【課題】 リッジ部への応力の集中を避けることが可能であると共に傾くことを抑制可能なIII族窒化物半導体レーザを提供する。
【解決手段】 III族窒化物半導体レーザ１は、リッジ部２４を含むIII族窒化物半導体積層２０と、III族窒化物半導体積層２０の上に設けられた絶縁膜６０と、リッジ部２４の上面２４ａと接合を成すｐ電極７１と、絶縁膜６０及びｐ電極７１の上に設けられたｐパッド電極７２と、絶縁膜６０の上に設けられた第１の擬似パッド８１及び第２の擬似パッド８２とを備える。III族窒化物半導体積層２０は、順に配列された第１の部分２１、第２の部分２２及び第３の部分２３を有する。第２の部分２２は前記リッジ部２４を含む。第１の擬似パッド８１は第１の部分２１の上に設けられ、第２の擬似パッド８２は第３の部分２３の上に設けられている。 （もっと読む）

【課題】APCのために必要な受光素子の構成が簡単であり、低価格で安定したAPC制御を実現することができる光源装置を提供する。
【解決手段】複数の光源からなる面発光レーザ１と、面発光レーザ１からの光を反射する光学素子としてのガラス２と、光学素子２からの反射光を受光する受光素子３と、が一体に構成された光源装置６において、光学素子２が面発光レーザ１からの光の放射方向５に対して傾けて配置され、受光素子３の光の傾け方向の最大寸法をC、その直交方向の最大寸法をDとしたとき、C＞Dとする。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ素子部に割れや欠けが発生することを抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この青紫色半導体レーザ素子１００（半導体レーザ素子）は、略平坦な表面１０ｂと、表面１０ｂの反対側に形成された表面１０ａと、表面１０ｂと表面１０ａとの間に形成された活性層１２とを含む半導体レーザ素子部１０と、半導体レーザ素子部１０の略平坦な表面１０ｂ上に形成されたｎ側電極３０とを備える。そして、ｎ側電極３０は、表面１０ｂと対向する領域の略全域に亘って略平坦な下面３０ｂと、下面３０ｂの反対側に形成された上面３０ａと、上面３０ａに形成されるとともに下面３０ｂに向かって窪む凹部３５とを含む。 （もっと読む）

【課題】斜め導波路を有する光素子を集積する場合に、素子端面の位置がずれてしまっても、精度良く位置合わせを行なえるようにする。
【解決手段】光集積素子の製造方法を、第１斜め導波路５を有する第１光素子１に、その端面位置を検知しうる複数の端面位置検知マーカ１１Ａ、及び、複数の端面位置検知マーカのそれぞれに対応する複数の第１位置合わせマーカ１２Ａを形成し、第２斜め導波路８を有する第２光素子２に、第１斜め導波路の端面位置と第２斜め導波路の端面位置とが合った場合に複数の第１位置合わせマーカのいずれかにいずれかの位置が合う複数の第２位置合わせマーカ１３Ａを形成し、端面位置を検知した端面位置検知マーカに対応する第１位置合わせマーカとこれに対応する第２位置合わせマーカとを合わせて第１斜め導波路の端面と第２斜め導波路の端面とを位置合わせして、第２光素子上に第１光素子を実装するものとする。 （もっと読む）

【課題】 ＢＤ用レーザーダイオードと、ＤＶＤ／ＣＤ用２波長レーザーが出射可能なモノリシックレーザーダイオードとを１つのパッケージに実装し、１つの対物レンズおよび単一光学系で信号の読み取りを行う光ピックアップ装置では、３つの波長の光源が離間しているため、対物レンズへの入射光が光軸から傾くレーザー光が発生し、像高に応じた収差が発生する。
【解決手段】 ＢＤ用レーザーダイオードの発光点をチップの中心より端にずらして設け、当該発光点とＤＶＤ／ＣＤ用２波長レーザーが出射可能なモノリシックレーザーダイオードとが近接するように２つのレーザーダイオードを並べて配置する。また、２つのレーザーダイオードはチップを個別に分離する劈開加工において、ハーフダイスを採用することによりチップサイズが小型化される。これにより、２つのレーザーダイオードを支持基板上に並べて配置する構造でありながら、発光点間の距離を縮小できる。 （もっと読む）

【課題】 赤色レーザダイオードと赤外レーザダイオードからなる２波長レーザと青紫レーザダイオードを横に並べて３波長半導体レーザ装置を構成する場合、２波長レーザの２つのレーザの発光点間の距離には制約があるためチップサイズが大きくなる。また、２波長レーザと青紫レーザを縦に積層した場合には、アセンブリプロセスが複雑になり、製造コストが高くなる。
【解決手段】 ２波長レーザダイオードの２つのレーザ間に青紫レーザダイオードを積層して３波長半導体レーザ装置を構成する。チップサイズが小さく、且つ製造が容易な３波長半導体レーザ装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】小型化、低コスト化を図ることができる半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体レーザ１０は、基板１００と、第１の下部ＤＢＲ１０２と光路変換層１０４と、第２の下部ＤＢＲ１０６と、活性領域１０８と、上部ＤＢＲ１１０と、ｐ側電極１１２と、ｎ側電極１１４とを有する。光路変換層１０４は、側面Ｓから選択的に酸化された酸化領域１０４Ａと非酸化領域１０４Ｂとを有し、非酸化領域１０４Ｂは、第１および第２の下部ＤＢＲ１０２、１０６と電気的に接続される。活性領域１０８で発生された光は、酸化領域１０４Ａと非酸化領域１０４Ｂの境界１０４Ｃにおいて水平方向に反射され、側面Ｓから外部に放出される。 （もっと読む）

【課題】放熱性をより向上させることが可能な半導体レーザチップを提供する。
【解決手段】この半導体レーザチップ１００は、表面１０ａと裏面１０ｂとを含む基板１０と、基板１０の表面１０ａ上に形成された窒化物半導体各層１１〜１８と、窒化物半導体層に形成された光導波路２０（リッジ部１９）と、基板１０の裏面１０ｂ上に形成されたｎ側電極２３と、基板１０を含む領域に形成され、光導波路２０（リッジ部１９）に沿って延びる切欠部５とを備えている。この切欠部５は、半導体レーザチップ１００の両側端面４０のそれぞれに形成されているとともに、これら切欠部５の切欠面５ａ上には、ｎ側電極２３と接続された金属層２４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】光検出機能を有していても、小型で狭い実装スペースに搭載できる半導体レーザ及び光モジュールを実現する。
【解決手段】素子本体５の内部に活性層４が設けられると共に、素子本体５の上面には第１の電極６が形成され、素子本体５の下面には第２の電極７、及び第３の電極８が形成されている。そして、素子本体５の一方の端部は、第１の電極６から第２の電極７にかけて超薄膜の量子ドット膜９が形成されている。これをＡＰＣ駆動回路に接続し、量子ドット膜９で検出された光をモニタすることにより、半導体レーザに入力されるバイアス電流をフィードバック制御する。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザの熱を効率良く放熱可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置は、放熱部材１４、半導体レーザ１２、及び半田１４ｃを備えている。半導体レーザは、放熱部材上に搭載されている。半田は、半導体レーザと放熱部材との間に介在して、半導体レーザと放熱部材とを接合している。半導体レーザは、半導体基板１２ａ及び電極１２ｋを含んでいる。この電極は、半導体基板の一主面に形成されており、Ａｕを含んでおり、半田に接している。電極は、少なくとも一部分において他の部分より厚みの大きい部分を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】ＶＣＳＥＬの主発光面からの光を光ファイバに向けて送出し、主発光面の裏面からの光を光出力モニタ用のＰＤで受光するものであって、ＶＣＳＥＬとＰＤを同時に実装可能であり、ＶＣＳＥＬの放熱効率が良い光送信モジュールを提供する。
【解決手段】光送信モジュールは、ＶＣＳＥＬ４の主発光面４ｂからの光を光ファイバＦに向けて送出し、主発光面４ｂの裏面４ｃからの光を光出力モニタ用のＰＤ５で検出するものである。ＶＣＳＥＬ４及びＰＤ５は、透明な実装基板６上の互いに異なる位置に実装される。その透明な実装基板６は、ＶＣＳＥＬ４の裏面４ｃから出射して当該透明な実装基板６に入射した光を反射しＰＤ５に受光させる反射面となる斜面６ｃ，６ｄを具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ素子と支持体の対向する方向に関する位置合わせが高精度且つ容易であり、支持体から半導体レーザ素子が剥離しにくい。
【解決手段】光学部品１は、半導体レーザ素子１０と支持体２０とを有している。半導体レーザ素子１０には、複数の半導体膜が積層され、その表面にｐ電極１０６及び高さ調整部１１４、１１５が形成されている。支持体２０は、基板２００を有しており、その表面には、基板２００側から順に、金属接着層２０１、金属配線２０２、融着金属層２０３が積層されている。支持体２０の金属配線２０２と半導体レーザ素子１０のｐ電極１０６は、融着金属層２０３を介して一体化している。 （もっと読む）

【課題】ＶＣＳＥＬの主発光面からの光を光ファイバに向けて送出し、主発光面の裏面からの光を光出力モニタ用のＰＤで受光するものであって、ＶＣＳＥＬとＰＤを同時に実装可能であり、ＶＣＳＥＬの放熱効率が良い光送信モジュールを提供する。
【解決手段】光送信モジュール１は、ＶＣＳＥＬ５の主発光面５ｂからの光を光ファイバに向けて送出し、主発光面５ｂの裏面５ｃからの光を光出力モニタ用のＰＤ６で検出する。光送信モジュール１は、ＶＣＳＥＬ５とＰＤ６の両素子を並置する実装基板４に、ＶＣＳＥＬ５の実装箇所からＰＤ６の実装箇所に向けて延在する溝４ｂを設け、その溝４ｂは、ＶＣＳＥＬ５の裏面５ｃと対向する部分に斜面４ｃを有し、ＶＣＳＥＬの裏面５ｃから出射された光を、溝４ｂの斜面４ｃに反射させて、ＰＤ６で受光する。 （もっと読む）

【課題】
光結合効率が高く、高密度実装された小型の光モジュールを提供する。
【解決手段】
光モジュールにおいて、半導体基板１１の主表面に対して光を垂直方向に出射する発光素子が光出射領域に集積されたレンズ１９と光出射領域を囲むように集積された保持部２２とを有することにより、発光素子と発光素子からの光を導波する光ファイバ３１との水平垂直方向の位置合わせの簡易性が向上し、光結合効率が高く、高密度実装された小型の光モジュールを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体光通信モジュールの小型化に寄与する構造及び製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明に係る半導体光通信モジュールは、光信号を出力する発光素子と、屈曲した光導波路とを搭載したチップと；前記チップを搭載したキャリアと；前記キャリアに対向して配置され、前記チップから出力される変調光信号が入射するレンズモジュールとを備える。そして、前記レンズモジュールの入射側端面と前記キャリアの端面とが平行になりかつ前記レンズモジュールの入射側端面と前記光導波路からの出射光とが垂直になるように前記レンズモジュールと前記キャリアと前記チップとを配置したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】特性劣化や放熱性低下を誘発することなく、半導体レーザ素子アレイを実装する半導体レーザ素子アレイの実装構造を提供する。
【解決手段】ＬＤ素子アレイ１の素子表面に設けた電極と差動信号配線板１６の配線に設けた金錫ハンダバンプ１８との間に金製円柱１５を挿入し、電極とハンダバンプ１８とを金製円柱１５を介して接続することにより、ＬＤ素子アレイ１を差動信号配線板１６上にフリップチップ実装すると共に、ＬＤ素子アレイ１の素子裏面に熱伝導性材料からなるＬＤキャリア１３を固定し、ＬＤキャリア１３と差動信号配線板１６とを熱伝導性材料からなる放熱用基板１９で接続した。 （もっと読む）

【課題】放熱性が良好で、実装が容易な面発光レーザを提供する。
【解決手段】半導体基板２上に、活性層３を有するメサ構造部４と、メサ構造部４を囲む態様の絶縁層５とを設ける。レーザ光は、メサ構造部４の形成領域の上部側から半導体基板２の基板面に垂直な方向に発する。メサ構造部４に対向する面発光レーザ１の下面側に、メサ構造部４の熱を放熱する放熱層１２を形成する。面発光レーザ１をその厚み方向に絶縁層５を通して貫通する孔部８を形成し、絶縁層５の上面に、メサ構造部４から孔部８まで、メサ構造部４のｐ型の層に導通するｐ型の電極１３を形し、電極１３を孔部８の内壁を通して面発光レーザ１の下面側まで延設する。半導体基板２の底面には面発光レーザ１の下面側に形成されたｐ型の電極１３に間隔を介してメサ構造部４のｎ型の層に導通するｎ型の電極１４を形成する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディング耐性を向上させ、歩留まりの向上と信頼性の向上とを図った光モジュールの製造方法およびその方法により製造された光モジュールを提供する。
【解決手段】光モジュール３０の製造方法は次の工程を備える。ドライバＩＣ３２のチップにバンプ３２ａを形成する工程（図４（ｂ））、高周波信号線３６の表面全体にマスクテープ９０を貼りマスクする工程（図４（ｄ））、ドライバＩＣの実装領域にＮＣＰ樹脂９３を供給する工程（図４（ｅ））、ボンダ９５を用いてモジュール基板３３上の複数の電極等とバンプ３２ａとを加熱により接合すると同時にＮＣＰ樹脂９３を硬化させる工程（図４（ｆ））、ポストキュアを行う工程（図４（ｈ））、マスクテープ９０を剥がす工程（図４（ｇ））、および複数の高周波信号線３６とＶＣＳＥＬアレイ３１とをワイヤ３７で接合する工程。 （もっと読む）

【課題】放熱性とダイボンディング強度を増大し、ダイボンディングの信頼性と歩留りの向上した半導体発光素子およびその製造方法。
【解決手段】半導体基板２と、半導体基板２上に配置された第１導電型クラッド層３２と、第１導電型クラッド層３２上に配置された活性層３３と、活性層３３上に配置された第２導電型クラッド層３４と、第２導電型クラッド層３４上に配置された蒸着層３５と、蒸着層３５上に配置されたメッキ電極層３６とを備え、メッキ電極層３６の両端部は、メッキ電極層３６の中央部に比べ薄いことを特徴とする半導体発光素子およびその製造方法。 （もっと読む）