【課題】より一層高い光出力を達成し得る、ＧａＮ系化合物半導体から成る半導体光増幅器を提供する。
【解決手段】半導体光増幅器２００は、（ａ）ＧａＮ系化合物半導体から成る第１化合物半導体層、第３化合物半導体層、第２化合物半導体層が、順次、積層されて成る積層構造体、（ｂ）第２化合物半導体層上に形成された第２電極２６２、並びに、（ｃ）第１化合物半導体層に電気的に接続された第１電極を備え、積層構造体はリッジストライプ構造を有し、光出射端面２０３におけるリッジストライプ構造の幅をＷ_out、光入射端面２０１におけるリッジストライプ構造の幅をＷ_inとしたとき、Ｗ_out＞Ｗ_inを満足し、半導体光増幅器の軸線ＡＸ₁に沿って光出射端面２０１から積層構造体の内側の領域には、キャリア非注入領域２０５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 迷光対策された波長可変半導体レーザを提供する。
【解決手段】 波長可変半導体レーザは、１０％以上の反射率を有する第１端面と、第２端面と、前記第１端面と前記第２端面との間に配置された波長選択部と、前記第１端面と前記波長選択部との間に設けられた光吸収領域と、を備えることを特徴とする。前記光吸収領域は、ｐ型半導体とｎ型半導体で挟まれてなり、前記ｐ型半導体と前記ｎ型半導体とを共通に接続する導体を有する構成とすることができる。 （もっと読む）

【課題】 Ｂｕｔｔ−Ｊｏｉｎｔ数が抑制された半導体レーザを提供する。
【解決手段】 半導体レーザは、両端が回折格子によって挟まれたスペース部と回折格子部とが連結されたセグメントが複数設けられた第１反射器と、前記第１反射器に対応して設けられた導波路とを備え、前記導波路は、前記セグメントのうち隣接する２つのセグメントの両方にまたがって延在する利得領域と、前記セグメントのうち隣接する２つのセグメントの両方にまたがって延在する屈折率可変領域とを有している。 （もっと読む）

【課題】所定の波長帯域における光を均一の光利得で増幅させる。
【解決手段】半導体基板と、前記半導体基板上に形成された下部クラッド層と、前記下部クラッド層上に形成された光吸収層及び光増幅層と、前記光吸収層及び前記光増幅層上に形成された上部クラッド層と、を有し、前記光吸収層を形成している半導体材料のバンドギャップは、前記光増幅層を形成している半導体材料のバンドギャップよりも広く、前記光吸収層を形成している半導体材料のバンドギャップと前記光増幅層を形成している半導体材料のバンドギャップとの差は、０．１２ｅＶ以上であることを特徴とする半導体光増幅器により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ＥＳＤ特性が改善された信頼性の高い窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体レーザ素子１００は、導電性を有する窒化物半導体基板１０と、窒化物半導体基板１０上に形成されたｎ型半導体層２０ａと、ｎ型半導体層２０ａ上に形成された活性層２４と、活性層２４上に形成されたｐ型半導体層２０ｂと、ｐ型半導体層２０ｂの一部に形成されたリッジ部２９と、ｐ型半導体層２０ｂの一部にその厚み方向に掘り込まれることによって形成され、少なくともｎ型半導体層２０ａに達する深さを有する掘り込み部４０と、掘り込み部４０に形成された抵抗材料層５０と、ｐ型半導体層２０ｂ上に形成され、リッジ部２９と電気的に接続されたｐ側電極３２とを備えている。そして、上記ｐ側電極３２が、掘り込み部４０に形成された抵抗材料層５０を介して、ｎ型半導体層２０ａと電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】発光端面上の誘電体膜の膜厚がバラつくことを抑制できる半導体レーザの構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザの製造方法は、半導体基板上に活性層を含む半導体層が積層している、半導体ウェハ１００を形成する工程と、半導体ウェハ１００に、活性層より深い凹部１０６を複数形成する工程と、少なくとも凹部１０６内の第１の端面と第１の端面に対向する第２の端面とを覆うように、第１の誘電体膜（ＡＲコート膜１０８）を形成する工程と、第１の端面上のＡＲコート膜１０８を覆うように、分離膜（Ａｕ膜）を形成する工程と、Ａｕ膜上および第２の端面上のＡＲコート膜１０８上に、第２の誘電体膜（ＨＲコート膜）を形成する工程と、Ａｕ膜上のＨＲコート膜を除去するとともに、Ａｕ膜を除去する工程と、を含み、Ａｕ膜は、ＡＲコート膜１０８およびＨＲコート膜に対してエッチング選択比が１０以上である。 （もっと読む）

【課題】表面レリーフ構造と電流狭窄構造との中心軸を高精度に位置合わせでき、作製過程において、表面への損傷の軽減が可能な面発光レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】積層された半導体層の上に表面レリーフ構造を備え、メサ構造に構成された面発光レーザの製造方法であって、半導体層の上に、第一の誘電体膜４１６と、メサ構造を画定するための第１のパターンと表面レリーフ構造を画定するための第２のパターンとを有する第一のレジスト膜４１８と、を形成する第一の工程と、第一の工程の後に、第２のパターンを覆い、第１のパターンを露出するように、第二のレジスト膜４２６を形成する第二工程と、第二の工程の後に、第二のレジスト膜をマスクとして、第１のパターンにおける半導体層を除去し、メサ構造を形成するメサ構造形成工程と、を有し、第１のパターン４２０と第２のパターン４２２は同一工程により形成される。 （もっと読む）

【課題】発光のブルーシフトが抑制された発光デバイスの製造に好適なＩＩＩ族窒化物結晶基板、エピ層付ＩＩＩ族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶基板１は、ＩＩＩ族窒化物結晶基板１の任意の特定結晶格子面のＸ線回折条件を満たしながら結晶基板の主表面１ｓからのＸ線侵入深さを変化させるＸ線回折測定から得られる特定結晶格子面の面間隔において、０．３μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₁と５μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₂とから得られる｜ｄ₁−ｄ₂｜／ｄ₂の値で表される結晶基板の表面層の均一歪みが１．７×１０^-3以下であり、主表面の面方位が、結晶基板のｃ軸を含む面から［０００１］方向に−１０°以上１０°以下の傾斜角を有する。 （もっと読む）

【課題】発光ストライプ領域の幅が広くて大出力であるにも拘らず、横モードが安定して、かつ、遠視野像の光強度が、主ピークのみが強くてサイドローブが極めて小さい半導体レーザ装置と、それを用いた光無線通信システムを提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置４１は、発光ストライプ領域４８が生成すべき、あるいは生成した光電界の振幅および位相の分布を補正するｐ型ＡｌＧａＡｓ屈折率制御層４９を備える。このｐ型ＡｌＧａＡｓ屈折率制御層４９は、発光ストライプ領域４８の層厚方向片側に位置する層に、発光ストライプ領域４８の幅方向両端部に対応するように形成されて、この層の屈折率よりも屈折率が小さい領域である。ｐ型ＡｌＧａＡｓ屈折率制御層４９によって、発光ストライプ領域４８の幅方向両端部の屈折率が、上記発光ストライプ領域４８の幅方向中央部の屈折率よりも小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】従来よりも容易に反射光を低減することができる半導体光素子及び半導体光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体光素子１は、結晶層により構成される光導波路部１６を含む。光導波路部１６には、先細の先端部１６ａが形成されている。光導波路部１６の先端部１６ａに、結晶層の結晶面方位に沿った方向とは異なる方向に沿った、光が出射される端面１６ｂが形成されている。 （もっと読む）

【課題】従来に製造歩留まりを悪化されることなく、高速変調を行うことが可能な半導体レーザ装置を提供することにある。
【解決手段】半導体基板１上に設けられた活性層２と活性層２上に設けられたクラッド層５とクラッド層５上に設けられたキャップ層６とを有する半導体レーザ素子本体１０を備えた半導体レーザ装置であって、半導体レーザ素子本体１０は、キャップ層６上に設けられた成長層側電極７と、半導体基板１の下面に設けられた基板側電極８とを具備し、成長層側電極７は、活性層２に電流注入を行うことにより発振するレーザ光の伝搬方向にて活性層２よりも短く形成され、成長層側電極７および基板側電極８が、活性層２の一部にのみ電流注入を行うものである。 （もっと読む）

【課題】 ヒータによって出力された熱を光導波路層に効率よく供給することができる光半導体装置を提供する。
【解決手段】 光半導体装置（１００）は、半導体基板（１０１）と、半導体基板上において上面および側面を備えて画定され光導波路層（１０６）を備えたストライプ状の半導体領域（１０２）と、半導体領域の光導波路層より上部に設けられたヒータ（１０４）と、を備え、半導体領域の幅は、ヒータが設けられた全ての領域に渡って半導体基板の幅より狭く画定され、光導波路層は、半導体領域の側面の下端より上側に設けられ、半導体領域の側面の下端の位置から光導波路層の位置までの距離は、半導体領域の幅の０．５倍以上である。 （もっと読む）

【課題】動作中の端面劣化による経時的なＣＯＤ光出力の低下に伴なう電流の上昇を抑制して、長時間の高出力レーザ動作に耐えうる端面保護膜を得られるようにする。
【解決手段】発光層を含む複数の窒化物半導体層からなり、互いに対向する共振器端面３０を有する積層構造体４０と、共振器端面のうちの光出射端面に形成され、ＡｌＮからなる第１の保護膜３１と、その上に形成され、屈折率がｎ１であるＡｌ_２Ｏ_３からなる第２の保護膜３２とを有している。第２の保護膜は、少なくとも共振器端面における光出射領域と対向する領域においてその表面が結晶化しており、第２の保護膜の厚さ(t)は、λ／２ｎ１＜ｔ＜３λ／４ｎ１（但し、λは出射光の波長）を満たし、共振器端面における光出射領域の第２の反射率Ｒ（ｎ２）（但し、ｎ２は結晶化したＡｌ_２Ｏ_３の屈折率である。）は、共振器端面における光出射領域を囲む領域の第１の反射率Ｒ（ｎ１）よりも低い。 （もっと読む）

【課題】低抵抗化されたｐ型窒化ガリウム系半導体層を含むIII族窒化物半導体光素子を提供する。
【解決手段】支持体１３の主面１３ａは、基準平面Ｓｃに対して４０度以上１４０度以下の角度ＡＬＰＨＡを成しており、基準平面Ｓｃは該III族窒化物半導体のｃ軸の方向に延びる基準軸Ｃｘに直交する。主面１３ａは半極性及び無極性のいずれか一方を示す。ｎ型ＧａＮ系半導体層１５は支持体１３の主面１３ａ上に設けられる。ｎ型ＧａＮ系半導体層１５、活性層１９及びｐ型ＧａＮ系半導体層１７は法線軸Ｎｘの方向に配列されている。ｐ型ＧａＮ系半導体層１７にはｐ型ドーパントしてマグネシウムが添加されており、ｐ型ＧａＮ系半導体層１７はｐ型ドーパントとして炭素を含む。ｐ型ＧａＮ系半導体層１７の炭素濃度は２×１０^１６ｃｍ^−３以上１×１０^１９ｃｍ^−３以下である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、不要な誘電体反射膜が付着するのを防止できる半導体レーザ素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体レーザ装置の製造方法は、半導体レーザバーを形成する時に、半導体レーザバーの半導体層の表面において、へき開面と表面側電極のへき開面側の端部との間に第１の隙間が出来るようにし、半導体レーザバーの半導体基板の裏面において、へき開面と裏面側電極のへき開面側の端部との間に第２の隙間が出来るようにし、誘電体反射膜をコーティングする時に、第１及び第２のスペーサーバーの端部が、表面側電極及び裏面側電極のへき開面側の端部から、へき開面に垂直な方向でへき開面から離れる方向の位置に、それぞれくるようにすることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】波長依存性の少ない光利得が得られる反射型半導体光増幅器を得る。
【解決手段】半導体基板と、前記半導体基板上に形成された光導波路となる第１の領域と第２の領域とを有する活性層と、前記第２の領域に沿って形成されており、第１の波長の光を反射する第１の部分と、前記第１の波長の光よりも光利得の低い第２の波長の光を反射する第２の部分とを反射させる反射部と、を有し、前記第１の部分は前記第２の部分よりも前記第１の領域側に形成されている反射型半導体光増幅器により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ＥＬ発光パターンおよび表面モフォロジー（平坦性）を改善することにより、発光効率および歩留まりを向上させることが可能な窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体レーザ素子１００（窒化物半導体素子）は、成長主面１０ａを有するＧａＮ基板１０と、このＧａＮ基板１０の成長主面１０ａ上に形成された窒化物半導体各層１２〜１８とを備えている。成長主面１０ａは、ｍ面に対して、ａ軸方向にオフ角度を有する面からなり、窒化物半導体各層１２〜１８は、ＡｌＧａＮからなる下部クラッド層１２を含んでいる。そして、この下部クラッド層１２が、ＧａＮ基板１０の成長主面１０ａと接するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】発振横モードを制御しつつ、電流通過領域の中心に対する光学フィルタの重心の位置ずれ量の大きさが０．１μｍ以下の面発光レーザ素子を安定的に量産する。
【解決手段】 積層体の上面に、光学的厚さがλ／４の誘電体層１１１ａを積層し、その上面に、メサ構造体の外形を規定するレジストパターン１２０ａ及び出射領域における反射率が低い部分に対応する領域を保護するレジストパターン１２０ｂを形成・硬化させた後、誘電体層１１１ａをエッチングする。次に、出射領域の全体に対応する領域を保護する第２のレジストパターン１２３を形成し、第１のレジストパターン及び第２のレジストパターンをエッチングマスクとして積層体をエッチングし、メサ構造体を形成する。そして、被選択酸化層を選択的に酸化させ、酸化物が電流通過領域を取り囲んでいる狭窄構造体を作成し、積層体の上面に、光学的厚さが２λ／４の誘電体層を積層する。 （もっと読む）

【課題】一定の動作電流において、動作温度の変化に伴う光出力の変動を抑制することが可能な半導体レーザを提供すること。
【解決手段】本発明は、複数の量子ドット３６を有する量子ドット活性層１４と量子ドット活性層１４を挟む下部クラッド層１２、上部クラッド層１６とを含む半導体層１８と、量子ドット活性層１４から出射されるレーザ光の出射端面３５を覆うように半導体層１８の端面２８に設けられた反射膜３２ａと、を具備し、反射膜３２ａは、動作電流を一定にした場合におけるレーザ光の光出力の温度依存を打ち消すように変化する反射率を有する半導体レーザである。 （もっと読む）

【課題】簡便な製造工程を実現しながら、プロセスの安定化を図り、信頼性を向上させた半導体素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１０上に、活性層１２を含み、表面にストライプ状のリッジ１４が形成された半導体層２０と、リッジ１４上に形成された電極１５とを備えてなる半導体素子であって、電極１５は、半導体層２０とリッジ１４上面のみで接触し、かつリッジ１４上面よりも幅広であり、リッジ１４側面から電極１５上面に至り、リッジ１４上面に開口部を有する保護膜１６が形成されてなる半導体素子。 （もっと読む）