【課題】 高出力動作時における信頼性を改善した窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】 共振器端面と直接接する層として安定化層を含み、安定化層はＬａ（ランタン）、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｖ（バナジウム）およびＹ（イットリウム）からなる群から選択されたいずれか１種の金属からなる窒化物半導体レーザ素子である。また、共振器端面と直接接する層として安定化層を含み、安定化層はＬａまたはＹのいずれか一方の金属の酸化物からなる窒化物半導体レーザ素子である。 （もっと読む）

【課題】 ウェハプロセス投入前にウェハの活性層のＰＬ（Photoluminescence）波長検査を行い、検査に用いたウェハをウェハプロセスに投入できるようにする。
【解決手段】 ウェハプロセス投入前に、デバイスを形成するウェハのコンタクト層６の一部を除去して開口部１１を形成し、開口部１１から励起レーザ９を入射して活性層３のＰＬ波長検査を行う。そしてＰＬ波長の良否判定を行い、所定の規格を満たすウェハをウェハプロセスに投入し、ウェハプロセス加工を行うようにする。
このように、デバイス形成に用いるウェハの活性層のＰＬ波長検査をウェハプロセス投入前に非破壊検査により行うことにより、検査で用いたウェハをウェハプロセスに投入することができる。 （もっと読む）

【課題】 活性層への不純物の混入を防いで、高出力化させ、動作の信頼性を向上させることができる半導体光素子を得る。
【解決手段】 n型GaAs基板上に、n型GaAsバッファー層、n型AlGaInPクラッド層、不純物を添加していない第１のInGaAsP（As組成ゼロも含む）ガイド層、InGaAsP（In組成ゼロも含む）活性層、不純物を添加していない第２のInGaAsP（As組成ゼロも含む）ガイド層、p型AlGaInPクラッド層、p型不連続緩和層、p型GaAsコンタクト層を順に積層した構造を有する半導体光素子であって、p型GaAsコンタクト層、p型不連続緩和層、及びp型AlGaInPクラッド層のp型不純物としてC又はMgを用いる。 （もっと読む）

【課題】 量子井戸層のインジウム組成比の大きい量子井戸層を成長させる場合に、ＬＥＤやレーザ等の発光効率を高めることのできる、半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 各量子井戸層と各バリア層とを積層してなる多重積層構造を第１のクラッド層（ｎ型ＧａＮ：Ｓｉ）２３と第２のクラッド層（ｐ型ＧａＮ：Ｍｇ）２６との間に挟んで配置する半導体装置の製造方法において、各量子井戸層２、４及び６の成長温度と各バリア層３、５及び７の成長温度とを異ならせて、各量子井戸層２、４及び６のそれぞれの成長後に、温度を上昇させて各バリア層３、５及び７をそれぞれ成長させることを特徴とする、発光素子２８Ａの製造方法。 （もっと読む）

【課題】初期劣化率が低くて長寿命で動作電流の経時変化が極めて少なく、発光むらも極めて少ない、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体発光素子を容易に製造することができる製造方法を提供する。
【解決手段】ＩｎＧａＮからなる活性層７と、アンドープＩｎＧａＮ劣化防止層８と、アンドープＧａＮ光導波層１７と、ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層９と、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子クラッド層１８とを順次積層した構造の半導体発光素子を製造する場合に、活性層７、アンドープＩｎＧａＮ劣化防止層８、アンドープＧａＮ光導波層１７およびｐ型ＡｌＧａＮキャップ層９をｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子クラッド層１８の成長温度よりも低い成長温度で成長させるようにする。 （もっと読む）

【課題】 高発光効率・低閾値電流・低動作電圧特性を有する窒化物半導体レーザ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 第１導電型の窒化物半導体を含む第１クラッド層と、前記第１クラッド層の上に設けられ窒化物半導体を含む活性層と、前記活性層の上に設けられ、第１の端面から第２の端面に至るストライプ状のリッジ導波路と前記リッジ導波路の両側に設けられた脇部とを有する第２導電型の窒化物半導体を含む第２クラッド層と、前記リッジ導波路の上に設けられた上部電極と、前記脇部の上に被着された誘電体膜と、を備え、前記第２クラッド層の前記脇部における前記第２導電型の不純物の活性化率は、前記第２クラッド層の前記リッジ導波路における前記第２導電型の不純物の活性化率よりも低いことを特徴とする窒化物半導体レーザ装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ｐ型クラッド層に高濃度にＭｇをドーピングした上で、そのドーパントの拡散による活性層の劣化を防いた構造のＡｌＧａＩｎＰ系レーザダイオード及び化合物半導体ウェハを得ることを可能にする。
【解決手段】ｐ型クラッド層２０が、活性層１側から、成長時にＭｇが高濃度にドープされたＡｌＧａＩｎＰ層から成る第一部分２と、成長時にＺｎが低濃度にドープされたＡｌＧａＩｎＰ層から成る第二部分３と、成長時にＭｇが高濃度にドープされたＡｌＧａＩｎＰ層から成る第三部分４とを有する構造とする。 （もっと読む）

【課題】 遠視野像が単峰でガウシアン形状である窒化物半導体レーザ素子において、長期信頼性の確保および素子特性歩留まりの改善を得ることである。
【解決手段】 窒化物半導体レーザ素子１００は、ｎ型ＧａＮ基板１０１上に順に、ｎ型ＧａＮコンタクト層１０２、ｎ型Ａｌ_0.1Ｇａ_0.9Ｎクラッド層１０３、ｎ型ＧａＮガイド層１０４、ＧａＩｎＮ多重量子井戸活性層１０５、ｐ型Ａｌ_0.2Ｇａ_0.8Ｎキャリアバリア層１０６、ｐ型ＧａＮガイド層１０７、ｐ型Ａｌ_0.1Ｇａ_0.9Ｎクラッド層１０８、ｐ型ＧａＮコンタクト層１０９、絶縁層１１３、ｐ型電極１１２を積層し、リッジストライプ１１０が形成されて露出した露出面のリッジストライプ１１０以外の少なくとも一部に、不純物を添加したＧａＮ層１１１を形成した構成とする。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型不純物の活性層への拡散を抑制することにより、安定した光出力特性を有し、その結果、高い信頼性を有するIII族窒化物半導体レーザ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 活性層５とｐ型クラッド層１０との間に、少なくとも平衡状態においてｐ型クラッド層１０から活性層５方向に向かう電界を有するｐ型不純物拡散抑制層７を設ける構成とすることにより、この電界が、マイナスイオンになっているｐ型不純物をｐ型クラッド層１０方向へ引き戻すように働き、ｐ型不純物の拡散を抑制することができるため、ｐ型不純物の拡散の制御が可能になり、安定した光出力特性を有し、その結果、高い信頼性を有するIII族窒化物半導体レーザ装置を提供することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】素子の信頼性の向上した面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】下部ＤＢＲミラー層１１および上部ＤＢＲミラー層１５は、それぞれ高屈折率層１１Ａｉ（１５Ａｊ）および低屈折率層１１Ｂｉ（１５Ｂｊ）の組を複数積層した構造を有する。下部ＤＢＲミラー層１１および上部ＤＢＲミラー層１５それぞれにおいて、複数の高屈折率層１１Ａｉ（１５Ａｊ）のうち活性層１３の近傍の層の不純物濃度は、活性層１３の近傍以外の層のそれよりも低濃度（第１の不純物濃度）である。また、複数の低屈折率層１１Ｂｉ（１５Ｂｊ）のうち活性層１３の近傍の層の不純物濃度は、上記高屈折率層１１Ａｉ（１５Ａｊ）における第１の不純物濃度よりも高濃度（第２の不純物濃度）である。 （もっと読む）

【課題】 発光素子の高出力化のため、ｐ型クラッド層からのドーパントの拡散を抑制しつつ、ｐ型キャップ層よりのドーパントの拡散も抑制し、かつ素子抵抗を増大させない層構造の半導体エピタキシャルウェハ及び半導体発光素子を提供することにある。
【解決手段】 ｐ型クラッド層４とｐ型キャップ層１を隔てる目的で、故意にドープしない又はキャリア濃度５．０×１０¹⁸ｃｍ^-3以下のドーピングを行なったＩｎＧａＡｓ層２をｐ型クラッド層４とｐ型キャップ層１間に挿入するか、ｐ型クラッド層４中又はｐ型キャップ層１中に挿入するか、中間層３に隣接して又は中間層３の中に挿入する。 （もっと読む）

【課題】高温動作や高出力動作を可能とする半導体レーザを提供する。
【解決手段】基板１０と、基板１０上に少なくともｎ型クラッド層１１、活性層１３およびｐ型クラッド層１５をこの順に含んで設けられた半導体層とを備えた半導体レーザ１であって、ｐ型クラッド層１５は、その内部にｐ型クラッド層１５と異なる組成からなる不純物拡散防止層を少なくとも２層（第１不純物拡散防止層１６Ａおよび第２不純物拡散防止層１６Ｂ）含むものである。不純物拡散防止層１６Ａ，１６Ｂは、活性層１３の上にｐ型クラッド層１５をエピタキシャル成長させる際にドープされるｐ型不純物が活性層１３にまで拡散するのを防止するためのものである。 （もっと読む）

【課題】 導電型がＰ型の半導体層のキャリアの電気的活性化率を高くできる半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】 この半導体層の製造方法では、ＭＢＥ法によるＰ型ＧａＡｓキャップ層９の成長は、Ｇａセルと、Ａｓセル、およびドーパントである例えばＢｅセルのシャッターを開け、それぞれの分子線を基板上に照射し、例えば、５００℃でＰ型ＧａＡｓキャップ層９をエピタキシャル成長する。この後、Ｇａセルと、Ｂｅセルのシャッターを閉じて、Ａｓの分子線のみを照射しながら、図１に示すように積層した半導体層を降温し、水素パッシベーションの影響がない温度範囲(一例として、４５０℃を超える温度)で、Ａｓのシャッターも閉じて、Ａｓの分子線を停止した。 （もっと読む）

【課題】光学モードを閉じ込める方法、又は材料を改善したレーザダイオードを提供する。
【解決手段】新規な窒化インジウムガリウムレーザダイオードを記載する。レーザは、導波路層（１３２、１４０）、及び／又はクラッド層（１２８、１３６）において、インジウムを用いる。ＩｎＧａＮ導波路層、又はクラッド層は、非常に小さい損失で光閉じ込めを促進することがわかった。さらに、ＩｎＧａＮ導波路層、又はクラッド層の利用は、導波路層と活性領域１１６との間の格子不整合を減少させるため、活性領域のエピ層の構造整合性を高めることもできる。 （もっと読む）

【課題】
低出力動作時の素子特性を損なわずに、高出力動作時の端面劣化を防止し、信頼性を向上させた青色半導体レーザとその製造方法を提供する。
【解決手段】
活性層と、共振器と、異なる２種類以上の化合物半導体層を組み合わせて構成したｐ型超格子クラッド層と、を有する窒化物半導体レーザであって、ｐ型超格子クラッド層の少なくとも一部は超格子構造が無秩序化された領域を有し、無秩序化された領域は、共振器の少なくとも一方の端面とｐ型超格子クラッド層の前記活性層側に形成された層とに接する窒化物半導体レ−ザ。 （もっと読む）

【課題】 ＧａＩｎＮ混晶層などのインジウム含有層に含まれるインジウム組成比を大きくすると共に結晶品質を高めることができ、特性を向上させることができる半導体素子を提供する。
【解決手段】 基板１０の一面側に、低温バッファ層１１，第１中間層２１，極性反転層２０，第２中間層２２，ｎ側コンタクト層３１，ｎ型クラッド層３２，第１ガイド層３３，活性層３４，第２ガイド層３５，ｐ型クラッド層３６およびｐ側コンタクト層３７が順に積層されている。極性反転層２０は、例えばＧａＮにより構成され、不純物としてマグネシウム（Ｍｇ）を含み極性がＧａ極性からＮ極性に反転されている。第２中間層２２より上部（ｐ側コンタクト層３７まで）がＮ極性となり、活性層３４は、Ｇａ極性の層上に形成された場合に比べて、インジウム組成比が高く結晶品質の高いものとなる。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型クラッド層と活性領域層との界面で高い不純物濃度を有する半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】 第１ｐ型クラッド層２０の低不純物濃度層２０ａと第１ｐ型クラッド層の高不純物濃度層２０ｂと低不純物濃度層２０ａに接する活性領域層１８とにおけるｐ型不純物の濃度分布が、第１ｐ型クラッド層の高不純物濃度層２０ｂにおいてはｐ型不純物の濃度が７×１０^１７ｃｍ^−３と１．１×１０^１８ｃｍ^−３の間の値にて平均的に平坦で、第１ｐ型クラッド層２０と活性領域層１８との界面においてはｐ型不純物の濃度が８×１０^１７ｃｍ^−３と１．１×１０^１８ｃｍ^−３の間の値を有し、第１ｐ型クラッド層２０に接する活性領域層１８においては第１ｐ型クラッド層２０と活性領域層１８との界面から５０ｎｍ以内でｐ型不純物の濃度が５×１０^１７ｃｍ^−３に低下する半導体レーザ装置。 （もっと読む）

本発明は、窒化ガリウム単結晶または窒化ガリウムアルミニウム単結晶の製造法および製造装置に関する。本発明による方法処理において本質的なことは、ガリウムのまたはガリウムおよびアルミニウムの蒸発を成長する結晶の温度を上回る温度で、しかし少なくとも１０００℃で実施し、かつ金属融液表面上で窒素前駆体と金属融液との接触を防止するように、窒素ガス、水素ガス、不活性ガスまたはこれらのガスの組み合わせからなるガスフローを金属融液表面に導通することである。
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【課題】
広範囲の波長帯において寿命特性等に優れた半導体レーザ装置を提供することである。
【解決手段】
第１の半導体レーザ素子と該第１の半導体レーザ素子上にある第２の半導体レーザ素子とのリッジストライプ部の上面同士が互いに向かい合ってなる半導体レーザ装置であって、前記第１の半導体レーザ素子は、リッジストライプ部の両側に電流狭窄層を有しており、該電流狭窄層にはリッジストライプ部から離れるに従って順に高さが異なる第１の領域と、第２の領域とを備えており、該第２の領域は前記リッジストライプ部の上面よりも高い半導体レーザ装置。前記第１の半導体レーザ素子における電流狭窄層の第１の領域は、前記リッジストライプ部の上面と略同じ高さである。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】 図１に示すように、内部領域１１２は、ｎ型ＧａＡｓからなる基板１００上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型クラッド層１０１、ＡｌＧａＩｎＰからなるガイド層１０２ａ（厚さ３０ｎｍ）、複数のＧａＩｎＰ層と複数のＡｌＧａＩｎＰ層とで構成される量子井戸からなる活性層１０２、ＡｌＧａＩｎＰからなるガイド層１０２ｂ（厚さ３０ｎｍ）、ドーパントとしてＭｇを含むｐ型ＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型第１クラッド層１０３、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰからなる電流ブロック層１０４、ドーパントとしてＭｇを含むｐ型ＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型第２クラッド層１０５、およびドーパントとしてＭｇを含むｐ型ＧａＡｓからなるコンタクト層１０６が順に積層された構造を有している。 （もっと読む）