【課題】動作特性に優れた窒化物半導体発光素子を容易に得られる窒化物半導体基板を実現できるようにする。
【解決手段】窒化物半導体基板１０１は、基板１１０の主面上に形成された複数の成長阻害領域となるマスク膜１２０と、基板の主面におけるマスク膜から露出する領域の上に形成された複数の第１の窒化物半導体層１１１と、各第１の窒化物半導体層１１１の側面上にのみ成長により形成された複数の第２の窒化物半導体層１１２と、複数の第１の窒化物半導体層１１１及び複数の第２の窒化物半導体層１１２を覆うように成長により形成された第３の窒化物半導体層１１３とを有している。複数の第２の窒化物半導体層は、成長阻害領域の上において互いに隣り合う半導体層同士が接合しておらず、第３の窒化物半導体層は、第２の窒化物半導体層同士が互いに隣り合う領域において接合している。 （もっと読む）

【課題】光集積デバイスの素子と、素子との界面に流れる電流による、特性の劣化を抑える。
【解決手段】基板上に形成され、第１光路を有する第１導波路と、第１導波路上に形成された電極と、基板上に形成され、第２光路を有する第２導波路と、第１光路よりバンドギャップエネルギーが大きい材料で形成されて光路となる透明コアを有し、基板上の第１導波路及び第２導波路の間に形成された透明導波路と、を備え、電極は、第１導波路の上方に形成されており、かつ、透明導波路の上方には形成されておらず、第１導波路を有する素子は、電流注入により動作する光学的能動素子である光集積デバイスを提供する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも広い波長可変帯域を有し、かつ、正確な発振波長制御が簡便な半導体波長可変レーザを提供すること。
【解決手段】半導体波長可変レーザ４００のフィルタ領域４２０は、第１のＭＺＩ４２１と第２のＭＺＩ４２２を並列配置し、２×２光カプラ４２３の２つの出力ポートに各々接続している。各ＭＺＩは、２つの２×２光カプラの間に、同一構造の２本のアーム導波路を有する対称ＭＺＩである。各アーム導波路は、一方の２×２光カプラの出力ポートに接続された第１のミラーと、第１のミラーと所定の長さ（第１のＭＺＩ４２１では第１の長さＬ１、第２のＭＺＩ４２２では第２の長さＬ２）の光導波路により接続され、他方の２×２光カプラの入力ポートに接続された第２のミラーとを有するファブリペローエタロンを備える。当該他方の２×２光カプラの出力ポートには、反射率９０％以上の高反射ミラー４２４、４２５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】リッジ型半導体レーザを精度よく簡易的に製造することができる製造方法等を提供する。
【解決手段】リッジ型半導体レーザの製造方法は、活性層１３とエッチングストップ層１７を含む半導体積層２３を形成する半導体積層形成工程Ｓ１と、第１半導体積層エッチング工程Ｓ３と、半導体部形成工程Ｓ５と、リッジ導波路部形成工程Ｓ７と、半導体回折格子要素形成工程Ｓ９とを備える。リッジ導波路部形成工程Ｓ７における第１マスク部パターニング工程Ｓ７−１と半導体回折格子要素形成工程Ｓ９における第２マスク部パターニング工程Ｓ９−１とは、一つのマスターパターン４０Ｍからのパターン転写によって一括して行われる。リッジ導波路部形成工程Ｓ７における第２半導体積層エッチング工程Ｓ７−３と、半導体回折格子要素形成工程Ｓ９における第１半導体部エッチング工程Ｓ９−３とは、一括して行われる。 （もっと読む）

【課題】再成長層の厚さの違いを低減可能な半導体集積素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】この方法は、所定の方向に順に配列された第１の導波路メサ２１〜第３の導波路メサ２３を有する発光素子部２のための第１の半導体積層１００を半導体基板１０の上に設ける工程と、第１の半導体積層１００の上に第１のマスク６０を形成する工程と、第１のマスク６０を用いて第１の半導体積層１００をエッチングする工程と、第１のマスク６０を用いて光変調部３のための第２の半導体積層２００を半導体基板１０の上に成長する工程とを備える。第１のマスク６０、所定の方向に延在する第１のアーム部６１及び第２のアーム部６２と、第１のアーム部６１と第２のアーム部６２との間に設けられ第１のアーム部６１と第２のアーム部６２とを接続する第１のブリッジ部６３及び第２のブリッジ部６４とを有する。 （もっと読む）

【課題】 半導体の結晶性を向上させることが可能な半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体基板の製造方法は、単結晶基板２の上に単結晶基板２を覆うように半導体層を結晶成長させた半導体基板の製造方法であって、平坦な上面４Ａを有する複数の突起４が第１主面２Ａに設けられた単結晶基板２を準備する工程と、複数の突起４のうち、上面４Ａから半導体層３を結晶成長させるものを第１突起４ａとし、第１突起４ａ同士の間に位置する、上面４Ａに半導体層３を結晶成長させないものを第２突起４ｂとして、第２突起４ｂの上面４Ａを被覆するように実質的に半導体層３が結晶成長しないマスク層５を形成する工程と、第１突起４ａの上面４Ａからそれぞれ第２突起４ｂの上面４Ａのマスク層５を越えて単結晶基板２を覆うように半導体層３を結晶成長させる工程とを有する。そのため、単結晶基板２上に成長させる半導体層３の単結晶基板２に対する平坦性を向上させることができ、半導体層３の結晶性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】異種材料の基板上で平坦かつ剥離が容易なＧａＮ基板を低コストで製造することを可能にする製造方法を提供するとともに、そのＧａＮ基板を用いて製造するＬＥＤやレーザダイオード等の半導体デバイスの低コスト化、性能向上や長寿命化を実現することである。
【解決手段】本発明の半導体基板は、基板と、前記基板上に形成された第１の半導体層と、前記第１の半導体層上の一部領域に形成されたマスクと、前記第１の半導体層及び前記マスク上に当該マスクと交差する方向に所定のパターン形状で形成された金属性材料層と、前記第１の半導体層上及び前記金属性材料層上に形成された第２の半導体層と、前記金属性材料層より下層部分の前記第１の半導体層に形成された空洞と、を有する。 （もっと読む）

【課題】斜め光導波路を有する光導波路部にＡｌ及びＡｓを含む半導体層を含む素子部がバットジョイントされた光半導体集積素子を製造する場合の歩留まりを良くする。
【解決手段】半導体基板の上方に斜め光導波路５４を形成するための第１半導体積層構造を成長させる工程と、第１半導体積層構造上にバットジョイント成長用マスク１３を形成する工程と、マスク１３をエッチングマスクとして用いて第１半導体積層構造を除去する工程と、マスク１３を用いてＡｌ及びＡｓを含む第２半導体層を含む第２半導体積層構造をバットジョイント成長させる工程とを含む光半導体集積素子の製造方法において、マスク１３を、光伝播方向に対して平行な直線及び直交する直線のみによって規定される複数の矩形部分１３Ａ〜１３Ｇが斜め光導波路５４を形成する領域に沿って接合された平面形状を有するものとする。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の製造方法及び発光素子の製造方法を開示する。
【解決手段】本発明の一実施形態によると、半導体基板の製造方法は、基板の上に第１の半導体層を形成し、第１の半導体層の上にパターン状に金属性材料層を形成し、第１の半導体層の上及び金属性材料層の上に第２の半導体層を形成するとともに、金属性材料層より下層部分の第１の半導体層に空洞を形成し、空洞を用いて第２の半導体層から基板を剥離することを含む。これによって、レーザを使用して成長基板を分離する必要がないので、基板製造コストを減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】活性層におけるＩｎ偏析による発光特性の低下が抑制されたＧａＮ系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体光素子１１ａでは、テンプレート１３の主面１３ａは、この第１のＧａＮ系半導体のｃ軸に沿って延びる基準軸Ｃｘに直交する面から該第１のＧａＮ系半導体のｍ軸の方向に６３度以上８０度未満の範囲の傾斜角で傾斜している。ＧａＮ系半導体エピタキシャル領域１５は、主面１３ａ上に設けられる。ＧａＮ系半導体エピタキシャル領域１５上には、活性層１７が設けられる。活性層１７は、ＩｎＧａＮからなる少なくとも一つの半導体エピタキシャル層１９を含む。半導体エピタキシャル層１９の膜厚方向は、基準軸Ｃｘに対して傾斜している。この基準軸Ｃｘは、第１のＧａＮ系半導体の［０００１］軸の方向に向いている。 （もっと読む）

【課題】素子特性および歩留まりを向上させることが可能な窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体レーザ素子１５０（窒化物半導体発光素子）は、結晶成長面１ａを有し、結晶成長面１ａから厚み方向に掘り込まれた掘り込み領域３と、掘り込まれていない領域である非掘り込み領域４とを含むｎ型ＧａＮ基板１と、掘り込み領域３に形成され、窒化物半導体の結晶成長を抑制する成長抑制膜５と、ｎ型ＧａＮ基板１の結晶成長面１ａ上に形成されたｎ型クラッド層１１を含む半導体素子層１０とを備えている。上記掘り込み領域３は、凹部２を含んでおり、上記成長抑制膜５は、凹部２内における結晶成長面１ａより低い位置に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 半導体光素子において、高温動作時、または大電流駆動時におけるリーク電流の抑制が十分ではない。
【解決手段】 ＩｎＰからなる基板の上にメサストライプ形状の積層構造体が形成されている。積層構造体は、下部クラッド層、活性層、及び上部クラッド層を含む。積層構造体の両側の基板の上に、Ｉｎ及びＰを含む高抵抗の埋込層が配置されている。積層構造体の側面と埋込層との間に、ＩＩＩ族元素としてＡｌを含み、Ｖ族元素としてＰを含む化合物半導体からなる第１の被覆層が配置されている。 （もっと読む）

【課題】端面窓構造を極めて簡単に形成することができ、光導波損失やレーザ動作時の光吸収・局所的な発熱を抑えることができる、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】低欠陥密度の第１の領域１１ａ中に高欠陥密度の直線状に延在する複数の第２の領域１１ｂが互いに平行に周期的に配列したｎ型ＧａＮ基板１１上の、少なくとも端面窓構造の形成位置の近傍でかつ二つの第２の領域１１ｂ間の第１の領域１１ａの中心線に関して線対称な二つのレーザストライプ形成位置１６の一方の側または両側に、絶縁膜マスク１６を形成する。絶縁膜マスク１６の幅、間隔、形状、位置などは設計により決める。この絶縁膜マスク１６で覆われていない部分のｎ型ＧａＮ基板１１上に、ＩｎおよびＧａを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層１９を含むＧａＮ系半導体層２５を成長させる。 （もっと読む）

本発明は、窒化物薄膜構造及びその形成方法に関する。窒化物ではない基板上に窒化物薄膜を形成すれば、基板と窒化物薄膜との格子定数差によって多くの欠陥が生じる。また基板と窒化物薄膜との熱膨張係数差によって基板が反るという問題がある。本発明ではかかる問題を解決するために、中の空いている粒子、すなわち、中空構造物を基板上に塗布した後、その上に窒化物薄膜を成長させた薄膜構造及びその形成方法を提案する。本発明によれば、中空構造物によるＥＬＯ（Ｅｐｉｔａｘｉａｌ Ｌａｔｅｒａｌ Ｏｖｅｒｇｒｏｗｔｈ）効果を得ることができて高品質の窒化物薄膜を形成でき、薄膜構造内の屈折率が調節されることによって、本発明による薄膜構造をＬＥＤのような発光素子で製作する時、光抽出効率が増大するという効果がある。それだけでなく、基板の熱膨張係数が窒化物薄膜に比べてさらに大きい場合には、窒化物薄膜内の中空構造物の圧縮によって窒化物薄膜の全体応力が低減して基板の反りを防止する効果もある。
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【課題】本発明によれば、高度の結晶性を有するAlN結晶膜シード層と選択・横方向成長を組み合わせることにより、一層結晶性が向上したＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体を得ることができる。
【解決手段】C面サファイア基板表面に、シード層として、縦断面ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）写真の２００ｎｍ観察視野において結晶粒界が観察されないＡｌＮ結晶膜が形成され、さらにＩＩＩ族窒化物半導体からなる、下地層、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を積層してなるＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体であって、該C面サファイア基板表面に、該シード層が存在する領域と存在しない領域が形成されている、および／または該下地層に、エピ成長する領域とエピ成長できない領域が形成されている、ことを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体。 （もっと読む）

【課題】均一かつ広い面積の低電位密度領域を有する窒化物単結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】基板上に第１窒化物単結晶層１０１を成長させる段階と、第１窒化物単結晶層１０１上に第１窒化物単結晶層１０１上面中一部を露出させたオープン領域を備える誘電体パターン１０２を形成する段階と、オープン領域を通して第１窒化物単結晶層１０１上に第２窒化物単結晶層１０３を誘電体パターン１０２の高さより低いか同じ高さに成長させる段階とを含み、第２窒化物単結晶層１０３の成長過程において、第２窒化物単結晶層１０３内部の電位Ｄが側方向に進行して誘電体パターン１０２の側壁にぶつかって消滅するよう誘電体パターン１０２の高さはオープン領域の幅より大きい値を有する。 （もっと読む）

【課題】光導波路が損傷するのを抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】このＧａＮ系半導体レーザチップ（半導体レーザ素子）は、ｎ型ＧａＮからなる基板１１と、基板１１上に形成され、Ｃ方向に延びる光導波路を構成するリッジ部１２ａが形成された窒化物系半導体からなる半導体層１２とを備えている。また、リッジ部１２ａ（光導波路）は、半導体層１２の中央部から一方側（Ａ方向側）に寄った領域に形成されている。また、リッジ部１２ａの一方側とは反対側（Ｂ方向側）の領域には、リッジ部１２ａの延びるＣ方向と平行に延びるように半導体層１２側から溝部３０が形成されている。また、リッジ部１２ａの端面の延長線上に、溝部３０の延びるＣ方向と交差する方向に延びるように半導体層１２側から劈開導入用段差１９ａおよび１９ｂが形成されている。 （もっと読む）

【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体のエピタキシャル成長時に原料ガスが基板の上面に到達し易く、従って原料ガスの利用効率が高く、また、結晶性が高くかつ均一な３族窒化物化合物半導体の製造方法を提供すること。
【解決手段】 ３族窒化物化合物半導体の製造方法は、基体３の上面に、複数の第１の開口部４ａを有する、３族窒化物化合物半導体のエピタキシャル成長に対して不活性の材料から成る第１のマスク４を形成する工程と、第１の開口部４ａを平面視で含む大きさの第２の開口部７ａを有するとともに第１のマスク４上に間隔をあけて形成された、３族窒化物化合物半導体のエピタキシャル成長に対して不活性の材料から成る第２のマスク７を形成する工程と、第１及び第２のマスク４，７を通して基体３の上面に３族窒化物化合物半導体をエピタキシャル成長させる工程とを、具備する。 （もっと読む）

【課題】基板ウエハ上に堆積される発光層を含む窒化物半導体多層膜中のクラック発生を防止し、かつそのウエハから得られる複数の窒化物半導体レーザ素子における発振波長の均一性を高めてレーザ素子歩留まりを改善する。
【解決手段】窒化物半導体レーザ素子は、少なくとも上面が窒化物半導体である基板と、その基板の上面上に形成されていてストライプ状のレーザ光導波路構造を含む窒化物半導体多層膜とを備え、基板の上面は１０⁶ｃｍ^-2以下の低い欠陥密度の領域と凹部とを有し、レーザ光導波路構造は基板の上面の凹部から外れた低欠陥密度領域の上方に位置し、基板はその上面の凹部に対応してその下面にも凹部を有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】マスクとして用いた絶縁膜上にIII―Ｖ族化合物半導体膜を成長させることなく良好な埋込成長や選択成長を行うことができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１０（半導体基板）上に半導体膜１１を形成する。半導体膜１１上にＳｉＯ_２膜１５（絶縁膜）を形成し、このＳｉＯ_２膜１５をパターニングする。ＳｉＯ_２膜１５をマスクとして半導体膜１１をエッチングしてメサ構造１６を形成する。ＳｉＯ_２膜１５の表面をＳＦ_６ガス（フッ素系ガス）でアッシング処理して、ＳｉＯ_２膜１５の表面をフッ素で終端させる。表面をフッ素で終端したＳｉＯ_２膜１５をマスクとして、メサ構造１６をIII―Ｖ族化合物半導体膜１７で選択的に埋め込む。 （もっと読む）