【課題】基板が発光波長に対して透明である場合に確認される基板由来の導波モードが関わる発振波長の強度変調を抑制し、優れた光出力直線性と外部共振器との結合特性を示す発光素子を提供すること。
【解決手段】発光波長に対して透明な基板１、該基板上に形成され該基板と同じ導電型を示す第１導電型クラッド層４、および該第１導電型クラッド層上に形成された活性層構造５を有する屈折率導波型の発光素子であって、前記基板と前記第１導電型クラッド層の間に第１導電型低屈折率層３が形成されており、かつ、前記基板の発光波長に対する屈折率ｎ_sub、前記第１導電型クラッド層の発光波長に対する平均屈折率の実数部分ｎ_clad1、および前記第１導電型低屈折率層の発光波長に対する平均屈折率ｎ_LIL1が以下の関係式（式１）を満足することを特徴とする発光素子。 （式１） ｎ_sub ＞ ｎ_clad1 ＞ ｎ_LIL1 （もっと読む）

【課題】単一モードで発振可能な分布帰還型半導体レーザを提供すること。
【解決手段】回折格子に位相シフト部を備える分布帰還型半導体レーザにおいて、位相シフト部の位相シフト量を（８／４０）Λ〜（９／４０）Λ（Λは回折格子間隔の２倍）に設定する。これにより、注入電流が閾値電流レベル時においては主モードがストップバンド中央より短波長側に存在するが、注入電流が駆動電流レベル時においては主モードがストップバンド中央に移動すると共に、サブモードの成長が抑制される。 （もっと読む）

【課題】好ましい誘電体多層膜を端面に備える半導体レーザ装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の製造方法は、基板１１上に、活性層を含む半導体多層膜２０を形成する工程（ｉ）と、半導体多層膜２０をエッチングすることによって、外側に向かって凸の曲面を有するように第１および第２の端面を露出させる工程（ii）と、気相成長法によって第２の端面２４ｂに反射膜１５（誘電体多層膜）を堆積させる工程（iii）とを含む。
工程（iii）は、半導体多層膜２０の上面側を第１の板７１で押さえ、基板１１の裏面側を第２の板７２で押さえた状態であって、且つ第２の端面２４ｂが第１の板７１よりも距離Ｈ（２０μｍ以上）突出した状態で行われる。 （もっと読む）

【課題】垂直共振器型のレーザダイオードにおいて、出射前のレーザ光の進行方向をこのレーザダイオード内において変えるようにすると共に、電極の接触抵抗を低減すること。
【解決手段】第１電極２と、第１面Ｍ１と第１面Ｍ１の反対側にある第２面Ｍ２とを有しており第１面Ｍ１上に第１電極２が設けられた基板４と、第２面Ｍ２上に設けられた第１ＤＢＲ層６と、第１ＤＢＲ層６上に設けられた活性層１２と、活性層１２上に設けられた第２ＤＢＲ層１６と、第２ＤＢＲ層１６上に設けられた第２電極１８とを備えた垂直共振器型のレーザダイオード１であって、基板４の第１面Ｍ１は、基板４内を進むレーザダイオード１内で生成されたレーザ光を受ける平面状の傾斜面Ｅを有しており、傾斜面Ｅは、レーザ光が傾斜面Ｅにおいて反射された後に基板４の端面に向かって進行するように、レーザ光の進行方向に対し傾いている。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ素子の発光端面や反対端面上に形成される誘電体膜の剥離を防止でき、かつ、生産性に優れる半導体レーザ素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる半導体レーザ素子は、半導体基板１と、半導体基板１の内部に形成された活性層と、半導体基板１の相対向する２つの電極面上に形成された電極と、半導体基板１の発光端面３上に形成された誘電体膜５とを備えた半導体レーザ素子である。半導体基板１の活性層から遠い方の電極面は全体に平坦であり、誘電体膜５を形成する際、誘電体膜５の電極面側への回り込み長を制限する構造が電極面上に形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザにおいて、端面とコーティング膜の信頼性を向上させる。
【解決手段】レーザ光を出射する第１の端面（前端面）８と、第２の端面（後端面）９を有する半導体レーザにおいて、第１の端面８に、単層の誘電体膜からなる第１のコーティング膜８ａが設けられている。このとき、レーザ光の発振波長をλ、誘電体膜の屈折率をｎとすると、第１のコーティング膜８ａの膜厚がλ／４ｎの５〜５０％の範囲となるようにする。これにより、素子の信頼性を向上させ、長寿命の半導体レーザを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】レーザ素子ウエハバーとスペーサを交互に薄膜処理ホルダに整列作業または分離作業がの作業時間が短縮されるレーザ素子ウエハバーの整列・分離装置を構成する。
【解決手段】レーザ素子ウエハバーとスペーサを整列する薄膜処理ホルダと、スペーサを配置するスペーサトレイと、レーザ素子ウエハバーを配置するウエハバートレイと、薄膜処理ホルダ、スペーサトレイ及びウエハバートレイを配置する作業テーブルと、スペーサ吸着口、ウエハバー吸着口を備え、スペーサ吸着口およびウエハバー吸着口の背後にはそれぞれ独立した吸着空間を有し、それぞれの吸着空間はレーザ素子ウエハバーまたはスペーサの吸着時に個別に減圧状態とし、切り放し時には減圧状態を個別に解消するように制御する吸着制御手段を有した吸着コレットとを備え、スペーサは、吸着コレットのウエハバー吸着口に対向する位置に開口部を設けた形状に形成した。 （もっと読む）

【課題】リア端面の破壊を抑制してサージ耐圧を改善することができる半導体レーザおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１端面１０Ｆと第２端面１０Ｒとの間にレーザ共振器１０を構成する。光が出射される第１端面１０Ｆとは反対側の、第２端面１０Ｒの側に光吸収抑制領域４０を設ける。光吸収抑制領域４０は、活性層で発生した光が第２端面１０Ｒの第２反射鏡膜３０Ｒを構成するａ−Ｓｉに吸収されるのを抑えるためのものであり、ホウ素（Ｂ），ケイ素（Ｓｉ）または亜鉛（Ｚｎ）などの不純物添加領域である。中でもホウ素（Ｂ）が好ましい。第２反射鏡膜３０Ｒを、活性層で発生した光に対して吸収のあるａ−Ｓｉにより構成した場合にも、光吸収の影響が緩和されて第２端面１０Ｒの破壊が抑制される。 （もっと読む）

【課題】簡易な製造方法を用いて、レーザ光の偏光を安定化させることの可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板１０上に、下部ＤＢＲ層１１、キャビティ層１２および上部ＤＢＲ層１３をこの順に積層して構成される。上部ＤＢＲ層１３は、第１上部ＤＢＲ層１９、傾斜面２０Ａを有する傾斜層２０、平坦化層２１および第２上部ＤＢＲ層をキャビティ層１２側からこの順に積層されたものである。傾斜面２０Ａは垂直共振器の共振作用との関係で偏光依存性を持っており、ｐ波の共振作用に貢献していることから、垂直共振器を構成する要素の１つとなっている。 （もっと読む）

【目的】 上下より電極を取り出せる構造を有する窒化物半導体素子素子を提供する。
【構成】 基板の上に活性層を含む窒化物半導体層を成長させた後、最上層の窒化物半導体層の表面に溝を形成し、その溝より窒化物半導体を劈開し、劈開された窒化物半導体層の劈開面は【外１】乃至【外６】面の内のいずれか一種類に相当する面であり、該劈開面は、レーザ素子の少なくとも一方の共振面とする窒化物半導体レーザ素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】２次元分布帰還効果と面発光特性について独立に制御して最適化することができる２次元フォトニック結晶面発光レーザを提供すること。
【解決手段】キャリアの注入により発光する活性層の近傍に形成した媒質層に該媒質層とは屈折率が異なる媒質部を周期的に配列して２次元フォトニック結晶を形成した２次元フォトニック結晶面発光レーザであって、前記２次元フォトニック結晶は、前記活性層をコアとして伝搬する光が２次元的に分布帰還するように構成された分布帰還制御フォトニック結晶と、前記伝搬光が面発光するように構成された面発光制御フォトニック結晶とが重畳されたものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ素子の端面に形成された誘電体層の変質に起因する出力の低下および信頼性の低下を抑制することが可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体レーザ装置素子２０は、光出射面５ａに形成されたＳｉＯ_２からなる誘電体層５ｂを有する窒化物系半導体レーザ素子５と、窒化物系半導体レーザ素子５が気密封止されるパッケージ部１とを備えている。また、パッケージ部１内の雰囲気は、水分濃度５０００ｐｐｍ以下の酸素含有雰囲気である。 （もっと読む）

【課題】レーザ素子のショートを防止することが可能な半導体レーザ装置、半導体レーザチップ、および半導体レーザ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】レーザ素子９が設けられた半導体レーザチップ７と、マウント材を介して当該半導体レーザチップが搭載された基台とを備えた半導体レーザ装置において、半導体レーザチップ７は、レーザ素子９における共振器端面となるフロント面７ａおよびリア面７ｂと、これらのフロント面７ａおよびリア面７ｂと共に半導体レーザチップ７の分割された側壁を構成する両側のペレタイズ面７ｃ，７ｄとが、反射膜１１，１３で覆われている。反射膜１１，１３は、共振器端面７ａ，７ｂとペレタイズ面７ｃ，７ｄとで連続した膜として設けられている。また共振器端面７ａ，７ｂに対してペレタイズ面７ｃ，７ｄが斜めの角度を成している。 （もっと読む）

【課題】十分な初期特性を有する半導体レーザ素子であって、高出力レーザ発振において、放熱性のよい膜構造を有し、出射端面の光学損傷レベルを下げることなく、長期にわたり安定して高出力レーザ発振を可能とする半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体基板上に活性層を有し、半導体基板両端に互いに向かい合う共振器を有し、共振器端面に酸化物で形成された第１の誘電膜、酸窒化物で形成された第２の誘電膜が順次積層された構造を備える半導体レーザ素子。 （もっと読む）

【課題】本来は非発光性である間接半導体を用いて効率よく発光する半導体発光材料を提供する。
【解決手段】構成原子が四面体結合構造をなして結合している母体半導体と、前記母体半導体の格子点サイトの構成原子と置換される不純物原子Ｓと、前記母体半導体の格子間サイトに挿入される不純物原子Ｉとを含み、前記不純物原子Ｓと前記不純物原子Ｉとの間の電荷移動により、前記不純物原子Ｓが前記母体半導体の構成原子と一致した電荷を持ち前記不純物原子Ｉが閉殻構造の電子配置をとった状態で結合している半導体物質からなり、前記半導体物質が前記四面体結合の結合方向に伸長されていることを特徴とする半導体発光材料。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性が良く、且つ、簡易に作製することができる面発光レーザモジュールを提供することにある。
【解決手段】ＩｎＰ基板１上にＩｎＰと格子整合する半導体分布反射鏡層２からなる第一反射鏡と、光通信波長帯に発振波長を有し、メサ状に加工された多重量子井戸活性層３と、ＩｎＰと格子整合する半導体分布反射鏡層４、および誘電体分布反射鏡層１３から構成された第二反射鏡と、多重量子井戸活性層３の周囲に形成されたＦｅ−ＩｎＰ層６からなる埋め込み層とを有し、該第一反射鏡側からレーザ光が出射する面発光レーザモジュール３０であって、前記第二反射鏡側をヒートシンク１５上に配置させたことにより、多重量子井戸活性層３がヒートシンク１５に近接し、多重量子井戸活性層３にて生じた熱をヒートシンク１５に伝わり易くして、前記熱を効率良く除去するようにした。 （もっと読む）

【課題】１次以上の高次の水平横モードを含むレーザ光を出射する半導体レーザ素子において、活性層の水平方向における光分布を安定化する。
【解決手段】本発明の半導体レーザ素子は、上クラッド層と、下クラッド層と、上クラッド層および下クラッド層との間に活性層と、ストライプ状の電流狭窄構造とを基板上に備え、ストライプの長手方向に直交する一対の端面反射鏡を有し、１次以上の高次の水平横モードでレーザ発振を生じる半導体レーザ素子であって、半導体レーザ素子内部におけるレーザ光が存在する領域に、ストライプの長手方向と直交する方向であって、基板と平行な方向での屈折率が変動する構造を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】内部の結晶欠陥が低減されるとともに応力の緩和された窒化物半導体レーザ素子に適した窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】窒化物半導体を含む窒化物半導体基板には、以下の（１）の転位集中領域、および（２）の低転位領域が含まれている。その上、かかる窒化物半導体基板の表面は、（０００１）面から０．２°〜１°の範囲のオフ角度を有している。
（１）ストライプ状の高密度の欠陥領域を底とするとともに、その底の両側にファセッ ト面から成る斜面を形成することでＶ字型とし、そのファセット面の斜面を維持 させながら成長させることにより、その斜面の下部に結晶欠陥を集中させること で、ストライプ状になり、さらに、種々の状態になっている転位集中領域
（２）転位集中領域を除く領域である低転位領域 （もっと読む）

【課題】金属の密着層のようにｐｎ接合のショートおよび光の吸収を抑制するための膜厚制御性を必要とせず、かつ共振器端面と端面コート膜の酸素を端面部分から分離する分離層を形成することにより、端面の酸化を防ぎ信頼性、生産効率の高い窒化物半導体発光素子を提供することである。
【解決手段】ＩＩＩ‐Ｖ族窒化物半導体層を有した窒化物半導体レーザバー１００の前面側の共振器端面１１３に、窒化アルミニウムからなる分離層１１５を積層し、分離層１１５に酸化アルミニウムからなる端面コート膜１１６を積層し、同様に背面側の共振器端面１１４にも窒化アルミニウムからなる分離層１１８を積層し、分離層１１８に酸化アルミニウム／ＴｉＯ₂の多層膜からなる端面コート膜１１７を積層した構成とする。 （もっと読む）

【課題】エンドポンピング垂直外部共振型の表面発光レーザーを提供する。
【解決手段】透明基板、透明基板の一の面側にポンピングビームを照射するように設置される光学ポンプ、透明基板の他面上に第１光透過性絶縁物質から形成されるものであり、ポンピングビームの入射損失を減らす第１非反射コーティング層、第１非反射コーティング層上に形成された分散ブラッグ反射器層、分散ブラッグ反射器層上に形成された周期的な利得層、及び周期的な利得層に対向して設置される外部共振ミラーを備える。 （もっと読む）