【課題】共振器長を短くすることができると共に、出力光へのＡＳＥ光の混入を抑制してＳＮ比を向上させることができ、
製作時に反射膜が剥がれることを抑制して、正確な形状の反射膜の形成が可能となる波長掃引光源装置及び該光源装置を備える光断層画像撮像装置を提供する。
【解決手段】部分反射ミラーと走査ミラーとによる共振器によって、走査ミラーで選択された波長の光がレーザー発振されるように構成された波長掃引光源装置であって、
前記走査ミラーは、円盤形状の基板上に該円盤形状の円周に沿って等間隔に形成された等幅のスリット状のミラーによって構成され、
前記スリット状のミラーは、前記円盤形状の基板上に成膜された反射膜上における遮光膜の前記ミラーとなる部分を除去することにより形成されている。 （もっと読む）

【課題】超短パルスのレーザ光を出力し得る構成、構造を有する電流注入型の半導体レーザ装置組立体を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置組立体は、（Ａ）光密度が、１０ギガワット／ｃｍ²以上であり、且つ、キャリア密度が１×１０¹⁹／ｃｍ³以上である電流注入型のモード同期半導体レーザ素子１０、及び、（Ｂ）モード同期半導体レーザ素子１０から出射されたレーザ光が入出射される分散補償光学系１１０を備えている。 （もっと読む）

【課題】発振波長が可変な光源装置として、安価で作製が容易な構造であり、発振線幅を狭帯化することが可能となる光源装置を提供する。
【解決手段】半導体光増幅媒体の出射光をコリメートするコリメートレンズ１０２と、コリメートされた光束に、波長によって異なる角度分散を与える回折格子１０３と、角度分散を与えられた光束を波長により異なる位置に集光する集光レンズ１０４と、集光レンズによる焦点面内を走査して一部の波長の光を反射する反射部または透過する透過部を備えた波長選択手段と、を有する光源装置において、波長選択手段は、光学的パワーを有する等幅に形成された反射部あるいは透過部を、回転可能とされた円板形状の基板上に配置し、円板形状の基板の回転に伴い、集光レンズによる円板形状の基板表面上の集光スポットに対し、前記反射部または透過部で反射または透過される前記出射光の波長を変化させ、波長掃引光源として動作させる。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の光強度を向上させる。
【解決手段】一実施の形態によるレーザ装置は、少なくとも１つの半導体レーザを含み、所定波長のパルスレーザ光を出力するように構成されたマスタオシレータと、少なくとも１つの増幅波長領域を有し、前記マスタオシレータから出力されるパルスレーザ光を増幅するように構成された少なくとも１つの増幅器と、前記マスタオシレータから出力されるパルスレーザ光の波長のチャーピング範囲が前記少なくとも１つの増幅波長領域の少なくとも一部と重なるように、前記マスタオシレータから出力されるパルスレーザ光の出力波長に影響するパラメータを制御するための制御部と、を含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】従来とは異なる構成でスペックルノイズを低減する半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子から出射する光を略平行光にするコリメータレンズと、前記コリメータレンズから出射する光を分光する分光手段と、前記分光手段によって分光された光の中から特定波長の光を前記半導体レーザ素子へ帰還させる帰還手段と、前記分光手段、前記帰還手段、又は前記分光手段及び前記帰還手段を所定の回転中心を中心にして周期的に回転移動させる移動手段と、を備えた半導体レーザ装置である。 （もっと読む）

【課題】製造コストの上昇を抑制し、且つ、利用者の利便性を向上させることができる光モジュールおよび光検出方法を提供する。
【解決手段】本発明の光モジュール１は、光源１１と、光源１１から出射された信号光を伝播するコア部２１を有する光ファイバ１２とを備える。コア部２１は、コア部２１の長手方向に沿って、その長手方向に均一な強度の紫外線が照射された、少なくとも１つの散乱領域３１を含み、散乱領域３１は、信号光が散乱領域３１を通過するときに、信号光の一部を用いて、散乱領域３１から光ファイバ１２の外部に向かって放射状に散乱される散乱光を生成する。 （もっと読む）

連続モードホップフリー同調可能格子外部空洞レーザであって、利得媒質とコリメートレンズとからなる少なくとも１つの光学ユニットと、同調装置と、少なくとも１つの回折格子とを備え、前記利得媒質から出射されたコヒーレントビームは、前記コリメートレンズを経て平行光になり、前記平行光が前記回折格子で回折された後に、一部の回折光は、そのまま出力される第１出力レーザ光になり、他の一部の回折光は、元の入射光路に沿って前記利得媒質に戻り、前記利得媒質において、レーザ発振閾値を超えるまで発振・増幅されると、第２出力レーザ光になり、前記回折格子は前記同調装置に設けられ、前記同調装置は前記回折格子を前記回折格子の裏面に位置する回転軸回りに回転させるように駆動し、前記回転軸は前記回折格子の回折表面に平行しかつレーザの光軸に垂直する。レーザ周波数へのモードホップフリー連続同調を実現でき、レーザの生産コストを削減できる。
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【目的】活性層温度をほぼ一定に保つ。
【構成】半導体ゲインチップ11に駆動電流が供給されると，半導体ゲインチップ11の前方端面から光が出射する。半導体ゲインチップ11の後方端面および光ファイバ４中のＦＢＧ４ａによって光反射が繰返されてレーザ発振が生じる。ＴＥＣ15上に，半導体ゲインチップ11および温度を測定するサーミスタ13が設けられており，ＴＥＣ15はサーミスタ13の温度が所定温度に保たれるように制御される。半導体ゲインチップ11およびサーミスタ13は共通のサブマウント21上に配置されており，かつヒートパスワイヤ46によって接続されている。サブマウント21およびヒートパスワイヤ46を介して半導体ゲインチップ11の熱がサーミスタ13に伝達される。サーミスタ13を所定温度に保つと，半導体ゲインチップ11（その活性層）の温度も所定温度に保たれる。 （もっと読む）

【課題】複数のレーザ光を利用して波長変換を行い出力される複数のレーザ光の出力光強度を各々調整することができる波長変換レーザ光源を提供することを目的とする。
【解決手段】波長変換レーザ光源３０１は、互いに異なる波長の励起光を出力するレーザ（１１−１、２）と、レーザ（１１−１、２）からの励起光（Ｌ１、Ｌ２）を合波して複数の合波光Ｌ３を出力する光合分波器１２と、光合分波器１２から出力される合波光Ｌ３毎に波長を変換する波長変換素子を含む波長変換部（１４−１、２）と、光合分波器１２と波長変換部（１４−１、２）との間で光合分波器１２が出力する合波光Ｌ３の光強度を減衰する可変光アッテネータ（１３−１、２）と、波長変換部（１４−１、２）から出力される出力光Ｌｏの光強度を一定に保つように可変光アッテネータ（１３−１、２）の減衰量を調整する減衰制御回路（１７−１、２）と、を備える。 （もっと読む）

レーザーシステムは、出力部を有し、第１の波長、第１の線幅、出力電力によって特徴づけられるレーザー出力を生成するように動作可能な注入型レーザー光源を含む。このレーザーシステムは、利得帯域幅によって特徴づけられる可変波長パルス光源も含む。この可変波長パルス光源は、平均電力を有する出力信号を生成するように動作可能である。この出力信号は、複数の光パルスを含む。複数の光パルスのそれぞれが、第２の波長、第２の線幅、及びピーク電力によって特徴づけられる。このレーザーシステムは、注入型レーザー光源の出力部に結合された第１のポート、可変波長パルス光源に結合された第２のポート、及び第３のポートを有する光結合器をさらに含む。 （もっと読む）

【目的】駆動電流の大きさにかかわらず，活性層温度をほぼ一定に保つことができるようにする。
【構成】半導体ゲインチップ11に駆動電流が供給されると，半導体ゲインチップ11の前方端面から光が出射する。半導体ゲインチップ11の後方端面および光ファイバ４中のＦＢＧ４ａによって光反射が繰返されてレーザ発振が生じる。さらに，半導体ゲインチップ11の後方端面から出射される光が当たる位置に，温度を測定するサーミスタ13が設けられている。半導体ゲインチップ11およびサーミスタ13はいずれもＴＥＣ15上に載置され，ＴＥＣ15はサーミスタ13の温度が所定温度に保たれるように制御される。半導体ゲインチップ11の後方端面から出射される光によってサーミスタ13が加熱されるので，半導体ゲインチップ11とサーミスタ13の温度の乖離幅が小さくなる。このため，サーミスタ13を所定温度に保つと，半導体ゲインチップ11の温度も所定温度に保たれる。 （もっと読む）

【課題】所望のパワーの光をモードホップフリーで波長掃引できる波長範囲を拡大した、高速掃引型の波長掃引光源を提供する。
【解決手段】リトマン方式外部共振器型の波長掃引光源において、回動ミラー３０の反射板３２の往復回動により半導体発光素子２２の出射光の波長が周期的に掃引されている間、受光器６０の出力を監視し、モードホップによって生じる受光器６０からの電気信号の不連続変化を検出するモードホップ検出手段６１と、該不連続変化が無くなるように半導体発光素子２２の位相調整領域２３０への順方向注入電流Ｉ'または逆バイアス電圧Ｖｒを変化させて供給する位相調整領域制御手段６５と、温度センサ７０の出力と受光器６０の出力に基づいてペルチェ素子７１への供給電流を制御することで、半導体発光素子２２からの出射光の波長掃引範囲における平均出力が所望の値となるようにする温度制御手段７５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高い変換効率が得られる非線形光学素子の周期分極反転構造の擬似位相整合条件を満たしつつ、レーザ光の波長幅を数ｎｍにまで拡大するレーザ装置を提供する。
【解決手段】複数の発光点１２を有する半導体レーザ１１と共にブラッグ反射構造１３を有し、少なくとも一組は互いに波長の異なる複数の基本波を発生する基本波発生部１４と、基本波発生部１４から出射される複数の基本波Ｌ１の波長に対応して擬似位相整合する分極反転構造１６が、基本波Ｌ１の伝搬方向に沿って変化して形成される非線形光学素子１５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 レーザダイオードの低消費電力化が可能な光走査装置及びそれを備えた画像形成装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 本光走査装置は、光源と、周囲に一連の面を備え、前記一連の面に、前記光源から出射される出射光の一部を前記光源に戻すことにより前記光源の外部共振器を構成する回折格子が形成された回転部材と、前記光源の状況を検出する検出手段と、前記検出手段の検出結果に基づいて、前記外部共振器の外部共振条件を満足するように前記光源を制御する制御手段と、を有することを要件とする。 （もっと読む）

【課題】モードホップなしの状態で所定波長範囲を連続的に掃引できるようにする。
【解決手段】リトマン方式の外部共振器型の波長掃引光源において、回動ミラーを、フレーム３１と、その内側に配置された反射板３２とを捩れ変形可能な一対の連結部３３、３４とで連結して、反射板３２の端に力を周期的に付与されて連結部３３、３４を中心に反射板３２を往復回動させる構造とし、さらに、半導体レーザ２２から回折格子２５の回折面に入射された光に対する０次回折光を受ける受光器６０と、反射板３２の往復回動により半導体レーザ２２の出射光波長が掃引されている間に、モードホップによって生じる受光器６０の出力信号の不連続変化を検出するモードホップ検出手段６１と、そのモードホップが無くなるように半導体レーザ２２の位相調整領域２３０の順方向注入電流または逆バイアス電圧を変化させる位相調整領域制御手段６５とを設けている。 （もっと読む）

【課題】モードホップなしの状態で所定波長範囲を連続的に掃引できるようにする。
【解決手段】リトマン方式の外部共振器型の波長掃引光源において、回動ミラーを、フレーム３１と、その内側に配置された反射板３２とを捩れ変形可能な一対の連結部３３、３４とで連結して、反射板３２の端に力を周期的に付与されて連結部３３、３４を中心に反射板３２を往復回動させる構造とし、さらに、半導体レーザ２２から回折格子２５の回折面に入射された光に対する０次回折光を受ける受光器６０と、反射板３２の往復回動により半導体レーザ２２の出射光波長が掃引されている間に、モードホップによって生じる受光器６０の出力信号の不連続変化を検出するモードホップ検出手段６１と、モードホップによって生じる受光器６０の出力信号の不連続変化が無くなるように半導体レーザ２２の注入電流を変化させる注入電流制御手段６５とを設けている。 （もっと読む）

【課題】レーザーダイオードにおいて、周波数ステップの数を少なくとも３倍から４倍増大するシステムと方法を提供する。
【解決手段】レーザーダイオードの光はコリメータレンズによりグレーティングに光学的に連結し、外部キャビティの長さは、レーザーダイオードキャビティの整数倍となるように構成し、４つの異なる電流Ｉ１（６１０）、Ｉ２（６２０）、Ｉ３（６３０）、Ｉ４（６４０）に対し、グレーティング回転軸に関してグレーティング角度を回転させ、１セットの微細な周波数ステップを得る。 （もっと読む）

【目的】高価なＰＭＦ用ＦＢＧを使用することなく，偏波合成されたレーザ光を得る。
【構成】偏波合成型半導体レーザ光源10は，２つのＧＣ１，２，２本の偏波保持ファイバ３，偏波合成器４，およびＦＢＧ６が形成されたシングルモードファイバ５を備えている。ＧＣ１，２から出射された第１および第２の直線偏波の光は，２本の偏波保持ファイバ３および偏波合成器４を経て，互いに直交する偏波方向を持って合成される。偏波合成光のうちの所定波長の光が，シングルモードファイバ５中に形成されたＦＢＧ６によって反射される。ＧＣ１，２の後方端面（光反射膜11）と，ＦＢＧ６の間で光反射が繰り返されて，同一波長の直交する偏波方向を持つ２つのレーザ光が得られる。 （もっと読む）

【課題】和波長ノイズやスペックルノイズを低減もしくはなくすることができ、高い位置精度が要求されず、しかも装置の小型化が可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】励起光源として、活性層２３への電流注入によって生じる発光光を利用してレーザ発振する電流駆動型半導体レーザ２を備え、光励起レーザとして、電流駆動型半導体レーザ２から射出されたレーザ光の活性層３４への照射によって生じる発光光を利用してレーザ発振する光励起型半導体レーザ３を備える。電流駆動型半導体レーザ２の光軸ＡＸ１上であって、かつ、電流駆動型半導体レーザ２と光励起型半導体レーザ３との間には、電流駆動型半導体レーザ２から射出されたレーザ光Ｌ１の速軸方向の発散角を小さくするシリンドリカルレンズ６が設けられている。 （もっと読む）