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Fターム[5G303DA05]の内容

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Fターム[5G303DA05]に分類される特許

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【課題】相対密度が高い酸化チタンを主成分とする誘電体磁器組成物において、Ag,Ag−Pd、Ag−Ptなどの銀を含んだ電極と同時焼成した場合において誘電率が安定した誘電体磁器組成物およびその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】酸化チタンを主成分とし、相対密度が99%以上で構成された誘電体磁器組成物において、主成分である酸化チタンに対してCuO換算で0.2〜0.9wt%のCuを含有し、且つ少なくともZn,AlまたはCoのいずれか一つを含有した構成とする。 (もっと読む)


【課題】 Ba(Mg1/3Ta2/3)O系材料において、該材料が有する高いQf値、誘電率を維持したままで、温度係数τfを正の方向へ制御することができる電子デバイス用誘電体磁器組成物とその製造方法の提供。
【解決手段】 Ba(Mg1/3Ta2/3)O系誘電体磁器組成物に、Znを加えたBa[(MgZn)1/3Ta2/3]O系誘電体磁器組成物を、焼結温度1570℃以上、焼結時間5時間以上で焼結することにより、組成物中のZnOを揮発させ、Zn及び/又はMgがドープされたBaTaを析出させ、該BaTaの体積濃度を制御することにより、Qf値、誘電率を維持したままで、温度係数τfを正の方向へ制御する。 (もっと読む)


【課題】 表層銀導体の位置を光学式読取装置で容易に認識できるアノーサイト系ガラスセラミックス誘電体材料を提供する。
【解決手段】 SiO2−Al23−CaO−B23系ガラス粉末と、Al23を含むセラミック粉末からなるガラスセラミックス誘電体材料において、ガラス粉末が、Fe23を0.1〜1.0質量%含有することを特徴とする。ガラス粉末は、質量%でSiO2 35.0〜65.0%、Al23 8.0〜25.0%、CaO 15.0〜35.0%、B23 4.0〜12.0%含有するガラスからなる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、プラズマ耐食部材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウムを主体とし、1G(10)Hz以上において誘電損失(tan δ)が5×10−3以下であることを特徴とするプラズマ耐食材料、及び窒化アルミニウムを主体とし、酸化イットリウムと酸化マグネシウム又は窒化マグネシウムとを微量添加して焼結することにより、マイクロ波焼結や高ガス圧力焼結といった特別な焼結装置を用いることなく、また焼結後の再加熱や広い温度範囲において毎分0.7℃といった極端に遅い冷却速度で長時間に渡り徐冷をすることなく、フッ化物系反応ガスを含む1GHz以上の高周波プラズマに曝されるプラズマ耐食部材の誘電損失(tan δ)が5×10−3以下の誘電損失特性の優れたプラズマ耐食部材を製造する。 (もっと読む)


【課題】 EIAJ規格で規定するX7R特性及びJIS規格で規定するB特性のいずれも満足するといった静電容量の温度安定性が良好であり、かつ、絶縁抵抗値、比誘電率などの特性が良好で、さらに絶縁抵抗の加速寿命が長い積層セラミックコンデンサなどの電子部品を得ることが可能なセラミック原料粉体を提供すること。
【解決手段】 チタン酸バリウムで構成される主成分粒子の表面に副成分添加物で構成される被覆層を有するセラミック原料粉体であって、前記主成分粒子の平均半径をrとし、前記被覆層の平均厚みを△rとしたときに、前記△rを、0.015r以上0.055r以下の範囲内に制御することを特徴とするセラミック原料粉体。
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【課題】
機械的強度、誘電特性に優れる高強度低温焼成セラミック組成物を得る。
【解決手段】
少なくとも主成分としてAl、Si、Sr、Baを含み、組織中に六方晶SrAlSi、(Sr、Ba)AlSi 、BaAlSiの少なくとも一種及びAl結晶を有する高強度低温焼成セラミック組成物である。 (もっと読む)


【課題】特許文献1の高周波用誘電体磁器組成物の場合には、焼成温度が1350〜1400℃と高温であり、積層コンデンサ用材料として使用するには依然として焼成温度が高すぎる。また、特許文献2の積層コンデンサの場合には、積層コンデンサの製造工程が複雑で製造に手間がかかり、しかも、接着層とセラミック層との熱収縮率の差により構造欠陥を生じる虞があって積層セラミックとしての小型化、多層化を実現することが難しい。
【解決手段】本発明の誘電体セラミック組成物は、一般式がMgSiO2+x+aSrTiO2+yで表される誘電体セラミック組成物であって、上記一般式におけるx、y及びaは、それぞれ1.70≦x≦1.99、0.98≦y≦1.02及び0.98≦y≦1.02及び0.05≦a≦0.40の関係を満足するものである。 (もっと読む)


高い比誘電率εrと高いQ値を有し、また共振周波数の温度係数τfが0ppm/℃を中心に任意に制御できる、高周波用誘電体磁器組成物を提供しようとする。
組成式:xCaTia1+2a−yCa(Alb/2Nbc/2)O1+(3b+5c)/4−zCa(Mgd/2e/2)O1+(d+3e)/2で表わされる組成を有し、上記組成式におけるx、y、z、a、b、c、d、およびe(ただしx、y、zはモル比である)は、0.475≦x≦0.58、0.21≦y≦0.505、0.018≦z≦0.25、x+y+z=1.000、0.9≦a≦1.05、0.9≦b≦1.1、0.9≦c≦1.1、0.9≦d≦1.1、0.9≦e≦1.05の範囲内にある。
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本発明の誘電体磁器組成物は、BaTiOを100モル部、MnOをxモル部、Crをxモル部、Yおよび/またはHoをxモル部、BaO,CaO,SrOからなる群より選択される酸化物をxモル部、SiOおよび/またはGeOをxモル部含み、0.5≦x≦4.5、0.05≦x≦1.0、x+x≦4.55、0.25≦x≦1.5、0.5≦x≦6、および0.5≦x≦6を満たす。本発明の積層型セラミックコンデンサは、このような組成物により構成されるセラミック誘電体と、NiまたはNi合金により構成される電極とからなる、積層構造を有する。 (もっと読む)


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