【課題】 高い誘電率と高い絶縁性を兼ね備えた誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】 誘電体薄膜３２は、一般式Ｂａ_xＳｒ_yＴｉＯ₃で表わされ前記ｘおよびｙがｘ＋ｙ＜１を満たす主成分と、前記主成分１００ｍｏｌに対して３ｍｏｌ以下（０ｍｏｌを含まない）のＣｅと、を含有する。これにより、ＣｅがＡサイトに優先的に固溶して、高い誘電率を維持しつつ高い絶縁性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＤ法によるペロブスカイト型誘電物質からなる高誘電体薄膜の形成において、クラックの発生がなく、膜の収縮が小さく、かつ誘電特性に優れた誘電体薄膜を形成することができる高誘電体薄膜形成用塗布組成物とその効率的な製造方法を提供する。
【解決手段】特定の混合液を用いてアルカリ土類金属元素の所定濃度の有機酸塩液（Ａ）を調製する工程、特定の有機溶剤を用いてチタン、スズ及びジルコニウムからなる群から選ばれる少なくとも１種の元素の所定濃度のアルコキシド液（Ｂ）を調製する工程、有機酸塩液（Ａ）とアルコキシド液（Ｂ）を用いて複合有機酸塩液（Ｃ）を合成する工程、及び複合有機酸塩液（Ｃ）を所定濃度に濃縮させた後、希釈して、所定濃度に調整する工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】十分に緻密化され圧電素子としての性能の高いＰＺＴ膜を低コストで製造するための塗布液、及び、ＰＺＴ膜の製造方法を提供する。
【解決手段】結晶ＰＺＴ粒子と、アモルファスＰＺＴ粒子と、有機バインダーと、有機溶剤と、を含む塗布液を基板に塗布して塗膜を形成し、該塗膜を焼成することにより十分に緻密化されたＰＺＴ膜を得る。 （もっと読む）

【課題】鉛やビスマスを含まず有害性が少ない新規材料としてBa,SrZr,TiO₃BSZTを用い、パルスレーザ照射によるPLA 法によりBSZT をSrTiO3STO及びPt 上にペロブスカイト単相膜として成膜させて、BSZTを用いたMIM型素子を作製する。
【解決手段】薄膜試料は、パルスレーザ照射によるPLA 法によりSTO 基板上1にPt3とBSZT2 を堆積したBSZT/Pt/STO を形成する。下部電極Pt3上には<100>、<110>、<111>の多軸配向したBSZT2 を形成する。さらに真空蒸着により上部電極としてAu4を蒸着し、Au/BSZT/Pt/STO としたMIM 型素子を作製する。 （もっと読む）

【課題】 積層セラミック電子部品において、絶縁性や高温負荷時の耐久性の改善を図り、信頼性の高い積層セラミック電子部品を提供する。
【解決手段】 誘電体セラミック層と内部電極層とが交互に積層された積層セラミック電子部品において、内部電極層を形成するための導電ペーストに添加するセラミック粉末として、ペロブスカイト型結晶構造を有し、テトラゴナル相の含有量Ｗｔとキュービック相の含有量Ｗｃの重量比率Ｗｔ／Ｗｃが２以上のセラミック粉末を用いる。テトラゴナル相とキュービック相の重量比率Ｗｔ／Ｗｃは、リートベルト法による多相解析により求める。セラミック粉末は例えばチタン酸バリウム粉末である。 （もっと読む）

【課題】積層セラミックコンデンサの誘電体セラミック層が薄層化されても、良好なバイアス特性を与えることができる、誘電体セラミック層を構成するための誘電体セラミックを提供する。
【解決手段】ＡＢＯ_３（Ａは、Ｂａ等であり、Ｂは、Ｔｉ等である。）を主成分とし、さらに副成分として希土類元素を含み、結晶粒子２１と結晶粒界とを備える、誘電体セラミック。９０％以上の結晶粒子２１において、希土類元素／Ｔｉモル比が０．０３〜０．１０である表層部２２と希土類元素／Ｔｉモル比が０．０１以下である内部２３とを有し、表層部２２の平均厚みの、結晶粒子２１の直径に対する比が０．０１〜０．１０である。 （もっと読む）

【課題】保存安定性及び塗布乾燥時の膜の均質性に優れた強誘電体薄膜形成用組成物の製造方法を提供する。
【解決手段】金属アルコキシドと金属酢酸塩と金属アセチルアセトナート塩とアミン類とアルコール溶媒とを混合し、この混合物１を蒸留塔３を用いて加熱して蒸発物の一部を除去しながら還流すると共に水を補給することにより、ＭＯＤ法用のコロイド溶液を形成する。 （もっと読む）

【課題】従来から、周囲の温度が高くなってもリーク特性が劣化せず十分なリーク特性を有する薄膜コンデンサ素子が求められている。そこで、本発明では、高温環境下でも比誘電率が高く、且つリーク特性が良好で、さらに製造容易な薄膜誘電体を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る薄膜誘電体は、組成式が（Ｓｒ_１−ｘＣａ_ｘ）_ｙＴｉＯ_３で表されるチタン酸ストロンチウムカルシウムを含む薄膜誘電体であって、前記組成式中のｘ、ｙを０．２≦ｘ≦０．６で且つ０．９７≦ｙ≦１．１０としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、誘電率が高く、リーク特性が良好で、安定した特性の薄膜誘電体を提供することにある。また、このような薄膜誘電体を用いて、大容量かつ信頼性の高い薄膜コンデンサ素子を提供することも目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、（１−ｘ）ＭＴｉＯ_３‐（ｘ）〔Ｂｉ_２Ｏ_３・３ＴｉＯ_２〕、但し、ＭはＢａ、Ｓｒ、Ｃａのいずれか１種以上、ｘは０＜ｘ≦０．４の薄膜誘電体を形成した。当該薄膜誘電体を備える薄膜コンデンサ素子は誘電率が高く、リーク特性が良好で信頼性の高い素子とすることができた。 （もっと読む）

【課題】機械的特性に優れた絶縁電線およびこれを用いた電気コイルを提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁電線１は、導体２と、導体２上に形成された絶縁体層３とを有している。また、この絶縁体層３は、導体２上に形成された樹脂絶縁体層４と、樹脂絶縁体層４上に形成され、樹脂と疎水性表面処理されている無機微粒子との混合物で構成される無機微粒子含有絶縁体層５により構成されている。従って、無機微粒子含有絶縁体層５を構成する樹脂と無機微粒子の表面張力を同等にすることが可能になるため、当該樹脂に対する無機微粒子のぬれ性が向上する。 （もっと読む）

【課題】高い誘電性を有する薄膜の製造のためのコーティング溶液、及びこれを用いた誘電薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】チタニウムアルコキサイド、β−ジケトンまたはβ−ジケトン改質化合物、及び電子供与基に改質されたベンゾ酸を含んで成る薄膜製造のためのコーティング溶液及び上記コーティング溶液を低温で乾燥して薄膜を結晶化させる誘電薄膜の製造方法を提供する。このように提供されるチタニウムコーティング溶液は非常に安定しており、基板の種類にかかわらず低温で薄膜工程進行が可能なだけでなく、ＰＣＢ工程内でインライン工程進行が可能である。 （もっと読む）

【課題】 誘電率が十分に高く、リーク特性にも優れる誘電体膜を、金属層の酸化を防止しながら形成させることが可能な誘電体膜の製造方法、並びにこの製造方法によって得られる誘電体膜を提供すること。また、誘電率が十分に高く、リーク特性にも優れる誘電体膜を提供すること。
【解決手段】 金属層上に形成された前駆体層を加熱することにより誘電体膜を形成させる焼成工程を備え、金属層が、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、ステンレス鋼及びインコネルからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属を含有し、焼成工程の少なくとも一部において、減圧雰囲気下で前駆体層を加熱する、誘電体膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】キャパシタ用層間絶縁膜を回路基板やパッケージに内蔵する際に、層間絶縁膜と接する他の材料との界面にかかる応力が小さく、密着力に優れた誘電率が大きいキャパシタ用層間絶縁膜を提供することができるペースト組成物、誘電体組成物、Ｂステージ誘電体シート、及びこれらから得られる層間絶縁膜を用いたキャパシタ内蔵回路基板を提供する。
【解決手段】（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）高誘電率無機粒子、（ｃ）溶剤を有し、（ａ）エポキシ樹脂が分子中に１個以上のシクロヘキサン環を有し、２５℃、１．０１３２５×１０^５Ｐａにおいて粘度が１５０Ｐａ・ｓ以下の樹脂であって、（ｂ）高誘電率無機粒子の平均粒径が０．０１μｍ以上１μｍ以下であるペースト組成物。 （もっと読む）

【課題】８００℃未満の低温焼成によってもＢｉ系誘電体の結晶化薄膜を得ることができるＢｉ系誘電体薄膜形成用組成物とＢｉ系誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】少なくともＳｒ、Ｂｉ、Ｔａおよびランタノイド系元素Ａの各金属または複合金属のアルコキシド、有機塩あるいは錯体を反応させることによって得られる化合物を含有させてＢｉ系誘電体薄膜形成用組成物を構成する。この組成物の塗膜を８００℃未満の低温で焼成することにより、下記一般式（１）
Ｓｒ_1-XＡβＢｉ_2+Y（Ｔａ_2-ZＮｂ_Z）Ｏ₉₊α・・・・・（１）
（式中、Ａは、ランタノイド系元素を表す。Ｘ、Ｙ、αは、それぞれ独立に０以上１未満の数を表し、Ｚは、０以上２未満の数を表し、βは、０．０９以上０．９以下の数を表す。）で表されるＢｉ系誘電体の結晶化薄膜を得る。 （もっと読む）

【課題】 簡単な方法で製造することができ、しかも、有毒な重金属の含有を避けることができる高誘電率の強誘電体を提供する。
【解決手段】 強誘電体は、有機カチオンと、ポリチタン酸アニオン、ポリニオブ酸アニオン及びポリタンタル酸アニオンからなる群から選ばれる少なくとも１種のポリアニオンと、からなる有機カチオン含有ポリアニオンを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、３００℃以下の低温で結晶質誘電体薄膜を形成することのできる結晶質誘電体薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による結晶質誘電体薄膜の製造方法は、基板上に非晶質誘電体薄膜を形成する段階と、上記非晶質誘電体薄膜を水中に浸漬して水熱処理する段階とを含む。上記非晶質誘電体薄膜を形成する段階は、非晶質誘電体ゾルを基板上にコーティングする段階と、コーティングされた晶質誘電体ゾルをベーキングする段階とを含む。ベーキング後にはベーキング処理された結果物を乾燥する段階をさらに含むことができる。所望の厚さの薄膜を得るために、コーティングとベーキングは多数回繰り返すことができる。 （もっと読む）

【課題】
充分な厚みをもつポリシラザン被膜を、クラックを発生させることなく形成し、これにより、十分な絶縁耐圧を有する金属板被覆用の材料と、この材料を使用して前記隔壁等のフラットパネルディスプレイ用部品及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
ポリシラザン溶液の溶媒中に粉体１と粉体２を分散させ、これを絶縁被膜形成用材料として金属板に被膜し、それぞれの直径の関係が、Ｄ２≦（√２―１）×Ｄ１
となるような２種類の粉体１（直径Ｄ１）、粉体（直径Ｄ２）を選定し、これをポリシラザン溶液の溶媒中に分散させ、これを絶縁被膜形成用材料として金属板に被膜したところ、粉体の間に充填されるポリシラザン自体の厚さが薄くなり、厚い膜厚の電気絶縁性シリカ被膜を、クラックを発生することなく形成できた。 （もっと読む）

【課題】 インプリント特性、耐還元性に優れた強誘電体膜を作製する方法を提供する。また、このような強誘電体膜を用いた強誘電体メモリを提供する。
【解決手段】 Ｐｂ(Ｚｒ，Ｔｉ)Ｏ₃
で表される組成の強誘電体膜の作製方法において、Ｐｂの１０〜１５％、より好ましくは１１％から１３％をＣａで置換する。強誘電体メモリの作製において、半導体基板上のトランジスタに電気的に接続する下部電極を形成する。下部電極上に、一般式Ｐｂ_xＣａ_y(Ｚｒ_z，Ｔｉ_1-z)
Ｏ₃ で表され、Ｃａの組成ｙがＰｂの１０〜１５％を置換した範囲である強誘電体膜をゾルゲル法で形成し、この強誘電体膜上に上部電極を形成する。上部電極、強誘電体膜、および下部電極を加工して、トランジスタに接続するキャパシタを形成する。 （もっと読む）

【課題】高誘電率で、かつ薄型化が可能な絶縁性複合材料、当該複合材料を成膜した複合材料膜、および当該複合材料膜をゲート絶縁膜として使用した、軽量、薄型で、柔軟性に優れ、高い飽和ドレイン電流を示す薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】体積累積分布における５０％径が１００ｎｍ以下で、比誘電率が５０以上の粒子と、絶縁性の樹脂とを含むことを特徴とする複合材料、複合材料膜およびこれを用いた薄膜トランジスタを提供する。 （もっと読む）

本発明に係る積層体ユニットは、導電性を有し、かつ、その上で、ビスマス層状化合物を含む誘電体材料をエピタキシャル成長させることができる材料によって、形成され、少なくとも表面が［００１］方位に配向された支持基板と、支持基板上で、ビスマス層状化合物を含む誘電体材料をエピタキシャル成長させて形成され、［００１］方位に配向されたビスマス層状化合物を含む誘電体材料よりなる誘電体層を備えている。このように構成された積層体ユニットは、ｃ軸方向に配向されたビスマス層状化合物をを含む誘電体層を有しているから、誘電体層に含まれているビスマス層状化合物の強誘電体としての性質を抑制して、常誘電体としての性質を十分に発揮させることが可能になるから、小型で、かつ、大容量の誘電特性に優れた薄膜コンデンサを作製することができる。
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