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Fターム[5G303CB02]の内容

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Fターム[5G303CB02]に分類される特許

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【課題】絶縁抵抗の加速寿命に優れ、定格電圧の高い誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】チタン酸バリウムを含む主成分と、BaZrOを含む第1副成分と、Mgの酸化物を含む第2副成分と、Rの酸化物(ただし、Rは、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、YbおよびLuから選択される少なくとも1種)を含む第3副成分と、Mn、Cr、CoおよびFeから選択される少なくとも1種の元素の酸化物を含む第4副成分と、Si、Li、Al、GeおよびBから選択される少なくとも1種の元素の酸化物を含む第5副成分と、を所定量含有し、前記誘電体粒子の粒径をDとした場合に、粒子表面からの深さが前記粒径Dの5%である深さTにおける前記第5副成分の含有割合が、Si、Li、Al、GeまたはB換算で、0.1原子%より多く、1.3原子%未満である誘電体磁器組成物。 (もっと読む)


【課題】絶縁抵抗の加速寿命、容量温度特性に優れ、定格電圧の高い中高圧用途に用いる事ができる誘電体磁器組成物の提供。
【解決手段】チタン酸バリウムを含む主成分と、BaZrOを含む第1副成分と、Mgの酸化物を含む第2副成分と、Rの酸化物(ただし、Rは、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luから選択される少なくとも1種)を含む第3副成分、Mn、Cr、Co、Feから選択される少なくとも1種の元素の酸化物を含む第4副成分、Si、Li、Al、Ge、Bから選択される少なくとも1種の元素の酸化物を含む第5副成分を所定量含有し前記主成分を構成する原料として、D10径が0.25〜0.70μm、D50径が0.35〜1.0μm、D10径とD50径との比(D10/D50)が0.65〜0.90である原料粉末を用いて製造される誘電体磁器組成物。 (もっと読む)


【課題】本発明は、充填剤として窒化ホウ素を用いた場合に、微細な気泡が均一に分布した発泡体を得ることに好適な樹脂組成物及び上記樹脂組成物の製造方法並びに上記樹脂組成物から形成される発泡体を提供する。
【解決手段】フッ素樹脂(A)及び窒化ホウ素を含有する樹脂組成物であって、上記窒化ホウ素は、d99が15μm以下であることを特徴とする樹脂組成物である。 (もっと読む)


【課題】比誘電率が高く、絶縁抵抗の加速寿命に優れ、定格電圧の高い(たとえば100V以上)中高圧用途に好適に用いることができる誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】チタン酸バリウムを含む主成分と、BaZrOを含む第1副成分と、Mgの酸化物を含む第2副成分と、Rの酸化物(ただし、Rは、Sc、Y、La、等から選択される)を含む第3副成分と、Mn、Cr、等から選択される元素の酸化物を含む第4副成分と、Si、Li、等から選択される元素の酸化物を含む第5副成分と、V、NbおよびTaから選択される元素の酸化物を含む第6副成分と、を有し、前記主成分100モルに対する、比率が、第1副成分:9〜13モル、第2副成分:2.7〜5.7モル、第3副成分:4.5〜5.5モル、第4副成分:0.5〜1.5モル、第5副成分:3.0〜3.9モル、第6副成分:0.03〜0.3モルである誘電体磁器組成物。 (もっと読む)


【課題】絶縁抵抗の加速寿命に優れ、中高圧用途に好適に用いることができる誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】チタン酸Baを含む主成分、BaZrOを含む第1副成分、Mg酸化物を含む第2副成分、R酸化物(ただし、Rは、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luから選択される少なくとも1種)を含む第3副成分、Mn、Cr、Co、Feから選択される少なくとも1種の元素酸化物を含む第4副成分、Si、Li、Ge、Bから選択される少なくとも1種の元素酸化物を含む第5副成分、Al酸化物を含む第6副成分、を有し、前記主成分100モルに対する各副成分比率が、第1副成分9〜13モル、第2副成分2.7〜5.7モル、第3副成分4.5〜5.5モル、第4副成分0.5〜1.5モル、第5副成分3.0〜3.9モル、第6副成分0.5〜1.5モルである誘電体磁器組成物。 (もっと読む)


【課題】積層セラミックコンデンサ(MLCC)のDCバイアス特性の向上を図る。
【解決手段】平均粒径が0.05μm超、0.18μm以下のチタン酸バリウムを主成分として含む原料と、ガラス成分とを混合し、1100℃以下の温度で焼結することによって、焼結後のチタン酸バリウムの平均粒径が0.18μm以下である誘電体層11を構成する。 (もっと読む)


【課題】低温で焼成しても特性を損なうことなく緻密化した焼結体を得ることができる焼結助剤、焼結体及セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】Si化合物からなる第1成分、B化合物及びAl化合物の少なくともいずれかを含む第2成分、Ba化合物、Zn化合物及びカルシウムCa化合物のうち少なくとも1つを含む第3成分のモル比による組成比は、図1に表される三角図における、点A(X、Y、Z)=(0.21、0.37、0.42)、点B(X、Y、Z)=(0.364、0.192、0.444)、点C(X、Y、Z)=(0.47、0.174、0.356)、点D(X、Y、Z)=(0.618、0.182、0.20)、点E(X、Y、Z)=(0.618、0.228、0.154)および点F(X、Y、Z)=(0.261、0.375、0.364)で囲まれる範囲内を満たす。 (もっと読む)


本発明は、低温焼結が可能な非ガラス系マイクロ波誘電体セラミックス及びその製造方法に関するものであって、本発明による非ガラス系マイクロ波誘電体セラミックスは、M2+4+(但し、MはBa、CaまたはSrであり、NはSn、ZrまたはTiである。)の組成物を含む。また、前記Mサイトを、前記Ba、Ca及びSrの中の互いに異なる2個で複数置き換えて(M1−x2+2+)N4+(この時、0<x<1)になる組成物と、前記Nサイトを、前記Sn、Zr及びTiの中の互いに異なる2個で複数置き換えてM2+(N1−y4+4+)B(但し、0<y<1)になる組成物と、前記Mサイトを、前記Ba、Ca及びSrの中の互いに異なる2個で複数置き換え、また前記Nサイトを、前記Sn、Zr及びTiの中の互いに異なる2個で複数置き換えて(M1−x2+2+)(N1−y4+4+)Bの組成式で表現される組成物とを全て含む。また、本発明による非ガラス系マイクロ波誘電体セラミックスは、前記誘電体セラミックス組成物にβCuO+γBi(但し、0.55≦β≦0.96であり、0.40≦γ≦0.45である。)になる焼結剤を1〜7wt%添加し、これによって最下875℃まで焼結温度を低下させ低温塑性が可能である。 (もっと読む)


【課題】耐湿性に優れるとともに誘電率が低く、さらに耐薬品性の良好な高熱膨張の低温焼成磁器およびその製造方法、ならびに配線基板を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、30〜50質量%のクォーツと、5〜40質量%のエンスタタイトと、1〜15質量%のフォルステライトと、5〜15質量%のガーナイトと、0.5〜5質量%のジルコニアと、0.01〜2質量%のチタニアと、5〜30質量%のガラス相とからなり、前記ガラス相100質量%のうちの10〜30質量%がCaOであることを特徴とする低温焼成磁器である。 (もっと読む)


低誘電率及び低誘電正接を有するグラスファイバーは、ガラス組成として本質的にSiO52〜60重量%、Al11〜16重量%、B20〜30重量%、及びCaO4〜8重量%からなり、かつ実質的にMgOは存在せず、実質的にLiOは存在せず、実質的にNaOは存在せず、実質的にKOは存在せず、実質的にTiOは存在しない。このグラスファイバーは2重量%までのFも含有することができる。このグラスファイバーはプリント配線板用の補強材としての使用のために理想的であり、約18GHz以上の周波数において優れた誘電性を有する。 (もっと読む)


【課題】良好な印刷性が得られる粘度を保持したまま無機微粒子の分散性に優れるとともに、低温雰囲気下であっても脱脂処理が可能な無機微粒子分散ペースト組成物を提供する。
【解決手段】(メタ)アクリル樹脂と、無機微粒子と、有機溶剤とを含有する無機微粒子分散ペースト組成物であって、前記(メタ)アクリル樹脂は、一部にジメチルシロキサン官能基を有し、かつ、ポリスチレン換算による数平均分子量が3000〜5万である無機微粒子分散ペースト組成物。 (もっと読む)


【課題】多層セラミック基板を製造するにあたり、無収縮プロセスを用いて焼成するのに適した誘電体セラミック原料組成物を提供する。
【解決手段】100重量部の(Ca1−xSr)WO系セラミック(0≦x≦1.0)と、LiをLiO換算で3〜10重量%、MgをMgO換算で31〜49重量%、ZnをZnO換算で6〜10重量%、BをB換算で17〜29重量%、およびSiをSiO換算で18〜34重量%含有する、25〜70重量部のホウケイ酸ガラスとを含み、CaWO結晶相、SrWO結晶相および(Ca,Sr)WO結晶相の少なくとも1種ならびにLi(Mg,Zn)SiO結晶相が析出している、誘電体セラミック原料組成物。この誘電体セラミック原料組成物は、無収縮プロセスによって焼成される複合積層構造物21において、基板用セラミックグリーンシート25の材料として好適に用いられる。 (もっと読む)


【課題】製造過程で体積の収縮がほとんど起らず意図した形状、寸法を有し、強度も良好な無機成形体を容易に製造することができる製造方法、及び該方法で得られる無機成形体を提供する。
【解決手段】固体状シリコーンからなるマトリックスと該マトリックス中に分散した無機フィラーとからなるシリコーン系成形物を、非酸化性雰囲気下、400〜1500℃において加熱することにより該固体状シリコーンを無機セラミックス化することを特徴とする、無機セラミックスからなるマトリックスと該マトリックス中に分散した無機フィラーとからなる無機成形体の製造方法、及びこの方法で得られる無機成形体。 (もっと読む)


ホスト樹脂マトリクスと高熱伝導性フィラーとを有する高熱伝導性樹脂。高熱伝導性フィラー(30)は、ホスト樹脂マトリクスと連続的有機−無機複合体を形成する。フィラーは、長さが1〜1,000nmであり、3〜100の平均アスペクト比を有する。高熱伝導性フィラーの少なくとも一部は、六方晶、立方晶、斜方晶、菱面体晶、正方晶、ウィスカー及びチューブのうちの1つ以上より選択される形態(31)を含んでなる。特に、フィラーの一部は凝集して2次構造を形成する。 (もっと読む)


【課題】 誘電体フィルタや共振器に用いられる誘電体磁器組成物は、誘電率が高く、Q値が高いことが望まれる。
【解決手段】 一般式xMgTiO・yMgTiO・zCaTiOと表され、x、y、zがモル%でそれぞれ、69.3≦x≦84.0、14.1≦y≦30.0、0.8≦z≦6.1の範囲にある組成物100重量部に対して、Li系ガラスが25重量部〜35重量部添加される。
【効果】 xMgTiO・yMgTiO・zCaTiOと表され、x、y、zがモル%でそれぞれ、69.3≦x≦84.0、14.1≦y≦30.0、0.8≦z≦6.1の範囲にある組成物100重量部に対して、Li系ガラスを25重量部〜35重量部添加するので、誘電率とQ値を向上できると共に、焼結温度を導体パターンを構成する金属の融点よりも低くできる。 (もっと読む)


電圧切り換え可能な誘電材料の組成は、誘電母体材料内に均一に分散する2種類以上の異なる半導体材料を有する。前記半導体材料は、生成された電圧切り換え可能な誘電材料に様々な過電圧のレベルに対するステップ応答を供するため、それぞれ異なるバンドギャップエネルギーを有するように選ばれる。前記半導体材料は、無機の粒子、有機の粒子、又は前記誘電母体材料内で可溶であるか、又は該誘電母体材料と混和可能な有機材料を有して良い。組成はまた任意で電気伝導性材料をも有して良い。組成中での前記伝導性材料又は前記半導体材料のうちの少なくとも1つはアスペクト比が少なくとも3以上であることを特徴とする粒子を有して良い。
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【課題】 低温焼成可能で、比誘電率εr等の誘電特性にも優れた誘電体磁器組成物を実現する。
【解決手段】 下記組成式(1)で表される酸化物誘電体を主組成成分とし、ホウ素酸化物及びガラス組成物から選ばれる少なくとも1種を含有する誘電体磁器組成物である。
aCaO−bLiO1/2−cBiO3/2−dREO3/2−eTiO・・・(1)
ただし、式中、REはLa,Ce,Pr,Nd,Sm,Yb,Dy,Yから選択される少なくとも1種を表す。また、a〜eは各成分の比率(モル%)を表し、
10≦a≦25
10≦b≦20
8≦c≦15
2≦d≦10
50≦e≦60
0.65≦b/(c+d)<1.0
a+b+c+d+e=100
なる関係を満たす。 (もっと読む)


【課題】1000℃以下の温度で焼成可能であり、その焼結体は、比誘電率が低く、共振周波数の温度係数が小さく、Q値が高く、さらに電気的絶縁信頼性が高い、ガラスセラミック組成物を提供する。
【解決手段】セラミック多層モジュール1に備える多層セラミック基板2において積層されるガラスセラミック層3のためのガラスセラミック組成物。フォルステライトを主成分とする第1のセラミック粉末と、CaTiO3 、SrTiO3 およびTiO2 より選ばれる少なくとも1種を主成分とする第2のセラミック粉末と、Li2 O、MgO、B2 3、SiO2、ZnOおよびAl2 3 を含むホウケイ酸ガラス粉末とを含む。ホウケイ酸ガラス粉末は、3重量%以上を占めており、CaO、BaOおよびSrOからなる群より選ばれる少なくとも1種の添加成分をさらに含む。 (もっと読む)


【課題】 さらなる機械的強度の向上および各種外観不良の防止を実現する低温焼成磁器組成物および低温焼成磁器を提供する。
【解決手段】 本発明の低温焼成磁器組成物は、SiOを30〜40mol%、Alを1〜2mol%、MgOを28〜35mol%、Bを12〜20mol%、ZnOを10〜15mol%、CaOを2〜6mol%含むガラス成分と、表面にAl粒子が被着しているSiO粉末からなるフィラー成分とで構成される。この低温焼成磁器組成物を850℃〜1050℃で焼成して得られる低温焼成磁器は、ZnAlの析出を抑え、ガーナイト結晶相およびクォーツ結晶相を主に析出させることができ、機械的強度を向上させることができる。さらにガラスの緻密化温度と結晶化開始温度との温度差を小さくすることで、COおよびCOをシート内に留め、表面に発生する膨れを皆無とすることができる。 (もっと読む)


【課題】誘電体層を薄層化しても、比誘電率と容量温度特性とを両立できる誘電体磁器組成物およびその製造方法を提供する。
【解決手段】組成式(Ba1−xCa)(Ti1−yZr)O(0≦x≦0.2、0≦y≦0.2)で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する化合物を含む主成分と、Rの酸化物(ただし、RはY,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,YbおよびLuから選択される少なくとも1種)を含む第4副成分とを含有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、主成分の原料と、誘電体磁器組成物に含有されることとなる第4副成分の原料の一部と、を予め反応させ、反応済み原料を得る工程と、反応済み原料に、誘電体磁器組成物に含有されることとなる残りの第4副成分の原料を添加する工程とを有する誘電体磁器組成物の製造方法。 (もっと読む)


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