【課題】 裏面出射型の面発光型半導体レーザを用いた場合に、曲率半径の小さなマイクロレンズなどの光学部を容易に形成することができ、かつへき開処理で個別の光装置に分離する場合に用いられる粘着性を有する保護シートによるマイクロレンズなどの光学部の剥がれが防止される光装置、光装置の製造方法、および光伝達装置を提供する。
【解決手段】 基板１０１の表面側に形成されており、基板１０１の裏面側に光出力面を備えた面発光型半導体レーザ１０９と、面発光型半導体レーザ１０９の光出力面を取り囲むように底部を設けた、基板１０１の裏面側に配置された第１凹状部１１１と、第１凹状部１１１の底部の外周部からなる第１保護部１１５と、第１凹状部１１１の底部に、第１凹状部１１１の側面と接触せぬ位置にある液状の光学部前駆体１２０１に、エネルギーを付加することで硬化させた光学部としての凸レンズ１１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】 反射膜全体の膜厚が薄く、膜剥がれの発生が少なく、より光吸収が少ない反射膜を設けた半導体レーザ提供する。
【解決手段】 高反射膜１２が屈折率の異なる３種類の誘電体膜から構成され、一番低い屈折率ｎ_１を持つ第一の誘電体膜１３の光学膜厚ｎ_１ｄ_１が、半導体レーザ１の発振波長λの１／４の整数倍となる条件を満たし、かつ中間の屈折率ｎ_２を持つ第二の誘電体膜１４と一番高い屈折率ｎ_３を持つ第三の誘電体膜１５との光学膜厚の和ｎ_２ｄ_２＋ｎ_３ｄ_３が、半導体レーザ１の発振波長λの１／４の整数倍となる条件を満たし、第一の誘電体膜１３から順に共振器端面９ｂに形成した構成とする。 （もっと読む）

半導体レーザ素子端面に一括形成できる高反射率の多層膜を有する多波長半導体レーザ装置が提供される。多波長半導体レーザ装置は、互に異なる波長で発振する複数の半導体レーザ素子からなる。複数の半導体レーザ素子はその出射端面及び後側端面の少なくとも一方に成膜された同一積層構造の反射膜を有する。反射膜は、膜厚方向に配置された、半導体レーザ素子のうちの第１半導体レーザ素子で発振された第１波長に対する第１所定反射率を有する第１反射領域と、第１半導体レーザ素子以外の第２半導体レーザ素子で発振された第１波長と異なる第２波長に対する第２所定反射率を有する第２反射領域と、を有する。
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【課題】半導体光素子の端面に設けられるコーティング膜の膜厚の設計自由度を向上することが可能な技術を提供する。
【解決手段】光が伝搬する活性層１ａを含む半導体光素子１の端面１ｂにはコーティング膜６が設けられている。コーティング膜６は、第１層膜４と第２層膜５とが積層された２層構造を有している。そして、コーティング膜６の第１層膜４及び第２層膜５のそれぞれの膜厚は、当該コーティング膜６の振幅反射率の値が虚数となるように決定される。 （もっと読む）

【課題】 高信頼性の半導体レーザ素子を実現できる半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体レーザ構造が形成されたウエハ２０７の主面を電子ビーム４０２でスキャンしてクラックを発生させ、ウエハ２０７をバー状に分割する分割工程（ステップＳ３０４）と、ウエハ２０７の分割により新たに露出したウエハ２０７端面に前面コーティング膜４０６及び後面コーティング膜４０８を形成する端面コーティング工程（ステップＳ３０９、３１１）とを含み、分割工程と端面コーティング工程との間では、分割されたウエハ２０７を非大気中で移動させる。 （もっと読む）

ヘテロ構造は、光ファイバ通信及びデータ伝送システムにおいて、光超高速コンピューティング及びスイッチングシステムにおいて、及び医療機器、レーザ工業機器、周波数逓倍レーザの開発において用いられる、注入レーザ、半導体増幅素子、半導体光増幅器などの半導体注入型発光源の生成のためと、固体及びファイバレーザならびに増幅器のポンピングのために、用いられる。ヘテロ構造、注入レーザ、半導体増幅素子及び半導体光増幅器が提案されているが、それらの本質的な特質は、ヘテロ構造層の位置、組成、屈折率及び厚さの選択と組み合わせて、ヘテロ構造の活性領域及びリークイン領域を現代化し、活性層からの制御可能な発光漏れの形成の過渡領域において、注入レーザ、半導体増幅素子及び半導体光増幅器の効率的な機能を提供することにある。
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【課題】 本発明は、クラックの発生を防止し、窒化物半導体薄膜の膜厚が均一で表面平坦性が良好な成長面を得ることで、諸特性にばらつきが無く、歩留まり良く作製できる窒化物半導体素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明によると、丘表面の法線方向と結晶方位＜０００１＞との間でオフ角を備える基板上に窒化物半導体薄膜を成長させることにより、窒化物半導体薄膜の原料となる原子・分子のマイグレーションなどによる拡散・移動を抑制する、あるいは意図的に促進させ、その結果、表面平坦性が良好な窒化物半導体成長層を形成し、諸特性の良好な窒化物半導体素子を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 ＧａＡｓ基板から活性層へ拡散する原子の数を低減することによって、優れた特性を有する半導体レーザを提供する。
【解決手段】 Ｓｉ−ＧａＡｓ基板１の上には、Ｓｉ−ＧａＡｓバッファ層２、Ｓｉ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３、活性層４、Ｍｇ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５、Ｍｇ−ＡｌＧａＩｎＰＢＤＲ層６およびＺｎ−ＧａＡｓコンタクト層７が、この順に積層されている。Ｓｉ−ＧａＡｓ基板１のキャリア濃度を１×１０^１７ｃｍ^−３以上７×１０^１７ｃｍ^−３以下とすることによって、Ｓｉ−ＧａＡｓ基板１から活性層４へと拡散する原子の数を低減して、活性層４の発光特性に優れた半導体レーザとすることができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は受け基板上に多層を形成する方法を提供することである。
【解決手段】 第２の材料から成る支持基板の表面上に第１の材料層を備えた初期基板を形成する段階であって、第１の材料は第２の材料の蒸発温度よりも高い蒸発温度を有するところの段階と、結合構造を得るために、第１の材料層）を備えた初期基板の表面を受け基板の結合表面に分子付着結合する段階と、前記第２の材料の薄膜を前記第１の材料層上に残すために、初期基板を部分的に除去する段階と、第１の材料層上での選択的停止を伴って、第２の材料薄膜を蒸発する段階であって、該蒸発は第２の材料の蒸発温度より高いか又は等しい温度でかつ第１の材料の蒸発温度より低い温度で実施する蒸発段階と、受け基板に結合された第１の材料層から少なくとも一層を蒸発によって成長させる段階であって、この蒸発と成長段階とは同じ装置において実施するところの成長段階と、を備えた受け基板上に多層を形成する方法。 （もっと読む）

【課題】 クラッド層と活性層との界面で生じるバンドギャップ不連続を低減し
、動作電圧、動作電流の向上を図った半導体レーザ装置を提供することを目的と
する。
【解決手段】 本発明における半導体レーザ装置は、結晶基板と、結晶基板上に
設けられ第一の波長のレーザ光を放出する第一のレーザ素子部と、結晶基板上に
設けられ第一の波長とは異なる第二波長のレーザ光を放出する第二のレーザ素子
部とを有する半導体レーザ装置において、第一のレーザ素子部は、膜厚が０．０
１μｍ以上、０．１μｍ以下であるバルク構造の活性層を有し、第二のレーザ素
子部は、量子井戸層とバリア層との積層構造からなる活性層とを有することを特
徴とする。 （もっと読む）

【課題】より簡素な構造をもって、横方向のＦＦＰ（Ｆａｒ Ｆｉｅｌｄ Ｐａｔｔｅｒｎ）として複数の角度に光強度ピークを示すビーム形態のレーザ光を出射することのできる半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】素子上部に設けられたストライプ形状の電極１３から素子内部の活性層ＡＬへ供給される電流の経路を同電極１３下にて横方向に両側から狭窄する態様で、絶縁膜１２を形成する。そして、その絶縁膜１２の一部として活性層ＡＬの上方で同活性層ＡＬの両端から電流経路を狭窄する両エッジ部分の幅Ｌ２を「１０μｍ」以下に設定する。 （もっと読む）

【課題】 レーザ放射角を小さくすることができる面発光レーザ、面発光レーザの製造方法、デバイス及び電子機器の提供を目的とする。
【解決手段】 面発光レーザ１００の共振器の構成要素となるものであって、レンズ形状を有する半導体からなるレンズ層１１５と、レンズ層１１５の上層に配置されている多層反射膜１１９とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 簡易な機構でホログラムの多重記録を行う、または多重記録されたホログラムを再生することのできるホログラム装置を提供する。
【解決手段】 光発生器１からの光をホログラム４が形成された記録媒体３に入射させて情報を再生するホログラム装置において、光発生器１は基板１０と基板１０上に複数配置された発光部１１、１１とで構成し、発光部１１は単一モードのレーザ光より広い波長帯域幅を有するレーザ光を発振するレーザ発振部からなり、光発生器１と記録媒体３の間には各発光部１１、１１からの複数の光を記録媒体３の略同じ位置に集光する集光手段２を設けてなる。 （もっと読む）

【課題】水平横モードのファー・フィールド・パターンにピーク部分以外の激しい凹凸がなく、従って、安定なＡＰＣ駆動が可能で、しかも、製造コストの増大を抑制可能なリッジ型半導体レーザ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】少なくともＮ型クラッド層１０３、活性層１０４、Ｐ型クラッド層１０５、及び、リッジ部１０７が積層されて形成されると共に、該リッジ部１０７の側面及びＰ型クラッド層１０５の上面が、絶縁膜１０８で覆われたリッジ型半導体レーザ素子１００を、上記絶縁膜１０８として、屈折率が上記Ｐ型クラッド層１０５の屈折率より小さく、且つ、該屈折率と、上記Ｐ型クラッド層１０５の屈折率との差が１以内である絶縁膜を用いて構成する。 （もっと読む）

基板に対して垂直な側壁を備えた複数の半導体フィンガー部材を有する固体発光装置。多量子井戸が側壁上に基板に対して垂直に形成される。各多量子井戸は、フィンガー部材の側壁とフィンガー部材の導電型とは反対の第２半導体部材との間に挟まれる。電圧を受け入れるために、オーミックコンタクトが、フィンガー部材及び第２半導体部材に取り付けられる。装置は、放出された光がＵＶ領域となるようにＧａＮベースである。 （もっと読む）

【課題】
発光デバイスをパワー・モニタと一体化するシステムおよび方法を提供すること。
【解決手段】
自己監視式光源（１１０）を提供する。自己監視式光源（１１０）は、光を生成する光源（１２０）と、生成された光の一部を受け取る光モニタ（１３０）とを含む。光源（１２０）と光モニタ（１３０）は、同じ半導体ダイ（３１０）上に作成される。 （もっと読む）

【課題】 光制御素子や発光素子において光子の横方向への導出入を可能とすること。
【解決手段】 発光素子、光制御素子は、所定の光波長の光共振域を備える微小な光共振器（誘電体領域４）と結合光導波路１０とを一体に備えた構成とし、光共振器に対して結合光導波路を介して所定波長の光子を導入及び／又は導出する。下部電極５を含む基板２上に多層反射層３と誘電体領域４と上部電極６を順に層状に備え、誘電体領域４の少なくとも一つの側部に結合光導波路１０を横方向に一体に備え、誘電体領域４は所定の光波長の光共振域を備える光共振器を形成する光共振器と結合光導波路とを一体形成することによって、光共振器からの光子の横方向への導出、及び光共振器への光子の横方向からの導入を行う。 （もっと読む）

キャビティ内周波数変換を備えたモード同期レーザが開示される。一実施形態では、基本波周波数のパルスと周波数シフトされた周波数のパルスとの間の時間的、空間的、または偏光のオーバーラップを低減させることによって、変換周波数が改善される。 （もっと読む）