡｇの少なくともいずれかを含み、四面体結合構造を有する母体半導体からなる活性層と、前記活性層に電流を通電するｎ電極とｐ電極とを具備し、前記活性層に接して前記活性層と前記ｎ電極との間に設けられたｎ層と、前記活性層に接して前記活性層と前記ｐ電極との間に設けられたｐ層とを有し、前記ｎ層、前記活性層および前記ｐ層は面内に配置され、前記活性層の厚さが５ｎｍ以下であることを特徴とする発光素子。 （もっと読む）