【課題】本発明は、高反射率で熱抵抗の低いＤＢＲを有する面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】基板１０と、基板１０上に設けられ、Ａｌ_aＧａ_1-aＡｓ層２１₁，２１₂，・・・・・２１_hとＡｌ_bＧａ_1-bＡｓ層２２₁，２２₂，・・・・・２２_h（ａ＜ｂ＜１）を交互に積層して形成されたｎ型ＤＢＲ２０と、ｎ型ＤＢＲ２０上に設けられたｎ型クラッド層３０と、第１導電型クラッド層３０上に設けられた活性層３２と、活性層３２上に設けられたｐ型クラッド層３４と、ｎ型クラッド層３０、活性層３２、及びｐ型クラッド層３４を第１導電型ＤＢＲとで挟むように設けられ、Ａｌ_aＧａ_1-aＡｓ層５１₁，５１₂，・・・・・５１_kとＡｌ_bＧａ_1-bＡｓ層５２₁，５２₂，・・・・・５２_kを交互に積層して形成されたｐ型ＤＢＲ５０とを備える。 （もっと読む）

【課題】ｐ型ＡｌＧａＮ系超格子構造の低抵抗化を実現できる化合物半導体の製造方法、半導体レーザダイオード及びＡｌＧａＮ系超格子構造を提供する。
【解決手段】ホールのド・ブロイ波長近傍の膜厚のＡｌＧａＮ層とホールのド・ブロイ波長近傍の膜厚のＧａＮ層とが交互に積層された、Ｍｇを含有しｐ型導電性を示すＡｌＧａＮ系超格子構造を備えた化合物半導体の製造方法において、前記ＡｌＧａＮ層の成長時にはＭｇ原料を供給せず、前記ＧａＮ層の成長時に供給するＭｇ原料の供給時間ｔ_Ｍｇを前記ＧａＮ層の成長時間ｔ_Ｗよりも短く設定する。 （もっと読む）

【課題】応力に起因する反りを抑制して、基板の薄型化を可能とし、これにより、良好な共振器端面を有することができる窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザダイオード７０は、基板１上にIII族窒化物半導体積層構造２とを備えている。III族窒化物半導体積層構造２は、発光層１０と、ｎ型半導体層１１と、ｐ型半導体層１２とを備えている。ｎ型半導体層１１は、ｎ型ＡｌＩｎＧａＮコンタクト層１３、ｎ型ＡＩＧａＮクラッド層１４およびｎ型ＧａＮガイド層１５を有している。ｐ型半導体層１２は、ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層１６、ｐ型ＧａＮガイド層１７、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１８およびｐ型ＡｌＩｎＧａＮコンタクト層１９を有している。ｐ型半導体層１２の一部を除去して形成したリッジストライプ２０の両側には、III族窒化物半導体積層構造２中のＡｌを含む層を除去した除去領域５１，５２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】電気的及び光学的閉じ込めを与える、正確に画定され制御される酸化物領域を有するモノリシックで独立してアドレス可能なレーザアレイを開発する。
【解決手段】エッジエミッティングレーザのアレイ１００で、レーザの各々が、基板と、基板上に形成される複数の半導体層と、活性領域を形成する複数の半導体層の一つ又は一つ以上と、活性領域上の半導体層から形成されるウエーブガイド２１４であって、ウエーブガイド２１４が活性領域からの光放射に光学的閉じ込めを与え、ウエーブガイド２１４が溝２１０に形成される自然酸化物層２１２によって画定され、溝２１０が複数の半導体層中に形成され半導体から形成されるウエーブガイド２１４の側面まで下方に延在するウエーブガイド２１４と、アレイ中の隣接するエッジエミッティングレーザに電気的分離も与える自然酸化物２１２層と、活性領域のバイアスを可能にする第一及び第二電極とを含む。 （もっと読む）

【課題】活性層への応力の負荷を最小限に止め、これによってレーザ素子の駆動時の劣化を防止するとともに、応力の緩和に起因して、保護膜の共振器端面への密着性を確保するとともに、レーザ素子自体の性能を向上させることができる窒化物半導体レーザ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】窒化物半導体基板上に、第１窒化物半導体層、活性層、第２窒化物半導体層をこの順に積層した窒化物半導体層を形成し、該窒化物半導体層をエッチングして共振器端面を形成する窒化物半導体レーザ素子の製造方法であって、活性層より前記窒化物半導体基板側の窒化物半導体層の共振器端面に、活性層に対して表面粗さが大きい領域を形成するように、前記窒化物半導体層をエッチングする窒化物半導体レーザ素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体材料、特に、良好な電気伝導率および大きな禁制帯幅を有するドープド半導体材料において、原子の秩序化の結果生じる禁制帯幅の減少のような所望しない効果を排除することができるものを得る。
【解決手段】半導体材料中で自由電荷キャリアを提供する第１のドーパント、例えばシリコンと、該半導体材料中で原子の無秩序化を促進する第２のドーパント、例えばスズあるいはテルルとを含む半導体材料であって、該第２のドーパント濃度が該半導体材料の全体に亘って実質的に均一である。 （もっと読む）

【課題】複数の窒化物半導体層を含む発光素子構造を成長させるために望ましい窒化物半導体厚膜基板を提供し、ひいてはその基板を用いて優れた特性を有する窒化物半導体発光装置を提供する。
【解決手段】複数の窒化物半導体層を含む発光素子構造を成長させるための窒化物半導体厚膜基板であって、基板は対向する第１と第２の主面を有し、基板の第１主面は３×１０¹⁸ｃｍ^-3以上１×１０¹⁹ｃｍ^-3以下の高不純物濃度の第１の層領域で形成されており、基板は３×１０¹⁸ｃｍ^-3以下１×１０¹⁷ｃｍ^-3以上でかつ第１層領域より低い低不純物濃度の第２の層領域をも少なくとも含み、基板の第１主面はその上に前記発光素子構造を成長させるための面であり、発光素子構造の形成後に第１主面の側で部分的に露出される基板の領域が電極を形成するための領域として使用されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発光領域における暗点の形成が抑制された、ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法。
【解決手段】本発明に係るＩＩＩ族窒化物半導体発光素子は、（０００１）面を上面とし、所定の方向に延設された凸部１０１ａを有する第１導電型の（０００１）半導体基板１０１と、凸部１０１ａを覆うように形成された第１導電型の半導体層１０３と、第１導電型の半導体層１０３上に形成された活性層１０５と、凸部１０１ａ上面上に形成された電流狭窄構造１０７と、活性層１０５上に形成された第２導電型の半導体層１０９とを備える。活性層が、凸部１０１ａ上面上に形成された（０００１）面と、凸部１０１ａの側壁に沿って当該（０００１）面から連続して形成され、（０００１）面に対する勾配が９０°未満である一対の第１の側面と、各当該第１の側面に隣接し、（０００１）面に対して垂直な第２の側面とを備える。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、キャリアの閉じ込めを改善するためにデルタドープされた活性領域を有するレーザー構造体を含む。このレーザー構造体は、ｎ型クラッド層、ｎ型クラッド層に隣接して形成されるｎ型導波路層、ｎ型導波路層に隣接して形成される活性領域、活性領域に隣接して形成されるｐ型導波路層、およびｐ型導波路層に隣接して形成されるｐ型クラッド層を含む。レーザー構造体は、ｐ型ドーパント濃度が、活性領域のｎ型側から活性領域を横断して活性領域のｐ型側まで増加し、かつ／またはｎ型ドーパント濃度が、活性領域のｎ型側から活性領域を横断して活性領域のｐ型側まで減少するように構成される。デルタドープされた活性領域は、改善されたキャリアの閉じ込めを提供するとともに、ブロッキング層の必要性をなくし、これによって、ブロッキング層が起こす活性領域に対する応力を減少させる。
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【課題】本発明は、共振器端面上に形成する窒化物誘電体膜の応力を低減し、窒化物誘電体膜の成膜時に生じる共振器端面へのダメージを低減させた、信頼性の高い窒化物半導体レーザを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明による窒化物半導体レーザの製造方法は、窒化物III−Ｖ族半導体を用いた窒化物半導体レーザの製造方法であって、（ａ）窒素ガスからなるプラズマを用いて光出射側共振器端面２０および光反射側共振器端面２３上に窒化物誘電体からなる密着層２１、２４を形成する工程と、（ｂ）密着層２１、２４上に誘電体からなる低反射端面コート膜２２および高反射端面コート膜２５を形成する工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ｐ型ガイド層とｐ型クラッド層との間にＡｌを含む電子ブロック層を配置した構造によって閾値電流密度の低減を図りながら、電子ブロック層に起因する応力を緩和して寿命特性の向上を図ることができる窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザダイオード７０は、基板１と、この基板１上に形成されたIII族窒化物半導体積層構造２とを含む。III族窒化物半導体積層構造２は、ｎ型半導体層１１、発光層１０、およびｐ型半導体層１２を積層して構成されている。ｐ型半導体層１２は、ｐ型ガイド層１６、ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層１７およびｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１８を含む。ｐ型ガイド層１６は、ｐ型ＡｌＧａＮ層およびｐ型ＧａＮ層を交互に複数回繰り返し積層した超格子構造を有している。 （もっと読む）

【課題】六方晶系の非極性面（ａ面、ｍ面）または半極性面で結晶成長させたＡｌＧａＮ混晶と、活性層に用いたＡｌＧａＮ結晶のＡｌＮとＧａＮのモル分率を最適化させ、発光効率を向上させ、低しきい値電流密度化を実現し、深紫外線波長のレーザ光を発生する。
【解決手段】ｍ面基板１０と、ｍ面基板上に配置され，ｎ型不純物をドープされたＡｌＧａＮ層（１２，１４）と、ＡｌＧａＮ層上に配置され，Ａｌ_XＧａ_1-XＮ障壁層とＡｌ_YＧａ_1-YＮ井戸層からなる量子井戸構造を有するＡｌ_XＧａ_1-XＮ/Ａｌ_XＧａ_1-XＮ活性層１６と、Ａｌ_XＧａ_1-XＮ/Ａｌ_XＧａ_1-XＮ活性層上に配置され，ｐ型不純物をドープされたＡｌＧａＮ層（１８，２０）とを備え、ｃ軸が結晶成長の主面の法線方向から４０°〜９０°の範囲内で傾いた面を結晶成長の主面とし、光の電界成分Ｅが主にｃ軸と平行（Ｅ//ｃ）なる偏光特性を示す紫外線窒化物半導体発光素子およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】動作電流が低く、高温出力時においても安定して発振する半導体レーザを提供する。
【解決手段】基板１０と、基板１０上に設けられたｎ型クラッド層１２と、ｎ型クラッド層１２上に設けられた活性層１３と、活性層１３上に設けられたＡｌを含有する化合物であり、電流通路となるストライプ状のリッジ構造を有するｐ型クラッド層１４と、リッジ構造の上面を除くｐ型クラッド層１４の表面に設けられたＡｌを含有する化合物であり、Ａｌの組成比がｐ型クラッド層１４のＡｌの組成比以下である電流ブロック層１６と、電流ブロック層１６上に設けられ、レーザ発振波長に対して光を吸収する光吸収層１７とを備える。 （もっと読む）

【課題】発光効率が十分に向上された窒化物系半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体レーザ素子１の出射面１Ｆは（０００１）面に沿って形成され、後面１Ｂは（０００−１）面に沿って形成される。窒化物系半導体レーザ素子１の出射面１Ｆには、第１の誘電体多層膜２１０が形成されている。第１の誘電体多層膜２１０は、ＡｌＮ膜２１１およびＡｌ_２Ｏ_３膜２１２がこの順で積層された構造を有する。一方、窒化物系半導体レーザ素子１の後面１Ｂには、第２の誘電体多層膜２２０が形成されている。第２の誘電体多層膜２２０は、Ａｌ_２Ｏ_３膜２２１、反射膜２２２およびＡｌＮ膜２２３がこの順で積層された構造を有する。 （もっと読む）

【課題】発光層に印加される歪みを均一化することにより半導体素子の発光特性を向上させることが可能な半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体素子の製造方法は、ｎ型ＧａＮ基板１上の共振器方向（Ａ方向）に互いに隣接する素子形成領域２５に、リッジ部７の端部７ａが劈開線５００ａ上に配置されるように、かつ、リッジ部７が共振器方向（Ａ方向）に連続しないように、リッジ部７を含む半導体素子層８を形成する工程と、半導体素子層８を形成する工程に先立って、ｎ型ＧａＮ基板１の半導体素子層８を形成する領域の周囲を囲むようにエッチングを行うことにより、ｎ型ＧａＮ基板１に溝部１ｄを形成する工程と、劈開線５００ａに沿って、共振器方向に隣接する半導体素子層８が形成された素子形成領域２５を分割する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】有機金属化合物のＩＩＩ族原料とヒドラジン誘導体を含むＶ族原料とを用いた低抵抗なｐ型窒化物系半導体層を含む窒化物系半導体積層構造の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族原料としてのＴＭＧａと、Ｖ族原料としてのヒドラジン誘導体と、ｐ型不純物原料とを用いてＧａＮ基板１２上にｐ型ＧａＮ層１４を成長させる工程を有するＧａＮ積層構造１０の製造方法であって、この工程において、水素化合物としてのアンモニアガスを同時に添加することにより半導体層中にＣとＨの取り込みを実質的に防止し、低抵抗なｐ型層を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、動作電圧を抑制した窒化物半導体発光素子に関し、低い電圧での
利用に適した、窒化物系半導体からなる発光素子を提供する事を目的とする。
【解決手段】p型コンタクト層と、該p型コンタクト層の下層に形成されたp型中間層と、該p型中間層の下層に形成されたp型クラッド層とを備える。該p型コンタクト層はMgがドープされたInAlGaNであり、該p型中間層はMgがドープされた、AlGaNであり、該p型クラッド層はMgがドープされた、AlGaNであり、該p型コンタクト層と該p型中間層間および、該p型中間層と該p型クラッド層間のバンドギャップ差がそれぞれ100meV以下であり、該p型中間層のバンドギャップは、該p型コンタクト層のバンドギャップと該p型クラッド層のバンドギャップの間の値であり、該ｐ型中間層のMg濃度は、該ｐ型クラッド層のMg濃度より低い。 （もっと読む）

【課題】短波長の光を放射又は吸収するよう機能する半導体デバイスを提供する。
【解決手段】半導体光デバイスの主要部に、高純度の酸化モリブデンが提供される。本発明においては、半導体光デバイスの発光領域又は吸収領域に高純度の酸化モリブデンが用いられる。これにより、深紫外波長領域の光を放射又は吸収できる安価な光デバイスが実現される。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥や不純物が極めて少ない高品質な結晶が実現され、高性能かつ高信頼なＩＩＩ族窒化物半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板（GaN基板１０１）と、III族窒化物半導体層（ｎ型ＧａＮ層１０２、ｎ型クラッド層１０４、ｎ型光閉じ込め層１０６）とから構成され、リッジ部１４０が設けられた構造体の上部に、レーザー構造をなす多層膜が積層されている。リッジ部１４０は、（０００１）面を有する頂面と、側面と、頂面と、側面とを結ぶ斜面とにより形成され、側面と斜面とのそれぞれの面方位の組み合わせが、（ａ）側面が｛１−１００｝面、斜面が｛１−１０１｝面または（ｂ）側面が｛１１−２０｝面、斜面が｛１１−２２｝面のいずれかである。リッジ部１４０の斜面及び側面の少なくともいずれか一方に発光領域が形成されている。 （もっと読む）

【課題】レーザ加工に起因する基板表面の付着物を低減して、素子の信頼性等を向上することができる窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ウエハ５は、切断予定ライン７に沿って、レーザ光９による走査を受ける。レーザ光９が走査される位置において、ウエハ５の表面にレーザ光９が集光される。これにより、多光子吸収が生じ、分割ガイド溝３１が形成される。このとき、ウエハ５の材料がデブリとなって周囲に飛び散り、ウエハ５の表面に付着する。そこで、切断予定ライン７に沿って、低エネルギー密度のレーザ光９により、ウエハ５の表面が走査される。ウエハ５の表面のデブリはそのレーザ光９を吸収して昇華し、ウエハ５の表面から排除される。その後、分割ガイド溝３１から、ウエハ５が分割される。 （もっと読む）