【課題】 本発明は、ＧＨｚ帯領域で使用可能な磁性焼結体、および磁性体と誘電体との複合焼結体、並びにそれらの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 六方晶Ｂａフェライト粉末と、Ｌｉ_２Ｏ換算で５．０モル％以上のＬｉ、およびＳｉＯ_２換算で１７．０〜２４．１モル％のＳｉを含み、軟化点が４００〜４７０℃のガラス粉末とを、前記六方晶Ｂａフェライト粉末および前記ガラス粉末の合量に対して前記ガラス粉末が１５〜３０体積％となるように混合し、成形し得られるＬｉ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｆｅ−Ｏスピネル型結晶を主結晶とする磁性焼結体を用いる。 （もっと読む）

【課題】自立性があり、かつ誘電率に大きな異方性を有する異方性誘電体を提供する。
【解決手段】平板状金属粒子を絶縁材料中に配向分散した金属／絶縁材料複合体からなる異方性誘電体であり、この平板状金属粒子の配向方向と平行な方向の誘電率は、この配向方向と垂直な方向の誘電率の１．５倍以上である。 （もっと読む）

【課題】 比較的高い比誘電率（たとえば、６００以上）を示すとともに、誘電損失が小さく（たとえば１００ＫＨｚにおいて０．３％以下）、容量温度特性に優れた（たとえば、ＪＩＳ規格のＳＬ特性を満足）誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】 本発明に係る誘電体磁器組成物は、
ＳｒＴｉＯ_３：５０．４７〜５５．４８重量％、
ＣａＴｉＯ_３：１４．３０〜２１．３６重量％、
Ｂｉ_２Ｏ_３：１６．７０〜１９．４０重量％、
ＴｉＯ_２：８．２９〜１０．０１重量％、
ＣｅＯ_２：０．２４〜０．５０重量％、
ＣｕＯ：０．０２７〜０．３４７重量％、および
Ｍｎ化合物をＭｎＯ換算で０．１６〜０．４６重量％の割合で含有することを特徴としている。 （もっと読む）

金属酸化物前駆体、溶媒およびエポキシドの混合物からゾルを製造すること、およびゾルから金属酸化物材料を調製することにより調製される誘電体酸化物材料。種々の形態において、混合物は、共溶媒、１以上の追加の金属酸化物前駆体、水、またはガラス形成酸化物の前駆体、またはこれらの任意の組合せをも含み得る。調製された誘電体酸化物材料は、κ値が高く、漏電が少なく、誘電正接値が低い薄膜の形態であり得る。
（もっと読む）

【課題】所望の誘電率３０〜４０を有するＬｉＮｂ_３Ｏ_８セラミックスの低損失特性を維持しつつ低温焼成化が可能な誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】誘電体磁器組成物は、主成分として、組成式ＬｉＮｂ_３Ｏ_８で表される成分を含み、主成分に対する副成分として、Ｂ_２Ｏ_３を０．５〜３．０重量％の範囲で含む。さらに、副成分として、必要に応じて、Ｂｉ_２Ｏ_３をわずかに含む。また、電子部品は、上記誘電体磁器組成物と内部配線とを含む。 （もっと読む）

【課題】高いQ・f値と低いε_rを持つマイクロ波誘電体磁器組成物を低い焼成温度により提供する。
【解決手段】xMgO-(1-ｘ)B₂O₃（0.75≦ｘ≦0.99）の一般式で示され、400,000GHz以上のQ・f値を示すMgO多結晶体であるマイクロ波誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】簡便な手法で、従来の強誘電体薄膜よりも大幅に比誘電率を向上し得る、高容量密度の薄膜キャパシタ用途に適した形成用組成物等を提供する。
【解決手段】一般式：（Ｐｂ_xＬａ_y）（Ｚｒ_zＴｉ_(1-z)）Ｏ₃（０．９＜ｘ＜１．３、０≦ｙ＜０．１、０≦ｚ＜０．９）の複合金属酸化物Ａに、一般式Ｃ_nＨ_2n+1ＣＯＯＨ（但し、３≦ｎ≦７）で、かつ、上記金属に配位したときに式（１）の構造をとり得る、カルボン酸Ｂが混合した液状組成物であり、酸化物Ａ構成原料並びにカルボン酸Ｂがモル比０＜Ｂ／Ａ＜０．２になるように溶解している有機金属化合物溶液からなる。


但し、式中、上記一般式Ｃ_nＨ_2n+1ＣＯＯＨのｎを満たす範囲内で、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６は水素、メチル基又はエチル基を示し、ＭはＰｂ，Ｌａ，Ｚｒ又はＴｉを示し、ｍはＭの価数を示す。 （もっと読む）

【課題】 高温超伝導フィルタに適した高Qf値を有する電子デバイス用誘電体を提供する。
【解決手段】 組成式を(1-X)LaAlO₃-XSrTiO₃と表し、0<X≦0.2を満足し、誘電率が24以上、Qf値が300,000GHz以上の誘電体特性を有する複合酸化物の単結晶材料の（110）面を電界面としたことを特徴とする電子デバイス用誘電体。この電子デバイス用誘電体は、準ミリ波以上の高周波帯域で誘電体材料としてQf値が大幅に向上するとともに高温超伝導フィルタに適用できる。 （もっと読む）

【課題】誘電体セラミック層を１．０μｍ以下に薄層化した場合であっても、所望の誘電特性や温度特性を確保しつつ信頼性を向上させる。
【解決手段】ＢａＴｉＯ_３系の主成分粉末と、焼成によりＬｉ_２ＯとなるＬｉ化合物及び焼成によりＴｉＯ_２となるＴｉ化合物を用意し、それぞれ所定量秤量して混合し、セラミック原料粉末を作製し、該セラミック原料粉末を成形した後、焼成する。Ｌｉ化合物は焼成後の主成分１００モル部に対し焼成後のＬｉ_２Ｏに換算して０．２〜６．０モル部添加し、Ｔｉ化合物は焼成後の主成分１００モル部に対し焼成後のＴｉＯ_２に換算して０．０５〜４．０モル部添加する。副成分として特定希土類元素酸化物、Ｍｇ化合物、Ｍｎ化合物、Ｖ化合物、Ｂａ化合物、Ｃａ化合物、Ｓｉ化合物を適量添加してもよい。Ｂａの一部をＣａ又は／及びＳｒ、Ｔｉの一部をＺｒ又は／及びＨｆで置換してもよい。 （もっと読む）

【課題】高熱膨張率及び低熱伝導率を有する絶縁基板用絶縁材料、その製造方法及びその応用製品を提供する。
【解決手段】化学組成ＫＡｌＳｉ_２＋ｘＯ_６＋２ｘ（０．５≦ｘ≦１．８）を有するケイ酸アルミ焼結体からなる、熱電発電素子を構成する絶縁基板用絶縁材料であって、相対密度が９５％以上の緻密なケイ酸アルミニウムセラミックからなり、熱疲労による発電能力の低下が抑制された特性を有することを特徴とする熱電発電素子を構成する絶縁基板用絶縁材料、その製造方法、絶縁基板及びその応用製品。
【効果】高熱膨張率及び低熱伝導率を有する絶縁基板を提供すると共に、該絶縁基板を用いた熱疲労に優れ出力特性の高い熱電素子を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 誘電率の温度係数が正でありながら、誘電率の高い、温度補償用セラミックコンデンサに好適な誘電体セラミックを提供する。
【解決手段】 Ｓｎ_mＮｂ₂Ｏ₆（０．７≦ｍ≦１．３）を主成分とする。 （もっと読む）

本発明は、誘電体製造用焼結前駆体粉末およびその製造方法に関する。より詳しくは、本発明は、第１物質の粉末と第２物質の粉末を含む誘電体製造用焼結前駆体粉末、第１物質からなるコアと第２物質からなるシェルの構造を持つコア−シェル構造の誘電体製造用焼結前駆体粉末、およびこれらの製造方法に関する。前記第１物質の相対誘電定数が前記第２物質の相対誘電定数より大きい。
（もっと読む）

【課題】 還元雰囲気下において焼成されても、安定した絶縁性を有する、積層セラミックコンデンサに好適な誘電体セラミックを提供する。
【解決手段】 ＣａＴｉＯ₃系において、Ｓｎを含む組成とする。特に、ＳｎをＢａサイトに固溶させた、（Ｃａ_1-x-yＢａ_xＳｎ_y）ＴｉＯ₃（ただし０≦ｘ＜０．２、０．０１≦ｙ＜０．２）を主成分とすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ＳｒＴｉＯ_３系誘電体セラミックは一般に誘電率が低いとされるが、ＳｒＴｉＯ_３系誘電体セラミックにおいて、より高い誘電率が得られるようにし、これを用いた積層セラミックコンデンサの小型化を図れるようにする。
【解決手段】誘電体セラミック層２を構成する誘電体セラミックとして、主成分が組成式：（Ｓｒ_{１−x−ｙ}Ｓｎ_ｘＢａ_ｙ）ＴｉＯ_３で表わされ、かつこの組成式において、ｘが０．００５≦ｘ≦０．２４、ｙが０≦ｙ≦０．２５である、誘電体セラミックを用いる。上記主成分１００モルに対して、Ｍ（Ｍは、ＭｎおよびＶの少なくとも一方）を、ＭＯに換算して、０．０１モル〜５モル、および／または、Ｓｉを、ＳｉＯ_２に換算して、０．２モル〜５モル含むことが好ましく、さらに、上記主成分１００モルに対して、Ｃａを、ＣａＯに換算して、０．１モル〜２５モル含むことがより好ましい。 （もっと読む）

【課題】 ８００℃から８５０℃程度の低温で焼結が行える磁気組成物を提供すること
【解決手段】 ４０〜５０ｍｏｌ％のＦｅ_２Ｏ_３，１５〜２５ｍｏｌ％のＮｉＯ，５〜２０ｍｏｌ％のＣｕＯ，１５〜２５ｍｏｌ％のＺｎＯからなるフェライト材料に、下記組成のビスマス系ガラスを１〜１０ｖｏｌ％を混合して形成される組成とし、当該ビスマス系ガラスの成分は、Ｂｉ_２Ｏ_３を４０〜９６ｗｔ％，ＺｎＯを０〜３０ｗｔ％，ＳｉＯ_２を０ｗｔ％〜２０ｗｔ％，Ｂ_２Ｏ_３を０ｗｔ％〜２５ｗｔ％，ＢａＯを０ｗｔ％〜８ｗｔ％，Ａｌ_２Ｏ_３を０〜８ｗｔ％という関係を満たす組成配分とした。目的とする低温で焼結が行えるようになり、誘電率も５０以上の値を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】粒径が小さく、かつ、結晶性が高く、誘電体層の薄層化に適した誘電体セラミックス材料の製造方法を提供する。
【解決手段】アルカリ土類金属化合物と二酸化チタンとを固相反応により反応させて誘電体セラミックス材料を製造する方法であって、前記アルカリ土類金属化合物の粉末と二酸化チタンの粉末とを分散する分散工程と、前記分散工程において得られた混合粉末を焼成する焼成工程と、を備えており、前記焼成工程の温度上昇過程において、前記混合粉末の重量が減少しはじめる温度が５８０℃以下であるようにした。 （もっと読む）

【課題】粒径が小さく、結晶性が高く、かつ、粒径のバラツキが少ない誘電体層の薄層化に適した誘電体セラミックス材料の製造方法を提供する。
【解決手段】アルカリ土類金属化合物と二酸化チタンとを固相反応により反応させて誘電体セラミックス材料を製造する方法であって、比表面積が３５ｍ^２／ｇ以上で、粒度分布を表すＤ９０／Ｄ５０が１．２５以下である、前記アルカリ土類金属化合物の粉末と二酸化チタンの粉末との混合粉末を焼成する焼成工程を備えているようにした。 （もっと読む）

【課題】８００℃〜９５０℃の低温焼成が可能であり、４．５〜６．０（１ＭＨｚ）の低い誘電率及び低い誘電損失率を有する低温焼成用低誘電率セラミック誘電体組成物及びこれを低温で焼成して製造した低誘電率セラミック誘電体を提供する。
【解決手段】低温焼成用低誘電率セラミック誘電体組成物において、ＳｉＯ_２、Ｂ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、アルカリ土類酸化物及びアルカリ金属酸化物を含有するホウケイ酸塩ガラスフリット４４重量％〜６５重量％、充填材３４重量％〜５５重量％、及びＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｌａ_２Ｏ_３及びＷＯ_３の中から選択された１種又は２種以上の核形成剤０．１重量％〜５重量％とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、１０００℃以下でも焼成可能であるとともに、１００ＭＨｚにおける比透磁率および比誘電率を高くできる磁性体と誘電体との複合焼結体およびそれを用いたＬＣ複合電子部品を提供することを目的とする。
【解決手段】 Ｙ型六方晶Ｂａフェライトを主結晶とし、Ｍ型六方晶Ｂａフェライト、ＳｒＴｉＯ_３結晶およびＢｉ−Ｆｅ−Ｏ結晶を含む磁性体と誘電体との複合焼結体であって、前記複合焼結体の結晶中のＹ型六方晶ＢａフェライトおよびＭ型六方晶Ｂａフェライトの合量の割合が７３．４〜７６．８質量％であり、ＳｒＴｉＯ_３結晶およびＢｉ−Ｆｅ−Ｏ結晶の合量の割合が２２．３〜２６．２質量％であるとともに、前記複合焼結体にＢｉがＢｉ_２Ｏ_３換算で５．７〜１２．０質量％含まれている磁性体と誘電体との複合焼結体を用いる。 （もっと読む）

【課題】９００℃以下での低温焼成が可能であると共に、高周波帯（マイクロ波やミリ波帯）での誘電特性に優れ、吸湿性が低く、且つ銀系導体ペーストと同時焼成した際に反りや皺が小さい低温焼成セラミック基板を与えるグリーンシート用セラミック粉末を提供する。
【解決手段】ガラス粉末とアルミナ粉末とを含有するグリーンシート用セラミック粉末であって、前記ガラス粉末が、３５〜３９重量％のＳｉＯ_２と、９〜１７重量％のＡｌ_２Ｏ_３と、２１〜４０重量％のＢ_２Ｏ_３と、１０〜２０重量％のＲ’Ｏ(但し、Ｒ’は、Ｍｇ、Ｃａ及びＢａからなる群より選択された少なくとも１種である)と、０．２〜２重量％のＬｉ_２Ｏと、０．５〜２重量％のＭＯ_２（但し、Ｍは、Ｔｉ及びＺｒからなる群から選択される少なくとも１種である）とを含み、全体で１００重量％であり、前記アルミナ粉末の中心粒子径が、１．３μｍ以上５μｍ以下である。 （もっと読む）