【課題】 本発明の目的は、化学エッチングに対する耐久性が優れる導電組成物を提供することである。
【解決手段】 本発明は、平均粒径が１．０〜２．５μｍの銀粉末、および鉛含有ガラスフリットを含む導電組成物に関する。本発明の導電組成物は、化学エッチングによりプラズマディスプレイのリブを形成する場合のアドレス電極に用いられる。本発明の導電組成物は、鉛含有ガラスフリットの含有量：前記銀粉末の含有量＝０．７５：９９．２５〜６．０：９４．０であることが好ましい。本発明は、上記導電組成物から得られる電極、この電極を含むＰＤＰ背面基板、この背面基板を含むプラズマディスプレイを包含する。 （もっと読む）

【課題】先行技術のＬＴＣＣ用厚膜導体組成物がもつ問題を克服し、優れた再焼成安定性をもたらす厚膜組成物およびＬＴＣＣ構造を提供すること。
【解決手段】本発明は、低温共焼成セラミック回路に使用する厚膜組成物であって、全厚膜組成物に対する重量パーセントで、（ａ）貴金属、貴金属の合金およびこれらの混合物から選択される微粉砕粒子の３０〜９８重量パーセントと、（ｂ）１種または複数の選択された無機バインダーおよび／またはこれらの混合物と、これらを分散させた（ｃ）有機媒体とを含み、前記焼成条件において、前記ガラス組成物が低温共焼成セラミック基板ガラスに存在する残存ガラスと不混和性または部分的に混和性である厚膜組成物を対象とする。
本発明は、さらに、上記組成物を利用して多層回路を形成する方法、ならびに（マイクロ波用途を含めて）高周波用途におけるこの組成物の使用を対象とする。 （もっと読む）

【課題】 導電性が高く且つ明度および黄色度の低い黒色導電厚膜を形成するためのディスプレイ電極形成用感光性黒色導電ペースト、ディスプレイ電極形成用黒色導電厚膜、およびディスプレイ電極用黒色導電厚膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 黒色導電厚膜４０を形成するための感光性黒色導電ペーストにおいて、導電性成分として含まれる銀粉末は比表面積が1.0或いは2.0(m²/g)程度と微細であり、黒色顔料４６は比表面積が3〜13(m²/g)程度の範囲内のCo₃O₄粉末から構成されるため、高い感光性延いては高い解像性を有すると共に、その感光性黒色導電ペーストから形成される黒色導電厚膜４０には銀４４とCo₃O₄から成る黒色顔料４６とがガラス４８で結合されて構成されるため、導電性が十分に高く且つ明度および黄色度が十分に低い黒色導電厚膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】黒色導電性組成物と、その組成物から作製される黒色電極と、その電極を形成する方法を提供すること。
【解決手段】黒色導電性組成物の全重量％に対し、ＲｕＯ₂、ポリ酸化ルテニウム、及びこれらの混合物から選択された導電性金属酸化物粒子を３〜５０重量％、有機ポリマー結合剤及び有機溶媒を含む有機物質を２５〜８５重量％、ビスマスガラス結合剤で、このガラス結合剤組成物の全重量％に対して５５〜８５％のＢｉ₂Ｏ₃と、０〜２０％のＳｉＯ₂と、０〜５％のＡｌ₂Ｏ₃と、２〜２０％のＢ₂Ｏ₃と、０〜２０％のＺｎＯと、ＢａＯ、ＣａＯ及びＳｒＯから選択された酸化物の１種以上を０〜１５％と、Ｎａ₂Ｏ、Ｋ₂Ｏ、Ｃｓ₂Ｏ、Ｌｉ₂Ｏ及びこれらの混合物から選択された酸化物の１種以上を０〜３％とを含む、１種以上の鉛フリーのビスマスガラス結合剤を５〜７０重量％含み、その軟化点が４００〜６００℃の範囲内であり、鉛フリーであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｐｂフリーのシステムを提供し、かつ電気性能およびはんだ接着性を維持する半導体デバイスを製造する、新規な組成物および方法を提供する。
【解決手段】導電性銀粉末と、亜鉛含有添加剤と、鉛フリーであるガラスフリットとが、有機媒体中に分散されている、厚膜導電性組成物。さらに、上記組成物から形成された電極であって、有機分散媒を除去しかつ前記ガラス粒子を焼結して前記組成物が焼成された電極を、対象とする。さらに、ｐ−ｎ接合を有する半導体と、この半導体の主要面上に形成された絶縁膜とからなる構造要素から半導体デバイスを製造する方法を対象とし、この方法は、絶縁膜上に、厚膜組成物を付着させるステップと、前記半導体、絶縁膜、および厚膜組成物を焼成して、電極を形成するステップとを含む。上記詳述された方法によって形成された半導体デバイスと、厚膜導電性組成物から形成された半導体デバイスとを対象とする。 （もっと読む）

【課題】黒色導電性組成物と、そのような組成物から作製された黒色電極と、そのような電極を形成する方法を提供すること。
【解決手段】詳細には、本発明は、交流ディスプレイパネルの適用例も含めたフラットパネルディスプレイの適用例を対象とする。さらに本発明は、Ｂａ、Ｒｕ、Ｃａ、Ｃｕ、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｐｂ、および希土類金属から選択された、２種以上の元素の酸化物から選択された導電性金属酸化物と、光架橋性ポリマーとを利用する組成物を対象とする。これらの組成物は、フラットパネルディスプレイの適用例に用いられる光画像形成可能な黒色電極を作製する際に、特に有用である。 （もっと読む）

【課題】新規なＡｇ／Ａｌ包含組成物および半導体デバイスの提供。
【解決手段】（ａ）（１）Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、ＰｄおよびＰｔ；（２）Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、ＰｄおよびＰｔの合金；および（３）それらの混合物から選択される導電性金属粒子と、（ｂ）Ｐｂフリーであるガラスフリットと、（ｃ）有機媒体とを含み、成分（ａ）および（ｂ）が成分（ｃ）中に分散されており、該導電性金属粒子の平均直径が０．５〜１０．０μｍの範囲内である導電性厚膜組成物、および該組成物から形成される電極ならびに該電極を含む半導体デバイス（例えば、太陽電池）。 （もっと読む）

【課題】電気的性能とはんだの接着性との両方が改善された半導体デバイスを製造する、新規な組成物および方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、（ａ）導電性銀粉末と、（ｂ）粒径が７ナノメートルから１００ナノメートル未満の範囲内にあるＺｎ含有添加剤と、（ｃ）軟化点が３００から６００℃の範囲内にあるガラスフリットとが、（ｄ）有機媒体中に分散されている、厚膜導電性組成物を対象とする。
本発明はさらに、半導体デバイスと、ｐ−ｎ接合を有する半導体およびこの半導体の主要面上に形成された絶縁膜からなる構造要素から半導体デバイスを製造する方法とを対象とし、この方法は、（ａ）前記絶縁膜上に、上述の厚膜組成物を付着させるステップと、（ｂ）前記半導体、絶縁膜、および厚膜組成物を焼成して、電極を形成するステップとを含むものである。 （もっと読む）

【課題】電気的性能とはんだの接着性の両方を改善する半導体デバイスを製造する、新規な組成物および方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、（ａ）導電性銀粉末と、（ｂ）Ｍｎ含有添加剤と、（ｃ）軟化点が３００から６００℃の範囲内にあるガラスフリットとが、（ｄ）有機媒体中に分散されている、厚膜導電性組成物を対象とする。
本発明はさらに、半導体デバイスと、ｐ−ｎ接合を有する半導体およびこの半導体の主要面上に形成された絶縁膜からなる構造要素から半導体デバイスを製造する方法とを対象とし、この方法は、（ａ）前記絶縁膜上に、上述の厚膜組成物を付着させるステップと、（ｂ）前記半導体、絶縁膜、および厚膜組成物を焼成して、電極を形成するステップとを含むものである。 （もっと読む）

【課題】 鉛を含まない抵抗ペ−スト、及びこの抵抗ペーストを用いて形成され、高い抵抗値を有しながらも、良好な電気的特性を有する鉛フリーの抵抗体を提供する。
【解決手段】 導電性粒子と、ガラスフリットと、有機ビヒクルとで実質的に構成される抵抗ペ−ストであって、導電性粒子が平均粒径１.０μｍ以下の二酸化イリジウム（ＩｒＯ_２）単独であるか又は二酸化イリジウムと二酸化ルテニウム（ＲｕＯ_２）であり、且つガラスフリットが平均粒径は５μｍ以下のホウケイ酸ガラスなどの鉛を含まないガラスフリットからなる。 （もっと読む）

【課題】 窒化珪素材料上に導電層を形成するにあたり、焼成したときに泡の発生がなく、導電層にふくれを起こすことなく、密着性に優れ、かつ鉛、カドミウムの環境負荷物質を含まない導電性ペーストを提供する。
【解決手段】 （Ａ）銀、あるいは銀とパラジウム、白金、金から選ばれる一種以上との合金または混合物である導電性金属粉末１００重量部に対し、（Ｂ）酸化ビスマス粉末を６〜１０重量部、（Ｃ）硼酸−酸化ビスマス系ガラス粉末を１〜３重量部の割合で含み、かつ（Ｂ）酸化ビスマス粉末と（Ｃ）硼酸−酸化ビスマス系ガラス粉末の合計が（Ａ）導電性金属粉末１００重量部に対し９〜１３重量部で構成される。硼酸−酸化ビスマス系ガラスは、軟化点が４５０〜６５０℃で、かつ硼酸が４５〜８０重量％と酸化ビスマス２０〜５５重量％でなり、かつ硼酸と酸化ビスマスの合計で８０重量％以上含む組成が好ましい。 （もっと読む）

【課題】ＰｂフリーかつＴＣＲやＳＴＯＬを広範な組成において確実に小さな値とすることが可能な高抵抗厚膜抵抗体を実現する。
【解決手段】下記の組成を有することを特徴とする厚膜抵抗体用ガラス組成物である。ガラス組成物は、導電性材料および有機ビヒクルと混合されて厚膜抵抗体用ペーストとされ、これをたとえば印刷して焼き付けることで、厚膜抵抗体とされる。
ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯから選択される１種若しくは２種以上：１３モル％〜４５モル％、
Ｂ_２Ｏ_３：０〜４０モル％（ただし、０は含まず）、
ＳｉＯ_２：１７モル％〜７２モル％（ただし、７２モル％は含まず）、
ＺｒＯ_２：０〜１０モル％（ただし、０は含まず）、
Ｔａ_２Ｏ_５、Ｎｂ_２Ｏ_５から選択される１種若しくは２種以上：０〜１０モル％（ただし、０は含まず）。 （もっと読む）

【課題】 所望の抵抗値を示すとともに、優れたＴＣＲ特性等を実現する抵抗体を形成可能とする。
【解決手段】 導電性材料及びガラス組成物を含有する抵抗体組成物が有機ビヒクル中に分散されてなる抵抗体ペーストであって、前記抵抗体組成物がアルカリ金属を含む複合酸化物を含有する。前記複合酸化物は、アルカリ金属と、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉから選ばれる少なくとも１種とを含む。前記複合酸化物は、ＬｉＮｂＯ_３、ＬｉＴａＯ_３、Ｌｉ_２ＴｉＯ_３、ＮａＮｂＯ_３、ＮａＴａＯ_３、Ｎａ_２ＴｉＯ_３、Ｎａ_２Ｔｉ_３Ｏ_７、ＫＮｂＯ_３、ＫＴａＯ_３、Ｋ_２ＴｉＯ_３から選択される少なくとも１種である。前記導電性材料としてペロブスカイト型結晶構造を持つ化合物を含有する。導電性材料としての前記化合物がＣａＲｕＯ_３、ＳｒＲｕＯ_３、ＢａＲｕＯ_３から選ばれる少なくとも１種である。前記抵抗体組成物が添加物としてペロブスカイト型結晶構造を持つ化合物を含有する。添加物としての前記化合物がアルカリ土類金属とＴｉとを含む複合酸化物である。 （もっと読む）

【課題】 所望の抵抗値を示すとともに、優れたＴＣＲ特性等を実現する抵抗体を形成可能とする。
【解決手段】 Ｒｕ複合酸化物及びガラス組成物を含有する抵抗体組成物が有機ビヒクル中に分散されてなる抵抗体ペーストであって、前記抵抗体組成物がアルカリ金属酸化物を含有する。前記ガラス組成物の成分として前記アルカリ金属酸化物を含有することが好ましい。前記アルカリ金属酸化物がＬｉ酸化物、Ｋ酸化物、Ｎａ酸化物から選ばれる少なくとも１種であり、前記ガラス組成物における前記アルカリ金属酸化物の含有量が、Ｌｉ_２Ｏ、Ｋ_２Ｏ又はＮａ_２Ｏに換算して、０〜２０モル％（ただし０は含まず。）である。 （もっと読む）

【課題】 ＴＣＲの調整が可能であり、微細で粒径が揃っていて分散性に優れ、厚膜抵抗体用として好適なＲｕ−Ｍｎ−Ｏ微粉末とその製造方法、及びそのＲｕ−Ｍｎ−Ｏ微粉末を用いたＴＣＲの調整可能な厚膜抵抗体組成物を提供する。
【解決手段】 Ｒｕ化合物とＭｎ化合物を酸化ホウ素又はホウ酸と混合し、得られた混合物を５００〜１０００℃で熱処理した後、得られた熱処理物から酸化ホウ素を溶解除去して、Ｒｕ−Ｍｎ−Ｏ微粉末を製造する。このＲｕ−Ｍｎ−Ｏ微粉末は、ルチル構造を有するＲｕＯ_２中にＭｎが固溶したＲｕ−Ｍｎ−Ｏの単一相からなり、ＲｕとＭｎの割合を変えることでＴＣＲを調整することができる。 （もっと読む）

【課題】 Ｐｂフリーで、ＴＣＲに優れた厚膜抵抗体を実現し得る厚膜抵抗体用ガラス組成物及び厚膜抵抗体ペーストを提供する。
【解決手段】 下記に組成を示すように、ＡｇやＰｄ等の貴金属元素を含有することを特徴とする厚膜抵抗体用ガラス組成物である。ガラス組成物は、導電性材料及び有機ビヒクルと混合されて厚膜抵抗体用ペーストとされ、これを例えば印刷して焼き付けることで、厚膜抵抗体とされる。
ＣａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯから選択される１種若しくは２種以上：１３〜４５モル％
Ｂ_２Ｏ_３，ＳｉＯ_２から選択される１種若しくは２種：３５〜８０モル％
ＺｒＯ_２，Ａｌ_２Ｏ_３から選択される１種若しくは２種：０〜１１モル％
Ｔａ_２Ｏ_５，Ｎｂ_２Ｏ_５から選択される１種若しくは２種：０〜８モル％
ＭｎＯ：０〜１５モル％
貴金属元素から選択される１種若しくは２種以上：０．１〜１０モル％ （もっと読む）

【課題】 半田食われが少なく、かつ、鉛を含有しない厚膜導体形成用組成物を提供する。
【解決手段】 導電粉末と、酸化物粉末と、有機ビヒクルとからなり、該酸化物粉末が、ＳｉＯ₂−Ｂ₂Ｏ₃−Ａｌ₂Ｏ₃−ＣａＯ−Ｌｉ₂Ｏ系ガラス粉末と、Ａｌ₂Ｏ₃粉末とを含む厚膜導体形成用組成物を用いる。ＳｉＯ₂−Ｂ₂Ｏ₃−Ａｌ₂Ｏ₃−ＣａＯ−Ｌｉ₂Ｏ系ガラス粉末の組成比は、ＳｉＯ₂：２０〜６０質量％、Ｂ₂Ｏ₃：２〜２５質量％、Ａｌ₂Ｏ₃：２〜２５質量％、ＣａＯ：２０〜５０質量％、およびＬｉ₂Ｏ：０．１〜１０質量％であり、導電粉末１００質量部に対し、ＳｉＯ₂−Ｂ₂Ｏ₃−Ａｌ₂Ｏ₃−ＣａＯ−Ｌｉ₂Ｏ系ガラス粉末が０．１〜１５質量部、Ａｌ₂Ｏ₃粉末が０．１〜８質量部である。 （もっと読む）

【課題】 ペロブスカイト型化合物をガラスと接触させた状態で熱処理を行った場合に、確実にペロブスカイト型化合物の分解を抑制する。
【解決手段】 Ａサイト元素とＢサイト元素を含みＡＢＯ_３で表されるペロブスカイト型化合物をガラスと接触した状態で熱処理するに際し、陽イオンの電場を作る強度がＡサイト元素よりも小さな元素を含む分解抑制化合物を添加する。陽イオンの電場を作る強度は、原子価／（イオン半径）^２により求められる。 （もっと読む）

【課題】 Ｐｂフリーで、温度特性（ＴＣＲ）に優れた厚膜抵抗体を実現する。
【解決手段】 ガラス組成物中に導電性材料が分散されてなる厚膜抵抗体である。厚膜抵抗体構造中に、ガラス組成物とは異なる分布でＴａ_２Ｏ_５、Ｎｂ_２Ｏ_５から選択される１種または２種が含まれている。Ｔａ_２Ｏ_５、Ｎｂ_２Ｏ_５から選択される１種または２種の少なくとも一部は、ガラス組成物中のＺｒＯ_２と反応または混合した状態で存在してもよい。このような厚膜抵抗体を形成するには、ガラス組成物とは別に、添加物としてＴａ_２Ｏ_５、Ｎｂ_２Ｏ_５から選択される１種または２種を含む厚膜抵抗体ペーストを用いる。 （もっと読む）

【課題】 例えば厚膜抵抗体の導体形成用の導体ペーストに用いられたときに、厚膜抵抗体における抵抗値の形状依存性を小さくし、さらには温度特性（ＴＣＲ）に優れる厚膜抵抗体を実現する。
【解決手段】 導電性材料及びガラス組成物を含有する導体組成物が有機ビヒクルに分散されてなる導体ペーストであって、導体組成物がＢｉを実質的に含まず、ガラス組成物が少なくともＣａＯを含有する。導体組成物は、Ｐｂを実質的に含まない。 （もっと読む）