【課題】高出力、かつ真円状のビームを得ることの可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】上部ＤＢＲ層１５内に、電流狭窄層１８および横モード調整層１９が設けられている。電流狭窄層１８は、横モード調整層１９よりも活性層１３寄りに形成され、横モード調整層１９は、電流狭窄層１８よりも活性層１３から離れて形成されている。電流狭窄層１８の中央領域に、直径の大きな電流注入領域１９Ｂが形成され、横モード調整層１９の中央領域に、直径の小さな光透過領域１９Ａが形成されている。横モード調整層１９のうち中央領域以外の領域に電流注入領域１９Ｂが形成されている。 （もっと読む）

【課題】ｐ型ＩｎＰ基板のＺｎ濃度（２〜４×１０１８ｃｍ−３）は、ｐ型クラッド層のＺｎ濃度（１×１０１８ｃｍ−３）よりも高い。このため、熱処理によってｐ型ＩｎＰ基板のＺｎがｐ型クラッド層に拡散し、さらにｐ型クラッド層の上部にある活性層まで拡散して、発光効率を低下させるという問題があった。特に、埋込構造の半導体光素子では、結晶成長の回数が多いことから高温の熱処理の回数が多く、この問題が顕著であった。本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、基板からのＺｎの拡散を抑えることができる半導体光素子を提供する。
【解決手段】ｐ型ＩｎＰ基板１０とｐ型ＩｎＰクラッド層１６の間に、ＲｕがドープされたＩｎＰ拡散防止層１４を設けることにより、ｐ型ＩｎＰ基板１０やｐ型ＩｎＰバッファ層１２から活性層２０へのＺｎの拡散を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】精度良く加工された窒化物半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】窒化物半導体装置は、基板１０１の上に形成された第１の窒化物半導体層１０７と、第１の窒化物半導体層１０７の上に形成された欠陥導入層１０８と、欠陥導入層１０８の上に接して形成され、欠陥導入層１０８を露出する開口部を有する第２の窒化物半導体層１０９とを備えている。欠陥導入層１０８は、第１の窒化物半導体層１０７及び第２の窒化物半導体層１０９と比べて結晶欠陥密度が大きい。 （もっと読む）

【課題】ｐ型電極のコンタクト抵抗を低減することができる窒化物半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＮ基板上に、Ｖ族原料としてアンモニアとヒドラジン誘導体を用いて、ｐ型ＧａＮ層（ｐ型窒化物半導体層）を形成する。次に、ｐ型ＧａＮ層にオーミック接触するｐ側電極を形成する。ｐ型ＧａＮ層を形成した後に４５０℃より高い温度で熱処理を行わない。これにより、ｐ側電極５８のコンタクト抵抗を低減することができる。従って、動作電圧を低くすることができるため、発熱による電力消費を低減することができ、高出力でも劣化の少ない長寿命の半導体レーザーを得ることができる。また、コンタクト抵抗が低いため、高速の応答が可能になる。さらに、高温の熱処理を必要としないため、プロセス変動の影響を受けにくく、歩留まりを向上させることができ、低コスト化が可能になる。 （もっと読む）

【課題】蓄積された製造技術やノウハウを活かしつつ、ｐ型不純物の拡散を抑えた発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＡｓ基板２上に、ｎ型クラッド層３、活性層５、ｐ型クラッド層７及びｐ型ＧａＡｓキャップ層８を有する発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、ｐ型クラッド層７は、ｐ型不純物としてＣをドーピングしたＣドープ層７ａと、ＭｇをドーピングしたＭｇドープ層７ｂとを有し、かつｐ型クラッド層７は、Ｃドープ層７ａが活性層５に近い側に形成され、ｐ型ＧａＡｓキャップ層８のｐ型不純物はＺｎであり、活性層５中のＣ原子濃度、Ｍｇ原子濃度、Ｚｎ原子濃度は、それぞれ５．０×１０¹⁵ｃｍ^-3以下、１．０×１０¹⁶ｃｍ^-3以上１．６×１０¹⁶ｃｍ^-3以下、１．１×１０¹⁶ｃｍ^-3以上５．０×１０¹⁸ｃｍ^-3以下であるものである。 （もっと読む）

【課題】非発光領域の低減により、発光層の発光効率が向上する窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】無極性、もしくは半極性、窒化物半導体基板３１にＩｎ組成比ｘが０．１５以上、０．５０以下、Ａｌ組成比ｙが０．０以上１．０以下のＩｎ_xＡｌ_yＧａ_1-x-yＮ井戸層を有する、窒化物半導体発光素子３０を製造する手法において、発光層３５より下部に形成される、ｎ型窒化物半導体層を、９００℃以上１1００℃以下の成長温度で形成し、かつ、発光層３５より上部に形成される、Ａｌを有するｐ型窒化物半導体からなる層が、６００℃以上９００℃未満の成長温度にて形成されることで、非発光領域の低減により、発光層の発光効率が向上する。また、平坦性の改善により、素子の歩留まりが向上する。 （もっと読む）

【課題】高いＰＬ発光強度を安定して得ることが可能な窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体発光素子の製造方法では、ガス供給管２１およびリアクタ２２にＭｇが残留している状態下において、ガス供給管２１をベーキングして真空置換する工程、リアクタ２２をベーキングして真空置換する工程、および、リアクタ２２の内壁上にコート膜３１を形成する工程の全てを行うことによって、活性層４のエピタキシャル成長時に、活性層４にドープされてしまうＭｇの濃度を制御する。 （もっと読む）

【課題】蓄積された製造技術やノウハウを活かしつつ、ｐ型不純物の拡散を抑えた発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＡｓ基板２上に、少なくともＡｌＧａＩｎＰ系材料からなるｎ型クラッド層３、活性層５、ｐ型クラッド層７およびｐ型ＧａＡｓキャップ層８を順次積層したダブルヘテロ構造を有する発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、ｐ型クラッド層７中のｐ型不純物が炭素とマグネシウムであり、ｐ型ＧａＡｓキャップ層８中のｐ型不純物が炭素と亜鉛であるものである。 （もっと読む）

【課題】チャンバー内に原料供給管が設置される気相成長装置において、ｐ型不純物のメモリー効果を抑えるとともに、不純物ドーピングを確実に行える気相成長装置を得る。
【解決手段】本発明の気相成長装置は、チャンバー本体３と、チャンバー蓋５と、チャンバー本体３内に設置されて薄膜が成長する基板９が載置されるサセプタ１１と、サセプタ１１に対向配置される対向面部材１３とを備え、サセプタ１１に基板９を載置した状態で基板９を加熱し、対向面部材１３とサセプタ１１とで形成される反応室に気相原料を導入する複数の原料導入流路３７、３９、４１とを備えた気相成長装置であって、複数の原料導入流路の少なくとも一つの流路３９をドーピング原料が供給されるドーピング原料導入流路とし、該ドーピング原料導入流路の流路壁に隣接させて熱媒体を通流させる熱媒体ジャケット４３を設けると共に熱媒体の温度を制御する温度制御装置を設けたものである。 （もっと読む）

【課題】超格子構造のｐ型窒化物半導体層における積層方向のバンドオフセットによる高抵抗化を抑制し、また、二次元ホールガス層の影響による横方向への大きな電流広がりを抑制して、抵抗率の方向依存性を小さくし、動作特性の良好な信頼性の高い窒化物半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に設けられた、ｎ型窒化物半導体層３と、ｎ型窒化物半導体層の上部に配置された活性層５と、活性層の上部に配置されたｐ型窒化物半導体層８とを備える。ｐ型窒化物半導体層は、三次元島構造を有する第１窒化物半導体層８ｂと、第１窒化物半導体層を覆って形成された第２窒化物半導体層８ａとの積層構造が、複数周期繰り返し形成された積層体構造を有する。積層方向に段切れ状態である三次元島構造を用いることで、積層方向の抵抗が低減される。 （もっと読む）

【課題】低電圧化を可能とした半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ｐ側コンタクト層１８は、ｐ側電極２１側の面に、凹部３１および凸部３２を有する凹凸構造３０を有し、表面積が増加している。ｐ側電極２１は、凹凸構造３０の上面、側面および底面でｐ側コンタクト層１８に接触しており、ｐ側コンタクト層１８との接触面積が増加するので、低電圧駆動が可能となる。また、ｐ側コンタクト層１８は、材料または組成の異なる第１ｐ側コンタクト層１８Ａと第２ｐ側コンタクト層１８Ｂとの積層構造を有する。第１ｐ側コンタクト層１８Ａおよび第２ｐ側コンタクト層１８Ｂの間には、両者の歪差によるピエゾ電界効果により、ホールが蓄積されたキャリア蓄積層が形成される。このキャリア蓄積層において、ｐ側電極２１とｐ側コンタクト層１８とのショットキー障壁のない理想的なオーミック接触が可能となる。 （もっと読む）

【課題】埋込み層を安定して良好な形状に形成することが可能な半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】絶縁層５１をマスクとした１回目のドライエッチングにより、第１の側壁２１を形成すると共に、第１の側壁２１に保護膜５２を形成する。絶縁層５１および保護膜５２をマスクとした２回目のドライエッチングにより、第２の側壁２２を形成する。絶縁層５１、保護膜５２および第２の側壁２２の上に誘電体膜を形成し、リフトオフにより、突条部２０の両側に、第２の側壁２２に接触すると共に第１の側壁２１とは離間した埋込み層を形成する。 （もっと読む）

【課題】不純物の活性層への拡散を防止可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】レーザダイオードは、ｎ型ＧａＮ基板１上に形成されるｎ型ＧａＮバッファ層２と、その上に形成されるｎ型クラッド層３と、その上に形成されるｎ型ガイド層４と、その上に形成される活性層５と、その上に形成されるｐ型第１ガイド層６と、その上に形成されるオーバーフロー防止層７と、その上に形成される不純物拡散防止層８と、その上に形成されるｐ型ＧａＮ第２ガイド層９と、その上に形成されるｐ型クラッド層１０とを備えている。活性層５に近接してＩｎ_yＧａ_1-yＮからなる不純物拡散防止層８を設けるため、ｐ型クラッド層１０やｐ型第２ガイド層９などの内部に存在するｐ型不純物を不純物拡散防止層８に蓄積でき、ｐ型不純物が活性層５に拡散しなくなる。 （もっと読む）

【課題】発振閾値電流密度が低く、かつ作製歩留まりの高い窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】量子井戸構造の発光層と、前記発光層の上に設けられたｐ型窒化物半導体層との間に接して、層厚が２０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である中間層が形成され、かつ、前記中間層が、ケイ素が添加された第１の窒化物半導体層と、前記第１の窒化物半導体層と前記ｐ型窒化物半導体層との間に接するアンドープの第２の窒化物半導体層とを少なくとも備えた窒化物半導体レーザ素子とする。 （もっと読む）

【課題】青色以上の長波長（４４０ｎｍ以上）を有するＩｎＧａＮ系窒化物半導体光素子において、Ｉｎ偏析や結晶性の劣化を抑制しながら、長波長化を実現する。
【解決手段】ＩｎＧａＮ井戸層とＩｎＧａＮ障壁層とを含むＩｎＧａＮ系量子井戸活性層６を備えたＩｎＧａＮ系窒化物半導体光素子の製造において、ＩｎＧａＮ障壁層を成長させる工程は、窒素およびアンモニアからなるガス雰囲気に１％以上の水素を添加してＧａＮ層を成長させる第１工程と、窒素およびアンモニアからなるガス雰囲気でＩｎＧａＮ障壁層を成長させる第２工程とからなる。 （もっと読む）

【課題】発光効率の低下を抑制することが可能な窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体発光素子の製造方法は、劈開面２１ａ上に端面コート膜２４および２５を形成する工程に先立って、ｎ側電極１０の劈開面２１ａ側に位置する部分にレーザ光を照射することでｎ側電極１０の劈開面２１ａ側に位置する部分を加工することにより、ｎ側電極１０の劈開面２１ａ側がｎ型ＧａＮ基板１とは反対側に向かって突出された状態にする工程を備えている。 （もっと読む）

【課題】リッジ部を保護する台座領域を有する場合においても、リップルが低減され、遠視野像の形状がガウシアン形状に近い窒化物半導体レーザ装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体レーザ装置は、基板１０の上に順次積層されたｎ型クラッド層１３Ｂ、活性層１４及びｐ型クラッド層１５Ｂを含む半導体層積層体２０を備えている。半導体層積層体２０は、リッジ部２０ａと、溝部２０ｃによりリッジ部２０ａと分離された台座部２０ｂとを有する。リッジ部２０ａの側壁及び溝部２０ｃの底面におけるリッジ部２０ａ側の領域は、誘電体層１６に覆われている。溝部２０ｃの底面と台座部２０ｂの側壁とに跨って、誘電体層１６と比べて発光波長における消衰係数が大きい材料からなる光吸収膜３２が形成されている。台座部２０ｂの上面の高さは、リッジ部２０ｂの上面の高さ以上である。 （もっと読む）

【課題】スペクトル半値幅を低減すること。
【解決手段】本発明は、引っ張り歪を有するＧａＩｎＡｓＰからなる井戸層と実質的に無歪のＡｌＧａＩｎＰからなるバリア層とが交互に積層して、ＧａＡｓからなる基板１０上に設けられた多重量子井戸活性層２０と、多重量子井戸活性層２０の上下にそれぞれ接して設けられた、実質的に無歪の第１のＡｌＧａＩｎＰ層（第１のガイド層１８）と、第１のＡｌＧａＩｎＰ層にそれぞれに接して設けられた、圧縮歪を有する第２のＡｌＧａＩｎＰ層（第２のガイド層１６）と、を具備する半導体レーザである。 （もっと読む）

【課題】同一の基板の表面上に形成された青色半導体レーザ素子および緑色半導体レーザ素子を備える集積型の半導体レーザ装置において、歩留まりの低下を抑制することが可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ装置１００は、ｎ型ＧａＮ基板１と、ｎ型ＧａＮ基板１の表面上に形成され、（１１−２２）面の主面を有するＩｎＧａＮからなる活性層１２を含む青色半導体レーザ素子１０と、ｎ型ＧａＮ基板１の表面上に形成され、（１１−２２）面の主面を有するＩｎＧａＮからなる活性層２２を含む緑色半導体レーザ素子２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】電気的特性が劣化するのを抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子１００は、支持基板１と、支持基板１上に形成されたｐ側オーミック電極１５と、ｐ側オーミック電極１５上に形成され、活性層１２を含む半導体層１０ａとを備え、ｐ側オーミック電極１５は、Ａｇを主成分とし、約０．６質量％のＰｄと、約０．９質量％のＣｕとを含有するＡｇ合金材料からなるＡｇ合金層１５ｂを含む。 （もっと読む）