【課題】 高誘電率かつ安定な比誘電率の温度特性を示す誘電体磁器と、それを用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】 チタン酸バリウムを主成分とする結晶粒子を有し、マグネシウム、イットリウム、マンガンおよびニオブを酸化物換算で所定の割合で含有するとともに、結晶粒子の平均粒径を０．０５〜０．２μｍとすることにより、従来の強誘電性を有する誘電体磁器よりも比誘電率の温度変化率が小さく、また、従来の常誘電性を有する誘電体磁器に比較して高誘電率であり、かつ安定な比誘電率の温度特性を示すとともに、自発分極の小さい誘電体磁器を得ることができる。また、上記誘電体磁器を誘電体層として適用することにより、従来のコンデンサよりも高容量かつ容量温度特性の安定なコンデンサを形成できる。 （もっと読む）

【課題】高い比誘電率を有し、かつ誘電損失の小さい誘電体材料を提供する。
【解決手段】以下の式（１）で表される化合物からなる誘電体材料。
ＭＣｕ_3-xＴｉ₄Ｏ_12-δ （１）
（ここで、Ｍはアルカリ土類金属から選ばれる１種以上の元素であり、ｘは０．０１以上０．２５以下の範囲の値であり、δは０．０１以上０．３以下の範囲の値である。）
前記ｘが、０．０９以上０．２１以下の範囲の値である前記の誘電体材料。
前記の誘電体材料と樹脂とを含有する誘電体組成物。
前記の誘電体材料を有するコンデンサー。 （もっと読む）

【課題】低温で焼成可能、十分な誘電特性を有する誘電体磁器組成物及びそれを用いたセラミック電子部品の提供。
【解決手段】誘電体磁器組成物は、ａＢｉ_２Ｏ_３−ｂＺｎＯ−ｃＴａ_２Ｏ_５−ｄＮｂ_２Ｏ_５−ｅＺｒＯ_２（ただし、ａ、ｂ、ｃ、ｄ及びｅはモル比を示す。）との組成式で表記され、３９．５≦ａ≦４２．５、１８．５≦ｂ≦２８．０、０≦ｃ≦２８、０≦ｄ≦２８、０＜ｅ≦２３で示され、また、酸化ビスマス、酸化亜鉛、酸化タンタル、酸化ニオブ及び酸化ジルコニアよりなる組成物を、ｘＢｉ_２（Ｚｎ_１／３Ｔａ_２／３）_２Ｏ_７−ｙＢｉ_２（Ｚｎ_１／３Ｎｂ_２／３）_２Ｏ_７−ｚＢｉ_２Ｚｒ_２Ｏ_７（ただし、ｘ、ｙ及びｚはモル比を示す。）と表し、前記ｘ、ｙ及びｚの各々の相関を三角図を用いて示した場合に、特定の領域にあり、セラミック電子部品は、前記誘電体磁器組成物を焼成してなるセラミック基体と、その内部及び／又は表面に設けられた未焼成導体層が誘電体磁気組成物と同時焼成されてなる導体層とを備える。 （もっと読む）

【課題】微粒であっても、正方晶を主体とする結晶構造を有し、高純度のチタン酸バリウム粉末とその製法、ならびに誘電体磁器を提供する。
【解決手段】炭酸バリウムおよび酸化チタンの混合粉末を気体中で分散した状態で９００〜１３６０℃の温度で瞬時に加熱する加熱工程と、瞬時に冷却する冷却工程とを有する製法により、純度が９９．６％以上、平均粒径が５０〜２００ｎｍであり、粒径の変動係数を標準偏差／平均粒径×１００（％）として表したときに前記変動係数が４０％以下であって、チタン酸バリウムのＸ線回折パターンにおける（２００）面の回折強度を１００としたときに、前記チタン酸バリウムのＸ線回折パターンにおける（００２）面の回折強度が３０以上であり、格子定数比ｃ／ａが１．００６以上であるチタン酸バリウム粉末を得る。 （もっと読む）

【課題】耐電圧特性に優れたアルミナ複合焼結体及びその製造方法、並びにこのようなアルミナ複合焼結体を用いたスパークプラグを提供すること。
【解決手段】アルミナを主成分とするアルミナ複合焼結体であって、アルミナと、ムライトと、ジルコンと、ジルコニアと、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、アクチノイドを除く３族元素から少なくとも１つ以上を選択する元素の酸化物である特定金属酸化物とからなり、ムライトとジルコンとジルコニアの合計が０.５〜１０重量部、上記特定金属酸化物が合計０.５〜１０重量部、残部が実質的にアルミナであり、全体の合計が１００重量部である。内燃機関用のスパークプラグ１は、このアルミナ複合焼結体を絶縁碍子２として用いている。 （もっと読む）

【課題】耐湿性に優れるとともに誘電率が低く、さらに耐薬品性の良好な高熱膨張の低温焼成磁器およびその製造方法、ならびに配線基板を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、３０〜５０質量％のクォーツと、５〜４０質量％のエンスタタイトと、１〜１５質量％のフォルステライトと、５〜１５質量％のガーナイトと、０．５〜５質量％のジルコニアと、０．０１〜２質量％のチタニアと、５〜３０質量％のガラス相とからなり、前記ガラス相１００質量％のうちの１０〜３０質量％がＣａＯであることを特徴とする低温焼成磁器である。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ８Ｒ特性を満足する温度特性を有しかつ高温環境下における比抵抗の高い積層セラミックコンデンサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 誘電体セラミックスを形成する誘電体セラミック組成物が、ＢａＴｉＯ_３＋ａＭｇＯ＋ｂＭＯ_ｘ＋ｃＲｅＯ_３／２＋ｄＳｉＯ_２で表記したとき、ＢａＴｉＯ_３ １００ｍｏｌに対して０．４ ≦ａ≦ ３．０ｍｏｌ、０．０５≦ｂ≦ ４．０ｍｏｌ、６．０ ≦ｃ≦１６．５ｍｏｌ、３．０ ≦ｄ≦ ５．０ｍｏｌ、２．０≦ｃ／ｄ≦３．３の範囲であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】焼成時の耐還元性に優れ、焼成後には優れた容量温度特性を有するとともに、絶縁抵抗の加速寿命が高められた誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】チタン酸バリウムを含む主成分と、Ｒ１の酸化物（ただし、Ｒ１は、９配位時の有効イオン半径が１０８ｐｍ未満の希土類元素で構成される第１元素群から選ばれる少なくとも１種）を含む第４副成分と、Ｒ２の酸化物（ただし、Ｒ２は、９配位時の有効イオン半径が１０８ｐｍ〜１１３ｐｍの希土類元素で構成される第２元素群から選ばれる少なくとも１種）を含む第５副成分とを、有する誘電体磁器組成物。
（もっと読む）

【課題】 低温焼成化が可能であり、比誘電率εｒやＱ×ｆ値等の誘電特性に優れ、しかも誘電率の温度安定性に優れた誘電体磁器組成物の製造を可能とする。
【解決手段】 一般式ＣａＯ−Ｍ^ＩＯ_１／２−Ｍ^IIIＯ_３／２−ＴｉＯ_２［ただし、Ｍ^Ｉは酸化数（原子価）が＋１となる元素を表し、Ｍ^IIIは酸化数（原子価）が＋３となる元素を表す。］で表される組成物を８５０℃以上の温度で仮焼した後、副成分を混合し、前記仮焼の温度よりも低い温度で焼成する。 （もっと読む）

【課題】製造過程で体積の収縮がほとんど起らず意図した形状、寸法を有し、強度も良好な無機成形体を容易に製造することができる製造方法、及び該方法で得られる無機成形体を提供する。
【解決手段】固体状シリコーンからなるマトリックスと該マトリックス中に分散した無機フィラーとからなるシリコーン系成形物を、非酸化性雰囲気下、４００〜１５００℃において加熱することにより該固体状シリコーンを無機セラミックス化することを特徴とする、無機セラミックスからなるマトリックスと該マトリックス中に分散した無機フィラーとからなる無機成形体の製造方法、及びこの方法で得られる無機成形体。 （もっと読む）

【課題】 さらなる機械的強度の向上および各種外観不良の防止を実現する低温焼成磁器組成物および低温焼成磁器を提供する。
【解決手段】 本発明の低温焼成磁器組成物は、ＳｉＯ_２を３０〜４０ｍｏｌ％、Ａｌ_２Ｏ_３を１〜２ｍｏｌ％、ＭｇＯを２８〜３５ｍｏｌ％、Ｂ_２Ｏ_３を１２〜２０ｍｏｌ％、ＺｎＯを１０〜１５ｍｏｌ％、ＣａＯを２〜６ｍｏｌ％含むガラス成分と、表面にＡｌ_２Ｏ_３粒子が被着しているＳｉＯ_２粉末からなるフィラー成分とで構成される。この低温焼成磁器組成物を８５０℃〜１０５０℃で焼成して得られる低温焼成磁器は、ＺｎＡｌ_４Ｏ_７の析出を抑え、ガーナイト結晶相およびクォーツ結晶相を主に析出させることができ、機械的強度を向上させることができる。さらにガラスの緻密化温度と結晶化開始温度との温度差を小さくすることで、ＣＯおよびＣＯ_２をシート内に留め、表面に発生する膨れを皆無とすることができる。 （もっと読む）

【課題】誘電率が比較的高く、積層コンデンサの誘電体層を形成するのに適した、樹脂セラミック複合材料を提供する。
【解決手段】６０〜７０％の体積割合でセラミック粒子が樹脂の中に分散している、樹脂セラミック複合材料であって、隣り合う第１および第２のセラミック粒子１，２が互いに接触する部分での径を２ａとし、第１のセラミック粒子１の径を２Ｒとしたとき、ａ／Ｒが０．３以上である状態を、ネッキングしていると定義した場合、セラミック粒子が他のセラミック粒子とネッキングしている個数割合が４０％以上となるようにし、かつ、任意の断面上での１μｍ角の面素において、セラミック粒子の占める面積割合が４０％以上である面素の個数割合が９０％以上となるようにする。 （もっと読む）

【課題】比誘電率の焼成温度依存性が抑制され、かつ機械的強度を向上することのできる誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】図１に示すＺｒＯ_２，ＳｎＯ_２及びＴｉＯ_２の三元組成図において、点Ａ、点Ｂ、点Ｃ、点Ｄ、点Ｅ、点Ｆで囲まれる領域の組成を主成分とし、この主成分に対する副成分として、ＺｎＯ：０．５〜５ｗｔ％、ＮｉＯ：０．１〜３ｗｔ％、ＳｉＯ_２：０．００８〜１．５ｗｔ％を含有する誘電体磁器組成物であって、主成分の原料粉末に対して、副成分を、ＺｎＯ粉末、ＮｉＯ粉末及びＳｉＯ_２粉末として添加して得る。 （もっと読む）

【課題】１５以上の高い比誘電率と、０．３％以下の低い誘電損失とを有し、また、ガラス移転点（Ｔｇ）も低くて、高周波回路素子、ディスプレイ等の電子回路用基板や誘電材料の形成に好適に適用できるガラスを提供すること。
【解決手段】酸化物基準の質量％で、Ｂｉ_２Ｏ_３を２０〜９０％含有するガラスであって、１ＭＨｚでの比誘電率が１５以上で、誘電損失が０．３％以下である。また、好ましくは、ガラス転移点（Ｔｇ）が５００℃以下である。 （もっと読む）

【課題】誘電体層を薄層化しても、比誘電率と容量温度特性とを両立できる誘電体磁器組成物およびその製造方法を提供する。
【解決手段】組成式（Ｂａ_１−ｘＣａ_ｘ）（Ｔｉ_１−ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０≦ｘ≦０．２、０≦ｙ≦０．２）で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する化合物を含む主成分と、Ｒの酸化物（ただし、ＲはＹ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，ＹｂおよびＬｕから選択される少なくとも１種）を含む第４副成分とを含有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、主成分の原料と、誘電体磁器組成物に含有されることとなる第４副成分の原料の一部と、を予め反応させ、反応済み原料を得る工程と、反応済み原料に、誘電体磁器組成物に含有されることとなる残りの第４副成分の原料を添加する工程とを有する誘電体磁器組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】誘電体層を薄層化しても、誘電率と容量温度特性とを両立できる誘電体磁器組成物およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】式ＡＢＯ_３（ＡはＢａまたはＢａおよびＣａ、ＢはＴｉまたはＴｉおよびＺｒ）で表されるペロブスカイト構造を有する化合物を含む主成分と、Ｒの酸化物（ＲはＹ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，ＹｂおよびＬｕから選ばれる少なくとも１種）を含む第４副成分とを含有する誘電体磁器組成物の製造方法であって、主成分原料を第１および第２主成分原料とに分け、第１主成分原料と第４副成分原料の一部とを予め反応させ、反応済原料を得る工程と、反応済原料に、第２主成分および残りの第４副成分原料を添加する工程とを有し、第１および第２主成分のモル数をｎ１、ｎ２モルとした場合に、０．５≦ｎ１／（ｎ１＋ｎ２）≦１である。 （もっと読む）

【課題】十分に緻密化され圧電素子としての性能の高いＰＺＴ膜を低コストで製造するための塗布液、及び、ＰＺＴ膜の製造方法を提供する。
【解決手段】結晶ＰＺＴ粒子と、アモルファスＰＺＴ粒子と、有機バインダーと、有機溶剤と、を含む塗布液を基板に塗布して塗膜を形成し、該塗膜を焼成することにより十分に緻密化されたＰＺＴ膜を得る。 （もっと読む）

【課題】ベースへの所望の接着性および非常に良好な絶縁性を有する厚膜タイプの誘電体を提供すること。
【解決手段】本発明の誘電体は、感光性組成物からなる下側誘電体層と、感光性組成物からなり、上記下側誘電体層の上に形成された上側誘電体層とを含む。上記下側誘電体層に使用される主要ガラス粉末の軟化点（Ｔ１）と、上記上側誘電体層に使用される主要ガラス粉末の軟化点（Ｔ２）と、上記主要ガラス粉末の焼成温度（Ｔ３）とが関係Ｔ１＜Ｔ３＜Ｔ２＜Ｔ３＋３０℃を満たす。 （もっと読む）

【課題】高い比誘電率と、高いＱ値、ゼロに近いＴＣＦ特性を有し、かつＡｇやＣｕと同時焼成可能な高周波用誘電体材料の提供。
【解決手段】ＣａＯ：１モル、Ｎｂ_２Ｏ_５：（１−α×β）／３モル、ＺｎＯ：（１−α）／３モル、ＴｉＯ_２：γモル、Ｌｉ_２Ｏ：α×（１−β）／６モル（但し、０．６５≦α≦０．７５、０．０９≦β≦０．１５、０．０６６≦α×β≦０．１００、０．１５≦γ≦０．３５）の割合からなる主構成材料と、前記主構成材料１００重量部に対し、さらにＣｕ、Ｂ、Ｌｉ、Ｂｉ、Ｖの酸化物およびそれらの混合物からなる群より選ばれてなる焼結助剤１〜５重量部、とを含んでなることを特徴とする、高周波用誘電体材料。 （もっと読む）

【課題】従来の強誘電性セラミック材料の温度よりも低い温度で焼結することができる新しい強誘電性セラミック材料、および焼結によって、多数の工業用途に適した優れた圧電性を保有する新しい強誘電性セラミック材料で形成された装置を提供すること。
【解決手段】強誘電性セラミック材料は、ｗＰｂ（Ｎｉ_１／３Ｎｂ_２／３）Ｏ_３−ｘＰｂ（Ｚｎ_１／３Ｎｂ_２／３）Ｏ_３−ｙＰｂ（Ｍｇ_１／３Ｎｂ_２／３）Ｏ_３−ｚＰｂＺｒＯ_３−（１−ｗ−ｘ−ｙ−ｚ）ＰｂＴｉＯ_３（式中、０＜ｗ＜１、０＜ｘ＜１、０≦ｙ＜１、０＜ｚ＜１、ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＜１、および０．５≦ｗ＋ｘ＋ｙ）の一般式を有する組成物を含む。強誘電性セラミック材料の調製方法は、ＭｇＮｂ_２Ｏ_６、ＺｎＮｂ_２Ｏ_６およびＮｉＮｂ_２Ｏ_６粉末前駆体を調製するステップ、前記前駆体を、ＰｂＯ、ＴｉＯ_２およびＺｒＯ_２と混合して、混合物を形成するステップおよび前記混合物を焼成するステップを含む。 （もっと読む）