【課題】 レーザ素子の端面への導電部材の這い上がりが抑制され、且つ、放熱性に優れたレーザ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板１０と、該基板１０上に設けられた導電部材１１と、該導電部材１１上に設けられた光導波路領域２０ａを有するレーザ素子２０と、を備えるレーザ装置１００である。導電部材１１は、導電部材１１の端部に設けられ、且つ、レーザ素子２０よりも幅が狭い幅狭部１１ａと、幅狭部１１ａよりも幅が広い幅広部１１ｂと、を有し、幅狭部１１ａ及び幅広部１１ｂは、光導波路領域２０ａの直下に設けられている。 （もっと読む）

【課題】光学部品の外径精度に誤差があっても、基板上に形成された光導波路との間の光結合を低光損失で簡単に結合できること。
【解決手段】レーザ光源は、レーザ素子１０２と、レーザ素子１０２のレーザ光を波長変換して出射する波長変換素子１０４とが基板１０１上に配置されてなる。導波路部１０３は、フォトリソグラフィ工程により基板１０１上に形成され、レーザ素子１０２および波長変換素子１０４は、導波路部１０３に位置決めされて基板１０１上に配置される。レーザ素子１０２のレーザ光は導波路部１０３を導波した後、波長変換素子１０４に入射する。 （もっと読む）

【課題】多波長半導体レーザ装置の小型化を図ると共に、光ピックアップ装置の小型化及び低コスト化を図りながら、出射光のＳ／Ｎ比を向上させる。
【解決手段】本発明に係る多波長半導体レーザ装置１は、搭載基板２と、第１の基板１１、第１の半導体レーザ素子部２０、及び第１の半導体レーザ素子部２０とＸ方向に隣り合う第２の半導体レーザ素子部３０を有する第１の半導体レーザ素子１０と、第２の半導体レーザ素子部３０とＸ方向に隣り合う第２の半導体レーザ素子４０とを備えている。第１の半導体レーザ素子部２０は、第１の発光部Ａを含む第１の半導体層２２を有している。第２の半導体レーザ素子部３０は、第２の発光部Ｂを含む第２の半導体層３２を有している。第２の半導体レーザ素子４０は、第２の基板４１と、第３の発光部Ｃを含む第３の半導体層４２とを有している。第２の発光部Ｂは、搭載基板２のＸ方向の中央部Ｃ２の上に位置している。 （もっと読む）

【課題】 リッジ部への応力の集中を避けることが可能であると共に傾くことを抑制可能なIII族窒化物半導体レーザを提供する。
【解決手段】 III族窒化物半導体レーザ１は、リッジ部２４を含むIII族窒化物半導体積層２０と、III族窒化物半導体積層２０の上に設けられた絶縁膜６０と、リッジ部２４の上面２４ａと接合を成すｐ電極７１と、絶縁膜６０及びｐ電極７１の上に設けられたｐパッド電極７２と、絶縁膜６０の上に設けられた第１の擬似パッド８１及び第２の擬似パッド８２とを備える。III族窒化物半導体積層２０は、順に配列された第１の部分２１、第２の部分２２及び第３の部分２３を有する。第２の部分２２は前記リッジ部２４を含む。第１の擬似パッド８１は第１の部分２１の上に設けられ、第２の擬似パッド８２は第３の部分２３の上に設けられている。 （もっと読む）

【課題】上部クラッド層とｐ型半導体層との接触抵抗を低減しつつ、上部クラッド層の形成時間の短縮を図ることができる半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】半導体レーザ素子１０１は、ｎ型クラッド層１４、ｎ型クラッド層１４上に形成されたｎ型ガイド層１５、ｎ型ガイド層１５上に形成された発光層１０、および発光層１０上に形成されたｐ型半導体層１２を備え、ｐ型半導体クラッド層を有しない窒化物半導体積層構造２と、ｐ型半導体層１２上に形成された透明電極５とを含む。透明電極５は、酸化インジウム系の材料からなる第１導電性膜２１と、第１導電性膜２１上に形成され、酸化亜鉛系、酸化ガリウム系または酸化錫系の材料からなる第２導電性膜２２とを含む。 （もっと読む）

【課題】側面における半田材の這い上がりを抑制する。
【解決手段】量子カスケード半導体レーザ１は、下部クラッド層１１、コア層１３および上部クラッド層１５を含む半導体積層２０と、半導体積層２０の主面１６ａ上に設けられた絶縁層４１と、絶縁層４１の開口部４１ａを介して主面１６ａに接続された上部電極Ｅ１とを備える。半導体積層２０は、法線軸ＮＶに直交する一方向に沿って順に配置された第１領域２０ａ、第２領域２０ｂおよび第３領域２０ｃからなり、第１領域２０ａおよび第３領域２０ｃの各々には、法線軸ＮＶおよび一方向に直交する他方向に沿って半田閉込溝３２が設けられ、絶縁層４１は、主面１６ａおよび半田閉込溝３２に設けられ、第１領域２０ａおよび第３領域２０ｃは第２領域２０ｂより低い。 （もっと読む）

【課題】ｐダウン形態における放熱特性とｐアップ形態における放熱特性との差を低減可能な構造を有するIII族窒化物半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体リッジ４９及びオーミック電極１５を介して活性層２５からの熱ＴＥ３が金属電極４５に伝わる。オーミック電極１５からの熱ＴＥ３は、オーミック電極１５の幅より大きい幅の金属電極４５を伝搬して、半導体リッジ４９から離れた半導体リッジ４９外側に伝わる。熱伝搬金属層４７は金属電極４５に接触を成すので、熱伝搬金属層４７は金属電極４５から熱ＴＥ５を受ける。この熱の一部ＴＥ６は、金属電極４５の幅より大きい幅の熱伝搬金属層４７を伝搬して、半導体リッジ４９及び金属電極４５から離れた熱伝搬金属層４７に伝わる。熱伝搬金属層４７からの熱ＴＥ６は再びレーザ構造体に伝わり、この熱ＴＥ６はレーザ構造体１３を伝搬して基板裏面１７ｂに向けて伝搬する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で高精度に組み立てでき小型化できること。
【解決手段】実装基板１０１上には、光学素子としてＬＤ素子１０２と、波長変換素子１０３が実装される。光ファイバ１０５の端部は、サブ基板１０４のファイバ固定溝３０１に所定長さ固定される。このサブ基板１０４は、実装基板１０１に対し、光ファイバ１０５が支持された面が対向して実装され、波長変換素子１０３と光ファイバ１０５とが結合される。実装基板１０１にサブ基板１０４が実装されることにより、波長変換素子１０３の出射端と光ファイバ１０５の入射端との結合箇所は、実装基板１０１の端部から所定距離内部の位置に設けられる。 （もっと読む）

【課題】 赤色レーザダイオードと赤外レーザダイオードからなる２波長レーザと青紫レーザダイオードを横に並べて３波長半導体レーザ装置を構成する場合、２波長レーザの２つのレーザの発光点間の距離には制約があるためチップサイズが大きくなる。また、２波長レーザと青紫レーザを縦に積層した場合には、アセンブリプロセスが複雑になり、製造コストが高くなる。
【解決手段】 発光点がチップ端近傍に形成された青紫レーザダイオードと２波長レーザダイオードを並べて実装して３波長半導体レーザ装置を構成する。３つの発光点間を近づけることが出来、且つ製造が容易な３波長半導体レーザ装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体サブモジュールに対する光ファイバの着脱を簡単に行なうことができ、し
かも、光ファイバに特殊な加工を施すことなく光ファイバを、半導体サブモジュールを構成する基板の表面に対しその軸線が平行となるように配列できること。
【解決手段】半導体サブモジュールが、光半導体素子１６を一方の表面部分に備える第１
の基板としての基板１０と、光半導体素子１６を駆動、信号増幅するための半導体素子２
６および外部との電気信号の入出力のために電気コネクタ２８を備える第２の基板として
の基板１１と、基板１０の端部と基板１１の端部とを電気的に接続する可撓性接続手段と
してのフレキシブルケーブル１２とを含んで構成されるもの。 （もっと読む）

【課題】 光モジュールの設計自由度を向上する。
【解決手段】 同じ向きに光出射するように複数の光素子がアレイ状に並んで集積された光素子アレイを備えた光モジュールにおいて、前記複数の光素子のそれぞれが前記光素子が並んだ方向に第1電極と第2電極とを備えさせ、隣接する光素子の前記第1電極と前記第2電極を鏡像配置にする。 （もっと読む）

【課題】発熱に伴う応力に起因する発光素子のダメージの低減、およびミラー部や隙間部分の内部導波路に剥離が発生しにくいように工夫した光モジュールを提供する。
【解決手段】 基板１の表面に形成された溝１ａ内に設けられた内部導波路１６と、この溝１ａの先端部に形成された光路変換用のミラー部１５とを備えている。このミラー部１５と対向するように基板１の表面に実装され、ミラー部１５を介して内部導波路１６のコア部１７に光信号を発光し、若しくはミラー部１５を介して内部導波路１６のコア部１７からの光信号を受光する光素子１２ａ，１２ｂとを少なくとも備えている。光素子１２ａ，１２ｂの内の発光素子１２ａとミラー部１５との間の隙間部分Ｓの内部導波路１６の材料は、それ以外の内部導波路１６の材料よりも低応力な別材料である。 （もっと読む）

【課題】同一基板上の複数個の光素子からの漏れ光等が隣り合う光素子等に影響しにくくして、クロストークノイズを大幅に低減できるようにした光モジュールを提供する。
【解決手段】基板１の第１溝１ａ内の内部導波路１６と、ミラー部１５と、光素子１２ａ，１２ｂと外部導波路２を備えている。基板１の第１溝１ａは複数本が独立状態で略平行に形成され、隣り合う第１溝１ａ−１，１ａ−２同士は基板１の端面からの長さＬ１，Ｌ２を異ならせている。この長さの異なる第１溝１ａ−１，１ａ−２の先端部にそれぞれ形成されたミラー部１５と対向するように、光素子１２ａ，１２ｂが基板１の表面に実装されている。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ素子部に割れや欠けが発生することを抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この青紫色半導体レーザ素子１００（半導体レーザ素子）は、略平坦な表面１０ｂと、表面１０ｂの反対側に形成された表面１０ａと、表面１０ｂと表面１０ａとの間に形成された活性層１２とを含む半導体レーザ素子部１０と、半導体レーザ素子部１０の略平坦な表面１０ｂ上に形成されたｎ側電極３０とを備える。そして、ｎ側電極３０は、表面１０ｂと対向する領域の略全域に亘って略平坦な下面３０ｂと、下面３０ｂの反対側に形成された上面３０ａと、上面３０ａに形成されるとともに下面３０ｂに向かって窪む凹部３５とを含む。 （もっと読む）

【課題】発光寿命を改善できる窒化物半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体レーザ素子１１の半導体積層１９は、基板１７のｃ面ではなく半極性面１７ａ上に作製される。搭載部材３は、例えば搭載部材主面３ａの第１の熱膨張係数ＣＭ１（Ｅｘ）が搭載部材主面３ａの第２の熱膨張係数ＣＭ２（Ｅｘ）より大きいことを示す熱膨張係数の異方性を有する。また、III族窒化物半導体レーザ素子１１は、III族窒化物半導体レーザ素子１１の第１の熱膨張係数ＣＳ１（Ｅｘ）が半導体発光素子の第２の熱膨張係数ＣＳ２（Ｅｘ）より大きいことを示す熱膨張係数の異方性を有する。この窒化物半導体レーザ装置１では、この半導体レーザ素子は搭載部材３の熱膨張係数の異方性に合わせて向き付けされて、熱膨張係数の異方性を有する搭載部材主面３ａ上に搭載されている。 （もっと読む）

【課題】ＬＤチップにかかる応力を低減すること、及び、ＬＤチップの放熱特性を十分に確保すること。
【解決手段】ＬＤモジュール１０は、ＰＬＣ基板２０と、ＬＤチップ３０と、はんだバンプ４０とを備えている。ＰＬＣ基板２０は、ＰＬＣ電極２１を有する。ＬＤチップ３０は、ＬＤ電極３１と、ＬＤ電極３１に近接する内部に形成されたストライプ状の活性層３２とを有する。はんだバンプ４０は、ＰＬＣ電極２１とＬＤ電極３１とを接合するとともに、活性層３２の直下にのみ配置されている。 （もっと読む）

【課題】ストライプ形状の複数の半導体レーザ素子が配列された半導体チップとサブマウントとを接合する場合に、半導体レーザ素子の電極とサブマウント側の対応する配線層の位置合せの許容度を高めて、生産効率を高めることができるマルチビーム半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】サブマウント３０には、配線層３１ａ〜３１ｄが形成されている。半導体チップ４０には、ストライプ状のリッジ部Ｒ１〜Ｒ４が形成されている。リッジ部Ｒ１〜Ｒ４上には、接続電極部４１ａ〜４１ｄが形成されている。ストライプ状のリッジ部の全体を含む範囲を、ストライプ方向を横切る方向で２つのブロックに分割し、かつ、ストライプ方向に沿って２分割して、合計４つの分割領域を生成している。１つの分割領域内に１つの接続電極部を形成し、各接続電極の配置位置を、ストライプ方向を横切る方向に対してすべて異なるように形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光電変換素子と光ファイバが挿通されるフェルール中の挿通孔に対する位置決め精度の高い光電変換モジュール用部品を提供する。
【解決手段】素子搭載面１２に開口するように貫通形成された挿通孔１１を有する樹脂製のフェルール１０と、フェルール１０の素子搭載面１２に取り付けられた光電変換素子２０とを有し、素子搭載面１２に第１位置合わせ部１３が設けられ、光電変換素子２０の第１位置合わせ部１３に対向する位置に第２位置合わせ部２３が設けられ、第１位置合わせ部１３と第２位置合わせ部２３とが当接して光電変換素子２０が素子搭載面１２に位置決めされている光電変換モジュール用部品３０によって上記課題が解決される。 （もっと読む）

【課題】 光半導体素子及びその製造方法に関し、被り成長を伴わない構造でフリップチップボンディングに適した構造を実現する。
【解決手段】 半導体基板上に設けた第１導電型半導体層上に、少なくとも半導体活性層及び前記第１導電型とは逆導電型の第２導電型半導体層を順次積層した積層構造を含む第１メサストライプと、前記第１メサストライプの側面を埋め込む高抵抗半導体層とを備えた傾斜側面を有する第１テラス構造と、前記第１メサストライプと平行する独立で且つ前記第１メサストライプと同じ積層構造を有する第２メサストライプと、前記第２メサストライプの側面を埋め込む高抵抗半導体層とを備えた傾斜側面を有する第２テラス構造とを設け、前記第１テラス構造の平坦面に前記第１メサストライプの前記第２導電型半導体層に接続する第１電極と、前記第１テラス構造と前記第２テラス構造の間に露出する前記第１導電型半導体層に接続し前記第２テラス構造の平坦部まで延在する第２電極を設ける。 （もっと読む）

【課題】接合用バンプの弾性戻りに拘わらず、光学素子間の光学的位置合わせを高精度に行うことを可能とする光モジュールの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上（１０）に金属から構成される接合用バンプ（１９）を形成し、第１光学素子（２０）と第２光学素子（３０）とが最も効率良く光結合する位置よりも所定量（Ｆ）だけ接合用バンプ（１９）がより変形するような荷重を印加後、荷重を開放することによって、接合用バンプ上に第２光学素子を接合する工程を有することを特徴とする光モジュール（１）の製造方法。 （もっと読む）