【課題】 赤色レーザダイオードと赤外レーザダイオードからなる２波長レーザと青紫レーザダイオードを横に並べて３波長半導体レーザ装置を構成する場合、２波長レーザの２つのレーザの発光点間の距離には制約があるためチップサイズが大きくなる。また、２波長レーザと青紫レーザを縦に積層した場合には、アセンブリプロセスが複雑になり、製造コストが高くなる。
【解決手段】 発光点がチップ端近傍に形成された青紫レーザダイオードと２波長レーザダイオードを並べて実装して３波長半導体レーザ装置を構成する。３つの発光点間を近づけることが出来、且つ製造が容易な３波長半導体レーザ装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】高さが互いに異なる２つのボンディングパッドを備える半導体光集積素子の端面に膜を形成する際に、半導体光集積素子を安定して固定し、且つボンディングパッド上への膜材料の回り込みを低減する。
【解決手段】ボンディングパッド４２の高さＨ_１がボンディングパッド６２の高さＨ_２より低い半導体光集積素子１０の製造方法であって、複数の半導体光集積素子１０が形成されたウエハを切断することにより、棒状の複数の半導体光集積素子アレイ７０を形成する工程と、複数の半導体光集積素子アレイ７０と複数のスペーサー８０とをウエハの厚さ方向に交互に積層して固定する工程と、半導体光集積素子アレイ７０の両端面上に反射膜４４及び６４を形成する工程とを備える。複数のスペーサー８０の可動部８１は、ボンディングパッド４２に向けて突出しており、且つ突出方向に沿って変位可能なように構成されている。 （もっと読む）

【課題】 放熱性がよく、ボンディング強度およびボンディング精度を損なうことのない半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】 半導体レーザ装置１は、少なくとも１つ以上のレーザ発光部１２を含む半導体レーザ素子１０と、半導体レーザ素子１０が実装されるサブマウント２０と、サブマウント２０が搭載される搭載面３１ａを有するパッケージ３０とを含み、サブマウント２０の厚み方向Ｚ２の一方の表面部は、半導体レーザ素子１０が実装される平坦な実装面２１ａを有し、他方の表面部である接合側表面部２１ｂは、その周縁の部分であって、平坦な表面を有する枠状の平坦部分２５ａと、平坦部分２５ａに囲繞される部分であって、平坦部分２５ａの表面よりも窪んだ凹部２６を有する凹凸部分２５ｂとから成り、接合側表面部２１ｂを介して、サブマウント２０がパッケージ３０に接合される。 （もっと読む）

【課題】 レーザの発振を安定化させてＳＭＳＲ特性を向上させ、かつ、光半導体素子の活性層の高さと平面光波回路基板の導波路の高さを合致させる。
【解決手段】 平面光波回路基板３のマウント面６から離間したアプローチ開始位置に光半導体素子５をジャンクションアップの状態で保持し、光半導体素子５の上面高さが平面光波回路基板３の表面高さ３ａと一致する高さまで光半導体素子５をマウント面６に向けて接近させ、光半導体素子５の上面高さと平面光波回路基板３の表面高さ３ａを一致させる。更に、平面光波回路基板３の表面３ａから導波路２の中心に至る設計上の距離の基準値Ａと光半導体素子５の上面から活性層４の中心に至る設計上の距離の基準値Ｂの差分Ａ−Ｂだけ光半導体素子５をマウント面６に向けて接近させることで、光半導体素子５の活性層４の高さを平面光波回路基板３の導波路２の高さに一致させる。 （もっと読む）

【課題】ストライプ形状の複数の半導体レーザ素子が配列された半導体チップとサブマウントとを接合する場合に、半導体レーザ素子の電極とサブマウント側の対応する配線層の位置合せの許容度を高めて、生産効率を高めることができるマルチビーム半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】サブマウント３０には、配線層３１ａ〜３１ｄが形成されている。半導体チップ４０には、ストライプ状のリッジ部Ｒ１〜Ｒ４が形成されている。リッジ部Ｒ１〜Ｒ４上には、接続電極部４１ａ〜４１ｄが形成されている。ストライプ状のリッジ部の全体を含む範囲を、ストライプ方向を横切る方向で２つのブロックに分割し、かつ、ストライプ方向に沿って２分割して、合計４つの分割領域を生成している。１つの分割領域内に１つの接続電極部を形成し、各接続電極の配置位置を、ストライプ方向を横切る方向に対してすべて異なるように形成する。 （もっと読む）

【課題】 光半導体素子及びその製造方法に関し、被り成長を伴わない構造でフリップチップボンディングに適した構造を実現する。
【解決手段】 半導体基板上に設けた第１導電型半導体層上に、少なくとも半導体活性層及び前記第１導電型とは逆導電型の第２導電型半導体層を順次積層した積層構造を含む第１メサストライプと、前記第１メサストライプの側面を埋め込む高抵抗半導体層とを備えた傾斜側面を有する第１テラス構造と、前記第１メサストライプと平行する独立で且つ前記第１メサストライプと同じ積層構造を有する第２メサストライプと、前記第２メサストライプの側面を埋め込む高抵抗半導体層とを備えた傾斜側面を有する第２テラス構造とを設け、前記第１テラス構造の平坦面に前記第１メサストライプの前記第２導電型半導体層に接続する第１電極と、前記第１テラス構造と前記第２テラス構造の間に露出する前記第１導電型半導体層に接続し前記第２テラス構造の平坦部まで延在する第２電極を設ける。 （もっと読む）

【課題】低い製造コストで信頼性に優れた光学モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】光ファイバと樹脂製フェルールを備えた光学モジュールの製造方法であって、金型の内部に光ファイバを配置し、金型内に樹脂を注入して硬化させて光ファイバとフェルールとを一体化する光学モジュールの製造方法によって上記課題が解決される。 （もっと読む）

【課題】導波路および半導体レーザ素子を高精度に位置決めする必要のない熱アシスト磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】熱アシスト磁気ヘッド２１は、スライダ２２と光源ユニット２３とを備えている。光源ユニット２３は、半導体レーザダイオード４０を備えている。半導体レーザダイオード４０は、ｎ型（Ａｌ_ｘ１Ｇａ_{（１−ｘ１）}）_０．５１Ｉｎ_０．４９Ｐクラッド層およびｐ型（Ａｌ_ｘ１Ｇａ_{（１−ｘ１）}）_０．５１Ｉｎ_０．４９Ｐクラッド層と、これらのクラッド層に挟まれたｎ側Ａｌ_ｘ２Ｇａ_{（１−ｘ２）}Ａｓガイド層およびｐ側Ａｌ_ｘ２Ｇａ_{（１−ｘ２）}Ａｓガイド層と、これらのガイド層に挟まれた活性層とを含む。 （もっと読む）

【課題】一方の半導体レーザ素子の発光点に対する他方の半導体レーザ素子の発光点の位置合わせが精度良く行われることが可能に構成された半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】この３波長半導体レーザ装置１００（半導体レーザ装置）は、放熱基台１０と、放熱基台１０に接合され、放熱基台１０側のｐ側電極２６と、放熱基台１０側とは反対側のｎ側電極２７と、放熱基台１０に接合される側に形成された活性層２３およびリッジ部２４ａとを含む青紫色半導体レーザ素子２０とを備え、ｐ側電極２６は、ｐ側電極２６の外縁部２６ａ〜２６ｄにより構成されるとともに、ｎ側電極２７側から平面的に見て認識可能に構成された位置決め基準部６０ａ〜６０ｄを有する。 （もっと読む）

【課題】製造コストの増加、歩留りや信頼性の低下が生じ難い構成、構造を有し、斜め導波路を有するサブマウントを提供する。
【解決手段】本発明のサブマウント１００は、光入出射端面の法線に対して軸線がθ_WG（度）傾き、屈折率ｎ_LEを有する半導体材料から成る導波路１１を備えた半導体発光素子１０を固定するものであり、半導体発光素子を取り付ける第１面１０１には、半導体発光素子を固定するための融着材料層１０３が設けられており、半導体発光素子の光入出射端面の外側近傍の光通過媒質の屈折率をｎ₀としたとき、角度θ_SM＝ｓｉｎ^-1［ｎ_LE・ｓｉｎ（θ_WG）／ｎ₀］を識別できるアライメントマーク１０７が、融着材料層１０３に形成されている。 （もっと読む）

【課題】一方の面に入出射部及び第１電極を有し、他方の面に第２電極を有する光電変換素子が、生産性及びスペース効率に優れた簡単な接続構造にて基板に実装された光電変換モジュールを提供する。
【解決手段】光電変換モジュールは、透光性を有するとともに、実装面に基板側第１電極56及び基板側第２電極64を有する回路基板30と、回路基板30の実装面に実装される光電変換素子38であって、実装面と対向する第１の面にそれぞれ設けられた、入出射部及び基板側第１電極56に接続される素子側第１電極44を有するとともに、第１の面と反対側の第２の面に素子側第２電極62を有する光電変換素子38と、光電変換素子38と回路基板30との間に充填された充填部材40と、素子側第２電極62から基板側第２電極64に渡る膜状の導電部材42とを備える。 （もっと読む）

【課題】発光素子と光導波路との高い結合効率が実現することができる光結合構造を提供する。
【解決手段】本発明における光結合構造は、基板と、基板上に設けられた台座と光導波路と、台座上に搭載された発光素子と、発光素子の前記基板と対向する面とは反対側の面と接続する保持部材とを備え、保持部材は基板と接合していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光半導体装置を効率よく製造でき、特にＬＥＤ、ＬＤをはじめとした光半導体素子を光半導体装置の素子取付部に固定するまでの作業を効率よく行うことができ、光半導体装置の製造の生産性を高めることができる光半導体装置用接着剤、光半導体装置用接着剤シート、光半導体装置用接着剤シートの製造方法、及び光半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ウエーハから切り出されソーティングされた光半導体素子を基材シート２上からピックアップし、前記光半導体素子を光半導体装置内の素子取付部に搭載した後、前記光半導体素子を前記素子取付部に硬化接着するために用いる光半導体装置用接着剤１であって、フィルム状に成形されており、基材シート２上に配置されており、基材シート２から剥離できるものである。 （もっと読む）

【課題】光導波路リンク装置において、発光（受光）素子と光導波路フィルムとの間にレンズを設けることが必要であったが、それを解消する。
【解決手段】コア部とそれを囲堯するクラッド部とで成る光導波路を少なくとも有する光導波路フィルムの長手方向の両端部に、発光素子と受光素子とを配設して成る光導波路リンク装置において、前記光導波路フィルム５は、コア部２の光信号伝達方向における該光信号伝達方向に直交する厚さが発光側から受光側に行く途中で薄くなっており、前記発光素子６および受光素子７における端面と光導波路フィルムの端面とには間隙のみが設けられている光導波路リンク装置１とする。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザの汚染及び損傷を抑制しつつ、半導体レーザをステムにダイボンディングする際の精度を高めるダイボンディング装置を提供する。
【解決手段】ダイボンディング装置は、ヒートシンク１７と、ヒートシンク１７上に搭載された半導体レーザ１８と、を有するペレット４０を保持するペレット保持部（コレット１６）を有する。更に、ステム４１に対する位置関係が所定の位置関係にある所定の基準面４２に突き当てられる第１面５１と、ペレット４０のヒートシンク１７が突き当てられる第２面５２と、を含む位置決め用部材２０を有する。制御部７０は、基準面４２に第１面５１が突き当てられた状態にて、ヒートシンク１７の第３面５８を第２面５２に突き当てさせることにより、ペレット４０を位置決めする制御と、位置決めがなされたペレット４０をステム４１上にダイボンディングさせる制御と、を実行する。 （もっと読む）

【課題】マウント強度を改善して高歩留、長寿命の半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ装置は、窒化物系化合物半導体からなる半導体レーザチップ１００と、半導体レーザチップ１００がマウントされるヒートシンク２００と、半導体レーザチップ１００を支持するステム３００とを備えている。そして、半導体レーザチップ１００がマウントされたヒートシンク２００が、低融点硬化型金属接着剤６００（接着層６１０）によってステム３００に接着されている。 （もっと読む）

【課題】斜め導波路を有する光素子を集積する場合に、素子端面の位置がずれてしまっても、精度良く位置合わせを行なえるようにする。
【解決手段】光集積素子の製造方法を、第１斜め導波路５を有する第１光素子１に、その端面位置を検知しうる複数の端面位置検知マーカ１１Ａ、及び、複数の端面位置検知マーカのそれぞれに対応する複数の第１位置合わせマーカ１２Ａを形成し、第２斜め導波路８を有する第２光素子２に、第１斜め導波路の端面位置と第２斜め導波路の端面位置とが合った場合に複数の第１位置合わせマーカのいずれかにいずれかの位置が合う複数の第２位置合わせマーカ１３Ａを形成し、端面位置を検知した端面位置検知マーカに対応する第１位置合わせマーカとこれに対応する第２位置合わせマーカとを合わせて第１斜め導波路の端面と第２斜め導波路の端面とを位置合わせして、第２光素子上に第１光素子を実装するものとする。 （もっと読む）

【課題】従来と同程度の簡易さでより高精度な位置決めを行うことのできる部品の固定方法を提供する。
【解決手段】半導体素子４が取付けられた固定部材４ｂには、最表面が基材３の固定面３ａと同種の金属からなる取付面４ｃが形成され、基材３の固定面３ａには、固定面３ａ及び取付面４ｃの最表面と同種の金属材からなる粒径が略揃った球形の微粒子１０を塗布して微粒子層１１を形成し、微粒子層１１を形成した固定面３ａに対して取付面４ｃを押し当て、微粒子層１１を加熱及び加圧して固定面３ａと取付面４ｃを接合する。 （もっと読む）

【課題】基板上に搭載される部品を加熱することなく精度良く簡単に実装できること。
【解決手段】集積デバイスは、光素子であるＬＤ１２１，波長変換素子１２２と、電気素子であるドライバＩＣ１２３とを基板１００上に混載して実装する。光素子と電気素子とは、基板１００上に形成された金属材料からなる接合部１１０，１１１，１１２に表面活性化接合により接合される。この接合部１１０，１１１，１１２にはマイクロバンプが形成され、原子間の凝着力を利用して常温で接合できる。 （もっと読む）