【課題】
高出力化又は短波長化に対応できる端面保護膜を有する半導体レーザ素子を提供することである。
【解決手段】
光共振器端面の少なくとも一方に、誘電体膜を有する半導体レーザ素子であって、前記誘電体膜は、同一元素からなる第１の誘電体膜と第２の誘電体膜とを前記半導体の端面側から順に形成されて成るものであり、前記第１の誘電体膜は単結晶から成る膜を含有しており、前記第２の誘電体膜はアモルファスから成る膜を含有する半導体レーザ素子である。 （もっと読む）

【課題】 新たな構成によるＳＧ−ＤＲ導波路によって、レーザ発振のモード安定化を図ることができる波長可変半導体レーサを提供する。
【解決手段】 半導体レーザ（２００）は、回折格子（２）を有する第１の領域と、第１の領域に連結されかつスペース部となる第２の領域とを備えるセグメントを複数備えた第１回折格子領域（３）を備え、複数の第２の領域のうち少なくとも２つの光学的長さは互いに異なり、各セグメントの屈折率はそれぞれ可変であることを特徴とする。複数の第２の領域のうち少なくとも２つの光学的長さが互いに異なることから、第１回折格子領域における縦モードのピーク反射強度は、波長依存性を有する。それにより、第１回折格子領域における縦モードのピーク反射強度が相対的に大きくなる波長範囲において安定したレーザ発振を実現することが可能である。 （もっと読む）

【課題】 フリーランニング条件下でのパルス光出力の周波数雑音を低減し、クロック再生感度が高い半導体レーザを提供する。
【解決手段】 半導体レーザは、ｎ型ＩｎＰ基板１と、ｎ型ＩｎＰ基板１上に形成されたｎ型ＩｎＰクラッド層２と、ｎ型ＩｎＰクラッド層２上に形成されたＩｎＧａＡｓＰ光導波層３と、前方分布帰還型活性領域１０１と、後方分布帰還型活性領域１０３と、回折格子５を埋め込むように形成されたｐ型ＩｎＰクラッド層４とを備えている。素子駆動条件下における前方分布帰還型活性領域１０１のサイドバンドの反射率Ｒ１の平方根と、後方分布帰還型活性領域のサイドバンドの反射率Ｒ２の平方根との差の絶対値が０．２５以下になるように、前方分布帰還型活性領域１０１および後方分布帰還型活性領域１０３の回折格子５が調整されている。 （もっと読む）

【課題】 外部からの反射戻り光の影響を抑制することができ，モジュールに組み立てた場合にアイソレータを不要として低価格なシステムに対応可能な，半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】 発光領域２００がストライプ状に限定された半導体レーザ１００において；光が出射される前端面３００と，前端面３００の素子側面方向の端部に，少なくとも発光領域２００の上部のクラッド層２３０と下部のクラッド層２１０とに渡って設けられ，前端面３００と光出射の反対方向に角度を成す傾斜面４００と，を備えることを特徴とし，反射戻り光の一部が傾斜面４００で反射されカットできるので，半導体レーザ１００の特性変動を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】ブラッグ回折格子により規定される単一モード発振を広い温度範囲において実現可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】
半導体レーザ１１の端面にはバンドリジェクト型の反射スペクトルを有する反射膜１５がある。ＤＦＢモードにおける発振波長は、動作保証下限温度Ｔ_Ｌにおいて波長λ１で、動作保証上限温度Ｔ_Ｈで波長λ２で発光する波長温度依存性を持つ。半導体レーザ１１の利得ピーク波長は、温度Ｔ_Ｌで波長λ１より短い波長λ３にあり、温度Ｔ_Ｈで波長λ２より長い波長λ４にある。波長λ３での反射膜１５の反射率Ｒ_３が波長λ１での反射膜１５の反射率Ｒ_１より小さい。波長λ４での反射膜１７の反射率Ｒ_４が波長λ２での反射膜１５の反射率Ｒ_２より小さい。波長λ３、λ４における反射膜１５の反射率Ｒ_３、Ｒ_４が波長λ１〜λ２までの波長範囲での反射膜１５の最大反射率Ｒ_ＭＡＸの半分以下である。 （もっと読む）

【課題】雑音が低減されたＧａＮ系レーザ素子を提供する。
【解決手段】発光層を含むＧａＮ系半導体積層構造を含むＧａＮ系レーザ素子において、その半導体積層構造にはストライプ状導波路構造が作り込まれているとともに、そのストライプ状導波路を幅方向に挟むように対向した２つの側面が形成されており、それら２つの側面の少なくとも一部上には幅方向におけるファブリペロー共振器としての作用を抑制するための反射抑制膜が形成されており、その反射抑制膜は波長３９０〜４２０ｎｍの領域で１０％以下の反射率を有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】成膜時のチャージアップによる局所的な膜質変化を防止し、半導体レーザ素子の反射率のばらつきを低減させることができる半導体レーザの製造方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも所定表面領域が酸化し難い導電性材料にて構成された保持部材１１、１４を用いて、共振器端面１７ａが露出した複数の半導体レーザ素子を有するレーザバー１７を、共振器端面と所定表面領域が同じ向きとなるように保持し、共振器端面に所定反射率のコート膜を形成するための成膜装置内に保持部材１１、１４にて保持したレーザバー１７を設置し、共振器端面にコート膜を成膜する半導体レーザ素子の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ポンプレーザが一体に結合された外部共振器型面発光レーザを提供する。
【解決手段】第１波長を有する光を発生させる量子ウェル構造の第１活性層（１２２
と、第１活性層の一の面上に形成された反射層（１２１）と、第１活性層（１２２）の他の面に所定距離離隔されて位置し、第１活性層（１２１）で発生した光の一部を透過させて外部に出力し、残り一部を第１活性層で再吸収されるように反射する外部ミラー（１２４）と、第１波長より短い光ポンピング用の第２波長を有する光を第１活性層（１２２）に提供するために、反射層（１２１）上に一体的に形成されたポンプレーザ（１１０）とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 駆動電流の増加に伴う信頼性の問題を回避することが可能な半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】 活性層および複数のクラッド層を有し、導波方向の出射側の端部が、導波方向に直交しかつ活性層の面と平行な方向と所定の角度をなし活性層に直交する方向と所定の角度をなす２つの先端界面１１１、１１２を有するメサストライプ部１１０と、窓領域１１４、１１５を含むメサストライプ部１１０の周囲の領域に設けられ、電流の流れ込む領域をメサストライプ部１１０に限定する電流ブロック層と、メサストライプ部１１０および電流ブロック層上に設けられた埋め込みクラッド層と、埋め込みクラッド層上に設けられたコンタクト層１０７とを備えた半導体発光素子１００であって、コンタクト層１０７が、窓領域１１４、１１５上の領域を含む所定の領域以外の領域に設けられている構成を有している。 （もっと読む）

【課題】 電気−光変換効率が極めて高いレーザ発振状態を利用しながらも単純で安価な構成を有していてかつレーザ光が外部に漏れない安全な発光素子を提供する。
【解決手段】 発光素子は、電流の注入によって誘導放出光を発生する活性層（１０４）と、互いに対向する一対の反射鏡（１０９、１１０）によって誘導放出光を閉じ込める光共振器を備え、一対の反射鏡のうちの少なくとも一方の反射鏡（１０９）において、誘導放出光を吸収して可視光を放出する蛍光体が含まれていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 電気−光変換効率が極めて高いレーザ発振状態を利用できて単純かつ安価な構成を有しながらレーザ光が外部に漏れない安全な発光素子を提供する。
【解決手段】 発光素子（１００）は活性層（１０５）を挟むクラッド層（１０３、１０９）を含む光共振器構造を備え、電流注入によって光共振器構造においてレーザ発振状態となった誘導放出光を吸収して可視光を発する蛍光体含有層（１１１）が光共振器構造に平行して設けられている。 （もっと読む）

【課題】 発振波長の調整範囲を大きくすることのできる半導体レーザおよび半導体レーザの駆動方法を提供する。
【解決手段】 半導体レーザは、所定の波長域に対して利得を有する半導体利得領域１０２と、半導体利得領域１０２を挟むように配置された第１および第２分布反射鏡１０１、１０３とを備えている。第１分布反射鏡１０１は、複数の反射ピークを一定の波長間隔で生じさせる第１回折格子１０を有しており、第２分布反射鏡１０３は、複数の反射ピークを一定の波長間隔で生じさせる第２回折格子１１を有している。複数の反射ピークのうちいずれか１つの反射ピークと、複数の反射ピークのうちいずれか１つの反射ピークとが重なった波長範囲で多モード発振するように、第１回折格子および第２回折格子が構成されている。 （もっと読む）

【課題】構成部品数を従来よりも増やすことなく、発振波長を変化させる際のモードホッピングを解消し、従来よりも幅広い範囲で、発振波長を変化させること。
【解決手段】活性領域１４と、光導波路１６と、光導波路の光伝播方向に沿う側面を活性領域と対向させて光導波路と活性領域とを光結合する光結合部３０と、光結合部を挟んで活性領域と対向して設けられていて光導波路を含む光偏向部２０と、光導波路に対して、活性領域を挟んで配置されていて、光導波路から入射された光を波長選択された戻り光として光導波路へ帰還させる反射型回折格子１８と、光導波路の、光伝播方向と直交する光出射端面２２に設けられていて、反射型回折格子と相俟って光共振器を構成する反射面２４とを備え、光偏向部は、光導波路から反射型回折格子に向かう光の出射角を変えることによって、反射型回折格子への入射角と光路の長さとを変更することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】チップ間のデバイス特性のばらつきが抑えられ、且つ放熱性を向上させた半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】活性層を有する半導体発光素子であって、共振器前方端面のうち動作時に光を出射する領域には光密度に応じた膜厚の酸化シリコンからなる保護膜３０が形成されている。保護膜３０は、光が出射される領域にのみ選択的、且つ自己形成的に作製されるので、保護膜の電極上部への回り込みが防止される。また、保護膜３０の厚さは調節可能であるので、保護膜３０が形成された共振器前方端面における反射率のチップごとのばらつきを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体レーザ素子の製造方法に関し、特に共振器の両端面に保護膜を有する半導体レーザ素子において、保護膜の膜質によらず、ＣＯＤによる素子劣化が少なく、高出力かつ高信頼性が得られることにある。
【解決手段】 共振器端面１ａ，１ｂを所定の条件下、例えば低イオンエネルギーかつ高イオン電流密度でプラズマ処理することによって、劈開時に発生した共振器端面１ａ，１ｂ部の汚染物質や自然酸化層を除去すると共に、酸化が抑制されるように共振器端面１ａ，１ｂを改質させる。 （もっと読む）

【課題】金属の密着層のようにｐｎ接合のショートおよび光の吸収を抑制するための膜厚制御性を必要とせず、かつ共振器端面と端面コート膜の密着性を向上させる密着層により、信頼性、生産効率の高い窒化物半導体発光素子を提供することである。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層を有した窒化物半導体レーザバー１００の前面側の共振器端面１１３に、六方晶の結晶からなる密着層１１５を積層し、密着層１１５に端面コート膜１１６を積層し、同様に背面側の共振器端面１１４にも六方晶半導体層からなる密着層１１８を積層し、密着層１１８に端面コート膜１１７を積層した構成とする。 （もっと読む）

【課題】 分布帰還型半導体レーザ素子において、発振波長は実効屈折率と回折格子周期で決定されるブラッグ波長であり、温度特性は０.１nm/K程度である。これに対し、量子井戸活性層によって決定される利得波長の温度特性は、約０.４nm/Kである。このレーザ素子を、広温度範囲に適用した場合、ブラッグ波長と利得波長各々の温度特性の差異により、ブラッグ波長ピークが利得波長ピークから外れてしまい、利得は低下して、発振閾値電流増加、光変換効率低下となる。
【解決手段】 活性層領域に井戸幅が等しく、Egの差が１８meV以下で３層以上の量子井戸層を形成する。各量子井戸では、禁制帯幅が異なり、利得スペクトラム１は、広い波長範囲で利得を有する。これは、ブラッグ波長２に対し、広温度範囲における利得の均一性を実現する。 （もっと読む）

【課題】 新規な構造の半導体レーザを用いた新規な半導体レーザジャイロを提供する。
【解決手段】 第１および第２のレーザ光を出射する半導体レーザと光検出器とを備える半導体レーザジャイロである。光検出器は、第１および第２のレーザ光によって干渉縞が形成される位置に配置されている。半導体レーザ１０は、基板１１と、基板１１上に積層された活性層２４と、活性層２４を挟むように配置された第１および第２のクラッド層２２および２６と、活性層２４にキャリアを注入するための電極とを備える。第１のレーザ光は、活性層２４内において多角形の経路上を周回するレーザ光（Ｌ１）の一部が出射されたレーザ光であり、第２のレーザ光は、上記経路上をレーザ光（Ｌ１）とは逆の方向に周回するレーザ光（Ｌ２）の一部が出射されたレーザ光である。クラッド層２２および２６は、活性層２４よりも屈折率が低い材料からなり、厚さが２μｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】 ＣＯＤレベルを高くでき、かつ寿命の長い窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】 窒化物半導体基板の主面上に第１導電型の窒化物半導体層と、Ｉｎを含有する活性層と、第１導電型とは異なる導電型をした第２導電型の窒化物半導体層と、第２導電型の窒化物半導体層にストライプ状のリッジ部とを備えてなる窒化物半導体レーザ素子において、窒化物半導体基板の主面のうち、少なくともリッジの直下に位置する第１の領域は、基準結晶面に対して傾いたオフ面であり、かつ活性層は、Ｉｎを含む井戸層と複数の障壁層を含み、その複数の障壁層のうちの少なくとも１つは、ＧａＮにより構成する。 （もっと読む）

【課題】駆動初期においても有機物の分解が行われ、半導体レーザダイオードの共振器端面に有機物が付着せず、工程の管理を簡略化できる半導体レーザダイオードの構成を提供する。
【解決手段】半導体レーザダイオード２０は支持体２１にマウント部２３が立設され、当該マウント部２３には半導体レーザダイオードチップ１５（図面ではＬＤチップ）がマウントされている。キャップ２４には窓２５が形成されており、半導体レーザダイオードチップ１５で生成されたレーザ光は当該窓２５から外部に放出される。この半導体レーザダイオードチップ１５の光出力側の共振器端面には光学薄膜層１６及び光触媒層１７が形成されている。 （もっと読む）