【課題】超短パルスのレーザ光を出力し得る構成、構造を有する電流注入型の半導体レーザ装置組立体を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置組立体は、（Ａ）光密度が、１０ギガワット／ｃｍ²以上であり、且つ、キャリア密度が１×１０¹⁹／ｃｍ³以上である電流注入型のモード同期半導体レーザ素子１０、及び、（Ｂ）モード同期半導体レーザ素子１０から出射されたレーザ光が入出射される分散補償光学系１１０を備えている。 （もっと読む）

【課題】偏向方位分解能の向上、偏向角の拡大、搭載自由度の向上、および構造の簡略化を実現する
【解決手段】光偏向素子１は、内部を光が導波する光ガイド層１３と、光ガイド層１３の上面および下面に形成されたＤＢＲ１４およびＤＢＲ１２とを備え（以下、光ガイド層１３とＤＢＲ１２，１４とをまとめて「導波路」という）、さらに、ＤＢＲ１４の両面のうち導波路と非接触となる側の面に形成された光入射口２６と、光入射口２６から入射して導波路内を導波する光を出射させるための光出射口２７とを備える。そして、光入射口２６から導波路内に光が入射すると、導波路内の光は、光ガイド層１３の上面および下面に設けられたＤＢＲ１２，１４で反射しながら光導波層内を導波し（矢印Ｄ１を参照）、その後、光出射口２７から出射する（矢印Ｄ２を参照）。 （もっと読む）

【課題】光増幅素子から半導体レーザへの熱伝導の影響による半導体レーザの発振波長の変動を抑制することができる光半導体装置を提供する。
【解決手段】回折格子４ａ及び第１の活性層３を含む第１の導波路１３ａ、及び第１の導波路１３ａの上方に形成される第１の電極８ａを有する半導体レーザ１３と、第１の導波路１３aの第１の活性層３に連接する第２の活性層３を含む第２の導波路１４ａ、及び第２の導波路１４の上方に形成される第２の電極８ｂを有する光半導体増幅素子１３と、半導体レーザ１３に熱的に接続され、電流注入領域２〜５と第３の電極８ｃを有する温度調整素子１７と、を有する。 （もっと読む）

【課題】スペックルノイズを低減することが可能な半導体レーザ素子の駆動方法及び半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】本発明は、ｐ側電極とｎ側電極の間に、ストライプ状の光導波路が設けられた半導体素子構造を有し、前記ｐ側電極及びｎ側電極の少なくとも一方が前記光導波路の長手方向に分離された複数の小片電極からなる半導体レーザ素子の駆動方法であって、発振閾値以上の順方向電圧を印加する前記小片電極を周期的に切り替える、又は発振閾値以上の順方向電圧を印加する前記小片電極の数を周期的に変えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】量子のドット、リング及びワイヤーのような量子構造を含む半導体素子及びそれらの製作方法を提供する。
【解決手段】量子ドット２１１及び複数の層を具備する半導体素子であって、前記複数の層は、第１の層２０３と、ストレッサー層２０５と、パターン層２０７と、を具備し、前記ストレッサー層は前記第１の層の上に覆い被さり、前記パターン層は前記ストレッサー層の上に覆い被さり、前記ストレッサー層は、前記第１の層及び前記パターン層とは実質的に異なる格子定数を有していて、前記層に提供されるピット２１３を有し、前記量子ドットは前記ピットと並べられた前記パターン層上にある。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの半導体基板（１０）と、所定の波長域の放射を生成する、半導体基板（１０）上に配置された少なくとも１つのアクティブ層（２０）と、アクティブ層（２０）の一端部に、当該アクティブ層に垂直に配置され、アクティブ層（２０）内で生成された放射の一部が出射する少なくとも１つのレーザーミラー（４０）とを備える半導体レーザーに関する。レーザーミラー（４０）には、レーザーミラー（４０）を通って出射する放射の光出力‐電流‐特性曲線の上昇を低減させることに適した吸収性材料層（５０，６０）が備えられている。 （もっと読む）

【課題】 広い波長範囲での発光を好適に得ることが可能な量子カスケードレーザを提供する。
【解決手段】 半導体基板と、基板上に設けられ、発光層１７及び注入層１８からなる単位積層体１６が多段に積層されたカスケード構造を有する活性層とを備えて量子カスケードレーザを構成する。また、単位積層体１６は、そのサブバンド準位構造において、第１発光上準位Ｌ_ｕｐ１と、第１発光上準位よりも高エネルギーの第２発光上準位Ｌ_ｕｐ２と、発光下準位Ｌ_ｌｏｗと、発光下準位よりも低エネルギーの緩和準位Ｌ_ｒとを有し、第１、第２上準位から下準位への電子のサブバンド間遷移によって光が生成されるとともに、サブバンド間遷移を経た電子は、下準位から緩和準位へと緩和され、緩和準位を介して注入層１８から後段の発光層１７ｂへと注入されるように構成される。 （もっと読む）

【課題】レーザ共振器部と光増幅器部とを備える半導体レーザ素子であって、光増幅器の動作状態の切り替えにより生じるレーザ共振器の発振波長のゆらぎを抑制する半導体レーザのゆらぎを抑制する波長安定性の高い半導体レーザ素子の提供。
【解決手段】光増幅器のレーザ共振器側の端部を取り囲む領域に、発熱体を形成させる。光増幅器が遮断状態にあるとき、発熱体を発熱させることにより、レーザ共振器の光増幅器側の端部の温度分布を、光増幅器が増幅状態にあるときに近づける。 （もっと読む）

【課題】注入された光信号の偏光への感受性を除去する、または大幅に低減させるための方法およびフォトニック素子、ならびにそのようなフォトニック素子を製造する方法を提供すること。
【解決手段】２つの部分が、異なる光複屈折の屈折率の値を呈するように他方の部分の材料と異なる材料でできた一方の部分を含むフォトニック素子。これにより、第１の偏光モードのセットを第２の偏光モードのセットとは異なる速度でスペクトル空間内に移動させる。バイアス電流またはバイアス電圧が、素子内の複屈折効果全体を制御するために使用される。素子のＴＥモードとＴＭモードとが、それらのそれぞれのスペクトル位置において一致させられるように、複屈折効果を制御するためのバイアスが実施される。こうして、素子は、入ってくるいかなる光信号の偏光に対しても非感受的にされる、または大幅に低減された感受性を呈する。 （もっと読む）

【目的】マルチ縦モードのレーザ光を出射することができる，新しい構造を持つ半導体レーザを提供する。
【構成】半導体基板11上の光軸方向に，発光領域10Ａと反射領域10Ｂとが直列に形成されている。発光領域10Ａには前記光軸方向に延びる活性層13ａが形成されている。他方，反射領域10Ｂには，活性層13の延長上に，前記活性層13と同一材料からなる複数のブロック体13Ａが互いに離間して周期的に形成されている。複数のブロック体13Ａは，その周囲が前記ブロック体13Ａの屈折率よりも低い屈折率を持つ上部クラッド層14，下部クラッド層12等によって取巻かれている。 （もっと読む）

【課題】
分布反射型半導体レーザを用いたシンプルな構成にて高速に波長を走査できる波長走査型光源を提供し、またその光源を用いた波長走査型光コヒーレンストモグラフィ装置を提供する。
【解決手段】
半導体基板上に、活性領域と、受動導波路層および電流ブロックを含む分布反射領域と有する分布反射型半導体レーザを含む波長走査型光源であって、電流ブロックは電流が注入されていない状態で周囲部分とほぼ等しい屈折率を示し該周囲部分より電流が流れにくくなる材質で形成され、且つ受動導波路層の導波方向に沿ってその間隔が徐々に変化するように形成されており、電流が注入された状態で、電流ブロックは当該電流ブロックの電流規制作用により受動導波路層を横切る電流の密度を空間的に規則的に変化させて受動導波路層に屈折率が空間的に規則的に変化する領域を生じさせ、活性領域から入射された光が当該空間的規則性に従った波長でレーザ発振する。 （もっと読む）

【課題】 モードホッピングをより確実に抑制しながらレーザ発振波長を変更可能な半導体レーザ素子及び半導体光集積素子を提供する。
【解決手段】 半導体レーザ素子１０は、レーザ発振波長を変更可能な分布帰還型の半導体レーザ素子であり、第１及び第２の活性層２０Ａ，２０Ｂ並びにそれらを光学的に結合する中間層２０Ｃを含む半導体層部２０であって、第１の活性層、中間層及び第２の活性層がこの順に所定の軸方向に沿って配置されてなる半導体層部２０と、半導体層部に対して設けられており第１及び第２の活性層２０Ａ，２０Ｂと光学的に結合している回折格子２６と、第１及び第２の活性層２０Ａ，２０Ｂにキャリヤを注入するための第１及び第２の電極２８Ａ，２８Ｂと、中間層２０Ｃに電流を供給するための第３の電極２８Ｃと、を備え、回折格子２６は、所定の軸方向に対して延在していると共に、所定の軸方向に対して均一な周期Λを有する。 （もっと読む）

【課題】製造が容易で消費電力が少ない新規な光ジャイロ素子を提供する。
【解決手段】本発明の光ジャイロ素子は、環状の光路５０を互いに逆方向に伝播するレーザ光Ｌ１およびＬ２の周波数差から回転角速度を求める。この光ジャイロ素子は、第１の基板１０に形成された光導波路１１と、第２の基板に形成された半導体光増幅器４０と、レーザ光Ｌ１およびＬ２の一部を環状の光路５０から引き出す引き出し手段と、レーザ光Ｌ１およびＬ２の周波数差を観測するフォトダイオード３１と、実装基板７０とを備える。半導体光増幅器４０は、少なくとも一部が光増幅領域である光導波路２２を含む。光導波路１１の２つの端部と光導波路２２の２つの端部とが結合されるように、第１の基板１０および半導体光増幅器４０が実装基板７０上に配置されている。そして、光導波路１１と光導波路２２とによって環状の光路５０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】0.9〜1.2μｍの中心波長の光を発光する、高出力化可能な光半導体素子を得る。
【解決手段】 光半導体素子１を、InP基板10と、InP基板10の上に積層された第一導電型クラッド層１１と、第一導電型クラッド層１１の上に積層された量子井戸活性層１３であって、InGaAsPあるいはAlGaInAsからなる量子井戸層１３ａと、量子井戸層１３ａを挟むように積層されているInPあるいはGaInPからなる障壁層１３ｂとを備えた量子井戸活性層１３と、量子井戸活性層１３の上に積層された第二導電型クラッド層１５とを備える構成とする。 （もっと読む）

【課題】フォトニック結晶を用いた屈折率センサおよびこの屈折率センサを備えた屈折率測定装置において、屈折率センサの素子および屈折率測定装置を小型化し、部品点数についても低減して、低コストとする。
【解決手段】屈折率センサは、励起光によってそれぞれ異なる発振波長でレーザ発振する複数の共振器をフォトニック結晶上にフォトニック結晶ナノレーザアレイを形成し、各共振器は屈折率の変化に応じて発振波長をシフトし、フォトニック結晶ナノレーザアレイは少なくとも各共振器に被測定媒質を導入自在とする。屈折率測定装置は、屈折率センサと、共振器の近視野像を含むフォトニック結晶ナノレーザアレイの画像を撮像する撮像手段と、撮像装置が撮像するフォトニック結晶ナノレーザアレイの画像変化を求め、この画像変化から前記被測定媒質の屈折率を測定する測定部とを備える。 （もっと読む）

【課題】波長ドリフトを防止する波長可変半導体レーザ素子及びその制御装置、制御方法を提供する。
【解決手段】レーザ光を発振する活性領域と、発振したレーザ光の波長をシフトする波長可変領域とを有する波長可変半導体レーザ素子において、波長可変領域に隣接して、投入した電力の大部分を熱に変換する熱補償領域を設け、波長可変領域に投入する電力と熱補償領域に投入する電力の和を常に一定になるようにする。 （もっと読む）

【課題】希土類元素イオンが添加された固体レーザー結晶を、レーザーダイオードによって励起してレーザービームを発生させるレーザーダイオード励起固体レーザーにおいて、より多くの発振波長を実現する。
【解決手段】Ｓｍ^３＋が添加された固体レーザー結晶13をＧａＮ系レーザーダイオード11によって励起し、該固体レーザー結晶13における ^４Ｇ_５／２ → ^６Ｈ_５／２ 、 ^４Ｇ_５／２ → ^６Ｈ_７／２ 、あるいは ^４Ｆ_３／２ → ^６Ｈ_１１／２ の遷移によって固体レーザービーム16を発生させる。 （もっと読む）

【課題】レーザ光を検出するための検出器を別に設ける必要がない半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体レーザ１０は、基板１と、キャビティ２と、正極電極４と、負極電極５と、観測部６と、電流源７とを備える。キャビティ２は、基板１上に設けられる。そして、キャビティ２は、活性層を含み、レーザ光を出射する。正極電極５は、リング形状からなる平面形状を有し、キャビティ２上に形成される。負極電極５は、基板１の裏面に形成される。観測部６は、一部の正極電極４を切り欠くように形成される。そして、半導体レーザ１０の操作者は、発振したレーザ光を観測部６を通して観測する。電流源７は、観測結果に応じた指示Ｃｏｍを受け、その受けた指示Ｃｏｍによって指定された発振モードで半導体レーザ１０を発振させるための電流を正極電極４へ供給する。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型活性層にダメージを与えることなく、素子容量の増大も抑制することができる光半導体素子を提供する。
【解決手段】 基板上に、ｐ型半導体からなるｐ型クラッド層(3)が形成されている。ｐ型クラッド層の上に、ｐ型半導体領域を含む活性層(5)が形成されている。活性層の上に、ノンドープの半導体からなる緩衝層(10)が配置されている。緩衝層の表面の一部の領域上に、ｎ型半導体からなるリッジ状のｎ型クラッド層(11)が配置されている。ｎ型クラッド層の両側の領域の緩衝層は、ｎ型クラッド層直下の領域の緩衝層よりも薄い。 （もっと読む）

【課題】 高温、高出力での動作を実現することが可能な量子カスケードレーザを提供する。
【解決手段】 半導体基板と、半導体基板上に設けられ、量子井戸発光層１７及び注入層１８からなる単位積層体１６が多段に積層されたカスケード構造を有する活性層とを備えて量子カスケードレーザを構成する。また、単位積層体１６は、そのサブバンド準位構造において、発光上準位３と、発光下準位２と、発光上準位３よりも高いエネルギー準位である注入準位４とを有し、発光層１７における準位３から準位２への電子のサブバンド間遷移によって光ｈνが生成されるとともに、サブバンド間遷移を経た電子が注入層１８を介して、後段の単位積層体における注入準位へと注入され、この注入準位から発光上準位へと供給されるように構成される。 （もっと読む）