【課題】 絶縁抵抗、寿命特性および静電容量の温度特性のバラツキの小さい積層セラミックコンデンサ及びその積層セラミックコンデンサの製造方法を提供する。
【解決手段】 ＢａＴｉＯ₃を主成分とし、Ｖを含有する誘電体セラミックにおいて、Ｖの価数が３．８〜４．１であることを特徴とする。また、セラミック誘電体層と内部電極層とを交互に積層した積層チップの表面に外部電極を備えた積層セラミックコンデンサにおいて、前記セラミック誘電体層が、ＢａＴｉＯ₃を主成分とし、Ｖを含有する誘電体セラミックからなり、Ｖの価数が３．８〜４．１であることを特徴とする。その積層セラミックコンデンサの製造方法において、誘電体セラミック中に含有されたＶの価数を３．８〜４．１に調整することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率が高く、絶縁抵抗の寿命を維持でき、容量温度特性がＥＩＡ規格のＸ８Ｒ特性（−５５〜１５０℃、ΔＣ／Ｃ＝±１５％以内）を満足し、還元性雰囲気中での焼成が可能であるとともに、ＩＲ温度依存性が改善され、しかも高温加速寿命に優れた誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】 チタン酸バリウムを含む主成分と、ＭｇＯを含む第１副成分と、ＭｎＯまたはＣｒ_２ Ｏ_３ を含む第７副成分と、Ａｌ_２ Ｏ_３ を含む第８副成分と、その他の所定の副成分（第２、第３、第４、第５副成分）と、を有し、主成分１００モルに対し、第１副成分：０．２〜０．７５モル、第７副成分：０．１〜０．３モル（但し、第７副成分のモル数は、Ｍｎ元素またはＣｒ元素換算での比率である）、第８副成分：０．５〜４モル（但し、４モルを除く）であり、前記第１副成分に含まれるＭｇ元素と、前記第７副成分に含まれるＭｎ元素、Ｃｒ元素とが、モル比で、０．３≦（Ｍｎ＋Ｃｒ）／Ｍｇ≦０．５の関係にある誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】 少ないガラス量で低温焼成できる磁器組成物及びその製法並びに電子部品を提供する。
【解決手段】 本組成物は、フィラー及びガラスを含有し、フィラーは組成式［ｘＣａＯ・ｙＭ^１Ｏ・ｚＳｉＯ_２］（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００モル％）で表した場合に条件（１）及び（２）を満たすフィラーを主成分とし、且つ、ガラスは、少なくともＢａ、Ｚｎ、Ｂ及びＳｉを含有し、各元素の酸化物換算合計で、Ｂａを２５〜５５質量％、Ｚｎを５〜３０質量％、Ｂを１５〜３５質量％、Ｓｉを５〜３０質量％含有する。条件（１）；Ｍ^１はＭｇ及びＺｎのうちの少なくとも１種。条件（２）；ｘ、ｙ及びｚは三角図を用いて表した場合に図１における辺ＡＢ、辺ＢＣ、辺ＣＤ及び辺ＤＡの領域内（各辺は全て含む）にある。本電子部品は、本組成物からなる誘電体磁器部と、その表面及び／又は内部に配設され且つ同時焼成された導体部を備える。 （もっと読む）

【課題】無負荷Ｑ値と機械的強度が高く、かつ焼成温度に対して非常に安定であり、十分な絶縁信頼性を有し、グリーンシートの作製も容易である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】誘電体磁器組成物を、組成式ｘＢａＯ−ｙＣａＯ−ｚＬｉＯ_1/2−ｗＭＯ_5/2（Ｍは、ＮｂおよびＶからなる群から選ばれる少なくとも一種の元素で、ｘ，ｙ，ｚ，ｗはｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ＝１、０≦ｘ≦０．５、０≦ｙ≦０．５、０．１２≦ｚ≦０．２０、０．３０≦ｗ≦０．３８で示される値）で表される第一成分と、Ｓｉ，Ｂ，Ａｌ，Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｚｎ，Ｔｉ，ＬａおよびＮｄからなる群から選ばれる少なくとも二種の元素を含むガラス組成物である第二成分とを含み、第二成分の含有率が２重量％以上５０重量％以下であり、さらに第三成分としてＣｕＯを前記第一、第二成分を合わせたものに対して０．２重量部以上５重量部以下含ませた。 （もっと読む）

【課題】無負荷Ｑ値と機械的強度が高く、かつ焼成温度に対して非常に安定であり、十分な絶縁信頼性を有し、グリーンシートの作製も容易である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】組成式ｙＣａＯ−ｚＬｉＯ_1/2−ｗＭＯ_5/2−ｕＴｉＯ₂（Ｍは、ＮｂおよびＶからなる群から選ばれる少なくとも一種の元素で、ｙ，ｚ，ｗ，ｕはｙ＋ｚ＋ｗ＋ｕ＝１、０．４５≦ｙ≦０．５５、０．１０≦ｚ≦０．２０、０．１６≦ｗ≦０．３８、０．０１≦ｕ≦０．２０で示される値）で表される第一成分と、Ｓｉ，Ｂ，Ａｌ，Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｚｎ，Ｔｉ，ＬａおよびＮｄからなる群から選ばれる少なくとも二種の元素を含むガラス組成物である第二成分とを含み、第二成分の含有率が２重量％以上５０重量％以下であり、さらに第三成分としてＣｕＯを前記第一、第二成分を合わせたものに対して０．２重量部以上５重量部以下含む誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率が高く、目的とする温度特性を満足し、還元性雰囲気中での焼成が可能であるとともに、高温加速寿命に優れ、しかも容量不良率（容量が規格値以下となってしまった製品の割合）の改善された誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】 チタン酸バリウムを含む主成分と、ＭｇＯ，ＣａＯ，ＢａＯおよびＳｒＯから選択される少なくも１種を含む第１副成分と、Ａｌ_２ Ｏ_３ ，Ｌｉ_２ ＯおよびＢ_２ Ｏ_３ から選択される少なくとも１種を含む第２副成分と、Ｖ_２ Ｏ_５ ，ＭｏＯ_３ およびＷＯ_３ から選択される少なくとも１種を含む第３副成分と、Ｒ１の酸化物（ただし、Ｒ１はＳｃ，Ｅｒ，Ｔｍ，ＹｂおよびＬｕから選択される少なくとも１種）を含む第４副成分と、ＣａＺｒＯ_３ またはＣａＯ＋ＺｒＯ_２ を含む第５副成分と、を少なくとも有する誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率が高く、容量温度特性がＥＩＡ規格のＸ８Ｒ特性（−５５〜１５０℃、ΔＣ／Ｃ＝±１５％以内）を満足するとともに、ＴＣバイアス特性（直流電圧印加時の容量温度特性）、および絶縁抵抗の高温加速寿命が向上でき、しかも、直流電界下での容量の経時変化の小さい誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】 所定組成を有する誘電体磁器組成物であって、前記誘電体磁器組成物を構成する焼結後の誘電体粒子の平均結晶粒径が、０．１５〜０．６μｍであり、かつ、前記誘電体粒子の５０％相当径であるＤ５０径と、１００％相当径であるＤ１００径との差（Ｄ１００−Ｄ５０）である粒径の粒度分布が、０．３〜０．９μｍである誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】 高い誘電率と良好な温度特性を確保し、しかもＴＣバイアス特性およびＩＲ温度依存性が改善された誘電体磁器組成物、およびこのような誘電体磁器組成物を誘電体層に有する積層セラミックコンデンサなどの電子部品を提供すること。
【解決手段】 チタン酸バリウムを含む主成分と、Ａｌの酸化物と、を有する誘電体磁器組成物であって、前記誘電体磁器組成物は、複数の誘電体粒子を有しており、前記誘電体粒子は、粒子表面から粒子内部に向かって、Ａｌの濃度が低くなっていることを特徴とする誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】 ９００℃以下での低温焼結が可能で、比誘電率εｒが３０〜４０の特性を備え、共振周波数の温度係数τｆが＋１０〜＋４０ｐｐｍ／Ｋの特性を備え、共振周波数とＱ値との積であるＱ・ｆ値が１５０００ＧＨｚ以上の特性を備える誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】 誘電体磁器組成物の主成分としてＢａＯ、ＴｉＯ_２を所定の比率で含有させ、前記誘電体磁器組成物の副成分としてＺｎＯ、Ｂ_２Ｏ_３及びＣｕＯを所定の比率で含有させるとともに、これらの副成分の総和量を所定範囲にする。 （もっと読む）

【課題】温度特性が平滑で、誘電率が高く、自己発熱が低い等の全ての特性を満足して、鉛を含有しないチタン酸バリウムを主成分とする誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】本発明の誘電体磁器組成物は、チタン酸バリウムを主成分とする、ペロブスカイト型構造を形成する固溶体組成において、BiMnO₃成分を1.0モル％〜2.0モル％、Ba_1/2NbO₃またはBa_1/2TaO₃成分を0.3モル％〜1.2モル％、およびBi_2/3TiO₃成分を9.0モル％〜15.0モル％を含有する。 （もっと読む）

【課題】 ９００℃以下での低温焼結が可能で、比誘電率εｒが３０〜４０の特性を備え、特に、共振周波数の温度係数τｆの絶対値が２０ｐｐｍ／Ｋの特性を備え、共振周波数の温度係数τｆが改善された誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】 誘電体磁器組成物の主成分としてＢａＯ、ＴｉＯ_２、ＷＯ_３を所定の比率で含有させ、前記誘電体磁器組成物の副成分としてＺｎＯ、Ｂ_２Ｏ_３及びＣｕＯを所定の比率で含有させる。 （もっと読む）

【課題】燃焼合成により、優れた誘電特性を有する酸化物系誘電体セラミックスを提供する。
【解決手段】 比表面積が０．０１〜２ｍ²／ｇの４族元素であるチタンを含む金属粉末と、２族元素であるストロンチウム、バリウムおよびカルシウムから選ばれた少なくとも１つの元素の炭酸塩と、１族元素またはＮＨ₄を含む加熱により酸素を発生する物質とを少なくとも含む反応原料をそれぞれ所定割合で配合し、断熱火炎温度が１５００℃以上である燃焼合成法により得られ、比誘電率が１５以上、誘電正接が０．０１未満である。 （もっと読む）

【課題】従来よりも更に低温焼成可能で、且つ高い比誘電率を有する誘電体セラミック材料とすることができる誘電体セラミック形成用組成物およびそれを用いた誘電体セラミック材料を提供すること。
【解決手段】平均粒径が０．０１〜０．５μｍのペロブスカイト（ＡＢＯ₃）系セラミック原料粉末と平均粒径が０．１〜５μｍのガラス粉末を含有し、且つ前記ガラス粉末の配合量が３〜１２重量％であることを特徴とする誘電体セラミック形成用組成物である。ペロブスカイト（ＡＢＯ₃）系セラミック原料粉末は、湿式反応により得られるペロブスカイト（ＡＢＯ₃）系セラミック原料粉末であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率εの温度特性τεが正である誘電体磁器組成物を提供し、比誘電率εの温度特性τεがゼロに近く、誘電特性にも優れた複合誘電体材料及び複合誘電体基板を提供する。
【解決手段】 組成式（Ａ_１−ｘＬＥ_ｘ）Ｎｂ_２Ｏ_６（ただし、式中Ａはアルカリ土類金属元素であり、ＬＥはランタン系列元素である。また、０＜ｘ＜１である。）で表される誘電体磁器組成物である。アルカリ土類金属元素はＳｒであり、ランタン系列元素ＬＥはＬａである。この誘電体磁器組成物を比誘電率εの温度特性τεが負である誘電体磁器組成物と組み合わせて誘電体セラミックスとし、これを有機高分子材料と複合化することで、複合誘電体材料とする。 （もっと読む）

【課題】 積層セラミックコンデンサの誘電体層などとして用いられる誘電体磁器組成物において、より低温で焼結可能であり、かつ、比誘電率が高く、ＩＲ寿命に優れた誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】 Ｒの酸化物（ただし、Ｒは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕから選択される少なくとも１種）を含む第２副成分を、少なくとも有する誘電体磁器組成物の製造方法であって、焼成後に前記Ｒの酸化物となる原料のうち少なくとも一部として、Ｒのハロゲン化物を使用することを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 インプリント特性、耐還元性に優れた強誘電体膜を作製する方法を提供する。また、このような強誘電体膜を用いた強誘電体メモリを提供する。
【解決手段】 Ｐｂ(Ｚｒ，Ｔｉ)Ｏ₃
で表される組成の強誘電体膜の作製方法において、Ｐｂの１０〜１５％、より好ましくは１１％から１３％をＣａで置換する。強誘電体メモリの作製において、半導体基板上のトランジスタに電気的に接続する下部電極を形成する。下部電極上に、一般式Ｐｂ_xＣａ_y(Ｚｒ_z，Ｔｉ_1-z)
Ｏ₃ で表され、Ｃａの組成ｙがＰｂの１０〜１５％を置換した範囲である強誘電体膜をゾルゲル法で形成し、この強誘電体膜上に上部電極を形成する。上部電極、強誘電体膜、および下部電極を加工して、トランジスタに接続するキャパシタを形成する。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率εｒが１５０以上で、誘電率の温度特性τεが２００ｐｐｍ／Ｋ以下で、Ｑ特性にも優れた誘電体磁器組成物を実現する。
【解決手段】 基本組成成分が、ａＢａＴｉＯ_３−ｂＳｒＴｉＯ_３−ｃＣａＴｉＯ_３−ｄＬｉ_１／２ＲＥ_１／２ＴｉＯ_３−ｅＬｉ_１／２Ｎｄ_１／２ＴｉＯ_３［ただし、ＲＥはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒから選択される少なくとも１種を表し、ａ〜ｅは各成分の配合比率（モル％）を表す。］で表される誘電体磁器組成物である。各成分の組成は、０≦ａ≦５、１≦ｂ≦３０、５≦ｃ≦３０、１≦ｄ≦２０、４５≦ｅ≦７５、２０≦ａ＋ｂ＋ｃ＜３５、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００である。配合比率ｄ，ｅは、ｄ：ｅ＝１：２〜１：１０であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 誘電体セラミックスが有する高い比誘電率εｒを十分に反映させることができ、これまでにない高い比誘電率εｒを実現することができ、しかも比誘電率εｒの温度変化率の小さな新規な複合誘電体材料を提供する。
【解決手段】 誘電体セラミックスと有機高分子材料とを含有する複合誘電体材料である。誘電体セラミックスとして、一般式Ａｇ（Ｎｂ_１−ｘＴａ_ｘ）Ｏ_３（ただし、０．１０≦ｘ≦０．４５である。）で表される組成を有し比誘電率の温度変化係数が正である酸化物を含有する。さらに、一般式Ａｇ（Ｎｂ_１−ｘＴａ_ｘ）Ｏ_３（ただし、０．６０≦ｘ≦０．９０である。）で表される組成を有し比誘電率の温度変化係数が負である酸化物を併用してもよい。本発明の複合誘電体材料は、プリプレグや金属箔塗工物、板状の成形体等に用いられ、さらにこれらプリプレグや金属箔塗工物、成形体を用いて複合誘電体基板や多層基板が作製される。 （もっと読む）

【課題】１０ｋＶ／ｍｍを遥かに超える高電界強度下であっても、加速寿命が良好で高信頼性を有するようにする。
【解決手段】誘電体セラミックが、組成式Ｂａ_mＴｉＯ_2＋mで表されるチタン酸バリウム系固溶体を含有した主相粒子と、組成式Ｍｇ_ｎＶＯ_ｔで表される結晶性複合酸化物からなる二次相粒子とを含んでいる。好ましくは、上記ｍ、ｎ、及びｔが、１．００１≦ｍ≦１．０３０、０．３≦ｎ≦５．０、１．５＋ｎ≦ｔ≦２．５＋ｎであり、Ｂａ_mＴｉＯ_2＋m１００モルに対するＭｇ_ｎＶＯ_ｔの配合モル量αが、０．０５≦α≦２．０である。これにより誘電特性や静電容量の温度特性、絶縁性も良好なものとすることができる。さらに、必要に応じて特定の希土類元素や金属元素、更にはＳｉを含む焼結助剤を含んでいてもよい。
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【課題】薄層に対応して誘電体を微粒化しても比誘電率が大きく、かつ薄層化による負荷電界強度の増大に対しても、ＤＣバイアス印加による比誘電率の変化率が良好で、平均故障時間の長い誘電体磁器及び積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の誘電体磁器は、ＣａとＳｒとＭｇとＭｎと希土類元素を含有するとともに、Ａサイトの一部が該Ｃａで置換されたペロブスカイト型チタン酸バリウム結晶粒子（ＢＣＴ型結晶粒子）に、前記ＣａとＳｒとＭｇとＭｎと希土類元素の少なくとも一部が固溶してなる主結晶粒子を含有し、Ａｌ元素の含有量が酸化物換算で０．０１質量％以下である誘電体磁器であって、前記主結晶粒子は、Ｃａ濃度が粒子中心よりも粒子表面側において大きく、ＳｒとＭｇとＭｎ及び希土類元素が粒子表面側に偏在したコアシェル型構造であり、平均粒径が０．１〜０．５μｍであることを特徴とする。 （もっと読む）