【課題】初期劣化率が小さくて長寿命の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化ガリウム基板と、該窒化ガリウム基板の上に形成されて窒化物系化合物半導体よりなるｎ型クラッド層と、該ｎ型クラッド層の上に形成されて窒化物系化合物半導体よりなる活性層と、該活性層の上に形成されて窒化物系化合物半導体よりなるｐ型クラッド層とを備えた半導体発光素子において、前記ｐ型クラッド層は、不純物として水素とマグネシウムを含み、前記活性層と前記ｐ型クラッド層との間にはＡｌ_ｙＧａ_１−ｘＮ（但し、０≦ｘ＜１）で表される窒化物系化合物半導体よりなるｎ型拡散防止層が設けられ、前記ｎ型拡散防止層と前記ｐ型電子障壁層との間にアンドープのＩｎＧａＮ層が設けられている。 （もっと読む）

【課題】電流通路の抵抗が増加するのを抑制し、かつ、垂直横モードの基板側に強いピークが表れてしまうのを抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子１００は、窒化物からなる基板１０と、基板１０上に形成されたリッジ部５０とを備えている。また、基板１０は、基板１０の主表面１１に対して斜め方向に延びるように配置された転位集中領域１２を含み、リッジ部５０は、転位集中領域１２の上方に位置し、かつ、基板１０の主表面１１のうち、転位集中領域１２が表れた部分を除く領域上に位置するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】非極性面または半極性面を主面とするＧａＮ半導体層を用い、ｐ型層に意図的に積層欠陥を設けることで、ホール濃度を高く形成し、良好な偏光状態の光を取り出すことができる発光ダイオード、および、レーザ発振効率を高め、閾値電流を低減することができる半導体レーザダイオード。
【解決手段】ｃ面以外の非極性面または半極性面の面方位を結晶成長の主面とする化合物半導体（１００〜１０８）からなる積層構造を有する半導体発光素子であって、積層構造の一つに積層欠陥Ｉを発生させるｐ型半導体層１０８を設けることによって、ｐ型半導体層１０８の下部に比べて、ｐ型半導体層１０８より後に積層される結晶成長層の方が結晶欠陥が多いことを特徴とする半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】レーザ共振器端面近傍に不純物拡散により窓構造を形成する際に、活性層に不純物が蓄積されることを抑制し、ＣＯＤレベルが高く、発光効率が高い半導体レーザを提供する。
【解決手段】ＣＯＤレベルが高く、発光効率が高い半導体レーザにおいて、活性層５の基板側に隣接するクラッド層４に、拡散不純物Ｚｎをドーピングさせておくことによって、拡散不純物がドーピングされた部分で、拡散不純物の拡散係数が大きくなり、活性層５への不純物蓄積が抑制される。 （もっと読む）

【課題】III-V族窒化物半導体上に作製したダイオードやHEMT等の窒化物半導体装置において、ショットキー電極からのリーク電流の発生を抑止する。それにより、動作電圧が低く信頼性の高い高性能な窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】第１のｐ型クラッド層と第２のｐ型クラッドの少なくとも２層以上の多層ｐ型クラッド層を有し、第２のｐ型クラッド層は、第１のｐ型クラッド層よりも高濃度にｐ型不純物を含有し、かつ厚さが2〜20nmの範囲であり、少なくともAl_XGa_1−XN（0＜X≦0.2）層を含んでなるｐ型不純物が添加された第１のｐ型クラッド層に対して、Al組成比がX≦Yの関係を有するAl_YGa_1−YNからなり、ｐ型オーミック電極は、少なくとも第２のｐ型クラッド層上に接して形成される。 （もっと読む）

【課題】自然発光スペクトルのピーク波長よりも長波長のレーザ光を得ることができる半導体レーザ素子の提供。
【解決手段】出射側ミラーにおける波長λの光に対する反射率Ｒ１（λ）が最大となるピーク波長λ_１と、前記反射側ミラーにおける波長λの光に対する反射率Ｒ２（λ）が最大となるピーク波長λ_２とに対して、前記レーザ発光部における自然発光スペクトルのピーク波長λ_０がλ_１＞λ_０及び／又はλ_２＞λ_０となる関係を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】多層化しても直径が均一な量子ドットを有する半導体量子ドット素子、およびその製造方法を提供することを可能にする。
【解決手段】III族元素を含む窒化物半導体層１０、１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、１６ｄ、１６ｅと、前記窒化物半導体層上に形成されたＳｉがドープされたIII族元素を含む窒化物半導体からなる複数の量子ドットを有する量子ドット層１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅとが交互に積層された多層構造を備え、前記Ｓｉのドープ量が前記量子ドット層毎で異なっていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ガリウム窒化物化合物半導体の結晶中におけるドーパント元素のドーピング濃度を容易に最適化でき、効率よく成膜することができるＩＩＩ族窒化物化合物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｇａ元素を含有するＧａターゲット４７ａとドーパント元素からなるドーパントターゲット４７ｂとを用い、前記Ｇａターゲット４７ａをスパッタにより励起させるとともに、前記ドーパントターゲット４７ｂをビーム状とした荷電粒子により励起させて、半導体層の少なくとも一部を形成するＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体レーザ素子のｐ型層における不純物濃度を制御して半導体素子の駆動電圧を低減し、高い信頼性の窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ｎ型窒化物半導体からなる第１の層と、ｐ型窒化物半導体からなる第２の層と、第１の層と第２の層の間に発光層を備える窒化物半導体レーザ素子であって、発光層は、ＡｌＧａＩｎＮからなる井戸層と、ＡｌＧａＮからなる障壁層とで構成される量子井戸構造を有し、第２の層は、ｐ型不純物濃度が第２の層の中で変化していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧および消費電力が低減されて長期間の使用における信頼性にも優れた窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】基板上において１以上のｎ型窒化物半導体層、発光層、および１以上のｐ型窒化物半導体層が順次積層される窒化物半導体レーザ素子の製造方法において、発光層はＡｌＧａＩｎＮ井戸層とＡｌＧａＮ障壁層を含む量子井戸構造を有し、１以上のｐ型窒化物半導体層はｐ型ＡｌＧａＮクラッド層を含み、このｐ型ＡｌＧａＮクラッド層が厚さ方向に０．０４μｍ／ｍｉｎ以下の速度で結晶成長させられる。 （もっと読む）

【課題】電気的な特性が改善された半導体チップを提供する。
【解決手段】クラッド層およびコンタクト層を包含するｐドープされた領域を有し、クラッド層とコンタクト層との間には第１の中間層および第２の中間層が配置されており、第１の中間層および第２の中間層における第１の材料成分の濃度ｙは、第１の中間層および第２の中間層におけるバンドギャップがクラッド層のバンドギャップとコンタクト層のバンドギャップとの間に位置する領域において変わるように変化している。 （もっと読む）

【課題】発光素子は、高出力で高速応答性、高信頼性の発光素子が求められている。特に装置産業においては過酷な環境下でも長時間の使用に耐えうることは重要であり、通電後の使用においてその特性の変動が極めて少ないことが望まれている。多重量子井戸活性層と電流狭窄構造を有する垂直共振器型発光素子において、良好な初期特性と共に高い信頼性を提供する。
【解決手段】多重量子井戸構造と電流狭窄構造を用いた垂直共振器型発光素子において、量子井戸活性層をノンドープとし、キャリア濃度について、ｐ側を１Ｅ１８ｃｍ^−３以上、２Ｅ１８ｃｍ^−３以下、かつ、ｎ側を５Ｅ１７ｃｍ^−３以下にする。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＧａＮを含むエピタキシャル層構造にクラックが発生し難い窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子１１ａは、ＧａＮ半導体からなる支持体１３と、第１導電型ＡｌＧａＮ領域１５と、第２導電型ＧａＮ系半導体層１７と、活性層１９とを備える。支持体１３のＧａＮ半導体のｃ軸は、側面１３ｃから側面１３ｄに伸びているので、基板主面は、ｍ面またはａ面である。ＡｌＧａＮ領域１５およびＧａＮ系半導体層１７は、支持体１３の主面１３ａ上に設けられている。ＡｌＧａＮ領域１３のアルミニウム組成は０．０５以上であり、またＡｌＧａＮ領域１５の厚さＤ１は５００ｎｍ以上である。活性層１９は、第１導電型ＡｌＧａＮ領域１５と第２導電型ＧａＮ系半導体層１７との間に設けられている。 （もっと読む）

【課題】ｎ型のキャリア濃度を低減できるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法、ショットキーバリアダイオード、発光ダイオード、レーザダイオード、およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法は、ＩＩＩ族元素を含む原料を用いた有機金属気相成長法によってＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を製造する方法である。まず、種基板を準備する準備工程（Ｓ１０）を実施する。そして、ＩＩＩ族元素を含む原料として０．０１ｐｐｍ以下のシリコンと、１０ｐｐｍ以下の酸素と、０．０４ｐｐｍ未満のゲルマニウムとを含む有機金属を用いて、種基板上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させる成長工程（Ｓ２０）を実施する。 （もっと読む）

【課題】ｐ型クラッド層のＭｇが活性層に拡散するのを抑制すること。
【解決手段】発光ダイオード１のｐ型クラッド層１５は、図２に示すように、活性層と接するノンドープのＡｌＧａＮ層１５１ａ上に、ｐ−ＩｎＧａＮ層１５２とＡｌＧａＮ層１５１が交互に５回繰り返し積層された超格子構造である。ｐ−ＩｎＧａＮ層１５２のＭｇ濃度は、ｐ−ＩｎＧａＮ層１５２ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅのＭｇ濃度をＮａ、Ｎｂ、Ｎｃ、Ｎｄ、Ｎｅとして、Ｎａ＝Ｎｂ＜Ｎｃ＜Ｎｄ＝Ｎｅであり、活性層から離れるに従い単調に増加している。ｐ−ＩｎＧａｎ層１５２のＭｇ濃度をこのようにすることで、活性層へ拡散するＭｇの濃度を低減することができ、発光効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】ｐ型電極パッド付近の面積を拡張して光抽出効率を向上させ、局部的な電流の集中を防止して駆動電圧を減少させる窒化物系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体発光素子２００は、縦横比が１．５以上の長方形の基板２０１と、その上に設けられたｎ型Ｉｎ_XＡｌ_YＧａ_1-X-YＮ物質から成るｎ型窒化物半導体層２０２と、ｎ型窒化物半導体層２０２の所定領域上に順に設けられた、Ｉｎ_XＡｌ_YＧａ_1-X-YＮ物質の活性層２０３及びｐ型Ｉｎ_XＡｌ_YＧａ_1-X-YＮ物質のｐ型窒化物半導体層２０４と、ｐ型窒化物半導体層２０４上に設けられｐ型窒化物半導体層２０４の外側エッジラインから所定間隔離間して設けられた透明電極２０５と、透明電極２０５上に設けられｐ型窒化物半導体層２０４の外側エッジラインから５０〜２００μｍだけ離間されたｐ型電極パッド２０６と、ｎ型窒化物半導体層２０２上に設けられたｎ型電極パッド２０７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ｐ型窒化物半導体層に残留する水素の拡散を防止することにより、高出力で且つ長寿命の窒化物半導体装置を得られるようにする。
【解決手段】窒化物半導体装置は、ｐ型の第１の不純物（Ｍｇ）がドーピングされたｐ型ＡｌＧａＮからなる超格子クラッド層１８を有している。超格子クラッド層１８は、その一部に第２の不純物（Ｆ）がドーピングされた不純物領域２０を有し、不純物領域２０の水素濃度は、超格子クラッド層１８における不純物領域２０を除く領域の水素濃度よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】キャリア・オーバーフローを抑制することにより、高温動作を可能とする半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】基板１０上に、下部クラッド層１１、下部ガイド層１２、活性層１３、上部ガイド層１４、上部クラッド層１５およびコンタクト層１６を基板１０側からこの順に含んで構成されたＡｌＧａＩｎＰ系の積層構造２０を備える。この積層構造２０は、応力源であるヒートシンク３から半田２を介して２２００ｐｐｍよりも大きく１２０００ｐｐｍ以下の圧縮応力を受けている。これにより、ヒートシンク３からの圧縮応力の大きさを下部クラッド層１１および上部クラッド層１５などから活性層１３へ与えられる応力の種類および大きさに応じて設定することにより、活性層１３における伝導帯の下端と、下部クラッド層および上部クラッド層における伝導帯の下端との間の電子障壁ΔＥｃの値を大きくすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】
本発明は半導体光素子の製造方法に関し動作時の素子抵抗値が設計値と一致する半導体光素子を提供する事を目的とする。
【解決手段】不純物ドープされた、第一導電型であるＢＤＲ(Band Discontinuity reduction)層形成のためのＢＤＲ層形成工程と、
ＢＤＲ層に接し、ＢＤＲ層成長後に堆積される、電極形成のための、前記不純物と同一の不純物がドープされた第一導電型であるコンタクト層形成のためのコンタクト層形成工程と、コンタクト層形成工程後に熱処理を行うための、熱処理工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧を低減することができる窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板と、第１のｎ型窒化物半導体層と、発光層と、ｐ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体トンネル接合層と、ｎ型窒化物半導体トンネル接合層と、第２のｎ型窒化物半導体層と、を含み、ｐ型窒化物半導体トンネル接合層とｎ型窒化物半導体トンネル接合層とはトンネル接合を形成しており、ｐ型窒化物半導体トンネル接合層およびｎ型窒化物半導体トンネル接合層の少なくとも一方がＩｎを含み、Ｉｎを含む層の少なくとも１つがそれよりもバンドギャップの大きい層と接し、Ｉｎを含む層とバンドギャップの大きい層との界面と、ｐ型窒化物半導体トンネル接合層とｎ型窒化物半導体トンネル接合層との界面と、の最短距離の少なくとも１つが４０ｎｍ未満である窒化物半導体発光素子である。 （もっと読む）