【課題】活性層(量子井戸層)へ光の出射部となる窓構造を形成するための不純物の拡散条件のコントロールを容易にすることができる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子では、赤外レーザ活性層１２上に形成されたｐ‐ＩｎＧａＰクラッド層１３は、拡散のし易さが異なる２つの異なる元素ＭｇとＺｎを混合したドーパントが添加されている。したがって、この２つの元素ＭｇとＺｎの混合比を調整することで、赤外レーザ活性層(量子井戸層)１２への不純物の拡散条件をコントロールすることができる。 （もっと読む）

【課題】劈開時に生じた段差に起因する歩留まりの低下やレーザ特性の劣化を抑制し得る構造を有する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１０は、下部電極層１１、半導体基板１２、下部クラッド層１３、活性層１６、キャップ層１７、段差閉じ込め層１９、電流狭窄構造２１Ａ，２１Ｂ、および上部電極層２３を含む。段差閉じ込め層１９は、半導体基板１２に対して１％以上の圧縮歪み量を有する。キャップ層１７は、活性層１６よりも広いバンドギャップを有し、段差閉じ込め層１９のバンドギャップは、活性層１６のバンドギャップよりも広く、かつキャップ層１７のバンドギャップよりも狭い。 （もっと読む）

【課題】活性化アニールを行うことなく、ｐ型ドーパントを含む窒化ガリウム系半導体を提供可能な、ｐ型窒化ガリウム系半導体を作製する方法を提供する。
【解決手段】支持体１３上に、ｐ型ドーパントを含むＧａＮ系半導体領域１７を成長炉１０で形成する。有機金属原料及びアンモニアを成長炉１０に供給して、ＧａＮ系半導体層１５上にＧａＮ系半導体層１７を成長する。このＧａＮ系半導体にはｐ型ドーパントが添加されており、ｐ型ドーパントとしては例えばマグネシウムである。ＧａＮ系半導体領域１５、１７の形成の後に、モノメチルアミン及びモノエチルアミンの少なくともいずれかを含む雰囲気１９を成長炉１０に形成する。雰囲気１９が提供された後に、ＧａＮ系半導体領域１７の成長温度から基板温度を下げる。成膜を完了して、基板温度を室温近傍まで低下させたとき、ｐ型ＧａＮ系半導体１７ａ及びエピタキシャルウエハＥの作製は完了している。 （もっと読む）

【課題】高効率の近紫外発光の半導体発光素子及びウェーハを提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＮ及びｎ型ＡｌＧａＮの少なくともいずれかからなる第１の層と、Ｍｇを含有するｐ型ＡｌＧａＮからなる第２の層と、前記第１の層と前記第２の層との間に設けられ、Ｓｉを含有するＡｌ_ｘＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｉｎ_ｙＮからなる複数の障壁層と、前記複数の障壁層のそれぞれの間に設けられ、ＧａＩｎＮまたはＡｌＧａＩｎＮからなる井戸層と、を有する発光部であって、前記障壁層のうち、前記第２の層に最も近い障壁層が、Ｓｉを含有する第１の部分と、第１の部分と第２の層との間に設けられ、第１の部分におけるＳｉ濃度よりも低く、第２の層に最も近い障壁層以外の障壁層におけるＳｉ濃度よりも低い濃度でＳｉを含有する第２の部分と、を有する発光部と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】ｐ型コンタクト層とｐ型電極との接触抵抗を従来よりも低減化し、動作電圧の低い窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体層上にｐ型コンタクト層を有し、前記ｐ型コンタクト層がｐ型電極１１側から順にｐ型第一コンタクト層１０とｐ型第二コンタクト層９によって構成される窒化物半導体素子１において、前記第一コンタクト層１０がｐ型不純物を１．０×１０²⁰ｃｍ^-3以上２．０×１０²⁰ｃｍ^-3以下含有したＩｎ_xＧａ_1-xＮ（０＜ｘ≦０．２）からなり、前記ｐ型第二コンタクト層９はｐ型不純物を前記ｐ型第一コンタクト層より低濃度で含有し、Ｉｎ組成比が前記ｐ型第一コンタクト層１０より低いＩｎ_yＧａ_1-yＮ（０≦ｙ＜０．２）からなるものである。 （もっと読む）

【課題】閾値電流密度の低い窒化物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】主面がａ面の基板１０を用い、この上に成長させる活性層１６を、Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ（０≦ｙ≦１）の組成等の障壁層とＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１、ｘ＜ｙ）の組成等の井戸層を備えた量子井戸構造のものとし、当該活性層１６の結晶成長の主面の法線方向をｃ軸方向と４０°〜９０°の範囲内の角度を成すようにして、該活性層１６からの発光が、ｃ軸と平行な電界成分Ｅ（Ｅ//ｃ）が支配的となる偏光特性を有するようにした。また、活性層１６の井戸層と障壁層の組成を適正な範囲に設計することとして、井戸層の面内圧縮歪みを低減させ、活性層１６から発光する光の更なる効率的光導波を実現することとした。 （もっと読む）

【課題】動作電圧が小さく安定して長期信頼性が得られる窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】基板１上に順に形成された第１導電型の下部クラッド層２、活性層５、第２導電型の上部クラッド層８と、その上に形成された第１の電極１１とを有し、上部クラッド層は、ストライプ状のリッジ部Ｓ１が第１の面Ｓ２から連なって突出するリッジ形状を有し、下部クラッド層、活性層、上部クラッド層の各々は、窒化物半導体層からなる。前記第１の電極は、リッジ部の上面と、リッジ部の側壁の少なくとも一部領域に接して設けられ、第１の面は絶縁膜で覆われ、第１の電極が接していない。これにより自発分極やピエゾ分極に起因する電荷をキャンセルすることができるために電圧が低減する。 （もっと読む）

【課題】従来のｐ型III族窒化物半導体超格子からなるｐ型半導体よりも低抵抗のｐ型特性を示す所望の屈折率とバンドギャップを有するｐ型III族窒化物半導体を提供する。
【解決手段】このｐ型III族窒化物半導体は、サファイア基板２０上に低温ＧａＮバッファー層２１，ＧａＮ層２２が順次積層された積層構造上にエピタキシャル成長された、Ｉｎ_0.04Ａｌ_0.2Ｇａ_0.76Ｎ層とｐ型Ｉｎ_0.1Ａｌ_0.04Ｇａ_0.86Ｎ層との超格子構造からなるｐ型III族窒化物半導体２３である。 （もっと読む）

【課題】無極性面の主面を有する窒化物系半導体結晶基板を含む窒化物系半導体発光素子の動作特性を改善する。
【解決手段】窒化物系半導体発光素子は、窒化物系半導体結晶の基板とこの基板の一主面上に形成された窒化物系半導体結晶の半導体積層構造とを含み、この半導体積層構造はｎ型層とｐ型層とに挟まれた発光層を含み、基板の主面は窒化物系半導体結晶の｛１０−１０｝面を基準として＜０００１＞軸の周りに−０．５°以上−０．０５°以下または＋０．０５°以上＋０．５°以下の角度だけ回転させられた傾斜面を有していることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の製造方法において、半導体装置内部の欠陥を低減するとともに、製造工程における歩留まりを改善し、装置の信頼性を高めて寿命を延ばす。
【解決手段】 バッファ層を提供するとともに、第１の半導体層５３０をバッファ層５２０の表面に形成する。続いて、エピタキシャル工程にて不純物を高濃度でドーピングする方式でドーピング層５４０ａを第１の半導体層５３０の表面に形成する。その後、第１のドーピング層５４０ａの表面を第２の半導体層５５０ａで被覆する。最後に、第２の半導体層５５０ａ上に半導体発光素子５６０を成長させる。第１のドーピング層５４０ａの形成と第２の半導体層５５０ａでの被覆とが一連の工程である。 （もっと読む）

【課題】歩留まりが良好で、特性の劣化が抑制された半導体レーザ装置とその製造方法、及び半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置は、ｎ型基板６と、ｎ型基板６上に形成されたｎ型クラッド層７と、ｎ型クラッド層７上に形成された活性層９と、活性層９上に形成され、活性層９の上面に達する開口部を有するｎ型電流ブロック層１１と、ｎ型電流ブロック層１１上に形成され、開口部を埋めるｐ型クラッド層１２とを備えている。平面的に見て開口部を挟んで設けられ、半導体レーザ素子の共振器端面となる端面領域において、ｐ型クラッド層１２を貫通し、底面が活性層９の上面よりも高い位置にあるへき開ガイド溝３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型窒化物系半導体層を再現性よく高活性化することが可能な窒化物系半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明による窒化物系半導体素子の製造方法は、基板１上に、少なくとも一層の窒化物系半導体層（２，３）を形成する工程と、窒化物系半導体層（２，３）上に、マグネシウムをドープしたｐ型窒化物系半導体層４を形成する工程と、ｐ型窒化物系半導体層４を窒素雰囲気中において８００〜９２０℃でアニーリングする工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体の単結晶基板の両面に、III族極性の発光素子を作製することが可能な発光素子用基板、およびそれを具備し、１素子当たりの電流注入量を低下させ、また1素子のサイズを大きくすること無く高輝度化した発光装置を提供する。
【解決手段】 III族極性を示す第１の主面１ａと、Ｎ極性を示す第２の主面１ｂと、を有する窒化物半導体の単結晶基板１と、前記第２の主面１ｂ上に設けられ、化学式Ｇａ_1-x-yＡｌ_xＩｎ_yＮ（ただし、０＜ｘ≦１，０＜ｘ＋ｙ≦１，０≦ｙ＜０．１である）で表される極性反転層２と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】スペックルノイズが低減され、小型、低コストかつ高性能なＩＩＩ族窒化物半導体レーザ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係るＩＩＩ族窒化物半導体レーザは、第１導電型の半導体基板１０１と、半導体基板上に形成された第１導電型の半導体層１０３と、第１導電型の半導体層１０３上に形成された活性層１０５と、活性層上において所定の方向にストライプ状に延設された電流狭窄構造１０７と、電流狭窄構造１０７上に形成された第２導電型の半導体層１０９とを備えるＩＩＩ族窒化物半導体レーザであって、活性層１０５の発光領域が、半導体基板１０１の主面に対する勾配が異なる複数の結晶面に形成されているものである。 （もっと読む）

【課題】基板のＡｌＧａＮが露出した最表面上にＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体結晶を成長させるのに適したＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体結晶の製造方法およびその方法を用いたＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】水素と窒素とアンモニアとを含み水素の体積比率が水素の体積と窒素の体積との合計体積の０．２以下であるガス雰囲気または窒素とアンモニアとを含み水素を含まないガス雰囲気においてＡｌＧａＮが最表面に露出した基板を９００℃以上に加熱する加熱工程と、加熱工程後に基板の最表面上にＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体結晶を成長させる結晶成長工程とを含むＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体結晶の製造方法とその方法を用いたＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体レーザ素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】結晶品質の良好な高In組成のInGaN活性層が得られ、長波長域（緑色）でのレーザ発振を可能にした半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザダイオード１０はInGaNと格子整合するZnO単結晶基板１２と、ZnO単結晶基板１２上に形成されたInGaNからなりZnO単結晶基板１２と格子整合する格子整合系下部クラッド層１４と、下部クラッド層１４上に形成されたInGaNからなる活性層１５と、活性層１５上に形成されたInGaNからなり、活性層１５と格子整合する格子整合系上部クラッド層１６と、上部クラッド層１６上に形成されたｐ型コンタクト層１７と、を備える。InGaNからなる活性層１５を、4nm以上臨界膜厚以下の膜厚に厚膜化した。活性層１５は、複数対の井戸層と障壁層を有する多重量子井戸構造からなり、各井戸層の膜厚は4nm以上20nm以下である。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体レーザ素子の高光出力時の長期安定動作を実現させる。
【解決手段】窒化物半導体レーザ素子では、基板１０上に窒化物半導体の多層膜１００が設けられている。窒化物半導体の多層膜１００は、発光層を含み、互いに略平行な２つのへき開面を有している。へき開面はどちらもレーザ共振器の端面であり、レーザ共振器の端面にはその端面に接するように保護膜７０がそれぞれ設けられている。そして、レーザ共振器の少なくとも一方の端面と保護膜７０との界面におけるシリコン密度が５×１０^１９atoms/cm³以下である。 （もっと読む）

【課題】高周波重畳機能を保有しない電源回路を用いた発光装置においても、可干渉性の低いレーザ光を生じ、また発光光の演色性を向上させた発光装置、照明装置および表示装置を提供すること。
【解決手段】少なくとも基板と、第１導電型クラッド層と、活性層と、第２導電型クラッド層とを、少なくともこの順に備えている半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子が発するレーザ光を吸収して蛍光を放射する蛍光体とを備える発光装置であって、半導体レーザ素子が自励発振レーザ素子であることを特徴とする、発光装置。 （もっと読む）

【課題】 非極性面または半極性を主面とするｐ型のIII族窒化物半導体層に対して、良好なオーミックコンタクトをとることができる電極を有する窒化物半導体素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 半導体レーザダイオード７０において、非極性面を主面とする基板１の主面にｐ型半導体層１２を成長させる。ｐ型半導体層１２におけるｐ型ＧａＮコンタクト層１９の、絶縁層６から露出する成長主面２５は、基板１の主面に平行な非極性面である。そして、ｐ型電極４を、Ｐｔが主として含有される下層が、絶縁層６から露出するｐ型ＧａＮコンタクト層１９の成長主面２５に接触するように、絶縁層６およびｐ型ＧａＮコンタクト層１９の成長主面２５に形成する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で低閾値電流で高出力動作ができると共に、信頼性が高く低コストな半導体レーザ素子とその製造方法および光ディスク装置および光伝送システムを提供する。
【解決手段】ドーピング濃度が１×１０¹⁸ｃｍ^-3以上のｐ⁺-ＧaＡsコンタクト層１１３上およびドーピング濃度が１×１０¹⁷ｃｍ^-3以下のｐ-ＡlＧaＡs第２上クラッド層１０９上にｐ側電極１１４を形成する。ｐ側電極１１４と接する各々の半導体層の界面に、ｐ側電極１１４の材料と各々の半導体層材料とが合金化した化合物層１１５を形成する。ｐ-ＡlＧaＡs第２上クラッド層１０９と多重歪量子井戸活性層１０６との間に、ドーピング濃度が１×１０¹⁸ｃｍ^-3のｐ-ＡlＧaＡs第１上クラッド層１０８を形成する。 （もっと読む）