【課題】１５以上の高い比誘電率と、０．３％以下の低い誘電損失とを有し、また、ガラス移転点（Ｔｇ）も低くて、高周波回路素子、ディスプレイ等の電子回路用基板や誘電材料の形成に好適に適用できるガラスを提供すること。
【解決手段】酸化物基準の質量％で、Ｂｉ_２Ｏ_３を２０〜９０％含有するガラスであって、１ＭＨｚでの比誘電率が１５以上で、誘電損失が０．３％以下である。また、好ましくは、ガラス転移点（Ｔｇ）が５００℃以下である。 （もっと読む）

【課題】誘電体層を薄層化しても、比誘電率と容量温度特性とを両立できる誘電体磁器組成物およびその製造方法を提供する。
【解決手段】組成式（Ｂａ_１−ｘＣａ_ｘ）（Ｔｉ_１−ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０≦ｘ≦０．２、０≦ｙ≦０．２）で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する化合物を含む主成分と、Ｒの酸化物（ただし、ＲはＹ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，ＹｂおよびＬｕから選択される少なくとも１種）を含む第４副成分とを含有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、主成分の原料と、誘電体磁器組成物に含有されることとなる第４副成分の原料の一部と、を予め反応させ、反応済み原料を得る工程と、反応済み原料に、誘電体磁器組成物に含有されることとなる残りの第４副成分の原料を添加する工程とを有する誘電体磁器組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高い比誘電率と、高いＱ値、ゼロに近いＴＣＦ特性を有し、かつＡｇやＣｕと同時焼成可能な高周波用誘電体材料の提供。
【解決手段】ＣａＯ：１モル、Ｎｂ_２Ｏ_５：（１−α×β）／３モル、ＺｎＯ：（１−α）／３モル、ＴｉＯ_２：γモル、Ｌｉ_２Ｏ：α×（１−β）／６モル（但し、０．６５≦α≦０．７５、０．０９≦β≦０．１５、０．０６６≦α×β≦０．１００、０．１５≦γ≦０．３５）の割合からなる主構成材料と、前記主構成材料１００重量部に対し、さらにＣｕ、Ｂ、Ｌｉ、Ｂｉ、Ｖの酸化物およびそれらの混合物からなる群より選ばれてなる焼結助剤１〜５重量部、とを含んでなることを特徴とする、高周波用誘電体材料。 （もっと読む）

【課題】 積層セラミック電子部品において、絶縁性や高温負荷時の耐久性の改善を図り、信頼性の高い積層セラミック電子部品を提供する。
【解決手段】 誘電体セラミック層と内部電極層とが交互に積層された積層セラミック電子部品において、内部電極層を形成するための導電ペーストに添加するセラミック粉末として、ペロブスカイト型結晶構造を有し、テトラゴナル相の含有量Ｗｔとキュービック相の含有量Ｗｃの重量比率Ｗｔ／Ｗｃが２以上のセラミック粉末を用いる。テトラゴナル相とキュービック相の重量比率Ｗｔ／Ｗｃは、リートベルト法による多相解析により求める。セラミック粉末は例えばチタン酸バリウム粉末である。 （もっと読む）

【課題】 積層セラミック電子部品において、クラックの発生を抑え、製品歩留まりを向上する。
【解決手段】 誘電体セラミック層と内部電極層とが交互に積層された積層セラミック電子部品において、内部電極層を形成するための導電ペーストに添加するセラミック粉末として、ペロブスカイト型結晶構造を有し、テトラゴナル相の含有量Ｗｔとキュービック相の含有量Ｗｃの重量比率Ｗｔ／Ｗｃが２未満のセラミック粉末を用いる。テトラゴナル相とキュービック相の重量比率Ｗｔ／Ｗｃは、リートベルト法による多相解析により求める。セラミック粉末は例えばチタン酸バリウム粉末である。 （もっと読む）

【課題】低温での焼成が可能であり、Ｑ値および絶縁抵抗に優れ、しかも高温加速寿命特性が改善された誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】誘電体酸化物を含む主成分と、Ｌｉの酸化物を含む第１成分およびＭ１の酸化物（ただし、Ｍ１は、Ｖ族、ＶＩ族元素から選択される少なくとも１種の元素）を含む第２成分を有する焼結助剤と、を含有する誘電体磁器組成物であって、前記誘電体磁器組成物は、複数の誘電体粒子と、隣り合う前記誘電体粒子間に存在する結晶粒界と、を有しており、複数の前記誘電体粒子は、粒子表面から粒子内部に向かって、Ｍ１元素の濃度が低くなっているとともに、前記誘電体粒子の粒径をＤとし、前記結晶粒界におけるＭ１元素の含有割合を１００％とした場合に、粒子表面からの深さが前記粒径Ｄの５０％である深さＴ_５０における、Ｍ１元素の含有割合が、３〜５５％であることを特徴とする誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】積層セラミックコンデンサの誘電体セラミック層が薄層化されても、良好なバイアス特性を与えることができる、誘電体セラミック層を構成するための誘電体セラミックを提供する。
【解決手段】ＡＢＯ_３（Ａは、Ｂａ等であり、Ｂは、Ｔｉ等である。）を主成分とし、さらに副成分として希土類元素を含み、結晶粒子２１と結晶粒界とを備える、誘電体セラミック。９０％以上の結晶粒子２１において、希土類元素／Ｔｉモル比が０．０３〜０．１０である表層部２２と希土類元素／Ｔｉモル比が０．０１以下である内部２３とを有し、表層部２２の平均厚みの、結晶粒子２１の直径に対する比が０．０１〜０．１０である。 （もっと読む）

【課題】内部電極として、Ｃｕ電極等の卑金属電極を用いることができる耐還元性誘電体磁器組成物であって、比誘電率を維持しつつ、ＣＲ積が良好となる誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】主成分と副成分とを有する耐還元性誘電体磁器組成物であって、
前記主成分の組成式を、α（Ｓｒ_ＸＣａ_ＹＢａ_{１−Ｘ−Ｙ}）ＴｉＯ_３＋（１−α）（Ｂｉ_２Ｏ_３＋βＴｉＯ_２）と表した場合に、αが０．６０＜α＜０．８５、βが１．５＜β＜４．０の範囲にあり、前記副成分として、少なくとも、酸化硼素および酸化マンガンを有し、前記主成分１００モルに対して、０．５≦酸化硼素≦５モルであり、０．０５＜酸化マンガン＜３モルである。 （もっと読む）

【課題】ペロブスカイト型酸化物に従来よりも少ない焼結助剤を用いて低い温度で焼成することにより、高誘電率な誘電体磁器及びその製造方法を提供する。
【解決手段】前記焼結助剤は、一定量を境に、その含有量の増加にしたがって緻密化温度が低下し、その含有量の減少にしたがって緻密化温度が低下した後に上昇する特性を有するものであり、かつ、前記焼結助剤の含有量は、前記一定量よりも少なく緻密化温度の低い領域にある量である。前記ペロブスカイト型酸化物は、ＡＢＯ₃の一般式で表され、Ａ-site／Ｂ-site比が０．９８〜１．０３であり、前記焼結助剤は、Ｂ及びＬｉ、又はＢの一部をＳｉで置換したＢ、Ｌｉ及びＳｉであり、Ｂ、Ｌｉ及びＳｉの含有量が、前記ペロブスカイト型酸化物１００モル％に対し、Ｂ₂Ｏ₃、Ｌｉ₂Ｏ及びＳｉＯ₂に換算して０．１〜４．０モル％である。 （もっと読む）

【課題】母材の特性劣化を抑制しつつ焼結温度を低くすることを目的とする。
【解決手段】この目的を達成するために本発明は、少なくとも酸化銅、酸化チタン、酸化ニオブより構成され、ｘＣｕＯ−ｙＴｉＯ₂−ｚＮｂＯ_2.5（ｘ，ｙ，ｚはモル比、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）と表したときの三成分組成図において、ｘ，ｙおよびｚが下記のＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄを頂点とする四角形の領域内にあることを特徴とするものである。
Ａ：（ｘ，ｙ，ｚ）＝（０．５００，０．２５０，０．２５０）
Ｂ：（ｘ，ｙ，ｚ）＝（０．３００，０．２５０，０．４５０）
Ｃ：（ｘ，ｙ，ｚ）＝（０．６４０，０．０４０，０．３２０）
Ｄ：（ｘ，ｙ，ｚ）＝（０．３８４，０．０４０，０．５７６） （もっと読む）

【課題】低温焼成用マイクロ波誘電体セラミック組成物の製造方法及びそれから得られる低温焼成用マイクロ波誘電体セラミックを提供する。
【解決手段】複合ビスマスニオブ酸化物（ＢｉＮｂＯ_４）または亜鉛ニオブ酸化物（Ｚｎ_３Ｎｂ_２Ｏ_８）前駆体粉末を溶液反応に基づいた粉末合成工程である共沈法を用いて製造し、ここに０．１〜１質量％のＣｕＯ及び０．２〜２質量％のＶ_２Ｏ_５を焼結助剤として添加し、粉砕及び焼結する低温焼成用マイクロ波誘電体セラミック組成物の製造方法。該製造方法によって得られる低温焼成用マイクロ波誘電体セラミック組成物。該低温焼成用マイクロ波誘電体セラミック組成物は、高誘電率及び品質係数、及び安定した共振周波数の温度係数を有するのみならず、７００〜７５０℃の低い温度の範囲で焼成が可能である。 （もっと読む）

【課題】低温焼成が可能で高誘電率を示しながらも温度安定性が優秀な、誘電体磁器組成物およびこれを用いた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】本発明による誘電体磁器組成物は、主成分として(Ｂａ_１−ｘＣａ_ｘ)_ｍＴｉＯ_３と、副成分としてＭｇＣＯ_３、ＲＥ_２Ｏ_３(ＲＥ_２Ｏ_３はＹ_２Ｏ_３、Ｄｙ_２Ｏ_３及びＨｏ_２Ｏ_３から成る群から１種以上選択される希土類酸化物)、ＭＯ(ＭはＢａ及びＣａのうち一つの元素)、ＭｎＯ、Ｖ_２Ｏ_５、Ｃｒ_２Ｏ_３及び焼結助剤であるＳｉＯ_２を含む。上記誘電体磁器組成物の組成式はａ(Ｂａ_１−ｘＣａ_ｘ)_ｍＴｉＯ_３−ｂＭｇＣＯ_３−ｃＲＥ_２Ｏ_３-ｄＭＯ−ｅＭｎＯ−ｆＳｉＯ_２−ｇＶ_２Ｏ_５−ｈＣｒ_２Ｏ_３と表現する際、モル比でａ＝１００、０．１≦ｂ≦３．０、０．１≦ｃ≦３．０、０．１≦ｄ≦３．０、０．０５≦ｅ≦１．０、０．２≦ｆ≦３．０、０．０１≦ｇ≦１．０、０．０１≦ｈ≦１．０であり、０．００５≦ｘ≦０．１５、０．９９５≦ｍ≦１．０３を満足する。 （もっと読む）

【課題】 低温で焼成しても各種電気特性を損なうことなく緻密化しており、かつ誘電体粒子の粒径を微細化でき、薄層化に対応した誘電体磁器組成物を得ることができる焼結助剤を用いた誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】 誘電体酸化物を含む主成分と、焼結助剤とを有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、ＺｒＯ_２ 及びＳｉＯ_２ を主成分とするガラスで構成されており、前記ガラス中の各含有量が、１モルのＳｉＯ_２ に対して、ＺｒＯ_２ ：０．７〜１．３モルである焼結助剤を、前記主成分１００モルに対して１〜７モル（但し１モルと７モルを除く）添加して、前記誘電体磁器組成物を製造することを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法。
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【課題】 低温で焼成しても各種電気特性を損なうことなく緻密化しており、かつ誘電体粒子の粒径を微細化でき、薄層化に対応した誘電体磁器組成物を得ることができる焼結助剤を用いた誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】 誘電体酸化物を含む主成分と、焼結助剤とを有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、ＺｒＯ_２ 及びＳｉＯ_２ を主成分として含み、前記主成分中の含有量が、１モルのＳｉＯ_２ に対して、ＺｒＯ_２ ：０．７〜１．３モルであるガラス材料と、ＭｇＯを主成分とする非ガラス材料とを、有する焼結助剤を、該焼結助剤中の各成分が以下に示す量となるように添加して、前記誘電体磁器組成物を製造することを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法。
ガラス材料：主成分酸化物１００モルに対して、０．７〜８モル（但し０．７モルと８モルを除く）、
非ガラス材料：主成分酸化物１００モルに対して、０．１〜４モル（但し０．１モルと４モルを除く）。
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【課題】 還元雰囲気中１１８０℃以下で焼成でき、比誘電率が２，４００以上で、Ｘ５Ｒ特性を満たし、加速寿命も長い誘電体磁器組成物及び磁器コンデンサを提供する。
【解決手段】 本発明に係る誘電体磁器組成物は、主成分としてＢａ、Ｃａ、及びＴｉの酸化物を、副成分としてＲｅ（ＲｅはＹ、Ｄｙ、Ｓｍ、Ｙｂ及びＨｏからなる群から選択される少なくとも１種以上の希土類元素）の酸化物及びＭｇの酸化物を、含有してなる焼結体であって、前記主成分は、組成式（Ｂａ_１−ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３ （ｘ：０〜０．１０、（Ｂａ_１−ｘＣａ_ｘ）／Ｔｉ比：１．００５〜１．０３０）で表される化合物であり、この化合物１００ｍｏｌ部に対し、Ｒｅ酸化物をＲｅ換算にて０．５〜３．０ｍｏｌ部、Ｍｇ酸化物をＭｇ換算にて０．５〜３．０ｍｏｌ部の割合で含み、さらに前記化合物１００重量部に対して焼結助剤を０．２〜１．０重量部の割合で含有。 （もっと読む）

１０００℃以下の低温焼成が可能で、強度が高く、セラミックス層を利用した電子部品領域を形成する場合にも有利なセラミックス組成物及び配線基板を提供する。 ＳｉＯ_２ ５２〜６２質量％、ＭｇＯ １２〜２２質量％、ＣａＯ ２１〜３２質量％からなる主成分１００質量部に対し、ホウ素成分を酸化物換算で０．５〜３質量部含む組成のセラミックス原料又はその仮焼粉末を成形し、焼成して、主結晶としてディオプサイド結晶を含有するセラミックス組成物を得る。また、上記セラミックス組成物からなる基板に導電性部材で形成された配線層を形成することにより、セラミックス配線基板を得る。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路素子を搭載する多層配線基板の絶縁基体に用いるセラミック焼結体において、焼結性を損なうことなく分割性を向上させた積層パッケージ用着色セラミック焼結体を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体集積回路素子を搭載する多層配線基板の絶縁基体に用いるセラミック焼結体において、Ａｌ_２Ｏ_３を主成分とし、ＳｉＯ_２、ＣａＯ、ＭｇＯを焼結助剤として３．５％乃至４重量％含有し、顔料成分としてＴｉ、Ｃｒ及びＭｏの酸化物を含有し、ＳｉＯ_２及びＣａＯの合計重量に対するＳｉＯ_２の重量割合を８２％乃至８９％とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 優れた特性（例えば、安定な誘電特性、高い信頼性、低い焼結温度、高い絶縁抵抗および高い相分解温度）を有する組成物を達成するために、従来の誘電性ＺｎＴｉＯ_３材料系の特性を改善する新規な材料系を提供すること。
【解決手段】 式（Ｉ）：
（Ｚｎ_１−ａＭｇ_ａ）（Ｔｉ_{１−ｂ−ｃ}Ｍｎ_ｂＤ_ｃ）_ｄＯ_３ （Ｉ）
によって表される組成物を含む誘電材料であって、ここで、Ｄは、５以上の原子価を有する元素であり、ａは、０以上０．５以下であり、ｂは、ｃ以上０．１以下であり、ｃは、０より大きく０．１以下であり、ｄは、１以上１．５以下である、誘電材料。 （もっと読む）

【課題】誘電体層をより薄層化しても、誘電特性や静電容量の温度特性を損なうことなく、絶縁性や高温負荷寿命等の信頼性を向上させる。
【解決手段】（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ_３を主成分とし、該主成分に第１〜第４の添加成分が含有されている。第１の添加成分が、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ及びＷの中から選択された少なくとも１種を含み、第２の添加成分が所定の希土類元素からなり、第３の添加成分が、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｍｇ及びＡｌの中から選択された少なくとも１種を含み、第４の添加成分が少なくともＳｉを含有した焼結助剤からなる。そして、第１の添加成分２が主成分粒子１に固溶されると共に、第１の添加成分２の前記主成分粒子１への固溶距離Ｌが、主成分粒子１の外表面１ａから内部方向に向かって前記主成分粒子１の半径Ｒの１／１００以上かつ１／３以下である。
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【課題】本発明は、プラズマ耐食部材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウムを主体とし、１Ｇ（１０^９）Ｈｚ以上において誘電損失（ｔａｎ δ）が５×１０^−３以下であることを特徴とするプラズマ耐食材料、及び窒化アルミニウムを主体とし、酸化イットリウムと酸化マグネシウム又は窒化マグネシウムとを微量添加して焼結することにより、マイクロ波焼結や高ガス圧力焼結といった特別な焼結装置を用いることなく、また焼結後の再加熱や広い温度範囲において毎分０．７℃といった極端に遅い冷却速度で長時間に渡り徐冷をすることなく、フッ化物系反応ガスを含む１ＧＨｚ以上の高周波プラズマに曝されるプラズマ耐食部材の誘電損失（ｔａｎ δ）が５×１０^−３以下の誘電損失特性の優れたプラズマ耐食部材を製造する。 （もっと読む）