【課題】共振器長を短くすることができると共に、出力光へのＡＳＥ光の混入を抑制してＳＮ比を向上させることができ、
製作時に反射膜が剥がれることを抑制して、正確な形状の反射膜の形成が可能となる波長掃引光源装置及び該光源装置を備える光断層画像撮像装置を提供する。
【解決手段】部分反射ミラーと走査ミラーとによる共振器によって、走査ミラーで選択された波長の光がレーザー発振されるように構成された波長掃引光源装置であって、
前記走査ミラーは、円盤形状の基板上に該円盤形状の円周に沿って等間隔に形成された等幅のスリット状のミラーによって構成され、
前記スリット状のミラーは、前記円盤形状の基板上に成膜された反射膜上における遮光膜の前記ミラーとなる部分を除去することにより形成されている。 （もっと読む）

【課題】超短パルスのレーザ光を出力し得る構成、構造を有する電流注入型の半導体レーザ装置組立体を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置組立体は、（Ａ）光密度が、１０ギガワット／ｃｍ²以上であり、且つ、キャリア密度が１×１０¹⁹／ｃｍ³以上である電流注入型のモード同期半導体レーザ素子１０、及び、（Ｂ）モード同期半導体レーザ素子１０から出射されたレーザ光が入出射される分散補償光学系１１０を備えている。 （もっと読む）

【課題】光強度を向上したレーザ装置及びその制御方法を提供する。
【解決手段】第１のレーザと、第２のレーザと、外部共振器と、制御部と、を備えたレーザ装置が提供される。前記第１のレーザは、第１のレーザ光を出射する。前記第２のレーザは、第２のレーザ光を出射する。前記外部共振器は、前記第１のレーザ光と前記第２のレーザ光とが入射される。前記制御部は、前記外部共振器の共振波長を制御して前記第１のレーザ光に共振させ、前記第２のレーザを制御して前記第２のレーザ光を前記外部共振器に共振させる。 （もっと読む）

【課題】発振波長が可変な光源装置として、安価で作製が容易な構造であり、発振線幅を狭帯化することが可能となる光源装置を提供する。
【解決手段】半導体光増幅媒体の出射光をコリメートするコリメートレンズ１０２と、コリメートされた光束に、波長によって異なる角度分散を与える回折格子１０３と、角度分散を与えられた光束を波長により異なる位置に集光する集光レンズ１０４と、集光レンズによる焦点面内を走査して一部の波長の光を反射する反射部または透過する透過部を備えた波長選択手段と、を有する光源装置において、波長選択手段は、光学的パワーを有する等幅に形成された反射部あるいは透過部を、回転可能とされた円板形状の基板上に配置し、円板形状の基板の回転に伴い、集光レンズによる円板形状の基板表面上の集光スポットに対し、前記反射部または透過部で反射または透過される前記出射光の波長を変化させ、波長掃引光源として動作させる。 （もっと読む）

【課題】閾値付近の駆動電流で駆動しても安定なマルチモード出力するレーザ装置。
【解決手段】半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子の反射面との間で共振器を形成してレーザ発振させて、発振させたレーザ光を出力する波長選択素子と、半導体レーザ素子の出射面と結合効率ηで光学的に結合され、出射面から出力される光を波長選択素子に入力させる光学系と、を備え、光学系は、半導体レーザ素子へ注入する注入電流に対して、光出力が線形となる光出力線形領域における最小光出力と相関する値を結合効率ηが最大の場合における値未満とするレーザ装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】狭スペクトル線幅を有し、且つ、コンパクトな半導体レーザ光源を提供する。
【解決手段】光増幅作用を有する半導体光増幅媒体中に波長選択性を有する回折格子１０１を導入したＤＦＢレーザ１０２と、このＤＦＢレーザ１０２の外部に設けた波長選択性を有する外部共振器としてのリング共振器１０３とを備えて、ＤＦＢレーザ１０２の共振器長を延伸し、リング共振器１０３からの戻り光がＤＦＢレーザ１０２へ負帰還する構成とする。ことによって、ＤＦＢレーザ１０２の共振器長延伸によるスペクトル線幅低減効果と、リング共振器１０３からＤＦＢレーザ１０２への戻り光による負帰還効果とが同時に得られる。 （もっと読む）

【課題】ＭＬＬＤ（モードロックレーザ）部とＳＯＡ（半導体光増幅器）を備えたＭＯＰＡ（Master Oscillator Power Amplifier）光源装置について、その出射ビームを単峰化し、且つそのピーク位置の変動を抑制する。
【解決手段】ＳＯＡ１４の入射側導波路の横方向幅を当該ＳＯＡの入射側導波路の水平横モードがマルチモード（ＭＬＬＤ部の出射側導波路の横方向幅よりも大）となるように設定し、且つＳＯＡの入射側光結合において基本モード（シングルモード）が選択励起されるようにＭＬＬＤ部１０からＳＯＡへの入射光の倍率変換を行い、ＳＯＡの入射側導波路幅で規定される基本モードの光閉じ込めをより大とし、ＳＯＡ出射光の光強度分布が単峰特性とする。ＭＬＬＤ部からの入射光の倍率を変換（ＳＯＡへの入射光のスポットサイズを拡大）し、ＳＯＡの導波路における光密度を低減し、出射ビームのピークの揺らぎを抑制する。 （もっと読む）

【課題】２つのレーザ加工用のレーザダイオードの光軸を簡単かつ正確に一致させることができ、構成も簡単であり、作業も容易であるレーザダイオードユニットを提供すること。
【解決手段】２個のレーザダイオード９ａ、９ｂの出力光をそれぞれ偏光ビームスプリッタ１９を通して同一方向に出力するとともに、一方のレーザダイオード９ａの出力光を偏光ビームスプリッタ１９によって透過させて出力させ、他方のレーザダイオード９ｂの出力光を波長板４０を通すとともに偏光ビームスプリッタ１９を反射させて出力させるレーザダイオードユニット９において、波長板４０を他方のレーザダイオード９ｂの出力光の光軸に対する直交位置から傾斜可能に配設して、当該波長板４０を通った出力光のユニット９からの出力基準面における入射点を移動可能にしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】構造の簡素化が図られた多光周波数発生光源を提供する。
【解決手段】多光周波数発生光源は，光共振器と，前記光共振器内に配置され，発生する光周波数が互いに異なり，かつ光学的，電気的に結合されない複数の微少発光体を含む発光部材と，前記光共振器内に前記発光部材と共に配置され，複数または単一の光周波数を選択するための光学部材とを具備する。 （もっと読む）

【課題】製造コストの増加、歩留りや信頼性の低下が生じ難い構成、構造を有し、斜め導波路を有するサブマウントを提供する。
【解決手段】本発明のサブマウント１００は、光入出射端面の法線に対して軸線がθ_WG（度）傾き、屈折率ｎ_LEを有する半導体材料から成る導波路１１を備えた半導体発光素子１０を固定するものであり、半導体発光素子を取り付ける第１面１０１には、半導体発光素子を固定するための融着材料層１０３が設けられており、半導体発光素子の光入出射端面の外側近傍の光通過媒質の屈折率をｎ₀としたとき、角度θ_SM＝ｓｉｎ^-1［ｎ_LE・ｓｉｎ（θ_WG）／ｎ₀］を識別できるアライメントマーク１０７が、融着材料層１０３に形成されている。 （もっと読む）

【課題】波長可変範囲が広く、高速に可変することができる波長可変光源を提供する。
【解決手段】第１の電気光学偏向器１０３によって発振波長を可変し、さらに第２の電気光学偏向１２３を含んだ２次元の電気光学偏向器を利用した複数のチャネルから構成される波長可変光源で、波長可変光源内の発振器における波長フィルタ内に、複数の端面鏡または複数の反射鏡を備え、チャネルごとに光路を切替える。従来の電気光学偏向器の偏向角の最大振り幅を維持したままで、コヒーレント長を拡大し、かつ、偏向角の最大振り幅を実効的に拡大できる。 （もっと読む）

【課題】従来技術の外部共振器レーザにおいて、モードホップを回避しつつ、高速で広帯域を波長掃引することは、発信波長および位相の２つのパラメータを同時に高速に連続的に調整する必要がある。この調整のためには、複雑な機構を必要とした。外部共振器レーザ以外の導波路型の分布帰還型（ＤＦＢ）レーザなどでは、外部共振器型レーザに匹敵するような広帯域の波長可変性能は、構造などの制限により未だ実現できていない。
【解決手段】本発明は、回折格子を含む外部共振器型の波長可変光源において、半導体レーザ部と回折格子との間の光路上に、異なる制御電圧で制御される屈折率変調部および偏向部を有する点に特徴がある。波長可変帯域の設定と、モードホップフリー発振の条件とを屈折率変調部および偏向部の各制御電圧Ｅ_１、Ｅ_２で別個に独立に行なうことができる。屈折率変調部および偏向部には、ＫＴＮなどの電気光学結晶を利用し、異なる電極材料を使用する。 （もっと読む）

【課題】従来とは異なる構成でスペックルノイズを低減する半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子から出射する光を略平行光にするコリメータレンズと、前記コリメータレンズから出射する光を分光する分光手段と、前記分光手段によって分光された光の中から特定波長の光を前記半導体レーザ素子へ帰還させる帰還手段と、前記分光手段、前記帰還手段、又は前記分光手段及び前記帰還手段を所定の回転中心を中心にして周期的に回転移動させる移動手段と、を備えた半導体レーザ装置である。 （もっと読む）

【課題】ワイヤレス接続により、薄型パッケージ化の容易な半導体レーザを提供する。
【解決手段】基板１０上に順次配置された第１導電型クラッド層１４・活性層１６・第２導電型クラッド層１８・表面電極層２０と、基板１０の裏面に配置された裏面電極層２２と、基板１０・第１導電型クラッド層１４・活性層１６・第２導電型クラッド層１８の第１劈開面４２ａに沿って形成され、第１劈開面４２ａおよび表面電極層２０の表面上および裏面電極層２２の表面上に延在して配置された第１絶縁層２４ａと、第１劈開面４２ａに対向する第２劈開面４２ｂに沿って形成され、第２劈開面４２ｂおよび表面電極層２０の表面上および裏面電極層２２の表面上に延在して配置された第２絶縁層２４ｂと、第１絶縁層２４ａ上および表面電極層２０上の一部に配置された第１電極層２６Ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】
種々のビームプロファイルをもつ光を安定にかつ低いしきい値で発振させ、または１本の高出力ビームを発振させることでき、さらに、このビームを空間的に振らせることが空間モード同期レーザを提供する。
【解決手段】
周期的に一次元配置された複数のレーザ光源１１１からなり、各レーザ光源はほぼ同一の発振波長のレーザ光を自由空間１３１に向けて出射するレーザアレイ１１と、自由空間１３１のレーザ光源１１から出射方向に向けて所定距離だけ離れ、レーザアレイ１１に対向するように周期的に一次元配置された複数の反射鏡からなる反射鏡アレイ１２とを備え、各反射鏡１２１からレーザ光が出射されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来技術の電気光学結晶をプリズム型に加工した電気光学偏向器を利用した波長可変光源では、以下の問題があった。（１）印加電圧の変化を通じて変化させることのできる波長範囲が狭い。（２) 共振器モード番号を不変に保った、モードホップのない滑らかな波長変化動作が実現されていない。（３）大きな寸法の電気光学偏向器を用いるために、高速動作が困難であって光学的均一性の確保も難しい。
【解決手段】本発明の波長可変光源は、共振器内に利得媒質と回折格子とを有し、利得媒質と回折格子との間に電気光学偏向器を挿入し、回折格子の電気光学偏向器の挿入したのと異なる側に直入射端面鏡を配置する。回折格子への電気光学偏向器側からの光入射角θと、回折格子への直入射端面鏡側からの光入射角φとの間で、｜θ｜＞｜φ｜の関係を満たす。回折格子と電気光学偏向器との間に、２分の１波長板を挿入することもできる。さらに、凹面回折格子を使用することができる。 （もっと読む）

【課題】雑音の誘発を抑制する半導体光装置を提供すること。
【解決手段】光を増幅する第１光素子２と、第１光素子２の一端面から入射する光から所定波長帯域の光を選択する第２光素子１３と、第２光素子１３と第１光素子２を光結合させる第１の光導波路２２と、第１光素子２の他端面から入射する光を反射する反射鏡３８と、反射鏡３８と第１光素子２を光結合させる光第２の導波路３７とを備える光共振器２，３８、１３と、光共振器２、３８、１３に光結合される光出力部２４ａとを有し、第２の光導波路３７が光ファイバを有することを特徴とする半導体光装置。 （もっと読む）

【課題】 発振スペクトル線幅の狭小化と、高速な波長掃引と、を達成し得る光源装置を提供する。
【解決手段】 光増幅媒体と光スイッチとを含んで構成された光共振器を備える光源装置で、光スイッチは、波長可変光源で構成された光照射源より、出射された光パルスの照射を受けて透過率または反射率が変化するもので、波長可変光源より出射される光パルスの中心波長に対応して、増幅された光を光共振器より出射するものであり、光共振器の長さＬと光パルスの繰り返し周波数ｆとの関係（Ｌ＜ｃ／（ｎｆ））と、光スイッチの変化した透過率または反射率が回復する回復時間τとＬとの関係（τ＞（ｎＬ）／ｃ）を規定。 （もっと読む）

【課題】単一の構成要素にて単一方向の自動整合した反射器の機能と、入射流れを分割する機能との双方を提供すること。
【解決手段】一方が反射されたビーム１３であり、他方が伝送又は透過されたビーム１４である、２つの二次的ビームを入射ビーム１２から発生させる部分反射型の光学的構成要素１１である。本発明によれば、該光学的構成要素は、全反射型の第一の平坦面１５と、第一の面に対し垂直な部分反射型の第二の平坦面１６と、全反射型の第三の平坦面１７と、を備え、第一及び第三の面が同一の平面内にあり、この構成要素は反射されたビーム１３を入射ビーム１２と一次元的に自動整合させ、伝送又は透過されたビーム及び反射されたビームのそれぞれには、適合する波先又は波面を有する２つの半ビームが形成される。本発明は、また、一次元的な自動整合反射器のような１つの構成要素を備える外部キャビティレーザ源にも関するものである。 （もっと読む）