【課題】簡便な製造工程を実現しながら、プロセスの安定化を図り、信頼性を向上させた半導体素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１０上に、活性層１２を含み、表面にストライプ状のリッジ１４が形成された半導体層２０と、リッジ１４上に形成された電極１５とを備えてなる半導体素子であって、電極１５は、半導体層２０とリッジ１４上面のみで接触し、かつリッジ１４上面よりも幅広であり、リッジ１４側面から電極１５上面に至り、リッジ１４上面に開口部を有する保護膜１６が形成されてなる半導体素子。 （もっと読む）

【課題】光短パルスの発振スペクトル幅及び時間波形を安定的に外部制御可能な半導体パルスレーザを提供する。
【解決手段】本発明の半導体パルスレーザは、所定の波長域に対して利得を有する利得領域１３と、利得領域１３と光学的に結合した第１反射鏡領域１１及び反射鏡領域１２と、を備え、第１反射鏡領域１１は、第１反射スペクトルを生じさせる第１回折格子２１を有し、第２反射鏡領域１２は、第２反射スペクトルを生じさせる第２回折格子２２を有し、第１反射スペクトルと第２反射スペクトルが重なった波長範囲で多モード発振するように、第１回折格子２１と第２回折格子２２が構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高出力の半導体光増幅素子を提供すること。
【解決手段】半導体からなる受動コア領域と、前記受動コア領域の両側に位置し、前記受動コア領域よりも屈折率が低い半導体活性層からなる能動クラッド領域と、を有する光増幅導波層を備え、前記光増幅導波層において光を増幅しながら導波する。好ましくは、前記光増幅導波層は、化合物半導体からなり、化合物半導体からなる基板上に、バットジョイント成長方法を用いて前記受動コア領域と前記能動クラッド領域とをモノリシックに集積して形成したものである。 （もっと読む）

【課題】結晶性の低下や製造工程の煩雑さを生じさせることなく、低抵抗を実現できる半導体レーザ構造を提供すること。
【解決手段】（ａ）ｎ型クラッド層２、（ｂ）発光層１７、及び（ｃ）ｐ型クラッド層６を積層して成るレーザ構造単位１５を複数備えるとともに、前記レーザ構造単位１５の間に設けられたトンネル接合層７を備え、前記トンネル接合層７は、Ｚｎをドーパントとして含むｐ型導電型層７ａ、及び６族元素をドーパントとして含むｎ型導電型層７ｂから構成されることを特徴とする半導体レーザ構造１４。 （もっと読む）

【課題】複数の膜のトータル膜厚がλ／４とは異なる値の場合においても、無反射膜の設計の自由度を向上させることができる半導体光素子装置を提供する。
【解決手段】無反射膜を、それぞれ屈折率が１よりも大きな値を有する複数の膜であって、半導体光素子の実効屈折率の平方根の値よりも高い値の屈折率を有する高反射率膜（第１の膜７、第３の膜９、第５の膜１１）と、半導体レーザ３１の実効屈折率の平方根の値よりも低い値の屈折率を有する低屈折率膜（第２の膜８、第４の膜１０、第６の膜１２、第７の膜１３）とを用いて構成された複数の膜により構成する。この複数の膜は、複数の膜それぞれが単一の組成からなるとともに、複数の膜の組成の種類が３以上であり、かつ、全体として振幅反射率の実部と虚部とがともにゼロとなるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】光の放射損失を抑制した波長可変光源を提供する。
【解決手段】光増幅器と、光導波路およびその両端に設けられた光共振器ミラーを含む複数の導波路型光共振器と、光導波路の途中に設けられ、導波路型光共振器に対して光を入出力する光共振器タップ構造と、を有し、光増幅器と複数の導波路型光共振器のそれぞれとが光共振器タップ構造を介して光学的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】歩留まりを改善し、安定した品質のレーザ素子を効率的に製造することができる窒化物半導体レーザ素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の窒化物半導体レーザ素子の製造方法は、基板上に、積層半導体を有する半導体レーザ素子の製造方法であって、前記基板上に積層半導体を形成する工程と、前記積層半導体の表面におけるレーザ素子形成領域の共振器方向に、該共振器の端面側から第１領域と、該第１領域よりも深さが深い第２領域と、前記第１領域よりも深さが浅い第３領域と、を順に有する補助溝を形成する工程と、前記補助溝を利用して基板及び積層半導体を分割する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】
プロセス後の光半導体装置の偏波特性の予測を可能とする、半導体積層構造の非破壊的な評価方法及び光半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】
半導体基板の上に形成された、活性層となる第１の半導体層と、前記第１の半導体層の上に形成された、クラッド層となる第２の半導体層とを備えた半導体積層構造に、ｓ偏光した第１の光を異なった第１の入射角から順次入射させて第１の発光波長を測定し、更に、前記半導体積層構造に、ｐ偏光した第２の光を異なった第２の入射角から順次入射させて第２の発光波長を測定する第１の工程と、前記第１の入射角に対する前記第１の波長の関係と、前記第２の入射角に対する前記第２の波長の関係に基づいて、前記第１の半導体層を活性層として形成される光半導体装置の偏波依存性を予測する第２の工程とを具備すること。 （もっと読む）

半導体構造体は、基板（１２）と、基板（１２）の上面を覆うシード層（１６）と、シード層（１６）を覆って配置される半導体層（２０）と、半導体層（２０）中のトランジスタデバイス（２２、２４）とを備え、基板（１２）はその中に開口部（４２）を備え、該開口部（４２）は基板（１２）の底面から延在して、シード層（１６）の底面で終端し、光電気構造体（４４）はシード層（１６）の底面上に配置される。 （もっと読む）

【課題】高次横モードの発振を制御しつつ，偏光方向が安定している面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 基板１０１上にバッファ層１０２、下部半導体ＤＢＲ１０３、下部スペーサ層１０４、活性層１０５、上部スペーサ層１０６、上部半導体ＤＢＲ１０７、コンタクト層１０９が積層されている。そして、レーザ光が射出される射出面上に、射出領域を取り囲んで設けられたｐ側の電極１１３と、基板１０１側に設けられたｎ側の電極１１４とを有している。また、射出領域内で、該射出領域の中心部から外れた部分に設けられた２つの小領域（第１の小領域、第２の小領域）には、各小領域の反射率を射出領域の中心部の反射率よりも低くする透明な誘電体膜である透明層１１１Ａ及び透明層１１１Ｂが「発振波長／４」の光学的厚さで設けられている。 （もっと読む）

【課題】ビーム並行度が良好で集光性の高いレーザビームが一体化された発光素子を提供する。
【解決手段】凸面からレーザ光を出射させ、レーザ光の光軸が通過する第1レンズ１１４を備えた水平共振器面発光構造を備えたレーザ素子と、前記第1レンズ１１４を通過したレーザ光が通過する第２レンズ１１９とを備え、前記第２レンズ１１９を設けた面に対向する面と該第１のレンズ１１４を設けた面がレーザ光に対し透明な第１接着部材１２０により接着されていることを特徴とする光モジュール。 （もっと読む）

【課題】発光素子及び光結合モジュールを提供する。
【解決手段】前記素子は、基板と、前記基板に備えられた発光部と、前記基板の下部面に備えられた反射部とを含む。前記発光部は、前記基板上に配置されたアクティブパターンと、前記アクティブパターンの上部に備えられた上部鏡と、前記アクティブパターンの下部に備えられた下部鏡とを含む。前記発光部は、基板に垂直な光を放射することができ、前記反射部は、前記放射光を前記基板の側面に反射することができる。 （もっと読む）

【課題】光学損傷（ＣＯＤ）の発生を抑制する半導体レーザ及びその製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明の半導体レーザ装置は、光出射端面である第１端面８と、第１端面８とは反対側の第２端面９とを有する半導体レーザ装置であり、第１端面８と第２端面９のうち、少なくとも一方の端面に、窒化膜１０と、酸素及び窒素を含有しない、半導体又は絶縁体からなる分離膜１１と、低反射膜１２（高反射膜１３）と、が端面側から順に形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＤレベルの向上及び窒化物半導体発光装置の高出力動作時の長期信頼性を得られるようにする。
【解決手段】窒化物半導体発光装置は、発光層を含む複数の窒化物半導体層からなり、互いに対向する共振器端面を有する積層構造体４０と、共振器端面３０の少なくとも一方に形成された誘電体からなる複数の保護膜とを備えている。複数の保護膜のうち共振器端面３０と接する第１の保護膜３１は、酸素を含まない材料からなり、第１の保護膜３１における共振器端面３０と反対側の面上に形成された第２の保護膜３２は、第１の保護膜３１よりも結晶化温度が低いアルミニウムを含む材料からなり、第２の保護膜における第１の保護膜と反対側の面上に形成され、表面が露出する第３の保護膜３３は、第２の保護膜よりも結晶化温度が高い材料からなる。 （もっと読む）

導波路領域（２）を有する半導体ボディ（１）を備えている端面発光型半導体レーザを開示する。導波路領域（２）は、下部被覆層（３ａ）と、下部導波路層（４ａ）と、レーザ放射を発生させる活性層（５）と、上部導波路層（４ｂ）と、上部被覆層（３ｂ）と、を備えている。導波路領域（２）は、さらに、少なくとも１つの構造化されたレーザ放射拡散領域（６）を備えており、この領域においては、レーザ放射の基本横モードに、高次レーザモードの放射よりも小さい拡散損失が生じる。 （もっと読む）

【課題】広帯域な波長帯域を有し且つ短波長側の光の再吸収損失を抑制することができる半導体光増幅器及び波長可変光源装置を提供する。
【解決手段】半導体光増幅器３０のＩｎＧａＡｓ歪量子井戸活性層１６は、２つの光導波路１６Ａ、１６Ｂ、入力された光を光導波路１６Ａ、１６Ｂに分波する分波部１６Ｃ、光導波路１６Ａ、１６Ｂからの光を合波する合波部１６Ｄを含む。２つの光導波路１６Ａ、１６Ｂは、一方の光導波路が、短波側の予め定めた第１の中心波長に対して利得を有するように形成され、他方の光導波路が第１の中心波長と異なる長波側の予め定めた第２の中心波長に対して利得を有するように形成される。 （もっと読む）

【課題】選択成長において、露出しているコア層の端面の酸化を抑制し、選択成長前にハリゲン系ガスを用いる必要をなくし、端面の酸化に起因する異常成長を抑制する。
【解決手段】半導体基板の上に、Ａｌを含まない化合物半導体からなる第１のコア層２０を形成する。半導体基板の上に形成すべき導波路の導波方向に関する一部分である第１の領域Ａ１に接する第２の領域Ａ２の第１のコア層を除去し、第１の領域と第２の領域との境界に第１のコア層の端面を露出させる。第１のコア層が除去された第２の領域に、Ａｌを含む化合物半導体からなる第２のコア層３０を形成する。第１の領域を基準として第２の領域とは反対側に配置され、第１の領域に接する第３の領域Ａ３内の第１のコア層を除去し、第１の領域と第３の領域との境界に第１のコア層の端面を露出させる。第１のコア層が除去された第３の領域に、Ａｌを含む化合物半導体からなる第３のコア層３５を形成する。 （もっと読む）

【課題】 実際の使用環境に近い条件で半導体レーザ装置の特性評価を行うことが可能なレーザ装置を提供する。
【解決手段】 光共振器を画定する２つの反射面を有する発振波長λ［ｎｍ］、実効屈折率ｎ₀のレーザ媒質の少なくとも１つの反射面上に、酸化シリコンからなる厚さｄ₁［ｎｍ］の第１の層が形成されている。第１の層の表面上に、屈折率ｎ_Siのシリコンからなる厚さｄ₂［ｎｍ］の第２の層が形成されている。第２の層の表面上に、酸化シリコンからなる厚さｄ₃［ｎｍ］の第３の層が形成されている。実効屈折率ｎ₀が３．１８以上３．２８以下であり、膜厚ｄ₁が、（０．１１−９．２×１０^-3Ｒ＋２．２×１０^-4Ｒ²）λ／１．４５±１５の範囲内であり、膜厚ｄ₂が、（−８．７×１０^-3＋３．５×１０^-3Ｒ−１．２×１０^-5Ｒ²）×（−３．６＋１７／ｎ_Si）λ±１５の範囲内であり、膜厚ｄ₃が、（０．２３−４．９×１０^-3Ｒ＋７．７×１０^-5Ｒ²）λ／１．４５±１５の範囲内であり、上式中のＲ［％］が１５以上３０以下である。 （もっと読む）

【課題】高出力の半導体レーザ素子においても、共振器端面での発熱を最小限にとどめて、ＣＯＤレベルを向上させることができるとともに、良好なＦＦＰを得ることができ、信頼性が高く、長寿命の半導体レーザ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】第１導電型半導体層、活性層５及び第２導電型半導体層からなり、共振器を備えた積層体と、前記第２導電型半導体層上に接触して設けられたストライプ状の導電層１１と、前記第２導電型半導体層上に接触し、前記導電層１１の延長線上に配置され、前記導電層１１の屈折率以下の屈折率を有する第１埋込層１０とを有する半導体レーザ素子。 （もっと読む）

【課題】高出力長時間駆動時の共振器端面における端面保護膜の膜剥がれを抑制でき、ＣＯＤ耐性の高い、高出力かつ長寿命の窒化物半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】活性層５の端面からレーザ光を出射する半導体レーザであって、レーザ光が出射される端面上に設けられるとともに、単層または多層の誘電体膜からなる保護膜２０を備える。保護膜２０中の水素濃度分布は略平坦である。活性層５は、Ｇａを構成元素として含むIII族窒化物半導体からなる。保護膜２０は、少なくとも活性層５の端面と直接接する第一保護膜２１と、第一保護膜２１に接する第二保護膜２２とからなる。第二保護膜２２の水素濃度に対する第一保護膜２１の水素濃度の比は、０．５以上かつ２以下である。 （もっと読む）