【課題】窒化物半導体等の六方晶系の半導体材料を用い且つ構造的に安定な劈開面を有する半導体レーザ装置及びその製造方法を実現できようにする。
【解決手段】半導体レーザ装置は、基板１１及び基板１１の上に形成された半導体層積層体１２の一部が切り出され、導波部２３ａと交差する方向の２つチップ端面１３と、導波部２３ａと並行な方向の２つのチップ側面１４とを有するチップを備えている。２つのチップ端面１３の少なくとも一方における劈開面１３ａの両側方の領域には、チップの一部が、切り欠かれて、チップ端面１３と接する第１の壁面３１ａと、チップ側面１４と接する第２の壁面３１ｂとを露出する切り欠き部３１がそれぞれ形成されており、２つの切り欠き部３１のうちの少なくとも一方における第１の壁面３１ａが延びる方向と、劈開面１３ａが延びる方向とがなす角度θは、１０度以上且つ４０度以下である。 （もっと読む）

【課題】少ない工程数でかつ高い歩留まりで作製可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】第１導電型半導体基板（１０１）上に順に設けられた第１導電型下クラッド層（１０３）、活性層（１０５）、第２導電型第１上クラッド層（１０６）、第２導電型高Ａｌ組成層（１０９）、Ａｌを含まない第２導電型保護層（１１０）、およびストライプ状リッジ（１２０）を構成する第２導電型第２上クラッド層（１１１）を含むリッジ導波型半導体レーザ素子において、保護層はリッジの直下を除く領域において部分的な開口部（１２２）を有し、リッジ直下を除く領域において部分的な開口部を介して高Ａｌ組成層を酸化させることによって形成された酸化物層（１０９ｂ）が設けられており、リッジの頂部を直接被覆しかつそのリッジの少なくも片側におけるリッジ側面、保護層、および開口部に露出している酸化物層を直接被覆している金属電極層（１１４）を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】ｐ型不純物をＭｇとする場合に、ｐ型窒化物半導体層を低温度で結晶成長させることができるとともに、結晶成長を行う反応室に接続されている配管へのＭｇ化合物の付着を抑制することができる窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体結晶２は、ＳｉＣ基板１の非極性面上に、結晶成長させる。窒化物半導体結晶２は、ＭＯＣＶＤ法等によって形成され、その成長表面が非極性面又は半極性面で成長する。窒化物半導体結晶２中のｐ型窒化物半導体層のｐ型不純物にはＭｇを用いるが、そのＭｇのドーパント材料として（ＴＭＡｌ）_２ＤＭＭｇを使用する。 （もっと読む）

【課題】ドーパントの活性層への拡散を抑制して、発光出力が低下したり通電時における温度が上昇したりすることを低減可能とする半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】第１導電型基板１上に、少なくとも、第１導電型クラッド層３と活性層４とアンドープクラッド層５と第２導電型クラッド層６とが順次積層された構造とし、アンドープクラッド層の厚さを１５ｎｍ〜４５ｎｍの範囲内とし、第２導電型クラッド層のドーパントをＭｇ（マグネシウム）とし、同層におけるＭｇ濃度を７Ｅ＋１６ｃｍ^−３〜１Ｅ＋１８ｃｍ^−３の範囲内とする。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体発光素子の発光寿命と発光強度を改善するとともにクラックの発生を防止する。
【解決手段】 表面に凹部と凸部を有し、該凹部と凸部が単一材料からなる基板と、前記基板上に結晶成長させられた窒化物半導体多層膜構造とを備え、該窒化物半導体多層膜構造は、前記凸部の上方において発光部を有するとともに、前記凹部の上方において結晶成長により完全に埋まらない窪みを表面に形成した窒化物半導体発光素子であって、前記凹部と凸部が単一材料からなる基板は、窒化物半導体以外の基板上に窒化物半導体層が成長されてなり、前記窪みの幅は前記凹部の幅よりも狭いことを特徴とする。 （もっと読む）

半導体デバイスは、ｎ側導波路層と、ｎ側導波路層と接触する活性層と、活性層と接触するｐ側導波路層とを備える。電子ブロック層が、ｐ側導波路層と接触し、周期表のＩＩＩ族からの２つの元素と、周期表のＶ族からの１つの元素との第１の組成物を含む。クラッド層が、電子ブロック層と接触するクラッド副層を含む。クラッド副層は、周期表のＩＩＩ族からの２つの元素と、周期表のＶ族からの１つの元素との第２の組成物を含む。第２の組成物は、第１の組成物とは異なる。
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【課題】電極とｐ型窒化物半導体との間のコンタクト抵抗異常による電圧異常を防止して、ｐ型窒化物半導体の歩留まりを向上させるためのｐ型窒化物半導体の製造方法および窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】ｐ型窒化物半導体の製造方法は、ｐ型不純物を含む窒化物半導体１２を準備する準備工程と、アルゴンまたは窒素の少なくともいずれか一方を含むキャリアガスとメタンとを含むアニール雰囲気ガス中で、７００℃以上９５０℃以下の温度で、窒化物半導体１２にアニール処理を行なうアニール処理工程と、窒化物半導体１２に電極を形成する電極形成工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】電極との接触抵抗が小さく、熱処理を不要とし得るｐ型コンタクト層を有する発光素子用エピタキシャルウエハ及び発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子用エピタキシャルウエハは、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３、活性層４及びｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層５からなる発光部を有し、ｐ型ＡｌＧａＡｓ型クラッド層５の上に、電極形成層として、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６が形成されている。発光素子は、この発光素子用エピタキシャルウェハを用いて作製され、ｎ型ＧａＡｓ基板１側にｎ電極７が、またｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６側にノンアロイ系のｐ電極８が形成されている。 （もっと読む）

【課題】複雑なプロセスをなくし、歩留まりが高く、低コスト化に必要な量産性があり、良好な初期特性や信頼性をもつ半導体装置、半導体レーザを提供する。
【解決手段】複数のIII族元素を含む窒化物半導体層が凹凸のある基体表面上に形成されてなることにより、上記窒化物半導体層におけるIII族元素の組成比、バンドギャップエネルギ、屈折率、導電性、抵抗率の少なくとも一つが、上記基体の凹凸に対応して、層内で変化するようにする。また、水素を含む雰囲気中で加熱しＡｌを含む層をエッチングストップ層として用いることにより、エッチング深さのばらつき等の影響を受けず制御性の向上と歩留まりの向上を図れる。
また、エッチングおよび再成長を連続して行えるため、安価なプロセスが可能である。 （もっと読む）

【課題】動作電圧低減が低く、高性能な窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に形成されたＰ型の導電型を有する窒化物半導体３の上に第一の金属膜４を形成し、次いでタングステン酸化物からなる膜（ＷＯ_Ｘ）５を重ねて形成した後、熱処理を行う。その後、タングステン酸化物からなる膜を除去し、Ｎ型およびＰ型の導電型を有する窒化物半導体層のそれぞれとオーミック接続を取るための電極を形成することにより、窒化物半導体発光素子を製造する。 （もっと読む）

【課題】 再成長Ｐ型ＧａＮコンタクト層とＰ型ＡｌＧａＮクラッド層の再成長界面近傍が高抵抗化するという問題が発生し、発光素子の直列抵抗が大きくなるため、駆動電圧の増加及び発光素子の信頼性が悪化する。
【解決手段】 本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、凹凸状加工領域を備えたサファイヤ基板と、バッファ層と、前記バッファ層の上方に形成された第１の窒化ガリウム系化合物半導体層と、前記第１の窒化ガリウム系化合物半導体層の上方に形成された活性層とを備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、前記バッファ層は、前記凹凸状加工領域の上方に凹凸を有し、前記凹凸状加工領域の上方における前記第１の窒化ガリウム系化合物半導体層の抵抗率は、凹凸状に加工されていない部分の上方における第１の窒化ガリウム系化合物半導体層の抵抗率より低いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ｐ型コンタクト層の低抵抗化を図れるようにすると共に半導体レーザ素子においてはｐ型半導体層にリッジ状の加工を施すことなく電流狭窄構造を実現できるようにする。
【解決手段】窒化物半導体素子は、主面の面方位が（０００１）面であるｎ型ＧａＮからなるｎ型基板１の主面上に形成され、主面に対して垂直な側面を持つ複数の凸部を有するＧａＮからなる第１ｐ型コンタクト層６と、該第１ｐ型コンタクト層６における凸部の側面から選択的に成長したＡｌＧａＮＰからなる第２ｐ型コンタクト層７とを有している。 （もっと読む）

【課題】面内、またはロット間で、コンタクト抵抗の小さい発光素子を安定的に得る。
【解決手段】MgドープAlGaNからなるｐ型クラッド層7と、5×10¹⁹/cm³以上7×10¹⁹/cm³以下の濃度でMgがドープされたGaNからなるｐ型第１コンタクト層８と、1×10²⁰/cm³以上2×10²⁰/cm³以下の濃度でMgがドープされたGaNからなるｐ型第２コンタクト層９と、陽電極１０とが順に積層されている。この構成により、高濃度ドープした最表面のｐ型第２コンタクト層９中のMg熱拡散を抑えてMg濃度プロファイルを矩形に近づけることができるので、面内、またはロット間で、コンタクト抵抗の小さい発光素子を安定的に得ることができる。 （もっと読む）

【課題】残留亜鉛等のｐ型ドーパント除去エピタキシャル層を成長させなくても、ｐ型化合物半導体層の成長で使用したｐ型ドーパント原料の影響を受けることなく、エピタキシャル成長ができる。
【解決手段】基板１上に複数層の化合物半導体層６を、ｐ型ドーピング原料が供給されない第１の反応炉Ａを用いて積層成長し、前記積層された化合物半導体層６上に亜鉛などのｐ型ドーパントが添加されたｐ型化合物半導体層５を、第２の反応炉Ｂを用いて成長する。 （もっと読む）

【課題】活性層にＭｇ等の不純物が拡散することなく、結晶性を向上させる窒化物系半導体素子を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体素子は、ｎ−ＧａＮ層１０３と、ｎ−ＧａＮ層１０３上に形成された活性層１０４と、活性層１０４上に、ドーピング濃度５×１０¹⁹〜２×１０²⁰個／cm³でＭｇをドーピングし、９００〜１２００℃の範囲の成長温度で形成された第１のＡｌＧａＮ層１０５と、第１のＡｌＧａＮ層１０５上に、９００〜１２００℃の範囲の成長温度で形成された第２のＡｌＧａＮ層１０６と、第２のＡｌＧａＮ層１０６上に形成された、ｐ−ＧａＮ層１０７とを備える。 （もっと読む）

半導体材料の活性領域と、該活性領域の対向する側にある、１対の、半導体材料の、反対極性にドープされた層とを有する発光体構造を備えた固体発光デバイスを提供する。活性領域は、ドープされた層の両端に印加された電気的バイアスに応じて所定の波長で発光する。発光体構造と集積化され、少なくとも１つの希土類または遷移金属元素がドープされた、半導体材料の吸収層が含まれている。吸収層は、活性領域からの発光の少なくともいくらかを吸収し、少なくとも１つの異なる波長の光を再放出する。基板が含まれ、その上に発光体構造と吸収層とが配置されている。
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【課題】 高光出力動作における長寿命化が可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】 基板１１上に、ｎ型半導体層１３、活性層１０１、およびｐ型半導体層２４がこの順で積層され、活性層１０１とｐ型半導体層２４との間に、窒化ガリウム系化合物半導体からなる中間層３１が形成されており、
中間層３１は、不純物が実質的にドープされていないアンドープ層３１ａと、ｎ型不純物がドープされた拡散抑制層３１ｂとが積層されて構成され、ｐ型半導体層２４と隣接する側に拡散抑制層３１ｂが配置されており、ｐ型半導体層２４のｐ型不純物濃度が、１Ｅ１９ｃｍ^−３以上である半導体レーザ。 （もっと読む）

【課題】 半導体レーザ及びその製造方法に関し、ナイトライド系化合物半導体を用いた短波長半導体レーザのしきい値電流密度を低減する。
【解決手段】 ナイトライド系化合物半導体を用いた半導体レーザの活性層のｐ側に設けるエレクトロンブロック層のＭｇ濃度を７×１０¹⁹ｃｍ^-3以上とする。 （もっと読む）

【課題】 高光出力動作における長寿命化が可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】 基板１１上に、ｎ型半導体層１３、活性層１０１、およびｐ型半導体層２４がこの順で積層され、活性層１０１とｐ型半導体層２４との間に、窒化ガリウム系化合物半導体からなる中間層３１が形成されており、
中間層３１は、不純物が実質的にドープされていないアンドープ層３１ａと、ｎ型不純物がドープされた拡散抑制層３１ｂとが積層されて構成され、ｐ型半導体層２４と隣接する側に拡散抑制層３１ｂが配置されており、基板１１とｎ型半導体層１３との間に、貫通転位密度が５Ｅ８ｃｍ^−２以下の低転位領域を有する半導体層４３が形成されている半導体レーザ。 （もっと読む）

【課題】結晶成長後に電子線照射やアニーリング等の後処理を施さなくても、結晶品質が良好で低抵抗なＭｇドープのｐ型窒化ガリウム系半導体を低価格で得ることができ、後処理による素子の歩留まり低下を防ぐ方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成されたｐ型窒化ガリウム系半導体の製造方法において、水素及び窒素を含む雰囲気でＶ族原料として実質的にアンモニアのみを使用して、Ｍｇをドープした前記ｐ型窒化ガリウム系半導体１０４を結晶成長させる工程と、前記結晶成長工程後に窒素及び有機窒素原料を主体とし、水素の体積率が４０％以下である雰囲気で冷却する工程とを含む。 （もっと読む）