【課題】ｐ型III族窒化物半導体の電気特性を向上できるIII族窒化物半導体光素子を提供する。
【解決手段】窒化ガリウム系半導体領域１５及び窒化ガリウム系半導体領域１９は、基板１３の主面１３ａ上に設けられる。窒化ガリウム系半導体領域１９は、ｐ型ドーパントとしてマグネシウムを含むIII族窒化物半導体膜２１を有しており、III族窒化物半導体膜２１は、III族構成元素としてアルミニウムを含む。III族窒化物半導体膜２１の酸素濃度は、１．０×１０^１７ｃｍ^−３以上の範囲にあり、III族窒化物半導体膜２１の酸素濃度は、１．５×１０^１８ｃｍ^−３以下の範囲にある。また、III族窒化物半導体膜２１の水素濃度は１．０×１０^１７ｃｍ^−３以上の範囲にあり、III族窒化物半導体膜２１の水素濃度は１．５×１０^１８ｃｍ^−３以下の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】発光効率の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＮ層を含むｎ型半導体層と、ｎ型半導体層と接続されたｎ側電極と、ｐ型ＧａＮ層と、ｐ型ＧａＮ層と積層されたｐ型ＧａＮコンタクト層と、を含むｐ型半導体層と、ｐ型半導体層に接続されたｐ側電極と、ｎ型半導体層とｐ型半導体層との間に設けられ複数の井戸層を含む発光部と、発光部とｐ型半導体層との間に設けられ、０．００１〜０．０５の第１Ａｌ組成比のＡｌＧａＮを含み０．５〜５ｎｍの厚さの第１層と、第１層とｐ型半導体層との間に設けられ、０．１〜０．２の第２Ａｌ組成比のＡｌＧａＮを含む第２層と、第１層と発光部との間においてｐ型半導体層に最も近いｐ側井戸層に接し、厚さが３〜８ｎｍで、Ｉｎ_ｚ１Ｇａ_１−ｚ１Ｎ（０≦ｚ１＜１）を含み、ｐ型不純物濃度が第１層よりも高い中間層と、を備えた半導体発光素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い高出力レーザを実現する窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施の形態によれば、基板と、基板上のｎ型窒化物半導体層と、ｎ型窒化物半導体層上の窒化物半導体の活性層と、活性層上のｐ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層に形成されるリッジストライプと、リッジストライプの伸長方向に垂直な、ｎ型窒化物半導体層、活性層およびｐ型窒化物半導体層の端面に形成され、活性層よりもバンドギャップの広い端面窒化物半導体層とを有し、端面窒化物半導体層の、少なくともｐ型窒化物半導体層の端面に形成される領域のＭｇの濃度が、５Ｅ１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上５Ｅ１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である半導体発光素子である。 （もっと読む）

【課題】Ｌ−Ｉ特性のキンクレベルが向上し、水平横モードの安定した高出力を得ることのできる半導体レーザを提供する。
【解決手段】基板１１上にｎ型クラッド層１２，ｎ型ガイド層１３，ｉ型ガイド層１４，活性層１５，ｉ型ガイド層１６，電子障壁層１７，ｐ型超格子クラッド層１８およびｐ側コンタクト層１９を有する。基板１１と活性層１５との間のｎ型層のうち、活性層１５側に最も近い層（ｎ型ガイド層１３）の不純物濃度は、活性層１５から遠いｎ型クラッド層１２の不純物濃度よりも高く（３×１０¹⁸ｃｍ^-3以上、１×１０²¹ｃｍ^-3以下）、高濃度領域となっている。 （もっと読む）

【課題】消費電力が低く、コスト低減を図ることができる窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体レーザ素子は、窒化物半導体からなる活性層１２と、活性層１２の上面上に形成されたｐ型クラッド層１４と、ｐ型クラッド層１４の一部に形成されたリッジ部１６と、ｐ型クラッド層１４上における少なくともリッジ部１６の外側の領域に形成された、光吸収作用を有する導電性膜１８とを備えている。そして、リッジ部１６のリッジ幅Ｗが、２μｍ以上６μｍ以下となっている。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ含有率が低いＡｌＧａＮ層やＧａＮ層を用いた超格子歪緩衝層を平坦性良く形成すると共に、該超格子歪緩衝層上に平坦性および結晶性が良好な窒化物半導体層を形成した窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成されたＡｌＮからなるＡｌＮ歪緩衝層と、ＡｌＮ歪緩衝層上に形成された超格子歪緩衝層と、超格子歪緩衝層上に形成された窒化物半導体層とを備える窒化物半導体素子であって、超格子歪緩衝層は、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦０．２５）よりなり、且つ、ｐ型不純物を含む第１の層と、ＡｌＮよりなる第２の層とを交互に積層して超格子構造を形成したものであることを特徴とする、窒化物半導体素子である。 （もっと読む）

【課題】不純物の活性層への拡散を防止可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】レーザダイオードは、ｎ型ＧａＮ基板１上に形成されるｎ型ＧａＮバッファ層２と、その上に形成されるｎ型クラッド層３と、その上に形成されるｎ型ガイド層４と、その上に形成される活性層５と、その上に形成されるｐ型第１ガイド層６と、その上に形成されるオーバーフロー防止層７と、その上に形成される不純物拡散防止層８と、その上に形成されるｐ型ＧａＮ第２ガイド層９と、その上に形成されるｐ型クラッド層１０とを備えている。活性層５に近接してＩｎ_yＧａ_1-yＮからなる不純物拡散防止層８を設けるため、ｐ型クラッド層１０やｐ型第２ガイド層９などの内部に存在するｐ型不純物を不純物拡散防止層８に蓄積でき、ｐ型不純物が活性層５に拡散しなくなる。 （もっと読む）

【課題】再成長層表面に起因する発光層およびｐ型半導体層の不良が生じにくく、かつ、高い出力の得られる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第一有機金属化学気相成長装置において、基板１１上に第一ｎ型半導体層１２ａを積層する第一工程と、第二有機金属化学気相成長装置において、前記第一ｎ型半導体層１２ａ上に前記第一ｎ型半導体層１２ａの再成長層１２ｄと第二ｎ型半導体層１２ｂと発光層１３とｐ型半導体層１４とを順次積層する第二工程とを具備し、前記第二工程において、前記再成長層１２ｄを形成する際の基板温度を、６００℃〜９００℃の範囲とすることを特徴とする半導体発光素子１の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】活性層における電力変換効率を悪化させることなく、かつ電極とキャップ層との接触抵抗を低減可能とする半導体レーザ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１は、互いに対向する第１の面１ａ及び第２の面１ｂを有する第１導電型の半導体基板１と、第１の面１ａの上方に形成された第１導電型のクラッド層４と、クラッド層４上に形成された活性層５と、活性層４上に形成された第２導電型のクラッド層６と、クラッド層６の上方に形成された第２導電型のリッジ１２と、リッジ１２上に形成された第１の電極１４と、第２の面１ｂに形成された第２の電極１５と、を備えている。リッジ１２は、多結晶膜又は結晶粒子の集合体膜であり、かつ第１の電極１４に接続する第２導電型の接触抵抗低減化膜１１を備えている。 （もっと読む）

【課題】蓄積された製造技術、製造ノウハウを活かすことができ、かつ、ｐ型不純物の拡散を抑制できるエピタキシャルウエハ及びエピタキシャルウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャルウエハ１は、半導体基板１０と、半導体基板１０の上方に設けられるｎ型クラッド層２０と、ｎ型クラッド層２０の上方に設けられ、５．０×１０^１５ｃｍ^−３以下の原子濃度のＣと１．０×１０^１６ｃｍ^−３以上１．６×１０^１６ｃｍ^−３以下の原子濃度のＭｇと１．１×１０^１６ｃｍ^−３以上５．０×１０^１８ｃｍ^−３以下の原子濃度のＺｎとを含む活性層４０と、Ｃがドープされた炭素ドープ層６２とアンドープ層６４とＭｇがドープされたマグネシウムドープ層６６とを有するｐ型クラッド層６０と、ｐ型クラッド層６０上に設けられ、Ｚｎを含むｐ型キャップ層７０とを備える。 （もっと読む）

【課題】フォトニック結晶発光素子の耐熱性を向上させ、かつ効率を高める。
【解決手段】フォトニック結晶発光素子１０００は、３次元フォトニック結晶１００を用いている。該フォトニック結晶は、共振器１１０を形成する第１の欠陥、該共振器で発生した光を外部へ取り出す導波路１２０を形成する第２の欠陥および該共振器で発生した熱を外部へ放出する放熱部１３０を形成する第３の欠陥を有する。フォトニック結晶は、共振器の内部に配置された活性部１８０、Ｐ型半導体からなるＰクラッド１５０およびN型半導体からなるNクラッド１６０により構成されている。第３の欠陥の少なくとも一部は半導体で構成されている。共振器と放熱部の光の結合効率が共振器と導波路の光の結合効率よりも低く、かつ活性部から放熱部に伝導して放出される熱が活性部から導波路に伝導して放出される熱よりも多い。 （もっと読む）

【課題】安価に、反りの少ない窒化物半導体を成長することができる窒化物半導体の成長方法を提供する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体の成長方法は、気相成長法により、基板１０上に、窒化物半導体の結晶からなる第１凹凸構造３０を形成し、該第１凹凸構造３０の凸部の上部から窒化物半導体を選択的に成長させることにより、前記第１凹凸構造３０上に、窒化物半導体の結晶からなる第２凹凸構造３２を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】歪が十分に緩和された半導体レーザおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０の上面に複数の帯状の溝部１０Ａが設けられている。複数の溝部１０Ａは、リッジ部２７との対向部分（帯状領域２７Ａ）の両脇に、帯状領域２７Ａに沿って設けられている。各溝部１０Ａの、共振器方向の長さＬ₁は、共振器長をＬ₃としたときに、Ｌ₃／２よりも短くなっている。基板１０の上面には、溝部１０Ａによってリッジ部２７の延在方向から挟まれた領域（溝未形成方形領域１０Ｂ）が存在している。各溝未形成方形領域１０Ｂの、共振器方向の長さＬ₂は、Ｌ₃／３以下となっている。 （もっと読む）

【課題】窓領域形成と、窓領域に対応する半導体層の高抵抗化とを不純物の制御性良く実現した半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる半導体レーザ素子は、半導体基板１１上に形成されたｎ−クラッド層１３、活性層１５、ｐ−クラッド層１７、ｐ−コンタクト層１８、上部電極２０および電流狭窄層１７ａを備えた端面発光型の半導体レーザ素子であって、少なくともレーザ光の出射側端面近傍に非窓領域よりも大きいバンドギャップを持つ窓領域２３を有し、ｐ−コンタクト層１８の窓領域２３のｐ型不純物濃度が、ｐ−コンタクト層１８の非窓領域２４のｐ型不純物濃度よりも２×１０^１７ｃｍ^−３以上低く、電流狭窄層１７ａは、該電流狭窄層１７ａの上下に形成される層の格子定数よりも大きな格子定数を有する。 （もっと読む）

【課題】グレーティングカプラへのレーザ光の結合効率が向上すると共に実装精度も向上させることが可能な面発光レーザ素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体層２０上に光透過性の厚い絶縁膜２８を形成し、この絶縁膜２８から半導体層２０中のｎ型ＤＢＲ層２１に達する円環形状の溝２８Ａを形成する。マスク（レジスト層３４を絶縁膜２８上に形成すると共に溝２８Ａにも充填させ、このレジスト層３４の溝２８Ａの近傍位置に開口３４Ａを設ける。この開口３４Ａからエッチング液を導入し絶縁膜２８を加工することによって、傾斜した光出射面３Ａを有するプリズム３を形成する。これにより素子本体２の光出射面２０Ａに対して垂直な方向よりも傾いたレーザ光を出射する面発光レーザ素子１が得られる。 （もっと読む）

【課題】優れた結晶性を有する窒化物層をその上方に再現性良く形成することができるアルミニウム含有窒化物中間層の製造方法、その窒化物層の製造方法およびその窒化物層を用いた窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＤＣ−ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ方式により電圧を印加するＤＣマグネトロンスパッタ法によるアルミニウム含有窒化物中間層２の積層時に、（ｉ）ターゲットの表面の中心と基板の成長面との間の最短距離を１００ｍｍ以上２５０ｍｍ以下とすること、（ｉｉ）ＤＣマグネトロンスパッタ装置に供給されるガスに窒素ガスを用いること、（ｉｉｉ）基板の成長面に対してターゲットを傾けて配置することの少なくとも１つの条件を採用しているアルミニウム含有窒化物中間層の製造方法、その窒化物層の製造方法およびその窒化物層を用いた窒化物半導体素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ビーム形状を制御することができ、高効率、高出力化が可能となる面発光レーザを提供する。
【解決手段】対向して配置された第１の半導体多層膜反射鏡と第２の半導体多層膜反射鏡との間に、電流注入により利得が生じる複数の活性層を有する利得領域と、前記複数の活性層に注入される電流を狭窄する電流狭窄層と、を有する面発光レーザであって、
前記利得領域は、前記複数の活性層として、少なくとも第１の活性層と第２の活性層とを有し、
前記第１の活性層と第２の活性層が、前記電流狭窄層による電流の狭窄によって生じるこれら活性層の面内方向の電流密度分布の違いに応じた、異なる活性層構造を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、分離電極タイプの窒化物半導体レーザ素子において、可飽和吸収領域のキャリア寿命を短くし、以って良好な自励発振特性を得ること（すなわち容易に自励発振すること）を目的とする。
【解決手段】本発明の窒化物半導体レーザ素子は、基板上に少なくともｎ型窒化物半導体層と活性層とｐ型窒化物半導体層とｐ側電極とｎ側電極と共振器とを含み、該ｐ側電極および該ｎ側電極のうち少なくとも一方は、該共振器の長手方向に対して交差する分割領域によって電気的に２領域以上に分離されており、該活性層の少なくとも一部は、ｐ型の導電型であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ピエゾ電界の影響が抑制されていると共に、高い結晶品質を有するIII族窒化物半導体光素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体光素子１１ａは、ｃ軸方向に延びる基準軸Ｃｘに直交する基準平面Ｓｃに対して有限の角度をなす主面１３ａを有するIII族窒化物半導体基板１３と、III族窒化物半導体基板１３の主面１３ａ上に設けられ、III族窒化物半導体からなる井戸層２８、及び、III族窒化物半導体からなる複数のバリア層２９を含む量子井戸構造の活性層１７とを備え、主面１３ａは、半極性を示し、活性層１７は、１×１０^１７ｃｍ^−３以上８×１０^１７ｃｍ^−３以下の酸素濃度を有しており、複数のバリア層２９は、井戸層２８のIII族窒化物半導体基板側の下部界面２８Ｓｄと接する上部界面近傍領域２９ｕにおいて、酸素以外のｎ型不純物を１×１０^１７ｃｍ^−３以上１×１０^１９ｃｍ^−３以下の濃度で含む。 （もっと読む）

【課題】低抵抗化されたｐ型窒化ガリウム系半導体層を含むIII族窒化物半導体光素子を提供する。
【解決手段】支持体１３の主面１３ａは、基準平面Ｓｃに対して４０度以上１４０度以下の角度ＡＬＰＨＡを成しており、基準平面Ｓｃは該III族窒化物半導体のｃ軸の方向に延びる基準軸Ｃｘに直交する。主面１３ａは半極性及び無極性のいずれか一方を示す。ｎ型ＧａＮ系半導体層１５は支持体１３の主面１３ａ上に設けられる。ｎ型ＧａＮ系半導体層１５、活性層１９及びｐ型ＧａＮ系半導体層１７は法線軸Ｎｘの方向に配列されている。ｐ型ＧａＮ系半導体層１７にはｐ型ドーパントしてマグネシウムが添加されており、ｐ型ＧａＮ系半導体層１７はｐ型ドーパントとして炭素を含む。ｐ型ＧａＮ系半導体層１７の炭素濃度は２×１０^１６ｃｍ^−３以上１×１０^１９ｃｍ^−３以下である。 （もっと読む）