【課題】希土類元素による発光強度が強く、かつ、発光波長が温度により変動しない、発光素子用希土類元素添加半導体積層構造を提供する。
【解決手段】キャリア拡散長程度の膜厚を持つ活性層２と光ガイド層３とを有する構造の両側に光ガイド層３よりも禁制帯幅の大きいｐ型とｎ型のクラッド層４，５を積層した分離閉じ込め構造であって、活性層２に希土類元素または希土類元素と酸素が添加された発光素子用希土類元素添加半導体積層構造１である。活性層２はキャリア拡散長程度の膜厚のまま光ガイド層の中央に配置するか、活性層を分割して配置してもよい。 （もっと読む）

【課題】高コスト化を招くことなく、優れたレーザ品質及び光利用効率を得る。
【解決手段】光源ユニット１０は、半導体レーザ１０ａを含む半導体レーザモジュール１０Ａと、ハーフミラー１０ｃ、コリメートレンズ１０ｄ及び開口板１０ｅを含む光学モジュール１０Ｂを有している。半導体レーザ１０ａの面発光レーザアレイチップから射出された光は空気層のみを介してハーフミラー１０ｃに入射し、ハーフミラー１０ｃを透過した光は、コリメートレンズ１０ｄ及び開口板１０ｅを介して光源ユニット１０から出力される。このように、面発光レーザアレイチップから射出された光は、封止ガラス材等を介することなく、直接、光学モジュール１０Ｂに入射する。 （もっと読む）

【課題】高出力時においても十分な信頼性、ＣＯＤレベルが得られる窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】共振器の出射側の端面にＡｌＧａＯＮ膜が設けられた窒化物半導体レーザ素子、ならびに、ＡｌＧａＯＮ膜を設ける前の共振器を２５〜３５０℃で予備加熱する工程と、前記予備加熱後の共振器を５０〜６００℃にまで加熱した状態で、原子状窒素またはアンモニアガスを含む気体に曝す工程と、前記気体に曝しながら、共振器の光出射側の端面に１００〜６００℃でＡｌＧａＯＮ膜を形成する工程とを含む窒化物半導体レーザ素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 レーザ発振波長を変更可能であって、光処理素子を同一基板上に集積可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】 半導体レーザ素子１１は、利得導波路５７と、透過波長を変更可能な多重リング共振器１７と、多重リング共振器の透過波長の変更範囲に応じた第１の反射波長帯域を有する第１の反射手段１９と、第１の反射手段とレーザキャビティを構成しており第２の反射波長帯域を有する第２の反射手段２１と、利得導波路及び多重リング共振器が設けられる基板Ｓとを備え、利得導波路及び多重リング共振器はレーザーキャビティ内に直列に配置されて光学的に結合されており、第１の反射手段は、基板上に設けられ利得導波路及び多重リング共振器の何れか一方に光学的に結合される導波路型回折格子１９を含み、その回折格子１９はチャープトグレーティングである。 （もっと読む）

【課題】利得ピーク波長を例えば１．５５μｍ帯の中心付近に保持しながら、その長波長側のみならず短波長側をも包含する広い波長領域で平坦な利得スペクトル及び低い雑音指数を実現し、且つ波長間利得差を小さく抑える高信頼性のＳＯＡを得る。
【解決手段】半導体基板としてＩｎＰ基板１１を用い、活性層１４として、ＧａＩｎＡｓを材料としてなる伸張歪が印加されたバリア層１４ａと、ＧａＩｎＮＡｓを材料としてなる無歪の井戸層１４ｂとが交互に複数層、ここでは井戸層１４ｂが４層、バリア層１４ａが５層積層されたＭＱＷ構造を適用してなる偏波無依存型のＳＯＡを提示する。 （もっと読む）

【課題】共振器端面での入射波と反射波の位相差を正しく計算する設計方法を提供することにより、ファブリペロー共振器型レーザの光学損傷レベルを高める。
【解決手段】ファブリペロー共振器型レーザで光学損傷レベルを高めようとする場合、端面近傍に定在波の節を位置させるのが望ましい。従来、多層コーティング膜と屈折率がｎ_０であるレーザ出射光の伝搬媒体（通常は空気）との界面に関して反射特性を計算していた。それに対し、多層コーティング膜と屈折率がｎ_ｓである共振器媒体との界面に関して反射特性を計算することにより、定在波の腹・節の位置が正しく計算される。こうした計算により、ファブリペロー共振器の端面近傍に定在波を位置させる設計方法が可能になる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、動作電圧を抑制した窒化物半導体発光素子に関し、低い電圧での
利用に適した、窒化物系半導体からなる半導体レーザーや発光ダイオード等の発光素子を提供する事を目的とする。
【解決手段】p型コンタクト層28と、p型コンタクト層28の下層に形成されたp型中間層26と、p型中間層の下層に形成されたp型クラッド層24とを備える。p型コンタクト層28と前記p型中間層26間および、p型中間層26と前記p型クラッド層24間のバンドギャップ差がそれぞれ200meV以下となるように構成する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系材料のＬＤにおいて、ＣＯＤ耐性の高い窓構造を有するＬＤを簡単な工程により製造する。
【解決手段】ＧａＮ基板１２上に、それぞれがＧａＮ系材料で形成されたバッファ層１４、第１ｎ−クラッド層１６，第２ｎ−クラッド層１８，第３ｎ−クラッド層２０、ｎ側光ガイド層２２、量子井戸構造である活性層２６、およびｐ側ＳＣＨ層２８、電子障壁層３０、ｐ側光ガイド層３２、ｐ−クラッド層３４およびコンタクト層３６を順次積層し、半導体積層構造５５を形成する工程と、半導体積層構造５５を含む半導体ウエハを劈開し半導体積層構造５５の劈開端面５８を露呈させる工程と、露呈した劈開端面上にＳｉＯ_２膜６０を形成し所定の熱処理に基づくＧａ空孔拡散により活性層２６を無秩序化する工程とを含むものである。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体のクラックの発生を抑制し、かつ端面において保護膜の剥がれが生じず、良好な特性及び高寿命を実現する窒化物半導体レーザ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】第１主面と該第１主面に対向する第２主面とを有する導電性基板と、該導電性基板の第１主面上に、第１窒化物半導体層、活性層及び第２窒化物半導体層が順に積層された窒化物半導体層と、前記導電性基板の第２主面上に形成された電極と、前記窒化物半導体層の共振器面に接触する保護膜と、を有する窒化物半導体レーザ素子であって、前記電極の共振器面側の縁部が、前記共振器面よりレーザ素子の内側に位置しており、前記保護膜が、前記共振器面から前記導電性基板の第２主面に接触するように形成されており、かつ、前記共振器面に接触する保護膜と前記導電性基板の第２主面に接触する保護膜との結晶構造が異なる窒化物半導体レーザ素子。 （もっと読む）

【課題】波長ドリフトを防止する波長可変半導体レーザ素子及びその制御装置、制御方法を提供する。
【解決手段】レーザ光を発振する活性領域と、発振したレーザ光の波長をシフトする波長可変領域とを有する波長可変半導体レーザ素子において、波長可変領域に隣接して、投入した電力の大部分を熱に変換する熱補償領域を設け、波長可変領域に投入する電力と熱補償領域に投入する電力の和を常に一定になるようにする。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体のクラックの発生を抑制し、かつ端面において保護膜の剥がれが生じず、良好な特性を有する窒化物半導体レーザ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】第１窒化物半導体層、活性層、第２窒化物半導体層が順に積層された窒化物半導体層と、該窒化物半導体層に形成された共振器面と、該共振器面を被覆する保護膜と、を有する窒化物半導体レーザ素子において、前記保護膜は、六方晶系の結晶構造を有し、前記窒化物半導体層に形成された共振器面を被覆する第１領域と、前記第２窒化物半導体層の表面を被覆する第２領域と、を有するものであり、前記第１領域は、前記窒化物半導体層に形成された共振器面と同軸配向の結晶構造を有しており、前記第２領域は、前記第２窒化物半導体層の表面と同軸方向の結晶構造を有しており、前記第１領域の膜厚は、第２領域の膜厚よりも大きい窒化物半導体レーザ素子。 （もっと読む）

【課題】寿命が長い高信頼性を有する窒化物半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】 窒化物半導体レーザダイオードのレーザ端面に設けられた保護層は、窒化物レーザダイオードが発振する光に対して透明であるＡｌ_1-x-y-zＧａ_xＩｎ_yＢ_zＮ（０≦ｘ、ｙ、ｚ≦１、且つ、０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦１）からなり、Ｂを含む。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体のクラックの発生を抑制し、かつ端面において保護膜の剥がれが生じず、良好な特性及び高寿命を実現する窒化物半導体レーザ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】第１窒化物半導体層、活性層、第２窒化物半導体層を含む窒化物半導体層と、該窒化物半導体層の共振器面に接触する保護膜とを有する窒化物半導体レーザ素子であって、少なくとも共振器面の活性層に接触する保護膜が、前記保護膜の最大膜厚よりも薄い領域を有する窒化物半導体レーザ素子。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板上のレーザを実現する際に、シリコン導波路上に化合物半導体を接着する方法がある。電流注入によるレーザ発振実現が必須であるが、シリコン化合物半導体接着面にアモルファスが形成されるため、シリコン導波路を通して化合物半導体に直接電流注入することは難しい。また、導波路近傍に電極を形成し電流を注入しても、シリコン導波路付近に電流は注入されないため、シリコン導波路を導波するレーザ発振は実現されない。
【解決手段】 シリコン導波路の横から電流注入し、かつ電流をシリコン導波路近傍に集中する構造を化合物半導体に形成することにより解決される。具体的な方法は以下の2つである。1つ目は化合物半導体にトンネルジャンクション構造を形成する方法、2つ目は化合物半導体に横方向P-I-Nジャンクションを形成する方法である。 （もっと読む）

【課題】光学特性をより安定化することが可能で、且つ樹脂等で封止した状態と封止しない状態とで透過率が劣化することが防止された光半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明は。フッ化マグネシウムまたは酸化シリコンを主成分とする第１層１３ａと、酸化窒化チタンを主成分とする第２層１３ｂと、フッ化マグネシウムまたは酸化シリコンを主成分とする第３層１３ｃとがこの順番で積層された積層構造１３を持ち、積層構造１３の内部に複数の反射面を備えるとともに、積層構造１３は反射防止膜として光半導体の光出射面に設けられ、少なくとも光出射面が樹脂２００によって封止されてなる光半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】高出力の青色半導体レーザにおいて、出射または入射するレーザ光によってゴミや埃などが半導体レーザの窓ガラス部の外表面に付着し、レーザ光が遮られるのを低減することができる半導体レーザを提供する。
【解決手段】青色レーザ光を出射するレーザ素子１を、窓ガラス部４５を備えたパッケージ４４を用いて密閉してなる半導体レーザであって、レーザ出力が１００ｍＷ以上を超えるレーザ素子４１の出射部窓ガラス部４５の外側表面に、五酸化ニオブ（Ｎｂ₂Ｏ₅）膜を備えることで、青色レーザ光を出射するレーザ素子４１に起因する異物の付着を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】突然劣化を抑え、信頼性を高めることのできる半導体レーザおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】主出射側端面１０Ｆに、レーザ構造部１０の側から、ＡｌＮ等の高屈折率膜２１ＦとＡｌ₂ Ｏ₃ 等の反射率調整膜２２Ｆとの積層膜２０Ｆを形成する。高屈折率膜２１Ｆを反射率調整膜２２Ｆよりも屈折率の高い材料により構成することで、主出射側端面１０Ｆの電界強度を下げ、端面への熱の集中を抑えて突然劣化を抑制する。高屈折率膜２１Ｆおよび反射率調整膜２２Ｆの光学膜厚は、主出射側端面１０Ｆの反射率に応じて、電界強度が最小になるように調整する。積層膜２０Ｆとレーザ構造部１０との間に酸素ブロッキング層を設けてもよい。積層膜２０Ｆは、主出射側端面１０Ｆに生じている自然酸化物をプラズマエッチングにより除去したのちに形成する。 （もっと読む）

【課題】 保護膜形成時に気体分子が光出射端面に衝突するまたは結びつくことを抑え、かつ光出射端面近傍での漏れ電流の発生を抑制し、高出力な半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体レーザ素子２１は、活性層２を有する半導体レーザチップ１の光出射端面１ａおよび１ｂに保護膜が形成されている。特に光出射端面１ａには、保護膜が光出射方向に向かってＳｉＣ膜１０１ａおよび第１の膜１０１ｂの順に形成されている。第１の膜１０１ｂの光出射方向の反対側に、Ｏ_２が分解発生しないＳｉＣ膜１０１ａが形成されているので、Ｏ_２の分圧が低い状態で半導体レーザチップの光出射端面１ａ上にＳｉＣ膜１０１ａが形成される。これによって高いエネルギーを有するＯ_２が光出射端面１ａと衝突または結びつき、表面準位が生じて禁制帯幅が実質的に減少することを防ぐので、光出射端面１ａの光出射効率の低下を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】同一基板上に、共振器長の異なる複数の半導体レーザ素子部を形成する。
【解決手段】半導体基板１０１上の第１素子形成領域に、エッチング促進層１１３、第１ｎ型クラッド層１０２、第１活性層１０３、第１ｐ型クラッド層１０４を堆積して第１積層構造を形成し、第２素子形成領域に、第２ｎ型クラッド層１０８、第２活性層１０９、第２ｐ型クラッド層１１０を堆積し、劈開により、第２素子形成領域上に両端面に反射鏡を有する第２レーザ素子部１２１を形成するとともに、第１素子形成領域上に、片面に反射鏡、他面に端面を有する第１レーザ素子部素材部を形成し、第１レーザ素子部素材部の端面から所定深さ、エッチング促進層１１３を除去し、その除去されたエッチング促進層１１３があった領域上にある第１積層構造の部分を劈開によって除去し、共振方向の長さが第２レーザ素子部１２１よりも短い第１レーザ素子部１２０を形成する。 （もっと読む）

【課題】 信号光の導波方向に発振光を混入させることなく、入力光強度による利得変動を抑えることが可能な光増幅素子を提供する。
【解決手段】 入力導波路４０２、複数の多モード導波路４０３ａ〜４０３ｃおよび出力導波路４０４をｎ−ＩｎＰ基板４０１上に形成し、入力導波路４０２および出力導波路４０４は、ＩｎＧａＡｓＰをコアとした利得媒質からなるシングルモード導波路から構成するとともに、多モード導波路４０３ａ〜４０３ｃは、ＩｎＧａＡｓＰをコアとした利得媒質からなる多モード導波路から構成し、多モード導波路４０３の両脇に高反射膜４０９、４１０を対向配置し、入力信号光４１１の導波方向と直交する方向に多モード導波路４０３内でレーザ発振を起こさせながら、入力信号光４１１を多モード導波路４０３内に伝搬させることにより、入力信号光４１１を増幅する。 （もっと読む）