【課題】物性値に大きく依らずに、横方向の光閉じ込め性を規定することの可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板１０上に、下部クラッド層２１、活性層２２、上部クラッド層２３およびコンタクト層２４がこの順に形成されており、上部クラッド層２３の上部およびコンタクト層２４が帯状のリッジ導波路２５となっている。リッジ導波路２５の両側面に、第１薄膜３１および第２薄膜３２をリッジ導波路２５の側面側から順に積層してなる多層反射膜３０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体レーザ装置を高出力動作時の長期信頼性を得られるようにする。
【解決手段】窒化物半導体レーザ装置は、発光層である多重量子井戸活性層１６を含む複数の窒化物半導体層からなり、互いに対向する出射端面１００ａ及び反射端面１００ｂを有する積層構造体１００と、各端面に形成された誘電体からなる複数の保護膜とを有している。複数の保護膜のうち、反射端面１００ａと接する第１の保護膜４０は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）からなり、第１の保護膜４０における反射端面１００ａと反対側の面上に形成された第２の保護膜４２は、二酸化シリコン（ＳｉＯ_２）からなり、第２の保護膜４２における第１の保護膜４０と反対側の面上に形成された第３の保護膜４４は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）からなる。 （もっと読む）

【課題】誘電体膜の剥離を抑制できる光半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体光増幅器（光半導体素子）１は、基板２と、半導体積層部３と、ｐ側電極５と、ｎ側電極６と、一対の反射防止膜（請求項の誘電体膜に相当）７、８とを備えている。半導体積層部３には、ｎ型クラッド層１１と、活性層１２と、ｐ型クラッド層１３と、ｐ型コンタクト層１４とが基板２側から順に積層されている。半導体積層部３には、ストライプ部４が形成されている。半導体積層部３のストライプ部４の延長線上には、凹部２１、２２が形成されている。ストライプ部４の端面と対向する凹部２１、２２の面２１ａ、２２ａには、誘電体膜が積層された反射防止膜７、８が形成されている。凹部２１、２２は、ｎ型クラッド層１１まで達し、且つ、光の進行方向の外側が開口されている。 （もっと読む）

【目的】マルチ縦モードのレーザ光を出射することができる，新しい構造を持つ半導体レーザを提供する。
【構成】半導体基板11上の光軸方向に，発光領域10Ａと反射領域10Ｂとが直列に形成されている。発光領域10Ａには前記光軸方向に延びる活性層13ａが形成されている。他方，反射領域10Ｂには，活性層13の延長上に，前記活性層13と同一材料からなる複数のブロック体13Ａが互いに離間して周期的に形成されている。複数のブロック体13Ａは，その周囲が前記ブロック体13Ａの屈折率よりも低い屈折率を持つ上部クラッド層14，下部クラッド層12等によって取巻かれている。 （もっと読む）

【課題】広帯域で且つ寿命特性に優れた多重量子井戸構造の半導体発光素子及び波長可変光源装置を提供する。
【解決手段】半導体発光素子２０は、ｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型ＧａＡｓバッファ層２等の複数の層が形成され、さらに発光ピーク波長が異なる二つのＩｎＧａＡｓ量子井戸層５Ａ、５Ｂを含むＩｎＧａＡｓ多重量子井戸活性層５が形成されている。そして、二つのＩｎＧａＡｓ量子井戸層５Ａ、５Ｂの発光ピーク波長の差が５０ｎｍ以上で且つ１２０ｎｍ以下となっている。 （もっと読む）

【課題】スペックルノイズを低減でき、かつ高出力である新規な発光装置を提供する。

【解決手段】本発明に係る発光装置１００は，第１、第２クラッド層と、活性層と、を含み、活性層の少なくとも一部は複数の利得領域を構成し、活性層の第１側面１０７の反射率は第１側面に平行な第２側面１０９の反射率より高く、複数の利得領域の各々は第１側面の垂線Ｐ１に対して傾いた方向に向かって設けられ、複数の利得領域は少なくとも１つの利得領域対１８３，１８５を成し、利得領域対の一方の第１利得領域１８０は一の方向に向かって設けられ、他方の第２利得領域１８２は他の方向に向かって設けられ、第１利得領域の第１側面側端面と第２利得領域の第１側面側端面とは重なり、利得領域対は複数配列されており、複数の利得領域対の少なくとも２つにおいて，隣り合う利得領域対の一方の第１利得領域の第２側面側端面と他方の第２利得領域の第２側面側端面とは重なる。 （もっと読む）

【課題】所望の反射特性を有する端面コーティング膜を効率良く形成することができる半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子の製造方法では、発振波長が異なる複数のサンプル１に同一の反射防止膜１１を成膜することにより、製品となる半導体レーザ素子に形成した反射防止膜の反射率を直接測定する従来の場合とは異なり、数十ｎｍにわたる広い波長範囲において反射防止膜１１の波長依存性を求めることが可能となる。したがって、波長依存性から決定される反射防止膜１１の膜構造と設計時の膜構造とを比較し、製品となる分布帰還型半導体レーザ素子への反射防止膜１１の成膜条件を補正することにより、所望の反射特性を有する反射防止膜１１を効率良く形成できる。 （もっと読む）

【課題】長波長側の波長帯域であっても、偏波依存性を抑制しながら大きな利得を得ることができる半導体光増幅器を提供する。
【解決手段】ＩｎＰからなる基板１１上に電流注入による光増幅機能を有する活性層１４を備えた半導体光増幅器１０において、活性層１４が、ＩｎＧａＡｓＳｂを含有している。 （もっと読む）

本発明は、半導体チップ（１）と該半導体チップの外部に配置された外部共振器鏡（９）とが設けられており、前記半導体チップが、基板（２）と、該基板上に被着されたＤＢＲ鏡（３）と、該ＤＢＲ鏡上に被着された、光形成用の活性層（５）を含むエピタキシ層列（４）とを備えている、面発光型半導体レーザーに関する。本発明によれば、前記ＤＢＲ鏡および前記基板は前記活性層から放出される光に対して部分的に透過性を有しており、前記基板のうち前記活性層から遠い側の後面（１４）は前記活性層から放出される光に対して反射性を有している。
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【課題】コーティング膜の反射率を３〜１３％の範囲内に設定し、コーティング膜の剥離を防止し、半導体レーザの信頼性を確保することができる半導体レーザを得る。
【解決手段】レーザ光を出射する前端面にコーティング膜が形成されたＧａＮ系の半導体レーザであって、コーティング膜は、前端面に接する第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜上に形成された第２の絶縁膜とを有し、半導体レーザのレーザ光の波長λに対して、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜の光学膜厚の合計はλ／４の奇数倍であり、第１の絶縁膜は、第２の絶縁膜よりもＧａＮに対する密着性が強く、第１の絶縁膜の屈折率は１．９以下であり、第２の絶縁膜の屈折率は２〜２．３である。 （もっと読む）

【課題】ハイメサ型導波路における基本モードの曲げ伝播損失が抑制された光集積素子および光集積素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に突出しながら該基板表面に沿って延設され、下部クラッド層と、前記下部クラッド層上に形成され該下部クラッド層よりも大きい屈折率を有するコア層と、前記コア層上に形成され該コア層よりも小さい屈折率を有する上部クラッド層とを有する導波路と、を備え、前記導波路は、直線導波路部と前記基板の表面と平行な面内において曲げを有する曲げ導波路部とを含み、前記曲げ導波路部における下部クラッド層の前記基板からの突出高さは、前記直線導波路部における下部クラッド層の前記基板からの突出高さよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】テーパ型光増幅器またはテーパ型レーザ素子を含むレーザ光発生部と、プレーナ導波路型波長変換素子とを、単レンズで光学結合した、安定で光軸調整が容易な波長変換レーザ光源を得る。
【解決手段】レーザ光の基本波を発生するレーザ光発生部(１，２，３)と、前記基本波を高調波に変換する少なくともコアの一部に周期分極反転構造部(４ａ)を有するプレーナ導波路型の波長変換素子(４)と、前記レーザ光発生部(１，２，３)と波長変換素子(４)とを光学結合する、前記レーザ光発生部に対向する第１面(５ａ)が出射するレーザ光に対してプレーナ導波路面に垂直な方向に凸面かつ平行な方向に凸面であり、かつ前記波長変換素子に対向する第２面(５ｂ)が前記垂直な方向に凸面かつ前記平行な方向に凹面であるレンズ(５)と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】非極性面を主面としたIII族窒化物半導体で構成された装置本体に対してｎ型電極を良好にオーミック接触させることができる構造の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】この発光ダイオードは、ｍ面を主面とするＧａＮ単結晶基板１上にIII族窒化物半導体層２を成長させて構成された素子本体を有している。III族窒化物半導体層２は、ＧａＮ単結晶基板１側から順に、ｎ型コンタクト層２１、発光層としての多重量子井戸層２２、ＧａＮファイナルバリア層２５、ｐ型電子阻止層２３、およびｐ型コンタクト層２４を積層した積層構造を有している。ｎ型コンタクト層２１には、ｎ型電極５が接合されている。ｎ型コンタクト層２１においてｎ型電極５が接合される部分は、このｎ型電極５との間にオーミック接合を形成する接触部２１Ａをなしている。接触部２１Ａには、凹凸微細構造が形成されている。 （もっと読む）

【課題】成膜元素が半導体デバイスの反成膜源側端面に回り込むことを確実に防止する半導体デバイスの成膜用ホルダを提供する。
【解決手段】半導体デバイスの被成膜面を露出させ、半導体デバイスを保持するホルダ本体と、半導体デバイスの被成膜面を露出させた状態で、半導体デバイス及びホルダ本体の間に形成される間隙を半導体デバイスの被成膜源側から遮蔽する遮蔽体１７とを備えた。これにより、成膜源３から間隙に向かう成膜元素１６は、遮蔽体１７に進行を遮断される。 （もっと読む）

【課題】メサ状の埋込光導波路構造を有する半導体光素子において、曲線導波路領域の成長速度と直線導波路領域の成長速度とを容易に制御して、直線導波路領域の埋込層の層厚を確保しつつ、曲線導波路領域の埋込層の異常成長を抑制する半導体光素子を提供する。
【解決手段】半導体光素子１００は、メサ状の光導波層が半導体基板１０１上に設けられており、光導波層が埋設されている埋込光導波路構造を有する。半導体光素子１００には、平面形状が直線状の光導波層を含む直線導波路メサ１１０と、平面形状が湾曲した光導波層を含み、直線導波路メサ１１０に接続されている曲線導波路メサ１１５と、上面視において直線導波路メサ１１０の両側に略平行に隣設されているメサ状のダミー層からなる原料吸着メサ１１１（ダミーメサ）と、直線導波路メサ１１０と、原料吸着メサ１１１との間に形成される埋込層１０６とが備えられている。 （もっと読む）

【課題】 小型化を維持したまま、高速大掃引幅を有する波長走査光源を提供する。
【解決手段】 レーザ光を発振する半導体レーザ１１と、半導体レーザ１１の一方のレーザ光出射端面１１ａに設けられる無反射コート１２と、半導体レーザ１１の一方のレーザ光出射端面１１ａから出射された光が入射する光ファイバ１３と、光ファイバ１３から出射された光をコリメートするコリメートレンズ１４と、コリメートレンズ１４から出射された光が入射する外部共振器１５と、光ファイバ１３に設けられ、光ファイバ１３のコリメートレンズ１４側の端部１３ａを振動させる振動手段１６とを備える。 （もっと読む）

【課題】レーザ発振波長における光パワーの波長依存性を低減可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】レーザ発振波長を変更可能な半導体発光素子１１では、光反射器１３は、チャープ回折格子２１と電極２３ａ〜２３ｉとを含む。電極２３ａ〜２３ｉは、チャープ回折格子２１の一部分をなすチャープ回折格子部分２１ａ〜２１ｉのためにそれぞれ設けられる。反射端面１５は半導体発光素子１１の一端面１１ａに設けられている。利得導波路１７は電極２５からキャリア注入による光学的利得を有する。リング共振器１９は、複数の極大値を含む透過スペクトルを有する。光反射器１３及び反射端面１５の各々は半導体発光素子１１のレーザキャビティのための反射鏡である。リング共振器１９及び利得導波路１７は、半導体光源２７を構成しており、またレーザキャビティ内で直列に配置される。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥や不純物が極めて少ない高品質な結晶が実現され、高性能かつ高信頼なＩＩＩ族窒化物半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板（GaN基板１０１）と、III族窒化物半導体層（ｎ型ＧａＮ層１０２、ｎ型クラッド層１０４、ｎ型光閉じ込め層１０６）とから構成され、リッジ部１４０が設けられた構造体の上部に、レーザー構造をなす多層膜が積層されている。リッジ部１４０は、（０００１）面を有する頂面と、側面と、頂面と、側面とを結ぶ斜面とにより形成され、側面と斜面とのそれぞれの面方位の組み合わせが、（ａ）側面が｛１−１００｝面、斜面が｛１−１０１｝面または（ｂ）側面が｛１１−２０｝面、斜面が｛１１−２２｝面のいずれかである。リッジ部１４０の斜面及び側面の少なくともいずれか一方に発光領域が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 室温或いはその近傍温度であっても、シングルモードの光を確実にＣＷ発振することができるＤＦＢ型の量子カスケードレーザ素子を提供する。
【解決手段】 量子カスケードレーザ素子１においては、積層体３上に回折格子７が形成されたトップグレーティング方式が採用されているため、埋め込みグレーティング方式に比べ、レーザ素子としての温度特性の劣化や、歩留まり及び再現性の低下が抑制される。しかも、活性層４と回折格子７との間に位置するクラッド層５の厚さが発振波長の４２±１０％の範囲内となっているため、活性層４から回折格子７への光の染み出しが弱くなったり、光の漏れが大きくなったりすることが防止される。従って、量子カスケードレーザ素子１によれば、室温或いはその近傍温度であっても、シングルモードの光を確実にＣＷ発振することができる。 （もっと読む）

【課題】 制御が容易であって、出力する光の波長を変更可能な半導体発光素子及び半導体光源装置を提供する。
【解決手段】 半導体発光素子１１Ａは、出力端部４７から出力される光の波長を変更可能な半導体発光素子であって、キャリヤが注入されることで光を発生可能な半導体層５７ａを有する発光ダイオード部１３と、発光ダイオード部から出力される光から所定の波長λｒの光を選択して出力端部４７側に出力すると共に、所定の波長を変更可能な波長可変フィルタ部１５と、発光ダイオード部及び波長可変フィルタ部を設ける基板Ｓと、を備え、出力端部は、波長可変フィルタ部から出力される光の反射を抑制する低反射膜Ｒ１を有しており、波長可変フィルタ部は、光路長が互いに異なっており光学的に結合された複数のリング状導波路２９，３１と、複数のリング状導波路の少なくとも一つに信号を印加するための電極２５，２７と、を有する。 （もっと読む）