【課題】スピンコート法、ＭＯＤ法などの塗布法において、焼成工程における昇温速度を適切にして、クラックを発生させずに強誘電体薄膜を膜厚１μｍ以上成膜することを可能にする。
【解決手段】基板１上に任意量の強誘電体原料溶液を塗布し乾燥する工程を１回又は複数回行い、得られた薄膜を６００℃以上の加熱処理により焼成して薄膜を一度に結晶化する塗布法による強誘電体薄膜の製造方法において、上記６００℃以上の加熱処理により焼成するときの加熱開始から６００℃に到達する間の昇温速度の平均を２．０℃／分以下に設定し、所望の厚さの強誘電体薄膜３が得られるまで、上記塗布・乾燥工程と結晶化の焼成工程を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】相互接続構造およびセンシング構造を含む電子構造中で使用するための高い皮膜引張強さを有する低ｋ誘電体材料を提供すること。
【解決手段】この低ｋ誘電体材料は、Ｓｉ、Ｃ、ＯおよびＨ原子を含み、Ｃ原子の一部分がＳｉ−ＣＨ_３官能基として結合されており、Ｃ原子の別の部分がＳｉ−Ｒ−Ｓｉとして結合されており、Ｒが、フェニル、−［ＣＨ_２］_ｎ−（ｎは１以上）、ＨＣ＝ＣＨ、Ｃ＝ＣＨ_２、Ｃ≡Ｃまたは［Ｓ］_ｎ結合（ｎは先に定義したとおり）である。 （もっと読む）

【課題】誘電体内へのガス泡の形成を防止可能な、あるいは少なくとも抑制可能な、改善されたエナメル組成物を提供する。
【解決手段】本発明は、誘電体として適用するためのエナメル組成物に関する。本発明はまた、誘電体として適用するための、そのようなエナメル組成物の用途に関する。本発明は、さらに、そのようなエナメル組成物を持つ誘電層に関する。加えて、本発明は、そのような誘電層と、ステンレス鋼から少なくとも部分的に製造した支持構造とのアセンブリに関する。この場合、誘電層は、ステンレス鋼から製造した支持構造の一部分上に設けられる。本発明は、さらに、そのようなアセンブリを製造するための方法に関する。 （もっと読む）

【課題】１Ｔ１Ｃ、２Ｔ２Ｃ及び単純マトリクス型強誘電体メモリのいずれにも使用可能なヒステリシス特性を持つ強誘電体キャパシタに好適な強誘電体膜を提供する。
【解決手段】本発明の強誘電体膜１０１は、ＡＢ_１−ｘＮｂ_ｘＯ_３の一般式で示され、Ａ元素は、少なくともＰｂからなり、Ｂ元素は、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ及びＨｆのうち、少なくとも一つ以上からなり、０．０５≦ｘ＜１の範囲でＮｂを含む酸化物から形成されている。 （もっと読む）

【課題】１Ｔ１Ｃ、２Ｔ２Ｃ及び単純マトリクス型強誘電体メモリのいずれにも使用可能なヒステリシス特性を持つ強誘電体キャパシタに好適な強誘電体膜を提供する。
【解決手段】本発明の強誘電体膜１０１は、ＡＢ_１−ｘＮｂ_ｘＯ_３の一般式で示され、Ａ元素は、少なくともＰｂからなり、Ｂ元素は、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ及びＨｆのうち、少なくとも一つ以上からなり、０．０５≦ｘ＜１の範囲でＮｂを含む酸化物から形成されている。 （もっと読む）

【課題】 鉛を含まず信頼性の高い強誘電体膜およびその製造方法、強誘電体キャパシタ、ならびに誘電体メモリを提供する。
【解決手段】 本発明にかかる強誘電体膜１０１の製造方法は、（ａ）ニオブ元素を含むポリカルボン酸塩と、ビスマス元素を含むポリカルボン酸塩と、ポリカルボン酸またはポリカルボン酸エステルと、有機溶媒と、を混合する工程と、（ｂ）混合した溶液を、基体上に塗布した後、熱処理することにより、ＢｉＮｂＯ_４からなる強誘電体膜を形成する、工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 鉛を含まず、かつＰＺＴと同程度の残留分極を示す強誘電体材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 下地部材の表面上に、ＢｉＦｅＯ_３の前駆体溶液を塗布する。塗布後に熱処理を行い誘電体膜を得る。誘電体膜を、非酸化性雰囲気中で加熱し、結晶化させる。これにより、Ｂｉ、Ｆｅ、及びＯを構成元素として含み、正方晶系または斜方晶系の結晶格子をもつ強誘電体材料が得られる。 （もっと読む）

【課題】ＡＣ電界に対する室温及び１００℃近傍の比誘電率の変化が小さく、ＤＣ電界印加による比誘電率の減少率の小さい誘電体磁器を提供する。
【解決手段】誘電体セラミックスからなる誘電体磁器であって、前記誘電体セラミック結晶のｃ軸及びａ軸の格子定数比ｃ／ａが１．００４以上であり、比誘電率の最大温度が、０．１５Ｖ／μｍ以下の測定交流電界において６０〜１２５℃、且つ０．１５Ｖ／μｍより大きい測定交流電界において６０℃未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

組成式：（Ｂｉ_２Ｏ_２）^２＋（Ａ_ｍ−１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋１）^２−、またはＢｉ_２Ａ_ｍ−１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋３で表され、前記組成式中の記号ｍが正数、記号ＡがＮａ、Ｋ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ、ＣａおよびＢｉから選ばれる少なくとも１つの元素、記号ＢがＦｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｂ、Ｖ、ＭｏおよびＷから選ばれる少なくとも１つの元素である第１ビスマス層状化合物層８ａを有する誘電体薄膜８である。この第１ビスマス層状化合物層８ａと下部電極６との間には、第１ビスマス層状化合物層８ａの組成式よりもビスマスが過剰に含有してある第２ビスマス層状化合物層８ｂが形成してある。
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【課題】 高い耐熱性と絶縁性を有し、温度変化によっても絶縁皮膜の破断が生じない無機系の絶縁材料で被覆されたモータ用耐熱絶縁コイルを提供する。
【解決手段】 （１）Ｐ酸化物及びＢ酸化物、特にＰ_２Ｏ_５及びＢ_２Ｏ_３、並びに（２）２種類以上のアルカリ金属酸化物、特にＬｉ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ及びＫ_２Ｏから選ばれる金属酸化物を含有し、ガラス転移点における熱膨張率が８〜２３×１０^−６／℃であるガラスからなる絶縁皮膜を有することを特徴とするモータ用耐熱絶縁コイル。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率が高く、リーク電流が小さく、物理特性および電気特性の安定した誘電体薄膜を提供すること、および高容量かつ信頼性の高い薄膜コンデンサなどの薄膜誘電体素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 組成式が（Ｂａ_ｘＳｒ_{（１−ｘ）}）_ａＴｉＯ_３（０．５＜ｘ≦１．０、０．９６＜ａ≦１．００）で表される酸化物、例えば、チタン酸バリウムストロンチウムを含有し、厚みが５００ｎｍ以下である誘電体薄膜および、該誘電体薄膜を導電性電極上に形成した後に酸化性ガス雰囲気下でアニールする工程を含む薄膜誘電体素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率の温度係数が小さく、比誘電率が高く、リーク特性が良好で、さらに製造容易な誘電体薄膜を提供することを目的とすること。
【解決手段】 本発明は、組成式が（Ｂａ_１−ｘＳｒ_ｘ）_ｙＴｉＯ_３（０．１８≦ｘ≦０．４５、０．９６≦ｙ≦１．０４）で表され、Ｘ線回折チャートにおける（１００）面の回折線のピーク強度をＩ（１００）とし、（１１０）面の回折線のピーク強度をＩ（１１０）としたとき、ピーク強度比Ｉ（１００）／Ｉ（１１０）を０．０２〜２．０とする誘電体薄膜である。この発明により、比誘電率温度係数の絶対値が６００ｐｐｍ／℃以内、２５℃における比誘電率が２００以上、２５℃におけるリーク電流密度が１×１０^−６Ａ／ｃｍ^２以下という特性が実現される。 （もっと読む）

【課題】 膜厚を比較的容易に制御することができる強誘電体薄膜形成用組成物及び強誘電体薄膜並びに液体噴射ヘッドを提供する。
【解決手段】 強誘電体薄膜を構成する材料となる金属を含むコロイド溶液を少なくとも含有し、気泡発生周波数が高くなるにつれて動的表面張力が大きくなる強誘電体薄膜形成用組成物、及びこの強誘電体薄膜形成用組成物により形成される強誘電体薄膜、並びにこの強誘電体薄膜を有する圧電素子を備えた液体噴射ヘッドとする。 （もっと読む）

第1の材料にマクロスケール領域を有する秩序化されたシングル・ドメイン・ナノポア・アレイが提供される。制御されたパターンを有するナノポア・アレイを製造する方法は、第1のパターンを有する第1の表面を含む基板を設けることと、第1のパターンを有する第1の表面上に、ナノポアを形成できる第1の材料を付着させることと、第1の材料を陽極酸化し、陽極酸化された第1の材料に制御されたパターンを有するナノポア・アレイを形成することとを含む。 （もっと読む）

【課題】 極大誘電率温度を低下させたビスマス層状化合物誘電体薄膜を提供すること。
【解決手段】 ペロブスカイトブロック層と酸化ビスマス層とが互いに積層した結晶構造を有するビスマス層状化合物を含んで成る誘電体薄膜であって、該ビスマス層状化合物が組成式：
（Ｂｉ_２Ｏ_２）²⁺（Ａ_ｘＢ_ｍＯ_３ｍ＋１）^2-
で表され、上記組成式中、ＡがＮａ、Ｋ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ、ＣａまたはＢｉを表し、ＢがＦｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｂ、Ｖ、ＭｏまたはＷを表し、ｍが２以上の正数であり、かつ、ｘがｍ−１より小さい正数であり、そして該化合物の極大誘電率温度Ｔ_ｍが、上記組成式においてｘがｍ−１である対応するビスマス層状化合物の極大誘電率温度より低いことを特徴とする誘電体薄膜。 （もっと読む）