【課題】焼成時の収縮挙動を抑制しつつ、誘電特性を従来と比べて飛躍的に向上させることができ、しかも信頼性を確保できるようにした。
【解決手段】セラミック組成物は、Ｂ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−Ａｌ_２Ｏ_３−ＭＯ系ガラス組成物（ただし、ＭはＣａ、Ｍｇ、Ｓｒ、及びＢａの中から選択された少なくとも１種を示し、Ｂ_２Ｏ_３：４〜１７．５重量％、ＳｉＯ_２：２８〜５０重量％、Ａｌ_２Ｏ_３：０〜２０重量％、ＭＯ：３６〜５０重量％である。）を２６〜６０重量％含有すると共に、ＳｒＴｉＯ_３及びＣａＴｉＯ_３のうちの少なくとも１種を３０〜６５重量％含有し、かつ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｚｎ、及びＣａの中から選択された少なくとも１種を含む金属酸化物が１０重量％以下（ただし、０重量％を含む。）に調製されている。このセラミック組成物を焼成してセラミック焼結体２を作製し、該セラミック焼結体２を有する複合ＬＣ部品２０を得る。 （もっと読む）

【課題】積層セラミックコンデンサにおいて、誘電体セラミック層の厚みを１μｍ未満と薄くしても、良好な寿命特性が得られるようにする。
【解決手段】誘電体セラミック層２を構成する誘電体セラミックとして、主成分がＢａＴｉＯ_３系であり、副成分としてＬｉを含み、Ｌｉ含有量ｅ［モル部］が、主成分１００モル部に対し、０．５≦ｅ≦６．０であり、当該誘電体セラミックのグレインについて、グレイン径の平均値Ｒｇ［μｍ］が０．０６＜Ｒｇ＜０．１７、より好ましくは０．０６＜Ｒｇ＜０．１４であり、その標準偏差σｇ［μｍ］がσｇ＜０．０７５であるものを用いる。 （もっと読む）

【課題】低温焼結が可能で、強度が高く、高周波領域における誘電損失が低く、高精度な温度特性の制御が可能なセラミック組成物及びセラミック焼結体を提供する。
【解決手段】（ａ）固相反応法により合成されたディオプサイド結晶粉末と、（ｂ）チタン酸ストロンチウム粉末及び／又はチタン酸カルシウム粉末と、（ｃ）アルカリ化合物、アルカリ土類化合物、ホウ素化合物、遷移金属化合物、リン化合物、亜鉛化合物から選ばれた、リチウム化合物及びホウ素化合物を含む２種以上の化合物の粉末を含有するセラミック組成物を成形し、焼結してセラミック焼結体を得る。 （もっと読む）

【課題】ＤＣバイアス特性を良好に維持しつつ、高温負荷寿命を向上させることができる誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】チタン酸バリウムを含む主成分と、ＢａＺｒＯ_３を含む第１副成分と、希土類酸化物を含む第２副成分と、Ｍ酸化物（Ｍは、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｒ、ＣｏおよびＦｅから選ばれる１種以上）を含む第３副成分と、Ｓｉ酸化物を含む第４副成分と、を含有する誘電体磁器組成物であって、誘電体磁器組成物が、複数の誘電体粒子と、結晶粒界相と、を有しており、誘電体粒子と結晶粒界相との境界におけるＳｉ元素の含有割合を測定したときに、Ｓｉ元素の含有割合が１．０ａｔｏｍ％以上である測定点の割合が、全測定点の５０％以上であり、かつ誘電体粒子におけるＳｉ元素の含有割合について、複数の誘電体粒子における平均値を算出したときに、その平均値が０．５ａｔｏｍ％以上である。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率が低く作製が容易かつ低コストの低温焼成セラミック組成物を製造することを課題とする。
【解決手段】 目標組成となるように原料粉末を秤量、混合して得られる混合粉末を、前記混合粉末の溶融温度以下の温度で仮焼し、微粉砕して得られた低温焼結化材と、比誘電率が６以下の無機フィラーとの混合比率が、低温焼結化材と無機フィラーの合計に対して１５体積％より大きく４０体積％より小さくなるように混合して作製した粉末を用いることを特徴とするガラスセラミック基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率かつ比誘電率の温度特性に優れた誘電体磁器と、それを用いた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 チタン酸バリウムを構成するバリウム１００モルに対して、バナジウムをＶ_２Ｏ_５換算で０．０５〜０．３モル、イットリウム，ジスプロシウム，ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる１種の希土類元素（ＲＥ）をＲＥ_２Ｏ_３換算で０．５〜１．５モル含有するとともに、Ｘ線回折チャートにおいて、正方晶系のチタン酸バリウムを示す（００４）面の回折強度が、立方晶系のチタン酸バリウムを示す（４００）面の回折強度よりも大きく、かつキュリー温度が１００〜１２０℃である。 （もっと読む）

【課題】高周波領域における低い誘電損失と高い熱伝導率を有する低損失緻密質誘電体材料、その製造方法及び部材を提供する。
【解決手段】窒化ケイ素を主体とし、アルカリ土類金属元素化合物、周期律表第３ａ族化合物、及び不純物的酸素を含有する窒化ケイ素質焼結体からなり、該焼結体の粒界が結晶化され、かつ２ＧＨｚと３ＧＨｚにおける誘電損失が５×１０^−４以下であり、熱伝導率が５０Ｗ・ｍ^−１・Ｋ^−１以上であり、気孔率が３％未満の高周波用低損失緻密質誘電体材料、その製造方法及び部材。
【効果】半導体ないし液晶製造装置において、主にマイクロ波などの高周波を使用してプラズマを発生させる装置に用いられる高熱伝導・低誘電損失の高周波用緻密質誘電体材料及び部材を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】
高誘電率かつ安定な比誘電率の温度特性を示す誘電体磁器と、それを用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】
チタン酸バリウムを主成分とする結晶粒子と、該結晶粒子間に形成された粒界相とを有する誘電体磁器であって、前記チタン酸バリウムを構成するバリウム１モルに対してマグネシウム、ガドリニウム，テルビウム，ディスプロシウム，ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる少なくとも１種の希土類元素（ＲＥ）、マンガンを酸化物換算で所定の割合で含有するとともに、チタン酸バリウム１００質量部に対して、イッテルビウムを酸化物換算で所定の割合で含有し、結晶粒子の平均粒径が０．０５〜０．２μｍである。また、上記誘電体磁器を誘電体層として適用することにより、高容量かつ容量温度特性の安定なコンデンサを形成できる。 （もっと読む）

【課題】より低温で焼成を行っても所望の比誘電率やＱ値を得ることができ、かつ焼成後の機械的強度が良好な高周波用誘電体磁器組成物、及び低温焼成と電極の密着強度の両立が可能な誘電体部品を実現する。
【解決手段】高周波用誘電体磁器組成物は、主成分が、一般式ｘＭｇＯ・ｙＳｉＯ_２（ただし、ｘはＭｇＯのモル数、ｙはＳｉＯ_２のモル数を示す。）で表されると共に、前記ｘとｙの比ｘ／ｙが、１．８≦ｘ／ｙ＜２．０を満足し、かつ、Ｂａ及びＳｒのうちの少なくともいずれか一方が、前記主成分１００重量部に対し、炭酸塩に換算して総計で３．０重量部を超え、かつ１０．０重量部以下の含有量で含まれている。また、誘電体部品としての誘電体アンテナは、磁器素体１が高周波用誘電体磁器組成物で形成され、また電極部２はめっき形成されている。 （もっと読む）

【課題】微粒でありながら凝集が防止されており、比誘電率が高い誘電体材料を容易に製造し得る方法を提供すること。
【解決手段】下記の無定形微粒子粉末を空気中２３０℃以上５３０℃未満で加熱して中間生成物を得る第１の工程と、第１の工程で得られた中間生成物を、減圧下７００℃以上１０００℃以下で加熱する第２の工程とを備えることを特徴とする。
〔無定形微粒子粉末〕
チタン、バリウム、乳酸及び蓚酸を含み、ＢＥＴ比表面積が６ｍ²／ｇ以上で、Ｂａ原子とＴｉ原子のモル比（Ｂａ／Ｔｉ）が０．９８〜１．０２で、乳酸に由来する１１２０〜１１４０ｃｍ^-1及び１０４０〜１０６０ｃｍ^-1に赤外線吸収スペクトルピークを有することを特徴とする無定形微粒子粉末。 （もっと読む）

【課題】温度特性を損なうことなく高誘電率を維持し、かつ所望の信頼性やＡＣ電界特性を確保することができるようにする。
【解決手段】本発明の誘電体セラミックは、結晶粒子１と結晶粒界２とを備えている。そして、任意の断面で観察したとき、７０％以上の結晶粒子１が、ＢａＴｉＯ_３を主成分とする第１の領域３と、（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ_３を主成分とする第２の領域４とを有する。さらに、第１の領域３の結晶粒界２への露出部分の周縁長Ｌ１が、第２の領域４の結晶粒界２への露出部分の周縁長Ｌ２よりも長く形成されている。第２の領域４が第１の領域３で取り囲まれている。必要に応じ、副成分としてＳｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、及びＶの群から選択された少なくとも１種の元素、更にはＳｍ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｙ、及びＺｒの群から選択された少なくとも１種の元素を添加するのも好ましい。 （もっと読む）

【課題】 ７００℃近傍といった高温下においても高耐電圧特性を有するスパークプラグ用絶縁体及びそれを備えるスパークプラグを提供する。
【解決手段】 スパークプラグ１００に用いられるアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）を主成分とするスパークプラグ用絶縁体２であって、少なくともケイ素（Ｓｉ）成分と、１種類以上の希土類元素（以下、ＲＥ．と表す）成分とを含有し、かつ、理論密度比が９５％以上であるアルミナ基焼結体により構成する。かかる構成により、スパークプラグ用絶縁体２は、アルミナ結晶粒界に存在する残留気孔や低融点ガラス相の影響による絶縁破壊の発生を抑制し、７００℃程度の高温下における耐電圧特性に優れた絶縁体を有するものとなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低温焼成で製造することができ、高い相対密度や硬度、並びに高い品質係数（高いＱ値又は低いｔａｎδ値）を有するＺｎ₂ＳｉＯ₄セラミックス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛（ＺｎＯ）粒子と二酸化珪素（ＳｉＯ₂）粒子を２：１のモル比で配合したものに１０ｍｏｌ％未満の一定量の酸化ビスマス（Ｂｉ₂Ｏ₃）粒子を添加し、湿式混合する（ステップＳ１）。ステップＳ１で得た混合物を仮焼成する（ステップＳ２）。ステップＳ２で得た仮焼成物を粉砕する（ステップＳ３）。ステップＳ３で得た粉砕物を加圧成形する（ステップＳ４）。ステップＳ４で得た成形物を本焼成することによりＺｎ₂ＳｉＯ₄セラミックスを形成する（ステップＳ５）。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、１０００℃以下でも焼成可能であるとともに、１００ＭＨｚにおける比透磁率および比誘電率を高くできる磁性体と誘電体との複合焼結体およびそれを用いたＬＣ複合電子部品を提供することを目的とする。
【解決手段】 Ｙ型六方晶Ｂａフェライトを主結晶とし、Ｍ型六方晶Ｂａフェライト、ＳｒＴｉＯ_３結晶、ＢａＴｉＯ_３結晶、ＢａＴｉ_５Ｏ_１１結晶およびＢｉを含む磁性体と誘電体との複合焼結体であって、前記複合焼結体の結晶中のＹ型六方晶ＢａフェライトおよびＭ型六方晶Ｂａフェライトの合量の割合が６７．２〜７２．８質量％であり、ＳｒＴｉＯ_３結晶、ＢａＴｉＯ_３結晶およびＢａＴｉ_５Ｏ_１１結晶の合量の割合が２７．２〜３１．６質量％であるとともに、前記複合焼結体にＢｉがＢｉ_２Ｏ_３換算で５．７〜１２．０質量％含まれている磁性体と誘電体との複合焼結体を用いる。 （もっと読む）

【課題】７５０〜８５０℃での低温焼成が可能なグリーンシートを与え、銀系導体ペーストと同時焼成した際に、微細且つ良好な配線パターンを有する配線層の形成が可能で反りや欠陥の発生が少なく、耐メッキ性及び高周波帯での誘電特性に優れたセラミック層を与えるグリーンシート用セラミック粉末を提供する。
【解決手段】ガラス粉末と無機フィラーとを含有し、ガラス粉末が３５〜４０重量％のＳｉＯ_２、９〜１７重量％のＡｌ_２Ｏ_３、２１〜４０重量％のＢ_２Ｏ_３、１０〜２０重量％のＲ’Ｏ（Ｒ’はＣａ、Ｍｇ及びＢａからなる群より選択される元素であって、Ｃａを必ず含む少なくとも１種の元素）、０．２〜２．０重量％のＭＯ_２（ＭはＺｒ及びＴｉからなる群より選択される少なくとも１種の元素）、２〜１０重量％のＺｎＯ、０．２〜３．０重量％のＷＯ_３を含み、全体で１００重量％となり、Ａｌ_２Ｏ_３／ＣａＯが３．０以上であるグリーンシート用セラミック粉末とする。 （もっと読む）

【課題】アスベスト（クリソタイル：Mg₃Si₂O₅(OH)₄）を使って、高周波フォルステライト（Mg₂SiO₄）磁器を作製する。アスベストは天然鉱物であるため不純物が多く、そのままフォルステライトの原料に使っては、その高周波特性の性能指標であるQ・ｆ値の大きなものが得られない。そのためアスベストから酸処理により鉄などの不純物を取り除くことで得た原料を使って高品質なフォルステライトを作製する。
【解決手段】アスベスト（クリソタイル：Mg₃Si₂O₅(OH)₄）を塩酸処理することによってMg²⁺イオンと同時に不純物の鉄を溶出でき、高純度の非晶質SiO₂ファイバーとすることができた。このSiO₂ファイバーと反応活性なMgOとを固相反応させることによりフォルステライト粉末を作製できた。得られたフォルステライト粉末をパルス通電焼結させることにより緻密なフォルステライト磁器が得られ、その磁器のQ・ｆ値は100,000GHzを超えた。 （もっと読む）

【課題】 １０００℃以下の温度で焼成でき、しかも、曲げ強度が高く、０．１ＧＨｚ以上の高周波領域において、共振周波数が温度によって変化しにくく、低い誘電損失を有する焼結体及び高周波用回路部材を得ることが可能なガラスセラミック誘電体材料を提供することである。
【解決手段】 本発明のガラスセラミック誘電体材料は、質量百分率で、ガラス粉末 ５０〜１００％、セラミックフィラー粉末 ０〜５０％からなるガラスセラミック誘電体材料において、該ガラス粉末が、ガラス組成中にＴｉＯ_２ ３〜２５ｍｏｌ％、ＳｉＯ_２ ５０〜７０ｍｏｌ％、Ａｌ_２Ｏ_３ ４〜１５ｍｏｌ％、ＣａＯ １５〜３５ｍｏｌ％、Ｂ_２Ｏ_３ ０〜１０ｍｏｌ％含有し、焼成すると、ルチルおよびアノーサイトを析出する性質を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率εｒが高く、Ｑ×ｆ値が大きな誘電体磁器を実現でき、低温焼成が可能な誘電体磁器組成物及び誘電体磁器を提供すること。
【解決手段】 下記組成式（１）で表される酸化物誘電体を主成分とし、ホウ素酸化物及びガラス組成物から選ばれる少なくとも１種を副成分として含有することを特徴とする誘電体磁器組成物。
ａ・ＣａＯ−ｂ・ＬｉＯ_１／２−ｃ・ＢｉＯ_３／２−ｄ・ＲＥＯ_３／２−ｅ・ＴｉＯ_２…（１）
［但し、上記式（１）中、ＲＥは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｄｙ、Ｙｂ及びＹからなる群より選ばれる少なくとも１種を表す。また、ａ〜ｅは、各成分の比率（モル％）を表し、
２６＜ａ≦４５、
０＜ｂ≦１２、
０≦ｃ≦（ａ＋ｄ）／４、
０≦ｄ≦１２．５、
５０≦ｅ≦６０、
０．６５≦ｂ／（ｃ＋ｄ）＜１．０、
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００
となる関係を満たす値である。］ （もっと読む）

【課題】 Ｑ×ｆ値を向上するとともに、十分に高い比誘電率εｒを得ることも可能な誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】 本発明の誘電体磁器組成物は、下記組成式（１）で表される酸化物誘電体からなるものである。
ａ・ＣａＯ−ｂ・ＬｉＯ_１／２−ｃ・ＢｉＯ_３／２−ｄ・ＲＥＯ_３／２−ｅ・ＴｉＯ_２…（１）
［但し、上記式（１）中、ＲＥは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｄｙ、Ｙｂ及びＹからなる群より選ばれる少なくとも１種を表す。また、ａ〜ｅは、各成分の比率（モル％）を表し、
２６＜ａ≦４５、
０＜ｂ≦１２、
０＜ｃ≦（ａ＋ｄ）／４、
０≦ｄ≦１２．５、
５０≦ｅ≦６０、
０．６５≦ｂ／（ｃ＋ｄ）＜１．０、
（ａ＋ｂ＋ｄ）／ｅ＜１．０、
ｄが０でない場合、ｂ≧０．９×ｄ、
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００
となる関係を満たす値である。］ （もっと読む）

【課題】定格電圧が高い中高圧用途に用いられ、誘電率が高く、ＤＣバイアス特性、電歪特性、高温負荷寿命特性に優れた誘電体磁器組成物と、電子部品を提供すること。
【解決手段】チタン酸バリウム１００モルに対して、各副成分の酸化物または複合酸化物換算での比率が、ＢａＺｒＯ３：９〜１３モル、希土類Ｒの酸化物：４．５〜５．５モル、Ｍｇの酸化物：２．７〜５．７モル、Ｍｎの酸化物：０．５〜１．５モル、Ｓｉの酸化物：３．０〜３．９モルであり、誘電体磁器組成物が、中心部と、中心部の周囲に存在し、少なくともＺｒ、ＭｇおよびＲが含まれる拡散相と、からなる表面拡散粒子を有する。表面拡散粒子の個数割合が６０％以上であり、拡散相におけるＺｒの濃度をｘ（ａｔｏｍ％）、Ｒの濃度をｙ（ａｔｏｍ％）、Ｍｇの濃度をｚ（ａｔｏｍ％）とした場合に、ｘ、ｙ、ｚが、点Ａ、Ｂ、Ｃを頂点とする三角形に囲まれた領域内（線上を含む）にある。 （もっと読む）