【課題】窒化物半導体のクラックの発生を抑制し、かつ端面において保護膜の剥がれが生じず、良好な特性及び高寿命を実現する窒化物半導体レーザ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】第１主面と該第１主面に対向する第２主面とを有する導電性基板と、該導電性基板の第１主面上に、第１窒化物半導体層、活性層及び第２窒化物半導体層が順に積層された窒化物半導体層と、前記導電性基板の第２主面上に形成された電極と、前記窒化物半導体層の共振器面に接触する保護膜と、を有する窒化物半導体レーザ素子であって、前記電極の共振器面側の縁部が、前記共振器面よりレーザ素子の内側に位置しており、前記保護膜が、前記共振器面から前記導電性基板の第２主面に接触するように形成されており、かつ、前記共振器面に接触する保護膜と前記導電性基板の第２主面に接触する保護膜との結晶構造が異なる窒化物半導体レーザ素子。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧異常に伴う窒化物半導体装置の歩留まりの低下を抑制することができる窒化物半導体ｐ側電流狭窄構造を簡便に作製することが可能な窒化物半導体ｐ側電流狭窄構造の製造方法およびその方法を用いた窒化物半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にマグネシウムとアルミニウムとを含む窒化物半導体からなる第１の層を形成する第１工程と、第１の層上にマグネシウムを含む窒化ガリウムからなる第２の層を形成する第２工程と、第２の層の一部を除去して第１の層の一部を露出させることによってストライプ状の凸部を形成する第３工程と、凸部の表面の一部および露出した第１の層の少なくとも一部を水蒸気を含む雰囲気で酸化する第４工程と、凸部上にマグネシウムを含む窒化物半導体からなる第３の層を形成する第５工程と、を含む、窒化物半導体ｐ側電流狭窄構造の製造方法とその方法を用いた窒化物半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングによって形成されたメサ構造を有する窒化物半導体素子において、ドライエッチングにより生じたダメージ層を除去することにより、電気特性、光学特性が改善された窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ドライエッチングによって形成されたメサ構造を有する窒化物半導体素子の製造方法であって、窒素プラズマを含む雰囲気中で、前記ドライエッチングにより露出した面を、プラズマ処理する工程（Ａ）を含むことを特徴とする。工程（Ａ）の前にドライエッチングにより露出した面の清浄化を行なうアッシング工程（Ｂ）を設けてもよい。 （もっと読む）

【課題】窒化物系半導体基板などの窒素面と電極とのコンタクト抵抗を低減することが可能な窒化物系半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、ウルツ鉱構造を有するｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）をＲＩＥ法によりエッチングする工程と、その後、エッチングされたｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）上に、ｎ側電極８を形成する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】導波路リッジの上表面で半導体層と電極層との接触面積の減少を防ぎ半導体層のエッチング損傷を防止する。
【解決手段】半導体積層構造の表面に、導波路リッジ４０に対応したストライプ状レジスト膜部分を備えたレジストパターン７６を形成し、これをマスクとしてドライエッチングによりチャネル３８を形成して導波路リッジ４０を形成し、レジストパターン７６を残した導波路リッジとチャネルとを含む半導体積層構造の表面にＳｉＯ_２膜７８を形成し、エッチングによりチャネル底面のＳｉＯ_２膜７８と導波路リッジ４０頂部のＳｉＯ_２膜７８とを残しつつ導波路リッジ側面のＳｉＯ_２膜７８を除去し、導波路リッジ側壁を露呈させ、リフトオフ法によりレジストパターン７６とこの上に残っているＳｉＯ_２膜７８を除去し、露呈した導波路リッジ頂部および側壁の表面上に電極層４６を形成する。 （もっと読む）

【課題】紫外領域の発光効率に優れた窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｍ面を主面としたＡｌＮ基板１上に、III族窒化物半導体層２が形成されている。III族窒化物半導体層２は、ＡｌＮ基板１側から順に、ｎ型コンタクト層２１、発光層（活性層）としての多重量子井戸（ＭＱＷ：Multiple Quantum Well）層２２、ＡｌＧａＮファイナルバリア層２５、ｐ型電子阻止層２３、およびｐ型コンタクト層２４を積層した積層構造を有している。多重量子井戸層２２は、量子井戸層とバリア層とを交互に複数回繰り返し積層した構造を有している。量子井戸層は、ＡｌＩｎＮからなる。 （もっと読む）

【課題】レーザ出射端面の劣化に対する耐久性を向上した半導体レーザを提供する。
【解決手段】ファブリペロー型の半導体レーザダイオード７０は、基板１と、この基板１上に形成されたIII族窒化物半導体積層構造２とを含む。基板１は、ｍ面を主面としたＧａＮ単結晶基板である。III族窒化物半導体積層構造２が結晶成長させられている。III族窒化物半導体積層構造２は、ｍ軸を結晶成長の主面としており、ｍ軸方向に、ｎ型半導体層１１、発光層１０、およびｐ型半導体層１２を積層して構成されている。ｎ型半導体層１１はｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１４を含み、ｐ型半導体層１２はｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１８を含む。リッジストライプ２０は、ｃ軸に平行であり、一対の共振器端面２１，２２は、＋ｃ面と−ｃ面である。＋ｃ面である端面２１が、レーザ出力を取り出すためのレーザ出射端面である。 （もっと読む）

【課題】生産性を低下させることなく、正確に制御された電流狭窄層を備えた面発光レーザ装置を実現できるようにする。
【解決手段】面発光半導体レーザ装置は、基板１１の上に下側から順次形成された第１反射鏡１２と、活性層１３と、アルミニウムを含む材料からなる電流狭窄層１６と、第２反射鏡１７とを備えている。電流狭窄層１６は、導電性部１６Ａと、導電性部１６Ａの周囲に形成された酸化層である高抵抗部１６Ｂと、導電性部１６Ａと高抵抗部１６Ｂとの界面領域に形成され、他の領域と比べて不純物が高濃度に導入された高濃度不純物領域１９とを有している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、消費電力を減少させ信頼性を向上させることができる半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】結晶基板と、結晶基板上に形成された第一導電型の第一クラッド層と、第一クラッド層上に形成された第一導電型の第一光ガイド層と、第一光ガイド層上に形成された、単一または多重量子井戸構造の活性層と、活性層上に形成された第二導電型のオーバーフロー防止層と、オーバーフロー防止層上に形成された第二導電型の第二光ガイド層と、第二光ガイド層上に形成された第二導電型の第二クラッド層とを備え、第二光ガイド層のキャリア濃度は、第二クラッド層のキャリア濃度以上である。 （もっと読む）

【課題】電流狭窄部に歪などをもたらすことなく、十分な電流狭窄を行なうことができ、簡便に作製することが可能な半導体素子、特には半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体からなるｐ型半導体部を有する半導体素子であって、該ｐ型半導体部は、隣接して積層される第１の層および第２の層の少なくとも２層を有し、第１の層と第２の層との境界面は、平坦な領域と、１または複数の凹凸を伴う領域とから構成されることを特徴とする半導体素子、特には半導体レーザ素子、ならびにこれを用いた照明装置および画像受像機。 （もっと読む）

【課題】活性領域から放出された光子がワイヤボンディングパッドで吸収される可能性を低減すること。
【解決手段】図３において、第１のコンタクト金属層１８は、ｐ型半導体材料層１６に対してオーミックコンタクトを実現するｐ型半導体材料層１６と接触した第１の部分５５、およびｐ型半導体材料層１６に対してオーミックコンタクトを形成しないｐ型半導体材料層１６と接触した第２の部分５７を備える。第２の部分５７は、ワイヤボンディングパッド２２の位置に対応している。オーミックコンタクトを形成しないことによって、部分５７のｐ型半導体材料層１６への電流注入を、減少し、かつ／または防げることができる。ワイヤボンディングパッド２２の下の領域５０のｐ型半導体層１６および／または第１のコンタクト金属層１８を損傷することによって、オーミックコンタクトを形成しない部分５７を実現することができる。 （もっと読む）

半導体デバイスは、活性層（３５０）およびクラッド層（３７０）を備える。電子ブロッキング層（３８０）が、活性層とクラッド層との間の領域内に少なくとも部分的に配設され、活性層からクラッド層に向かう電子の流れに対する電位障壁を形成するように構成される。電子ブロッキング層は、周期表のＩＩＩ族の２つの元素、および周期表のＶ族の１つの元素を含む。周期表のＩＩＩ族の２つの元素の一方が、活性層から離れてクラッド層に向かう方向に濃度が次第に増加する第１の部分、および第１の部分とクラッド層との間で濃度が次第に減少する第２の部分を有する濃度プロファイルを有する。
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【課題】動作電力を増加させることなく、楕円率を改善した窒化物半導体レーザ素子を提供し、より小型化・低消費電力化された光学式情報再生装置を提供する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体レーザ素子は、活性層１７をｎ型とｐ型の窒化物半導体からなるｎ型クラッド層１５とｐ型クラッド層２６で挟んだ構造を有している。さらに、ｐ型クラッド層２６は層厚方向に互いに組成が異なる２層以上から構成され、活性層１７に近い第１のｐ型クラッド層２０が、より遠い第２のｐ型クラッド層２１に比べて低い屈折率を有する。また、本発明の光学式情報再生装置は、本発明の半導体レーザ素子を搭載している。 （もっと読む）

【課題】初期劣化率が小さくて長寿命の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１０１は、ｎ型クラッド層１０４とｐ型クラッド層１０９の間に挟まれた活性層１０６を有する。ｐ型クラッド層１０９は、不純物としてマグネシウムを含み、活性層１０６とｐ型クラッド層１０９との間には、Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（ｘ≧０、ｙ≧０、ｘ＋ｙ＜１）で表されるｎ型拡散防止層１０７が設けられている。ｎ型拡散防止層１０７におけるｎ型不純物のドーピング濃度は、５×１０^１７ｃｍ^−３以上で５×１０^１９ｃｍ^−３以下とすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】用途に適合した十分な光出力と寿命を確保でき、また、動作電圧の上昇を防止できる半導体レーザ、およびこのような半導体レーザを適用した電子機器を提供する。
【解決手段】半導体基板１００の上にバッファ層１０１、バッファ層１０２、第１下側クラッド層１０３、第２下側クラッド層１０４、活性層１０５、第１上側クラッド層１０６、エッチングストップ層１０７、第２上側クラッド層１０８、中間バンドギャップ層１０９、キャップ層１１０がこの順で積層してある。共振器長Ｌ＝１５００μｍとし、第１下側クラッド層１０３のドーパント濃度（ｎ型不純物としてのＳｉの濃度）Ｎｃ＝４．０×１０¹⁷／ｃｍ³、第２下側クラッド層１０４のドーパント濃度Ｎｃ＝４．０×１０¹⁷／ｃｍ³、つまり、下側クラッド層のドーパント濃度Ｎｃ＝４．０×１０¹⁷／ｃｍ³とした。 （もっと読む）

【課題】広範囲の波長帯において、窒化物半導体層の組成分布、例えば、活性層の結晶性
やＩｎ含有量を均一にして、寿命特性及び素子特性が一層優れた素子を提供することを目
的とする。
【解決手段】 窒化物半導体基板の主面上に第１導電型の窒化物半導体層と、多重又は単一量子井戸構
造をしており、少なくとも井戸層にＩｎを含む活性層と、第１導電型とは異なる導電型をした第２導電型の窒化物半導体層と、前記第２導電型の窒化物半導体層にストライプ状のリッジ部とを備えてなる窒化物半導体レーザ素子であって、前記窒化物半導体基板の主面には、Ｃ面（０００１）から、前記ストライプ状のリッジ部に対して略平行方向かつＭ面（１−１００）に対して略垂直方向にオフ角ａ（θ_aと、リッジ部に対して略垂直方向かつＭ面（１−１００）に対して略平行方向にオフ角ｂ（｜θ_b｜）を有しており、｜θ_a｜＞｜θ_b｜＞及び０．２°≦｜θ_a｜≦０．３°を満たす窒化物半導体レーザ素子。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザにおいて、比較的高い放射品質を提供すると同時に電気特性も向上させる。
【解決手段】半導体レーザ１には、電磁放射を発生させるための活性領域３を含む半導体層列２と、高次のモードを減衰させるための吸収領域４が設けられており、この吸収領域４は半導体層列２内に配置されているかまたは半導体層列２に接している。 （もっと読む）

【課題】半導体素子部が面内方向において異なる熱膨張係数を有する複数の方向を含む場合にも、素子特性が低下するのを抑制することが可能な半導体素子を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子（半導体素子）は、主面１０ｂの面内方向において熱膨張係数の異なる［１−１００］方向および［０００１］方向を含む半導体素子部１０と、主面４０ａの面内方向において熱膨張係数の異なる矢印Ｅ方向および矢印Ｆ方向を含むサブマウント４０とを備えている。そして、半導体素子部１０の［１−１００］方向が、サブマウント４０の矢印Ｆ方向よりも矢印Ｅ方向側に近くなるように、サブマウント４０に対して半導体素子部１０が接着されている。 （もっと読む）

【課題】 低い製造コストであるにもかかわらず、高い信頼性を得ることができる、光出力をモニタするフォトダイオードを内蔵した半導体レーザ装置を提供すること。
【解決手段】 半導体基板１０１上に形成された第１クラッド層１０２と、前記第１クラッド層１０２上に形成された活性層１０３と、前記活性層１０３上に形成されたリッジ構造を有する第２クラッド層１０４と、前記第２クラッド層１０４上に形成された前記第２クラッド層１０４とは極性の異なる半導体からなる電流ブロック層１０５とを有し、前記電流ブロック層１０５が、前記リッジ構造部分に形成された利得領域に隣接する第１の領域１０５ａと、前記第１の領域以外の第２の領域１０５ｂとの２つの領域に分割されている。 （もっと読む）

【課題】光導波路が損傷するのを抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】このＧａＮ系半導体レーザチップ（半導体レーザ素子）は、窒化物系半導体からなるｎ型ＧａＮ基板１１と、ｎ型ＧａＮ基板１１上に形成され、Ｆ方向に延びる光導波路を構成するリッジ部１２ａが形成された窒化物系半導体からなる半導体層１２とを備えている。また、リッジ部１２ａ（光導波路）は、半導体層１２の中央部から一方側（矢印Ｄ方向側）に寄った領域に形成されている。また、リッジ部１２ａ（光導波路）の一方側とは反対側（矢印Ｅ方向側）の領域には、リッジ部１２ａ（光導波路）の延びるＦ方向と交差する方向に延びるように、半導体層１２側から劈開導入用段差１９ａおよび１９ｂが形成されている。 （もっと読む）