【課題】分離を必要とする副生成物を発生させずに燃焼合成により短時間で得られるとともに、優れた焼結体特性を有する誘電体セラミックスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 結晶構造を有するセラミックスであって、比表面積が 0.01〜2 m²/g の４族元素を含む金属粉末と、２族元素を含む元素の炭酸塩と、２族元素を含む元素の過酸化物とを少なくとも含む反応原料をそれぞれ所定割合で配合し、断熱火炎温度が 1500℃以上である燃焼合成法により得られる。また、上記４族元素は、チタンであり、上記２族元素は、ストロンチウム、バリウムおよびカルシウムから選ばれた少なくとも１つの元素である。 （もっと読む）

【課題】難燃性、機械的特性、耐低温性に優れた難燃性樹脂組成物を提供すること。また、これを被覆材として用いたノンハロゲン系絶縁電線、このノンハロゲン系絶縁電線を含んだワイヤーハーネスを提供すること。
【解決手段】（Ａ）プロピレン系樹脂１００重量部に対し、（Ｂ）その数平均分子量が２０００〜４０００の範囲内にあるエチレン−酢酸ビニル共重合体を１〜４０重量部、（Ｃ）金属水和物を３０〜２００重量部少なくとも含有させた組成物とする。また、当該組成物を被覆材に用いたノンハロゲン系絶縁電線とし、この電線をワイヤーハーネスの電線束中に使用する。 （もっと読む）

【課題】 高い絶縁性と熱伝導率を有する成形品を得ることができ、成形加工性に優れた絶縁性熱伝導性樹脂組成物及び成形品並びにその製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の絶縁性熱伝導性樹脂組成物は、少なくとも、熱可塑性樹脂と、耐水性酸化マグネシウムと、融点が５００℃以上の金属粉と、融点が５００℃以下の低融点合金とを含む。 （もっと読む）

【課題】誘電率が高く、かつ緻密性の高い焼成体を低温焼成で得られるようにする。
【解決手段】モル％表示で、ＳｉＯ_２ １５〜４０％、Ｂ_２Ｏ_３ ５〜３７％、Ａｌ_２Ｏ_３ ２〜１５％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ １〜２５％、ＭｇＯ ０〜７％、ＢａＯ ５〜２５％、ＺｎＯ ０〜３５％、ＴｉＯ_２ ３〜１５％、ＺｒＯ_２＋ＳｎＯ_２ ０〜１０％、ＳｉＯ_２＋Ａｌ_２Ｏ_３ ２５〜５０％、Ｂ_２Ｏ_３＋ＺｎＯ １５〜４５％である無鉛無アルカリガラス。質量％で、前記ガラスの粉末３０〜７０％と、ＢａとＴｉを含有しモル比（Ｔｉ／Ｂａ）が３．０〜５．７であるＢａ−Ｔｉ化合物の粉末３０〜７０％とからなるガラスセラミックス組成物。前記ガラスセラミックス組成物を焼成して得られる誘電体。 （もっと読む）

【課題】 少ないガラス量で低温焼成できる磁器組成物及びその製法並びに電子部品を提供する。
【解決手段】 本組成物は、フィラー及びガラスを含有し、フィラーは組成式［ｘＣａＯ・ｙＭ^１Ｏ・ｚＳｉＯ_２］（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００モル％）で表した場合に条件（１）及び（２）を満たすフィラーを主成分とし、且つ、ガラスは、少なくともＢａ、Ｚｎ、Ｂ及びＳｉを含有し、各元素の酸化物換算合計で、Ｂａを２５〜５５質量％、Ｚｎを５〜３０質量％、Ｂを１５〜３５質量％、Ｓｉを５〜３０質量％含有する。条件（１）；Ｍ^１はＭｇ及びＺｎのうちの少なくとも１種。条件（２）；ｘ、ｙ及びｚは三角図を用いて表した場合に図１における辺ＡＢ、辺ＢＣ、辺ＣＤ及び辺ＤＡの領域内（各辺は全て含む）にある。本電子部品は、本組成物からなる誘電体磁器部と、その表面及び／又は内部に配設され且つ同時焼成された導体部を備える。 （もっと読む）

【課題】 誘電体セラミックスが有する高い比誘電率εｒを十分に反映させることができ、これまでにない高い比誘電率εｒを実現することができ、しかも高いＱを有する低損失な複合誘電体材料を提供する。
【解決手段】 誘電体セラミックスと有機高分子材料とを含有する複合誘電体材料である。誘電体セラミックスとして、一般式Ａｇ（Ｎｂ_１−ｘＴａ_ｘ）Ｏ_３（ただし、０．１０≦ｘ≦０．９０である。）で表される組成を有する酸化物からなる第１の誘電体セラミックスと、Ｑ≧１０００の第２の誘電体セラミックスとを含有する。この場合、第１の誘電体セラミックスを一般式Ａｇ（Ｎｂ_１−ｘＴａ_ｘ）Ｏ_３（ただし、０．１０≦ｘ≦０．４５である。）で表される組成を有し比誘電率の温度変化係数が正である酸化物とし、第２の誘電体セラミックスの比誘電率の温度変化係数を負とすることで、複合誘電体材料全体の比誘電率の温度変化が抑えられる。 （もっと読む）

本発明は、高周波帯域において、高い比誘電率を有しつつ誘電損失が低く抑えられた誘電体を提供することを主な目的とする。すなわち、本発明は、無機酸化物の多孔体に導電性粒子が分散してなる複合誘電体であって、 １）１ＧＨｚ以上の高周波帯域における当該誘電体の比誘電率εｒが４以上であり、２）１ＧＨｚ以上の高周波帯域における当該誘電体の誘電損失ｔａｎδが２×１０^−４以下である複合誘電体及びその製造方法に係る。
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【課題】 低温で焼成することができ、且つ十分な誘電特性を有する誘電体磁器組成物及びそれを用いたセラミック電子部品を提供する。
【解決手段】 本発明の誘電体磁器組成物は、ａＢｉ_２（Ｚｎ_１／３Ｔａ_２／３）_２Ｏ_７−ｂＢｉ_２（Ｚｎ_１／３Ｎｂ_２／３）_２Ｏ_７−ｃＢｉ_２Ｓｎ_２Ｏ_７（ａ、ｂ及びｃはモル％であり、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００モル％である。）により表し、且つａ、ｂ及びｃの各々の相関を三角図を用いて表した場合に、ａ、ｂ及びｃは、各々に対応する値が、図１における特定の領域内にあることを特徴とする。また、本発明のセラミック電子部品は、上記の誘電体磁器組成物からなる未焼成セラミック基体が焼成されてなるセラミック基体と、その内部及び／又は表面に設けられた未焼成導体層が未焼成セラミック基体と同時焼成されてなる導体層（Ａｇ等を主成分とする。）と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】無機フィラーを高充填化させた空隙率の低い高誘電体組成物を得ること。
【解決手段】無機フィラーと樹脂を含む誘電体組成物であって、無機フィラーの平均粒子サイズ０．０１μｍ以上１μｍ以下であり、無機フィラーの表面積が、同一体積の真球に対し１．０５倍以上１．３倍以下である無機フィラーを含有することを特徴とする誘電体組成物。 （もっと読む）

【課題】 ７０〜８５程度のε_ｒを発現しつつ、大きなＱｕが得られる誘電体磁器組成物及びこれを用いた電子部品を提供する。
【解決手段】 Ｃａ及びＳｒの少なくとも一方と、Ｔｉと、Ａｌと、Ｎｂ及びＴａの少なくとも一方と、Ｏとの各元素を含有し、これらの元素について、組成式［ａＭ^１Ｏ−ｂＴｉＯ_２−（１／２）ｃＡｌ_２Ｏ_３−（１／２）ｄＭ^２_２Ｏ_５］（但し、Ｍ^１はＣａ及び／又はＳｒであり、Ｍ^２はＮｂ及び／又はＴａであり、ａ、ｂ、ｃ及びｄは各々モル比を表わし、且つ、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１である）と表した場合に下記条件を満たす。０．４３６≦ａ≦０．５００、０．３２５≦ｂ≦０．３７５、０．０５４≦ｃ<０．０８８且つ０．０６２<ｄ<０．１４３。本電子部品は、本組成物からなる誘電体部を備える。 （もっと読む）

【課題】 中間域のε_ｒを発現でき、ε_ｒ及びＱｕのバランスを保持しながらτ_ｆを小さくコントロールできる誘電体磁器組成物及びこれを用いた電子部品を提供する。
【解決手段】 Ｃａ及びＳｒの少なくとも一方と、Ｔｉと、Ａｌと、Ｎｂ及びＴａの少なくとも一方と、Ｏとの各元素を含有し、これらの元素について、組成式［ａＭ^１Ｏ−ｂＴｉＯ_２−（１／２）ｃＡｌ_２Ｏ_３−（１／２）ｄＭ^２_２Ｏ_５］（但し、Ｍ^１はＣａ及び／又はＳｒであり、Ｍ^２はＮｂ及び／又はＴａであり、ａ、ｂ、ｃ及びｄは各々モル比を表わし、且つ、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１である）と表した場合に下記条件を満たす。０．４３６<ａ≦０．５００、０．１２４<ｂ≦０．３２５、０．０５４<ｃ≦０．１５０且つ０．１７０<ｄ<０．３４６。本電子部品は、本組成物からなる誘電体部を備える。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率、および共振周波数の温度係数の調整が可能な誘電体磁器を提供する。
【解決手段】 Ｚｒ_ｘＳｎ_ｙＴｉ_ｚＯ₄（ｘ＋ｙ＋ｚ＝２、０．５５＜ｘ＜１．００、０．８５＜ｚ＜１．１５）を主成分とし、ＮｉＯ、Ｌａ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅からＮｉＯを必須とした１種以上を添加物として選択し、それぞれ１重量％以下（０重量％を含まず）添加してなる誘電体磁器であって、ルチル型結晶構造をとる結晶相を含有する誘電体磁器とする。 （もっと読む）

ポリマーマトリックスの中に分布しているナノ粒子充填剤の電界グレーディング有効量を含む電界グレーディング材料であって、ナノ粒子充填剤がポリマーマトリックスの中に不均一に分布している前記電界グレーディング材料

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